KR100605389B1 - 반도체장비의 부산물 급속 포집장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 프로세스 챔버로부터 유입되는 반응부산물을 냉각하여 빠른 시간내에 파우더로 만들되, 유입되는 반응부산물에 에너지를 가하여 이온화하고 이를 신속하게 막질화하여 증착함으로 포집효율을 극대화한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치에 관한 것으로서, 본 발명은 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구 및 프로세스 챔버를 진공상태로 만드는 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구를 구비한 하우징, 하우징 내에 설치되어 제 1연결구를 통해 유입되는 반응부산물을 가열하여 이온화하는 가열수단, 가열수단에 의해 가열된 반응부산물을 급속 냉각시키기 위해 하우징 내에 저온의 냉매를 주입하여 순환시키는 냉각수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
파우더, 반응부산물, 프로세스 챔버

Description

반도체장비의 부산물 급속 포집장치{Apparatus for quick caching residual products in semiconductor device}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체장비의 파우더 트랩 장치를 설명하기 위한 개념도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체장비의 부산물 급속 포집장치와 프로세스 챔버와의 연결 상태를 보여주는 개념도.
도 3은 본 발명의 외관 입면도.
도 4는 본 발명의 분해 입면도.
도 5는 본 발명에 따른 가열수단을 설명하기 위한 가열수단의 입면도.
도 6a는 본 발명에 따른 변형된 가열수단을 설명하기 위한 정면도.
도 6b는 본 발명에 따른 변형된 히팅 플레이트의 평면도.
도 7은 본 발명에 따른 트랩 플레이트 및 제 1냉각라인을 설명하기 위한 내부 입면도.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 트랩 플레이트들의 평면도.
도 9는 본 발명의 정면 부분 절개도.
도 10은 본 발명에 따른 제 2냉각라인의 구성을 설명하기 위한 입면 참조도.
도 11은 도 9의 정면도.
도 12는 본 발명에 따른 제 2냉각라인이 상판에 연장된 변형된 구성을 설명하기 위한 평면 참조도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 하우징 2 : 가열수단
3 : 트랩 플레이트 4 : 냉각수단
110 : 하우징 몸체 120 : 상판
130 : 하판 140 : 제 1연결구
150 : 제 2연결구 160 : 하우징 브래킷
210 : 히팅 플레이트 220 : 히터
230 : 원통형 가이드 310 : 제 1트랩 플레이트
320 : 제 2트랩 플레이트 410 : 제 1냉각라인
420 : 제 2냉각라인
본 발명은 반도체장치에 관한 것으로서, 특히 반도체소자 제조시 프로세스 챔버로부터 유입되는 미반응 가스 및 유독성 가스와 같은 반응부산물을 효율적으로 포집(捕集)하는데 적당하도록 한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.
이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.
따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다.
하지만, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.
이에, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10)와 진공펌프(30) 사이에 상기 프로세스 챔버(10)에서 배출되는 배기가스를 파우더 상태로 응착시키는 파우더 트랩 장치를 설치하고 있다.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(10)와 진공펌프(30)는 펌핑라인(60)으로 연결되고, 상기 펌핑라인(60)에는 상기 프로세스 챔버(10)에서 발생된 반응부산물을 파우더 형태로 트랩하여 적체하기 위한 트랩관(70)이 상기 펌핑라인(60)으로부터 분기되어 설치된다.
이와 같은 종래의 파우더 트랩 장치의 경우 상기 프로세스 챔버(10) 내부에서 박막의 증착이나 식각시 발생된 미반응 가스가 상기 프로세스 챔버(10)에 비해 상대적으로 낮은 온도 분위기를 갖는 펌핑라인(60)쪽으로 유입되면서 분말 상태의 파우더(9)로 고형화된 후, 상기 펌핑라인(60)으로부터 분기되어 설치된 트랩관(70)에 쌓이게 된다.
이때, 상기 트랩관(70)을 펌핑라인(60)으로부터 분기시켜 설치하는 이유는 상기 파우더가 진공펌프(30)쪽으로 유입되지 않도록 하기 위함이다.
그러나 상기와 같은 종래 기술의 파우더 트랩 장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 프로세스 챔버 내부에서 발생된 반응부산물이 파우더 상태로 전환되어 트랩관에 적체되기까지의 시간이 오래 걸리므로 그 만큼 전체 공정시간이 길어지는 문제점이 있었다.
즉, 박막을 증착하거나 식각할 때 발생된 반응부산물이 신속하게 파우더로 전환되어 트랩관에 적체됨으로써, 상기 프로세스 챔버 내부에는 반응부산물이 존재하지 않게 될 때 비로소 다음의 박막 증착 또는 식각 공정이 이루어질 수가 있으나, 상기 반응부산물이 파우더로 전환되는데 많은 시간이 소요되므로 상기 프로세스 챔버는 반응부산물이 모두 제거될 때까지 공정을 진행하지 못하고 대기해야 하는 시간이 길어지게 되고, 그로 인해 장비 가동율이 저하되는 것은 물론, 프로세스 챔버의 오랜 대기시간으로 인하여 그 만큼 전체 공정 시간(TAT)이 길어지게 된다.
둘째, 파우더가 적체되는 트랩관의 공간이 매우 협소한 관계로 상기 트랩관에 적체된 파우더를 자주 제거해 주어야 하는 불편함이 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 가열 및 냉각을 병행하여 챔버로부터 유입되는 반응부산물을 이온화하고 이를 신속하게 막질화하여 증착함으로써 포집효율을 극대화하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치는, 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 반도체장비의 부산물 포집장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구 및 상기 프로세스 챔버를 진공상태로 만드는 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구를 구비한 하우징과, 상기 하우징 내에 설치되어 상기 제 1연결구를 통해 유입되는 반응부산물을 가열하여 이온화하는 가열수단과, 상기 가열수단에 의해 가열된 반응부산물을 급속 냉각시키기 위해 상기 하우징 내에 저온의 냉매를 주입하여 순환시키는 냉각수단을 포함하여 구성되는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.
여기서, 상기 하우징은, 상부와 하부가 개구된 원관형의 몸체와, 상기 몸체의 상부에 결합되고 제 1연결구가 구비된 상판과, 상기 몸체의 하부에 결합되고 제 2연결구가 구비된 하판으로 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 냉매는 냉각수, 프레온 가스 중 어느 하나인 것일 수 있다.
또한, 상기 가열수단은, 상기 하우징 내의 제 1연결구 인근에 설치되어 유입되는 반응부산물과 접촉하면서 상기 반응부산물을 가열하는 히팅 플레이트와, 상기 히팅 플레이트와 접촉 설치되어 상기 반응부산물을 이온화하기 위해 필요한 열을 상기 히팅 플레이트에 전달하는 히터를 포함하여 구성되는 것일 수 있다.
또한, 상기 히팅 플레이트의 상부면에는 유입되는 반응부산물이 주변의 하우징 측벽쪽으로 확산되도록 트랙을 형성하는 복수의 격벽이 방사상으로 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 복수의 격벽은 반응부산물이 중앙부에서 바깥쪽으로 나선을 그리면서 빠져나가도록 곡률을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 격막의 상측에 설치되며, 상부는 상기 제 1연결구와 연통되고 하부는 유입되는 모든 반응부산물을 상기 히팅 플레이트의 상부면 중앙부로 안내하는 통공을 갖는 원통형 가이드가 더욱 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 복수의 격벽은 반응부산물이 중앙부에서 바깥쪽으로 직선을 그리 면서 빠져나가도록 곡률 없는 평판으로 형성되는 것일 수 있다.
또한, 상기 히팅 플레이트의 둘레부에서는 상기 복수의 격벽 사이사이 중간에 바깥쪽에서 중앙부에 미치는 길이가 상기 격벽보다 짧은 보조 격벽이 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 격막의 상측에 설치되며, 상부는 상기 제 1연결구와 연통되고 하부는 유입되는 모든 반응부산물을 상기 히팅 플레이트의 상부면 중앙부로 안내하는 통공을 갖는 원통형 가이드가 더욱 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가열수단에서 가열된 반응부산물을 트랩하여 증착하는 복수의 트랩 플레이트가 상기 하우징 내에 더욱 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 냉각수단은, 상기 각 트랩 플레이트를 냉각시켜 상기 하우징의 내부 온도를 감소시키기 위해 상기 각 트랩 플레이트로 냉매를 전달하는 제 1냉각라인과, 상기 하우징 측벽 및 상기 하우징 내부의 냉각을 위해 상기 하우징의 측벽을 감싸 냉매를 유통시키는 제 2냉각라인을 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 2냉각라인은 상기 제 1연결구가 형성된 하우징의 상판까지 더욱 연장되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 2냉각라인이 상기 하우징 측벽을 감싸는 간격은 하부에서 상부로 갈수록 좁아지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 복수의 트랩 플레이트는 중앙부에 홀을 갖는 제 1트랩 플레이트와, 홀이 없는 평판형의 제 2트랩 플레이트가 상호 교번하여 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1냉각라인은, 상기 하우징 외부에서 내부로 삽입된 후 상기 복수의 트랩 플레이트의 중앙부를 관통하며, 하우징 내로 주입되는 냉매를 상기 각 트랩 플레이트로 분기시키기 위한 제 1연장부와, 상기 제 1연장부로부터 분기되어 상기 각 트랩 플레이트의 상부면에 설치되는 제 2연장부와, 상기 제 2연장부의 끝단에 연결되어 상기 제 2연장부를 경유한 냉매를 상기 하우징의 외부로 배출하기 위한 제 3연장부를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1냉각라인 및 제 2냉각라인 각각의 시작단은 하나의 냉매 공급관에 연결되고, 상기 제 1냉각라인 및 제 2냉각라인 각각의 끝단은 하나의 냉매 배출관에 연결되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 하우징에는, 상기 몸체 하단과 하판 사이에 설치되어, 그 측벽에서는 상기 제 1냉각라인의 제 1연장부 및 제 3연장부를 관통시켜 상기 제 1냉각라인을 지지하며, 상기 제 1트랩 플레이트 및 제 2트랩 플레이트를 지지하는 원관형의 하우징 브래킷이 더욱 구비되는 것이 바람직하다.
[실시 예]
이하, 상기와 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체장비의 부산물 급속 포집장치와 프로세스 챔버(Process Chamber)와의 연결 상태를 보여주는 개념도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치(100) 는 반도체, LCD 제조공정 또는 기타 유사 공정에서 박막의 증착이나 식각시 반응부산물을 발생하는 프로세스 챔버(10)에 연결되며, 본 발명에 의한 포집장치(100)의 일측에는 상기 포집장치(100)를 통해서 프로세스 챔버(10) 내부를 진공상태로 만들어 주기 위한 진공펌프(30)가 연결된다.
또한, 본 발명의 포집장치(100) 하측 근방에서는 반응부산물의 냉각에 필요한 냉매를 공급하기 위하여 외부 냉매탱크와 이어진 냉매 공급관(40)과 연결되고, 반대로 상기 포집장치(100)에서 사용되어진 냉매를 냉매탱크로 회수하기 위한 냉매 배출관(50)과도 연결된다.
이로써, 냉매가 상기 냉매탱크를 경유하여 순환하는 가운데 본 발명의 포집장치(100)에는 항상 신선한 상태의 냉매가 공급되며, 반응부산물의 포집 촉진을 위한 냉매로서는 상기 포집장치(100)의 내부 온도를 급격하게 떨어뜨릴 수 있는 냉각수나 프레온 가스가 이용되어 진다.
이와 같은 구조로 설치되는 본 발명의 포집장치(100) 자체는 프로세스 챔버(10)로부터 유입되는 반응부산물을 이온화하여 화학적 변화를 이끌어낼 수 있는 온도로 가열하는 방식으로 에너지를 가하고 화학적 변화를 겪은 증기상태의 반응부산물은 저온의 냉매를 사용하여 급속 냉각함으로써 막질화하여 증착할 수 있도록 구성된다.
이처럼 본 발명은 유입되는 반응부산물을 급속 냉각하고 이를 신속하게 고형화시킴으로서 포집효과를 높이는 것은 물론, 상기 프로세스 챔버(10)에서 미반응된 가스가 대부분인 반응부산물에 이온화에 의한 화학적 변화를 이끌어내어 이를 막질 화하여 증착시키는 방법을 병행하여 포집효과를 극대화시킬 수 있게 되는 것이다.
참고로, 본 발명의 포집장치(100)는 상기 진공펌프(30)의 흡입측 라인(Fore Line)만이 아니라 배기측 라인(Exhaust Line)에도 설치될 수 있으며 반도체 또는 LED 제조를 위한 다양한 공정에 적용 가능하다. 아래에는 본 발명의 포집장치(100)를 적용할 수 있는 공정과 이때 사용되는 가스를 참고적으로 도표화하여 정리하였다.
공정 사용 가스
Metal-Etch Cl2, Bcl3
W-CVD WF6, Ar, N2
Tin/CVD TiCl4, NH3
BPSG TOES, O2, PH3, TMB, TMP, O3, B2H6
Al, Al2O3/CVD MPA, TMA
SIN/Deposition SiH4, NH3
PSG SiH4, O2, PH TEOS
Silicon, Oxide SiH4, O2, N2O, H2o, CO2
Silicon Nitride SiH4,
이하, 본 발명에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치의 구성을 보다 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 외관 입면도이고, 도 4는 본 발명의 분해 입면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치는, 하우징(1), 가열수단(2), 트랩 플레이트(3) 및 냉각수단(4)을 포함하여 구성된다.
이같이 구성된 본 발명에서, 상기 하우징(1)은 프로세스 챔버의 반응부산물을 내부로 받아들인다.
상기 가열수단(2)은 하우징(1)에 유입되는 반응부산물을 가열하면서 반응에 필요한 에너지를 가하여 반응부산물에 화학적 변화를 일으킨다.
상기 냉각수단(4)은 제 1냉각라인(410) 및 제 2냉각라인(420)으로 냉매를 순 환시키면서 상기 트랩 플레이트(3) 및 하우징을 냉각함으로서 이들 트랩 플레이트(3) 및 하우징(1) 내측벽에 가열되어 증기상태로 접촉되는 반응부산물을 급속도로 증착하여 포집시키게 된다.
이하 상기와 같은 본 발명에 따른 구성요소들 하나 하나를 상세하게 설명한다.
먼저, 상기 하우징(1)은 도 3 및 도 4와 같이 분리 및 결합이 용이하도록 원관형의 몸체(110)와, 볼트 체결에 의해 상기 몸체(110)의 상부 및 하부에 각각 결합되는 원판형의 상판(120) 및 하판(130)으로 구성된다.
이처럼, 상기 하우징(1)이 분리 및 결합에 용이한 구조를 갖게 되면 유지 및 보수에 따른 편이성이 제공되며, 계속된 공정 진행으로 인해 상기 하우징(1) 내벽 및 상기 트랩 플레이트(3)에 파우더가 일정 이상 증착된 후 제거해야 할 때 편리하게 된다.
여기서, 상기 상판(120) 및 하판(130) 각각에는 통공(121,131)이 형성되고 상기 통공(121,131)과 연통된 제 1연결구(140) 및 제 2연결구(150)가 구비된다.
상기 제 1연결구(140) 및 제 2연결구(150)는 도시된 것처럼 별도의 부품으로 구비되어 결합되는 것은 물론 상기 상판(120) 및 하판(130)에 각각 일체로 형성되도록 구성될 수 있다.
이 중, 상기 제 1연결구(140) 및 제 2연결구(150)가 별도로 구비되어 상판(120) 및 하판(130)에 설치되는 경우 도시된 것처럼 반응부산물의 누설을 방지하기 위한 실링수단인 오링(141,151)이 설치되는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명에 따른 가열수단을 설명하기 위한 가열수단의 입면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 가열수단(2)은 상기 제 1연결구(140)를 통해 하우징(1)으로 유입되는 반응부산물을 가열할 수 있도록 히팅 플레이트(210), 히터(220) 및 원통형 가이드(230)로 구성된다.
상기 히팅 플레이트(210)는 상기 하우징(1) 내에서 유입되는 반응부산물과 접촉할 수 있도록 제 1연결구(140) 인근에 히터(220)와 함께 설치된다.
여기서, 상기 히팅 플레이트(210)의 상부면에는 중앙부로 유입되는 반응부산물이 주변 바깥쪽, 즉 하우징(1) 내측벽쪽을 향하여 나선을 그리면서 확산될 수 있도록 곡률을 갖는 복수개의 격벽(211)이 방사상으로 설치된다.
이처럼 상기 히팅 플레이트(210)에 방사상으로 설치된 복수의 격벽(211)이 설치되면 상기 제 1연결구(140)를 통해 유입된 반응부산물이 상기 하우징(1) 내측벽이 있는 주변부로 균일하게 확산된다.
아울러, 상기 격벽(211)의 곡률진 형태에 의해 상기 격벽(211) 사이로 보다 길게 형성되는 트랙은 반응부산물이 히팅 플레이트(210) 중앙부에 도달한 직후 상기 히팅 플레이트(210)를 떠나 확산되기까지 상기 트랙을 따라 보다 긴 경로를 이동하도록 마련하며, 이로써 반응부산물은 히팅 플레이트(210)에 의해 충분히 가열되어 화학적 변화에 필요한 에너지를 공급받게 된다.
또한, 상기 히팅 플레이트(210)의 둘레부에는 도시되지 않은 고정수단에 결합되어 하우징에 고정되기 위한 돌출된 지지편(213)이 형성된다.
상기 히터(220)는, 상기 히팅 플레이트(210) 하부에 접촉 설치된다. 이로써, 상기 히터(220)는 상기 반응부산물을 가열하여 에너지를 가하는 데 필요한 열을 생성하여 상기 히팅 플레이트(210)에 공급하게 된다.
여기서, 상기 히터(220)는 외부 전원부와 연결되어 열을 발생시키는 열선을 감싸 피복하기 위한 몸체가 고온을 충분히 견디면서 반응부산물에 의한 부식이 일어나지 않도록 세라믹 등의 소재로 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 열선을 하우징을 통하여 히터로 인입하고 인출하기 위한 피복관(221)이 구비된다.
상기 원통형 가이드(230)는 상부는 완전히 개구되고 하부 중앙은 통공(231)이 형성된 원통형 물체로, 상기 히팅 플레이트(210)의 격벽(211)과 제 1연결구(140) 사이에 설치된다.
이에 더해, 상기 원통형 가이드(230)에 개구된 상부는 상기 제 1연결구(140)와 연통되고 하부 통공(231)은 상기 히팅 플레이트(210)의 상면 중앙부를 향하도록 설치된다.
이같이 구성된 상기 원통형 가이드(230)에 의해 상기 제 1연결구(140)를 통해 유입되는 모든 반응부산물이 상기 히팅 플레이트(210)의 상면 중앙부 인근으로 안내된다.
한편, 본 발명에 따른 상기 히팅 플레이트(210)는 진공압 하에서 반응부산물의 흐름을 최대한 보장받을 수 있도록 약간 변형되어 구성될 수 있다.
이에, 도 6a는 본 발명에 따른 변형된 가열수단을 설명하기 위한 정면도이 고, 도 6b는 본 발명에 따른 변형된 히팅 플레이트의 평면도이다.
도시된 것처럼, 본 발명에 따른 변형된 히팅 플레이트(210')는 복수의 격벽(211a')이 곡률 없는 일자형 평판으로 형성되어, 중앙부로 유입된 반응부산물이 곡선을 그리지 않고 주변부를 향해 일직선으로 빠져나가도록 하였다.
이같이 복수의 격벽(211a')을 일자형 평판으로 한 구성은 반응부산물이 곡률진 격벽에 충돌하여 흐름을 방해받을 수 있는 요인을 제거하고자 한 것으로, 진공압 하에서는 작은 저항만으도 원활한 흐름의 균형이 쉽게 깨어져 버릴 수 있기 때문이다.
여기서, 상기 변형된 격벽(211a')이 설치되는 간격은 반응부산물의 흐름을 방해하지 않는 가운데 반응부산물과 충분히 접촉하여 열을 전달할 수 있을 정도로 촘촘하게 구성한다.
또한, 상기 히팅 플레이트(210')의 둘레부에서는 상기 변형된 격벽(211a')의 배치 간격이 넓어지므로 상기 격벽(211a') 사이사이 중간에 바깥쪽에서 중앙부로 미치는 길이가 짧은 보조 격벽(211b')이 설치된다.
이로써 전체적으로 반응부산물의 흐름을 방해하지 않으면서도 반응부산물과 접촉하는 열교환 면적을 증가시킬 수 있게 되는 것이다.
단 여기서, 변형되지 않은 히팅 플레이트(210)을 사용할 것인지 변형된 히팅 플레이트(210')를 사용할 것인지는 본 발명의 포집장치의 설치환경, 하우징(1)의 내압, 이루어지고 있는 공정 등 다양한 요인들을 종합적으로 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 트랩 플레이트 및 제 1냉각라인을 설명하기 위한 내부 입면도이고, 도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 트랩 플레이트들의 평면도이며, 도 9는 본 발명의 정면 부분 절개도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명은 반응부산물이 증착되어 포집되는 트랩 플레이트(3)와 반응부산물의 포집촉진을 위해 상기 트랩 플레이트(3)를 냉각하는 냉각수단(4)의 제 1냉각라인(410)이 서로 밀접한 관계로 구성된다.
상기 트랩 플레이트(3)는 중앙부에 홀(311)을 갖는 제 1트랩 플레이트(310)와, 홀(311)이 없는 평판형의 제 2트랩 플레이트(320)로 구성되되, 상기 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)는 상호 교번되도록 설치된다.
이때, 상호 인접하는 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)와의 간격은 아래쪽으로 갈수록 더 좁아지도록 설치되고, 최상층과 최하층은 중앙부에 홀이 형성되어 있지 않은 제 2트랩 플레이트(320)로 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)는 서로 상이한 직경을 갖되, 제 1트랩 플레이트(310)가 제 2트랩 플레이트(320)에 비해 더 큰 직경을 갖는 것이 바람직하다.
이와 같이, 중앙부에 홀(311)이 형성된 제 1트랩 플레이트(310)와 상기 제 1트랩 플레이트(310)에 비해 상대적으로 작은 크기를 갖는 원판형의 제 2트랩 플레이트(320)가 교번하여 설치됨으로써, 포집되는 파우더가 각 트랩 플레이트(3)의 상부면에 균일하게 증착되는 효과를 기대할 수 있게 된다.
또한, 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 형상은 하우징(1)의 내부 형상과 부합되는 형상을 갖는데, 만일 하우징(1)이 원관형이면 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 형상도 원판형으로 형성된다. 참고로, 본 발명의 실시 예에서는 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2랩 플레이트의 형상이 원판형인 것을 예로 하였으며, 상기 제 2트랩 플레이트(320) 중 최상부의 것(320a)은 반응부산물이 하우징(1)에 유입된 직후 그 흐름이 방해받지 않도록 보다 작은 직경으로 형성하였다.
참고로, 설명되지 않은 제 2트랩 플레이트(320,320a)의 321 및 321a은 제 1냉각라인(410)이 관통하기 위한 홀이다.
상기 제 1냉각라인(410)은 도 4에서와 같이 하우징(1)의 외벽을 감싸는 제 2냉각라인(420)과 함께 냉각수단(4)을 구성하며, 상기 제 1냉각라인(410)은 시작단(411)이 상기 냉매 공급관(40)과 연결되어 냉매를 공급받으며, 하우징(1) 내로 주입되는 냉매를 각 트랩 플레이트(3)로 분기시키기 위한 제 1연장부(410a), 상기 제 1연장부(410a)로부터 분기되어 각 트랩 플레이트(3)상에 설치되는 복수의 제 2연장부(410b), 제 2연장부(410b)로부터 연결되고 끝단(419)은 상기 냉매 배출관(50)과 연결되면서 상기 냉매 공급관(40)에 연결된 상기 제 1연장부(410a)의 시작단(411)과 나란하게 설치되는 제 3연장부(410c)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 1연장부(410a)와 제 3연장부(410c)는 상호 교번하여 설치되어 있는 제 1트랩 플레이트(310)와 제 2트랩 플레이트(320)의 중앙부를 관통하면서 하우징(1)의 내부 및 외부에 출입되고, 상기 제 2연장부(410b)는 제 1연장부(410a) 로부터 분기되어 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 상부면에 설치된다.
이러한 구성에 의해, 상기 냉매 공급관(40)으로부터 공급되는 냉매는 상기 제 1연장부(410a)를 통하여 분기된 각각의 제 2연장부(410b)를 흐르면서 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)를 거쳐, 다시 제 3연장부(410c)로부터 모아져서 외부와 연결된 냉매 배출관(50)으로 배출되어 진다.
여기서 상기 냉매는 제 1연장부(410a)를 통해 제 2연장부(410b)로 전달됨에 따라 상기 제 1연장부(410a) 및 제 2연장부(410b)는 물론이고, 제 2연장부(410b)가 설치되어 있는 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320) 표면을 냉각시키는 것은 물론, 상기 하우징(1)의 내부 온도를 순식간에 떨어뜨리게 된다.
통상, 공정이 진행중일 때, 프로세스 챔버의 내부 온도는 400~500℃정도를 유지하게 되는데, 제 1연장부(410a) 및 제 2연장부(410b)로 냉매를 흘려보내주면, 상기 프로세스 챔버와 연결되어 있는 하우징(1) 내부 및 상기 트랩 플레이트(3)의 표면온도는 프로세스 챔버에 비해 상대적으로 현저하게 떨어진다.
따라서 프로세스 챔버의 내부에서 발생된 반응부산물, 특히 미반응 가스가 상기 하우징(1)으로 유입되면서 상기 가열수단(2)에 의해 이온화되도록 가열되어 2차 반응에 의한 화학적 변화가 일어난 직후, 증기상태에서 낮은 온도로 냉각되어진 상기 트랩 플레이트(3)의 표면에 접하게 되면 순간적으로 막질화되어 증착되면서 급속도의 포집이 이루어진다.
한편, 상기와 같이 막질화에 의해 증착되지 않는 다른 반응부산물은 하우징 (1) 내의 낮은 온도 분위기에서 급속히 냉각되면서 고형화가 진행되어 파우더 상태로 상기 트랩 플레이트(3)에 쌓이게 된다.
여기서, 상기 트랩 플레이트(3) 표면에 증착되는 순간의 반응부산물은 증기(Vapor)상태에서 고형(Solid)상태로 전환되는 시점에서 막질화되면서 상기 트랩 플레이트(3) 표면에 더욱 신속하고 균일하며 확고하게 증착되는 것이다.
또한, 상기 하우징(1)의 내부 온도가 냉매에 의해 보다 빨리 냉각되도록 하기 위해서 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)와 상기 제 1냉각라인(410)의 소재가 열전도율이 우수한 것으로 구비된다.
또한, 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)상에 설치되는 제 2연장부(410b)는 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)와의 접촉면적을 극대화할 수 있는 경로를 그리면서 설치된다.
즉, 도면과 같이 상기 제 2연장부(410b)가 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)상에서 동그란 원을 그리면서 설치되는 것은 물론, 이에 더하여 지그재그 형태로 설치된다면 상기 트랩 플레이트(3)와의 접촉면적을 넓혀주어 상기 하우징(1) 내부 및 트랩 플레이트(3)를 더욱 빠른 속도로 냉각할 수 있게 된다.
한편, 상기 제 1트랩 플레이트(310)의 가장자리 부위를 관통하면서 지지하는 지지바(511)가 포함된다.
이처럼, 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 중앙부에는 제 1연장부(410a) 및 제 3연장부(410c)가 관통하게 되는 데, 제 1트랩 플레이트(310)는 상기 지지바(511)에 의해 고정 지지되는 반면에, 제 2트랩 플레이트 (320)는 제 1연장부(410a) 및 제 3연장부(410c)에 의해 고정 지지된다.
참고로, 상기 지지바(511)에 제 1트랩 플레이트(310)가 결합되기 위해서 용접(Welding)이나 강력 접착제를 사용하는 방법이 사용될 수 있고, 상기 제 2트랩 플레이트(320)와 제 1연장부(410a) 및 제 3연장부(410c)와의 결합 또한 마찬가지이다.
또한, 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320) 그리고 상기 제 1냉각라인(410)을 하나로 결합된 상태로 지지하면서 상기 하우징(1)에 결합 및 분리를 용이하게 하는 하우징 브래킷(160)이 더욱 구비된다.
여기서, 상기 하우징 브래킷(160)은 상기 하우징(1) 몸체(110)의 하단과 하판(130) 사이에 설치되며, 그 둘레부 한곳에 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)를 지지하는 지지바(511)가 지지 고정되고, 측벽에는 상기 제 1냉각라인(410)의 시작단(411) 및 끝단(419)이 관통하여 나가면서 상기 제 1냉각라인(410) 전체를 지지하도록 구성된다.
계속해서, 상기 제 1냉각라인(410)과 더불어 상기 냉각수단(4)을 구성하는 제 2냉각라인(420)에 대하여 설명한다.
이에, 도 10은 본 발명에 따른 제 2냉각라인의 구성을 설명하기 위한 입면 참조도이고, 도 11은 도 9의 정면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 냉각수단(4)의 제 2냉각라인(420)은 냉매 공급관(40)에 연결된 시작단(421)으로부터 상기 하우징(1)의 몸체(110) 외벽을 나선형으로 감싸면서 올라간 후 다시 원래의 위치로 복귀하여 그 끝단(429)이 냉매 배출관(50)과 연결된다.
이같이 상기 하우징(1)의 외벽을 감싸는 제 2냉각라인(420)이 구비되면, 반응부산물의 포집과정시 상기 제 2냉각라인(420)을 따라 유통되는 저온의 냉매에 의해 상기 하우징(1)의 내측벽이 저온 상태가 된다.
이로써, 상기 하우징(1) 내로 유입된 후 가열되어 이온화에 의해 화학적변화를 겪은 증기 상태의 반응부산물을 접촉하는 순간 상기 반응부산물을 급속으로 증착시키면서 겹겹이 포집할 수 있게 되며, 이 과정에서 반응부산물의 막질화에 의한 포집이 일어난다.
이처럼, 상기 냉각수단(4)에 제 1냉각라인(410)과 제 2냉각라인(420)이 구비되면 가열수단(2)에 의해 가열된 반응부산물을 막질화하면서 매우 신속하고 균일하게 포집할 수 있게 된다.
한편, 상기와 같이 막질화에 의해 증착되지 않는 다른 반응부산물은 하우징(1) 내의 낮은 온도 분위기에서 급속히 냉각되면서 고형화가 진행되어 파우더 상태로 상기 트랩 플레이트(3)에 쌓이게 된다.
또한, 상기 제 2냉각라인(420)이 상기 하우징(1) 측벽을 감싸는 간격은 하부에서 상부로 갈수록 좁아지게 설치된다. 이는 상기 가열수단(2)이 위치하는 하우징(1) 상부에서 더 많은 양의 냉매가 열교환할 수 있도록 하여 가열수단(2)에 의해 가열된 반응부산물을 하우징(1)의 상부에서부터 보다 원활하게 포집하기 위함이다.
도 12는 본 발명에 따른 제 2냉각라인이 상판에 연장된 변형된 구성을 설명하기 위한 평면 참조도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 냉각수단(4)의 제 2냉각라인(420')은 상기 하우징(1) 몸체(110) 외벽을 감싸는 것에 더해 하우징(1)의 상판(120)까지 더욱 연장된 순환경로를 가지도록 설치될 수 있다.
이처럼, 상기 제 2냉각라인(420')이 상기 하우징(1) 상판(120)까지 연장되어 설치되면 상기 제 2냉각라인(420')과 하우징(1)과의 열교환 면적이 증가하게 되어 하우징(1) 자체는 물론 하우징(1) 내부의 온도를 더욱 빠르게 낮출 수 있게 된다.
이로써, 하우징(1)에 유입되는 반응부산물을 보다 신속하게 고형화할 수 있는 분위기를 조성하게 된다.
이하에서는 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체장치의 부산물 급속 포집장치의 동작을 도면을 참조하여 반응부산물의 흐름을 중심으로 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명의 포집장치가 동작하면, 외부의 냉매탱크와 연결된 냉매 공급관(40)으로부터 분기되어 설치된 냉각수단(4)의 제 1냉각라인(410) 및 제 2냉각라인(420)에 냉매가 공급되어 흐르게 된다.
이 중 상기 하우징(1)의 내부로 투입된 후 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)로 분기되어 흐르도록 설치된 제 1냉각라인(410)을 따라 저온의 냉매가 흐르면서 상기 제 1트랩 플레이트(310) 및 제 2트랩 플레이트(320)의 표면온도 및 하우징(1) 내부온도는 급격히 떨어지게 된다.
또한, 상기 하우징(1)의 측벽을 감싸도록 설치된 제 2냉각라인(420)을 따라 저온의 냉매가 흐르면서 상기 하우징(1) 내측벽이 저온상태로 급격히 냉각되고, 아 울러 하우징(1) 내부온도 역시 더욱 떨어지게 된다.
동시에 상기 냉각수단(4)의 작동과 함께 가열수단(2)의 히터(220)가 작동하여 고온의 열을 방출하면서 상기 히터(220)와 접촉된 히팅 플레이트(210)는 고온으로 가열된 상태가 된다.
한편, 상기와 같이 본 발명의 포집장치가 가동되고 있는 상태에서 본 발명의 포집장치와 연결된 프로세스 챔버에서는 박막의 증착 또는 식각 공정이 완료되고 나면 박막의 증착이나 식각 과정에서 발생된 다량의 미반응 가스를 포함한 반응부산물이 생성되며, 상기 반응부산물은 진공펌프가 구동됨에 따라 제 1연결구(140)를 통해 상기 하우징(1) 내로 유입되어 진다.
이후, 상기 제 1연결구(140)를 통해 상기 하우징(1)에 유입되는 반응부산물은 가장 먼저 제 1연결구(140)와 연통된 원통형 가이드(230)에 의해 안내되면서 상기 히팅 플레이트(210) 상면 중앙부에 도달하여 접촉된다.
이처럼 상기 히팅 플레이트(210)에 도달한 반응부산물은 상기 히팅 플레이트(210) 상면에 방사상으로 설치된 격벽(211) 사이 트랙을 따라 중앙부에서 바깥쪽 즉, 하우징(1) 내측벽을 향해 빠져나가 확산하게 된다.
이 과정에서 상기 반응부산물이 상기 히팅 플레이트(210)에 접촉되면서 상기 히터(220)에서 방출되는 열을 받아 이온화에 필요한 에너지를 공급받게 되며, 이로써 상기 프로세스 챔버에서 미반응된 가스들이 화학적변화를 일으켜 증기상태의 고형성분 물질 및 기체성분의 물질로 생성되어 진다.
이후, 상기 히팅 플레이트(210)로부터 반응부산물이 주변으로 확산되면서 이 미 저온으로 냉각된 상기 하우징(1)의 내측벽 및 트랩 플레이트(3) 표면에 접촉하게 되고, 상기 반응부산물이 상기 하우징(1) 내측벽 및 트랩 플레이트(3)에 접촉되는 순간 냉각되어 증기상태에서 급속도로 고형화가 진행되면서 각 표면에 증착되어진다.
이때, 상기 하우징(1) 내측벽 및 트랩 플레이트(3)에 증착되는 반응부산물은 증기상태에서 완전 고형화되지 않은 상태로 막질화에 의해 보다 신속하게 증착되는 것이다.
한편, 막질화에 의해 포집되지 않는 다른 반응부산물은 하우징(1)의 아래로 갈수록 차가운 온도 분위기에 의해 고형화되면서 그 일부는 최상층에 설치된 평판형의 제 2트랩 플레이트(320) 표면에 쌓이게 되고, 나머지는 그 가장자리 부위를 따라 아래쪽으로 흘러내려 중앙에 홀이 형성된 제 1트랩 플레이트(310)의 표면에 쌓이게 됨과 동시에 그 중앙부에 형성된 홀을 통해 아래쪽의 제 2트랩 플레이트(320)로 떨어지게 된다.
이와 같이, 반응부산물이 제 2트랩 플레이트(320)의 가장자리 부위를 따라 그 아래쪽의 제 1트랩 플레이트(310)의 상부면으로 떨어지고, 상기 제 1트랩 플레이트(310)의 상부면에 떨어진 파우더는 일부는 제 1트랩 플레이트(310)의 상부에 쌓이고, 일부는 그 중앙부에 형성된 홀을 통해 그 아래쪽의 제 2트랩 플레이트(320)의 상부면에 떨어지는 과정을 반복하게 되면서 결국은, 최상층의 제 2 트랩 플레이트(3)에서부터 최하층의 제 2트랩 플레이트(320)까지 전체적으로 균일하게 파우더가 쌓이게 된다.
이처럼, 본 발명에서는 하우징(1)에 유입되는 반응부산물이 하우징(1) 내측벽 및 트랩 플레이트(3)에 신속하게 막질화되어 증착되고, 다른 일부는 하우징(1) 내부의 냉각된 온도 분위기에 의해서 고형화된 후 트랩 플레이트(3)에 쌓이게 되어 신속하면서도 균일하게 상기 하우징(1) 내에 포집되어 진다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나. 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체장비의 부산물 급속 포집장치는 다음과 같은 효과를 기대할 수 있게 된다.
첫째, 프로세스 챔버에서 발생된 반응부산물을 이온화될 수 있도록 가열하고 이에 의해 화학적 변화를 겪은 반응부산물을 증기상태에서 급속 냉각에 의한 막질화를 통해 증착함으로서 보다 신속한 포집이 가능하게 된다.
둘째, 상기와 같이 막질화에 의한 증착이 진행되는 동안 막질화되지 않은 다른 반응부산물 역시 저온의 분위기에 의해 신속히 고형화하여 파우더화하고 이를 트랩 플레이트에 균일하게 증착하는 방법을 병행함으로서 포집효율을 증대시키게 된다.
셋째, 증착되는 반응부산물을 증착되는 상태로 확고하게 고착시킴으로써 파우더가 진공펌프로 유입되는 것을 방지할 수가 있고, 그로 인해 진공펌프의 고장을 예방할 수가 있을 뿐만 아니라, 파우더가 프로세스 챔버로 역류하는 것을 방지하여 웨이퍼의 오염을 막을 수 있게 된다.
넷째, 하우징 내측벽 및 각 트랩 플레이트 상에 증착되는 파우더가 전체적으로 균일한 분포를 갖기 때문에 장시간 파우더 트랩이 가능하여 자주 파우더를 제거해 주어야 하는 종래에 비해 장비 가동율을 향상시킬 수가 있다.

Claims (18)

  1. 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 반도체장비의 부산물 포집장치에 있어서,
    상기 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구 및 상기 프로세스 챔버를 진공상태로 만드는 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구를 구비한 하우징과;
    상기 하우징 내에 설치되어 상기 제 1연결구를 통해 유입되는 반응부산물을 가열하여 이온화하는 가열수단과;
    상기 가열수단에 의해 가열된 반응부산물을 급속 냉각시키기 위해 상기 하우징 내에 저온의 냉매를 주입하여 순환시키는 냉각수단을 포함하여 구성되는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하우징은, 상부와 하부가 개구된 원관형의 몸체와, 상기 몸체의 상부에 결합되고 제 1연결구가 구비된 상판과, 상기 몸체의 하부에 결합되고 제 2연결구가 구비된 하판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 냉매는 냉각수, 프레온 가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도 체장비의 부산물 급속 포집장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 가열수단은,
    상기 하우징 내의 제 1연결구 인근에 설치되어 유입되는 반응부산물과 접촉하면서 상기 반응부산물을 가열하는 히팅 플레이트와;
    상기 히팅 플레이트와 접촉 설치되어 상기 반응부산물을 가열하여 이온화하기 위해 필요한 열을 상기 히팅 플레이트에 전달하는 히터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 히팅 플레이트의 상부면에는 유입되는 반응부산물이 주변의 하우징 측벽쪽으로 확산되도록 트랙을 형성하는 복수의 격벽이 방사상으로 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 격벽은 반응부산물이 중앙부에서 바깥쪽으로 나선을 그리면서 빠져나가도록 곡률을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 포집장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 격막의 상측에 설치되며, 상부는 상기 제 1연결구와 연통되고 하부는 유입되는 모든 반응부산물을 상기 히팅 플레이트의 상부면 중앙부로 안내하는 통공을 갖는 원통형 가이드가 더욱 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 격벽은 반응부산물이 중앙부에서 바깥쪽으로 직선을 그리면서 빠져나가도록 곡률 없는 평판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 포집장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 히팅 플레이트의 둘레부에서는 복수의 격벽 사이사이 중간에 바깥쪽에서 중앙부에 미치는 길이가 상기 격벽보다 짧은 보조 격벽이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 포집장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 격막의 상측에 설치되며, 상부는 상기 제 1연결구와 연통되고 하부는 유입되는 모든 반응부산물을 상기 히팅 플레이트의 상부면 중앙부로 안내하는 통공을 갖는 원통형 가이드가 더욱 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  11. 제 1항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열수단에서 가열된 반응부산물을 트랩하여 증착하는 복수의 트랩 플레이트가 상기 하우징 내에 더욱 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 냉각수단은,
    상기 각 트랩 플레이트를 냉각시켜 상기 하우징의 내부 온도를 감소시키기 위해 상기 각 트랩 플레이트로 냉매를 전달하는 제 1냉각라인과;
    상기 하우징 측벽 및 상기 하우징 내부의 냉각을 위해 상기 하우징의 측벽을 감싸 냉매를 유통시키는 제 2냉각라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2냉각라인은 상기 제 1연결구가 형성된 하우징의 상판까지 더욱 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제 2냉각라인이 상기 하우징 측벽을 감싸는 간격은 하부에서 상부로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 복수의 트랩 플레이트는 중앙부에 홀을 갖는 제 1트랩 플레이트와, 홀이 없는 평판형의 제 2트랩 플레이트가 상호 교번하여 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 제 1냉각라인은,
    상기 하우징 외부에서 내부로 삽입된 후 상기 복수의 트랩 플레이트의 중앙부를 관통하며, 하우징 내로 주입되는 냉매를 상기 각 트랩 플레이트로 분기시키기 위한 제 1연장부와;
    상기 제 1연장부로부터 분기되어 상기 각 트랩 플레이트의 상부면에 설치되는 제 2연장부와;
    상기 제 2연장부의 끝단에 연결되어 상기 제 2연장부를 경유한 냉매를 상기 하우징의 외부로 배출하기 위한 제 3연장부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제 1냉각라인 및 제 2냉각라인 각각의 시작단은 하나의 냉매 공급관에 연결되고, 상기 제 1냉각라인 및 제 2냉각라인 각각의 끝단은 하나의 냉매 배출관에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 하우징에는, 상기 몸체 하단과 하판 사이에 설치되어, 그 측벽에서는 상기 제 1냉각라인의 제 1연장부 및 제 3연장부를 관통시켜 상기 제 1냉각라인을 지지하며, 상기 제 1트랩 플레이트 및 제 2트랩 플레이트를 지지하는 원관형의 하우징 브래킷이 더욱 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 부산물 급속 포집장치.
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