KR100923265B1 - 배기가스 데포지션 장치 및 방법 - Google Patents

배기가스 데포지션 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정에서 프로세스 챔버로부터 배기되는 배기가스를 데포지션하고 그 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하기 위한 배기가스 데포지션 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 배기가스 데포지션 장치는 배기가스에 포함된 미반응가스가 증착되는 데포지션 유닛과 상기 데포지션 유닛을 통과한 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물이 포집되는 포집 유닛을 포함한다.
데포지션, 배기가스, 미반응가스

Description

배기가스 데포지션 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITION OF EXHAUST GAS}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배기가스 데포지션 장치를 보여주는 분해 사시도이다.
도 2는 부산물 포집 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 쿨링 부재를 보여주는 도면이다.
도 4는 데포지션 유닛과 포집 유닛을 연결하는 연결포트 구조의 구획부를 보여주는 도면이다.
도 5는 데포지션 유닛과 포집 유닛이 배기라인에 각각 설치되는 구조를 보여주는 도면이다.
도 6은 데포지션 장치의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 데포지션 유닛
110 : 제 1 바디
120 : 가열부재
200 : 포집 유닛
210 : 제 2 바디
220 : 쿨링부재
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 반도체 소자 제조 공정에서 프로세스 챔버로부터 배기되는 배기가스를 데포지션하고 그 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하는 배기가스 데포지션 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어진다. 전 공정은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정이다. 후 공정은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정이다.
이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생한다.
따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공 펌프의 전단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)가 설치된다. 하지만, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 프로세스 챔버와 진공펌프 사이에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 파우더 상태로 응착시키는 파우더 트랩 장치를 설치하여 사용하고 있지만, 보다 획기적으로 배기가스에 함유된 미반응가스를 제거할 수 있는 장치가 요구되고 있다.
본 발명은 배기가스에 함유된 미반응가스를 고온의 환경에서 데포지션시킬 수 있는 새로운 형태의 배기가스 데포지션 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 배기가스를 가열하는 고온 영역과 배기가스를 냉각하는 저온 영역을 분리하여 상호 영역간의 온도 영향을 최소화할 수 있는 새로운 형태의 배기가스 데포지션 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 배기가스에 포함되어 있는 미반응가스를 고온으로 가열하여 데포지션시킬 수 있는 새로운 형태의 배기가스 데포지션 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 냉매를 균일하게 공급할 수 있는 새로운 형태의 배기가스 데포지션 장치 및 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배기가스 데포지션 장치는 배기가스에 포함된 미반응가스가 증착되는 데포지션 유닛과 상기 데포지션 유닛을 통과한 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물이 포집되는 포집 유닛을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 데포지션 유닛은 배기가스가 유입되는 제 1 유입포트와, 배기가스가 배기되는 제 1 배기포트 그리고 가열 공간을 갖는 제 1 바디; 상기 제 1 바디의 가열공간에 설치되고 상기 제 1 유입포트를 통해 유입되는 배기가스를 가열하여 배기가스에 포함된 미반응가스를 활성화시킴으로써 증착을 유도하는 가열 부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부재는 내부에 열선을 갖는 그리고 중앙에 내부공간을 갖는 원통 형상의 히팅부와; 상기 제 1 유입포트로부터 유입되는 배기가스가 상기 내부공간으로 제공되도록 상기 제 1 유입포트와 상기 히팅부를 연결하는 안내관; 및 상기 안내관에 의해 제공되는 배기가스가 상기 히팅부의 내부공간에서 가장자리로 분산되는 경로를 제공하도록 상기 히팅부의 내부공간에 방사상으로 설치되고, 상기 경로를 통과하면서 활성화된 미반응가스가 증착되는 다수의 증착판들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기가스 데포지션 장치는 상기 데포지션 유닛과 상기 포집 유닛을 구획하는 구획부를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획부는 상기 데포지션 유닛과 상기 포집 유닛간의 열손실을 최소화하기 위하여 단열판을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획부는 상기 데포지션 유닛에서 상기 포집 유닛으로 배기가스가 통과하는 통로를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 포집 유닛은 내부공간을 갖는 제 2 바디; 상기 제 2 바디의 내부공간에 설치되고, 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하는 쿨링부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 쿨링부재는 다단으로 배치되는 그리고 배기가스가 통과하는 개구들을 갖는 포집판들과; 상기 포집판들의 온도를 낮추기 위해 상기 포집판들 각각에 설치되는 쿨링라인들; 외부로부터 제공받은 냉매를 상기 쿨링라인들 각각으로 균일하게 공급하기 위한 분배관; 상기 쿨링라인들을 통과한 냉매를 회수하여 외부로 배출하기 위한 회수관을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 포집판들은 배기가스의 흐름이 지그재그로 흐르도록 유도하는 가이드판들을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기가스 데포지션 장치는 상기 데포지션 유닛과 상기 포집 유닛을 연결하는 연결포트를 더 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 배기가스 데포지션 방법은 프로세스 챔버로부터 배기되는 배기가스를 일정온도 이상으로 가열시켜 배기가스에 포함된 미반응가스를 활성화시킴으로써 증착을 유도하는 데포지션 단계; 및 상기 데포지션 단계를 거친 배기가스를 급속 냉각시켜 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 데포지션 단계는 배기가스를 섭씨 400 내지 900도(℃)의 온도 범위로 가열시켜 미반응가스를 활성화시키고, 이렇게 활성화된 미반응가스는 다수의 증착판들이 배치된 공간을 통과하면서 상기 증착판에 증착된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 포집단계는 배기가스가 다단으로 배치된 포집판들을 지그재그로 경유하면서 쿨링라인에 의해 냉각된 포집판들 표면에 포집된다.
예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 6에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
본 발명에 의하면, 데포지션 장치(10)는 프로세스 챔버(20)로부터 배기되는 배기가스에 포함된 미반응가스를 일차적으로 고온의 데포지션 유닛(100)에서 데포지션하여 제거하고, 이차적으로 저온의 포집 유닛(200)에서 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하여 제거한다.
본 발명의 배기가스 데포지션 장치(10)는 반도체, LCD 제조공정 또는 기타 유사 공정에서 박막의 증착이나 식각시 반응부산물이 발생되는 프로세스 챔버(20)의 배기라인(22) 상에 설치된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배기가스 데포지션 장치(10)를 보여주는 분해 사시도이며, 도 2는 도 1의 데표지션 장치(10)의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 반도체장비의 배기가스 데포지션 장치(10)는 데포지션 유닛(100)과 포집 유닛(200)을 가진다.
(데포지션 유닛)
데포지션 유닛(100)은 배기가스에 포함된 미반응가스를 고온의 환경에서 활성화시켜 증착판들 표면에 데포지션시켜 배기가스의 유해가스를 일차적으로 제거한다.
데포지션 유닛(100)은 제 1 바디(110)와 가열부재(120)를 포함한다. 제 1 바디(110)는 내부에 가열공간을 갖는 이중벽 구조의 정사각형 케이스로 형상지어진다. 제 1 바디(110)의 상면(112)에는 프로세스 챔버(20)와 연결된 배기라인(22)과 연결되는 제 1 유입포트(114)를 가지며, 저면에는 포집 유닛(200)으로 배기가스가 제공되는 제 1 배기포트(116)를 갖는다. 여기서 제 1 배기포트(116)는 데포지션 유닛(100)과 포집 유닛(200) 사이를 구획하고 있는 구획부(300)에 형성된 통로(310)에 대응된다.
가열부재(120)는 제 1 바디(110)의 가열공간에 설치된다, 가열부재(120)는 제 1 유입포트(114)를 통해 유입되는 배기가스를 가열하여 배기가스에 포함된 미반 응가스를 활성화시킨다. 활성화된 미반응가스는 고온으로 가열된 증착면에 증착된다. 가열부재(120)는 히팅부(122), 안내관(124) 그리고 증착판들(126)을 가진다. 히팅부(122)는 내부에 열선(122a)을 갖는 그리고 중앙에 내부공간을 갖는 원통 형상으로 이루어진다. 안내관(124)은 제 1 유입포트(114)로부터 유입되는 배기가스가 히팅부(122)의 내부공간(중앙부분)으로 유입되도록 제 1 유입포트와 히팅부(122) 사이에 배기가스 통로로서 제공된다. 배기가스는 안내관(124)을 따라 히팅부(122)의 중앙부분으로 흘러들어간다. 한편, 증착판들(126)은 히팅부(122)의 내부공간에 방사상으로 설치된다. 증착판들은 히팅부에 의해 뜨겁게 가열된 상태를 유지하게 되며, 안내관(214)에 의해 히팅부의 중앙으로 흘러간 배기가스는 증착판들 사이에 형성된 경로를 통해 히팅부(122)의 상단 가장자리로 빠져나오게 되며, 이 과정에서 고온의 환경에 노출되어 활성화된 미반응가스는 증착판들 표면에 데포지션된다. 도 3에는 이러한 배기가스의 이동경로가 화살표로 표시되어 있다.
(구획부)
구획부(300)는 포집 유닛(200)과 데포지션 유닛(100) 사이에 배치되며, 포집 유닛(200)과 데포지션 유닛(100)을 구획한다. 구획부(300)는 데포지션 유닛(100)과 포집 유닛(200)간의 열 간섭을 최소화하기 위하여 단열판으로 이루어질 수 있다. 구획부의 중앙에는 배기가스의 이동을 위한 통로(310)가 제공된다. 구획부(300)는 도 2에서와 같이 플레이트로 제공될 수 있다. 선택적으로 도 4에서와 같이 구획부(300)는 데포지션 유닛(100)과 포집 유닛(200)을 연결하는 연결포트(연결관) 구 조로 제공될 수 있다. 도 2와 같은 구조의 데포지션 장치는 점유 면적이 감소되는 장점이 있고, 도 4와 같은 구조의 데포지션 장치는 포집 유닛(200)과 데포지션 유닛(100)이 명확하게 구획되기 때문에 상호간의 열 간섭을 최소화할 수 있다.
(포집 유닛)
포집 유닛(200)은 배기가스에 포함된 반응부산물을 저온의 환경에서 고체화시켜 포집판들 표면에 포집시킴으로써 배기가스에 포함된 반응부산물을 제거한다.
포집 유닛(200)은 제 2 바디(210)와, 제 2 바디(210)에 설치되는 쿨링부재(220)를 포함한다. 제 2 바디(210)는 사각 박스 형상으로 내부케이스(212)와 외부케이스(214)를 가진다. 내부케이스(212)의 외주면에는 냉매가 흐르는 외부 쿨링라인(230)이 감겨진다. 이는 제 2 바디(210)의 표면 온도를 낮춘다. 제 2 바디(210)의 바닥면(216)에는 배기가스가 배출되는 제 2 배기포트(219)가 구비되며, 바닥면(216)에는 쿨링부재(220)가 설치된다.
쿨링 부재(220)는 제 2 바디(210) 내부로 유입되는 배기가스에 포함된 반응부산물을 트랩핑(trapping)하기 위해 제 2 바디(210) 내부를 저온의 분위기로 만든다. 쿨링 부재(220)는 포집판들(222), 내부 쿨링라인들(232), 분배관(234), 그리고 회수관(236)을 가진다. 포집판들(222)은 다단으로 배치되며, 각각의 포집판(222)에는 배기가스가 통과하는 개구들이 형성된다. 내부 쿨링라인들(232)은 포집판들(222)의 온도를 낮추기 위해 포집판들(222) 각각에 설치된다. 분배관(234)는 외부로부터 제공받은 냉매를 쿨링라인들(232) 각각으로 균일하게 공급한다. 회수 관(236)은 쿨링라인들(232)을 통과한 냉매를 회수하여 외부로 배출한다.
일 예에 의하면, 포집판들(222)은 3층 다단 구조로 이루어진다. 포집판들(222)은 배기가스의 원활한 흐름을 위해 충분한 거리를 두고 위치된다. 포집판(222)의 개구들(224)은 배기가스가 지그재그로 흐르도록 서로 엇갈리게 형성된다. 즉, 최상단의 포집판(222)에 형성된 개구들(224)은 그 아래에 위치하는 포집판(222)에 형성된 개구들(224)과는 엇갈리게 위치된다. 또한, 포집판(222)에는 배기가스의 흐름이 지그재그로 흐르도록 유도하는 가이드판들(226)이 경사지게 설치되어 있다. 따라서, 제 2 바디(210)의 내부 공간으로 유입되는 배기가스는 포집판(222)에 설치된 가이드판들(226)에 의해 개구들(224)을 따라 지그재그로 흘러가게 되며, 도 2에는 이러한 배기가스의 흐름이 화살표로 표현되어 있다.
한편, 내부 쿨링라인들(232)은 각각의 포집판들(222) 아래에 설치된다. 내부 쿨링라인(232)은 굴곡진 형상을 가진다. 도 3에 도시된 바와 같이, 분배관(234)은 외부로부터 제공받은 냉매를 각각의 내부 쿨링라인(232)으로 제공한다. 분배관(234)에는 내부 쿨링라인(232) 3개가 각각 연결되어 냉매를 제공받기 때문에 균일한 온도 분포를 유지할 수 있다. 한편, 내부 쿨링라인들(232)을 통과한 냉매는 회수관(236)을 통해 회수되어 외부로 배출된다.
상술한 구성을 갖는 포집 유닛(200)은 외부 쿨링라인(230)과 내부 쿨링라인(232)에 의해 내부 온도 및 포집판(222)의 온도가 데포지션 유닛(100)에 비해 상대적으로 낮아지게 된다.
따라서, 배기가스(특히 반응부산물)는 포집 유닛(200)으로 유입되면서 데포 지션 유닛(100)에서 가열된 직후에, 증기상태에서 낮은 온도로 냉각되어진 쿨링 부재(220)의 포집판들(222) 표면과 접하게 되면 순간적으로 반응부산물은 증기상태에서 고형상태로 전환되면서 포집판들(222) 표면에 포집되는 것이다. 특히, 본 발명은 쿨링 부재(220)의 배기가스 흐름 경로가 지그재그 구조로 이루어져 있어 보다 오랜 시간 배기가스를 머물게 할 수 있기 때문에 그 포집 효율이 높고, 특히 각각의 포집판들(222)을 냉각하는 내부 쿨링라인들이 냉매를 균일하게 공급받기 때문에 배기가스의 포집 효율을 높일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 배기가스 데포지션 장치(10)는 프로세스 챔버(20)로부터 배기되는 배기가스에 포함된 미반응가스를 1차로 고온의 데포지션 유닛(100)에서 데포지션하여 제거하고, 2차로 저온의 포집 유닛(200)에서 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하여 제거하는데 있다. 미반응가스를 데포지션 하기 위해서는, 데포지션 유닛(100)의 내부 온도가 프로세스 챔버(20)의 공정 온도와 유사한 온도를 유지하는 게 바람직하다. 예를 들면 데포지션 유닛(100)의 내부 온도는 섭씨 400 내지 900도(℃) 범위의 온도일 수 있다. 이렇게 고온의 환경에 의해 활성화된 미반응가스는 증착판들(126) 표면에 증착된다. 이렇게 데포지션 단계를 거친 배기가스는 포집 유닛(200)으로 제공되고, 포집 유닛(200)에서는 배기가스를 급속 냉각시켜 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하게 된다.
상술한 예들에서는 데포지션 장치(10)가 구획부에 의해 서로 연결된 데포지션 유닛(100)과 포집 유닛(200)을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 도 5와 같이 데포지션 유닛(100)과 포집 유닛(200)은 배기라인 상에 서로 이격되게 각각 설치될 수 있다.
또한, 상술한 예들에서는 데포지션 장치(10)과 데포지션 유닛(100)과 포집 유닛(200)을 가지는 것으로 설명하였으나, 데포지션 장치(10)는 도 6과 같이 데포지션 유닛(100)만을 구비할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기의 구성으로 이루어진 배기가스 데포지션 장치에 있어 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 배기가스에 함유된 미반응가스를 고온의 환경에서 데포지션을 통해 제거할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 배기가스를 가열하는 고온 영역과 배기가스를 냉각하는 저온 영역을 분리하여 상호 영역간의 온도 간섭을 최소화할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 냉매를 균일하게 공급하여 배기가스에 포함된 반응부산물을 균일하게 포집할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.

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  4. 배기가스 데포지션 장치에 있어서:
    배기가스에 포함된 미반응가스가 증착되는 데포지션 유닛;
    상기 데포지션 유닛을 통과한 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물이 포집되는 포집 유닛; 및
    상기 데포지션 유닛과 상기 포집 유닛을 구획하는 구획부를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 구획부는 상기 데포지션 유닛과 상기 포집 유닛간의 열손실을 최소화하기 위하여 단열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 구획부는 상기 데포지션 유닛에서 상기 포집 유닛으로 배기가스가 통과하는 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  7. 배기가스 데포지션 장치에 있어서:
    배기가스에 포함된 미반응가스가 증착되는 데포지션 유닛; 및
    상기 데포지션 유닛을 통과한 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물이 포집되는 포집 유닛을 포함하되;
    상기 포집 유닛은
    내부공간을 갖는 제 2 바디;
    상기 제 2 바디의 내부공간에 설치되고, 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하는 쿨링부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 쿨링부재는
    다단으로 배치되는 그리고 배기가스가 통과하는 개구들을 갖는 포집판들과;
    상기 포집판들의 온도를 낮추기 위해 상기 포집판들 각각에 설치되는 쿨링라인들;
    외부로부터 제공받은 냉매를 상기 쿨링라인들 각각으로 균일하게 공급하기 위한 분배관;
    상기 쿨링라인들을 통과한 냉매를 회수하여 외부로 배출하기 위한 회수관을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 포집판들은 배기가스의 흐름이 지그재그로 흐르도록 유도하는 가이드판들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  10. 배기가스 데포지션 장치에 있어서:
    배기가스에 포함된 미반응가스가 증착되는 데포지션 유닛;
    상기 데포지션 유닛을 통과한 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물이 포집되는 포집 유닛; 및
    상기 데포지션 유닛과 상기 포집 유닛을 연결하는 연결포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  11. 배기가스 데포지션 방법에 있어서:
    프로세스 챔버로부터 배기되는 배기가스를 일정온도 이상으로 가열시켜 배기가스에 포함된 미반응가스를 활성화시킴으로써 증착을 유도하는 데포지션 단계; 및
    상기 데포지션 단계를 거친 배기가스를 급속 냉각시켜 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 데포지션 단계는
    배기가스를 섭씨 400 내지 900 도(℃)의 온도 범위로 가열시켜 미반응가스를 활성화시키고, 이렇게 활성화된 미반응가스는 다수의 증착판들이 배치된 공간을 통과하면서 상기 증착판에 증착되는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 포집단계는
    배기가스가 다단으로 배치된 포집판들을 지그재그로 경유하면서 쿨링라인에 의해 냉각된 포집판들 표면에 포집되는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 방법.
  14. 배기가스 데포지션 장치에 있어서:
    배기가스에 포함된 미반응가스가 증착되는 데포지션 유닛을 포함하되,
    상기 데포지션 유닛은
    배기가스가 유입되는 제 1 유입포트, 배기가스가 배기되는 제 1 배기포트를 가지며, 내부에 가열 공간이 형성된 제 1 바디와;
    상기 제 1 바디 내에 제공되는 증착판과; 그리고
    상기 제 1 바디 내로 유입된 배기 가스를 가열하는 가열 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 데포지션 유닛은,
    내부에 열선을 갖는 그리고 중앙에 내부공간을 갖는 원통 형상의 히팅부와;
    상기 제 1 유입포트로부터 유입되는 배기가스가 상기 내부공간으로 제공되도록 상기 제 1 유입포트와 상기 히팅부를 연결하는 안내관을 포함하고,
    상기 증착판은 상기 안내관에 의해 제공되는 배기가스가 상기 히팅부의 내부공간에서 가장자리로 분산되는 경로를 제공하도록 상기 히팅부의 내부공간에 방사 상으로 설치되는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 데포지션 장치는 상기 데포지션 유닛을 통과한 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물이 포집되는 포집 유닛을 더 포함하되,
    상기 포집 유닛은,
    내부공간을 갖는 제 2 바디와; 그리고
    상기 제 2 바디의 내부공간에 설치되고, 배기가스를 냉각하여 배기가스에 포함된 반응부산물을 포집하는 쿨링부재를 포함하고,
    상기 쿨링부재는
    다단으로 배치되는 그리고 배기가스가 통과하는 개구들을 갖는 포집판들과;
    상기 포집판들 각각에 설치되는 쿨링라인들과;
    외부로부터 제공받은 냉매를 상기 쿨링라인들 각각으로 균일하게 공급하기 위한 분배관과;
    상기 쿨링라인들을 통과한 냉매를 회수하여 외부로 배출하기 위한 회수관을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 데포지션 유닛과 상기 포집 유닛은 프로세스 챔버와 연결되는 배기라인에 서로 이격되게 설치되며, 상기 데포지션 유닛은 상기 포집 유닛보다 상기 프로 세스 챔버에 더 가깝게 설치되는 것을 특징으로 하는 배기가스 데포지션 장치.
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