JP2000254444A - Ｃｖｄ装置の排出ガス処理方法とその処理装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置の排出ガス処理方法とその処理装置Info
- Publication number
- JP2000254444A JP2000254444A JP11060527A JP6052799A JP2000254444A JP 2000254444 A JP2000254444 A JP 2000254444A JP 11060527 A JP11060527 A JP 11060527A JP 6052799 A JP6052799 A JP 6052799A JP 2000254444 A JP2000254444 A JP 2000254444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid particles
- gas
- furnace
- cooling chamber
- discharged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Cyclones (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ装置の排出ガスと反応エアーの混合ガ
スを電熱線で加熱して処理した処理済ガスから固体粒子
を能率的に分離して、冷却装置に送ることができるよう
にするとともに、そこにおける冷却作用を向上して結露
を防止すること。 【解決手段】 混合ガスの炉体と冷却装置との間にサイ
クロンセパレータを介入して固体粒子を分離し、さらに
冷却装置の冷却室内に冷却水スプレーを露出して配置す
る。
スを電熱線で加熱して処理した処理済ガスから固体粒子
を能率的に分離して、冷却装置に送ることができるよう
にするとともに、そこにおける冷却作用を向上して結露
を防止すること。 【解決手段】 混合ガスの炉体と冷却装置との間にサイ
クロンセパレータを介入して固体粒子を分離し、さらに
冷却装置の冷却室内に冷却水スプレーを露出して配置す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウエハ
の成膜その他に広く用いられているＣＶＤ装置の排出ガ
ス処理方法及び装置に関するものである。
の成膜その他に広く用いられているＣＶＤ装置の排出ガ
ス処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の排出ガスの処理方法及び
装置によるものはＣＶＤ装置から排出される未反応ガス
に反応用エアーを混合してそれを加熱して固体粒子を発
生したものをそのままの状態で冷却装置に送って冷却し
た後、冷却された処理済ガスから固体粒子を除去してい
る。
装置によるものはＣＶＤ装置から排出される未反応ガス
に反応用エアーを混合してそれを加熱して固体粒子を発
生したものをそのままの状態で冷却装置に送って冷却し
た後、冷却された処理済ガスから固体粒子を除去してい
る。
【０００３】従って、冷却装置内及びその出口側に接続
されるメインダクトの内壁に固体粒子が結露によって固
く堆積して、その部分を腐食したりして種々の問題を生
ずる。
されるメインダクトの内壁に固体粒子が結露によって固
く堆積して、その部分を腐食したりして種々の問題を生
ずる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は冷却装置の
出口側に接続されているメインダクトから大気中に排出
する処理ガスの中に固体粒子の混入することを防止する
と共に、該冷却装置の出口側に接続されるメインダクト
内に堆積する固体粒子を出来る限り少なくして、そのこ
とによる腐食や修理を予防することを目的とするもので
ある。
出口側に接続されているメインダクトから大気中に排出
する処理ガスの中に固体粒子の混入することを防止する
と共に、該冷却装置の出口側に接続されるメインダクト
内に堆積する固体粒子を出来る限り少なくして、そのこ
とによる腐食や修理を予防することを目的とするもので
ある。
【０００５】他の目的は、従来装置のように冷却室内に
設けたチラーの外面に結露するドレーンによって、該冷
却装置及びメインダクトを腐食させないようにすること
である。
設けたチラーの外面に結露するドレーンによって、該冷
却装置及びメインダクトを腐食させないようにすること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明のＣＶＤ装置の
排ガスの処理方法はＣＶＤ装置から排出される未反応ガ
スに反応用エアーを混合し、それを加熱して固体粒子を
発生し、その固体粒子を前記加熱された状態の処理済ガ
スからサイクロンセパレータで除去する方法である。
排ガスの処理方法はＣＶＤ装置から排出される未反応ガ
スに反応用エアーを混合し、それを加熱して固体粒子を
発生し、その固体粒子を前記加熱された状態の処理済ガ
スからサイクロンセパレータで除去する方法である。
【０００７】またこの発明のＣＶＤ装置の排ガスの処理
装置は炉体の一端にＣＶＤ装置の未反応排ガスと反応用
ガスの入口を形成し、該炉体の外側に電熱線を設け、ま
た該炉体の他端に加熱された処理済ガスと固体粒子の出
口を形成し、その出口にサイクロンセパレータの入口を
接続すると共に、該サイクロンセパレータの出口を冷却
室の入口側に接続し、該冷却室の出口側にメインダクト
を接続し、該冷却室内に冷却水用スプレーを配置する装
置である。
装置は炉体の一端にＣＶＤ装置の未反応排ガスと反応用
ガスの入口を形成し、該炉体の外側に電熱線を設け、ま
た該炉体の他端に加熱された処理済ガスと固体粒子の出
口を形成し、その出口にサイクロンセパレータの入口を
接続すると共に、該サイクロンセパレータの出口を冷却
室の入口側に接続し、該冷却室の出口側にメインダクト
を接続し、該冷却室内に冷却水用スプレーを配置する装
置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】このＣＶＤ装置の排出ガス処理方
法とその処理装置は図１に示す如く、ＣＶＤ装置１から
排出される未反応ガス２を炉体４の炉内５の入口側５ａ
に導入すると共に、その入口側５ａに反応用エアー３を
炉内５の内周面に対して接線方向に設けられたノズル６
から供給して炉内５をスパイラル状に旋回し、前記未反
応ガス２と反応用エアー３を混合ガス７ａにする。
法とその処理装置は図１に示す如く、ＣＶＤ装置１から
排出される未反応ガス２を炉体４の炉内５の入口側５ａ
に導入すると共に、その入口側５ａに反応用エアー３を
炉内５の内周面に対して接線方向に設けられたノズル６
から供給して炉内５をスパイラル状に旋回し、前記未反
応ガス２と反応用エアー３を混合ガス７ａにする。
【０００９】炉内５の混合ガス７ａを炉体４の外側に設
けた電熱線８で８００℃以上に加熱する。この際、混合
ガス７ａ中の未反応ガス２のモノシランＳｉＨ4と反応
用エアー３内の酸素Ｏ2を ＳｉＨ4＋Ｏ2 →ＳｉＯ2＋２Ｈ2 ＳｉＨ4＋２Ｏ2→ＳｉＯ2＋２Ｈ2Ｏ のように反応させて、二酸化珪素ＳｉＯ2の固体粒子９
を形成する。
けた電熱線８で８００℃以上に加熱する。この際、混合
ガス７ａ中の未反応ガス２のモノシランＳｉＨ4と反応
用エアー３内の酸素Ｏ2を ＳｉＨ4＋Ｏ2 →ＳｉＯ2＋２Ｈ2 ＳｉＨ4＋２Ｏ2→ＳｉＯ2＋２Ｈ2Ｏ のように反応させて、二酸化珪素ＳｉＯ2の固体粒子９
を形成する。
【００１０】斯様に加熱処理された高温の処理済ガス７
ｂと固体粒子９を炉内５の出口側５ｂから直ちにサイク
ロンセパレータ１０に供給し、そこで固体粒子９を高温
の処理済ガス７ｂから分離して、下方の粒子槽１０ａに
貯留し、残った高温の処理済ガス７ｂを冷却装置１１の
下部１１ａに送る。
ｂと固体粒子９を炉内５の出口側５ｂから直ちにサイク
ロンセパレータ１０に供給し、そこで固体粒子９を高温
の処理済ガス７ｂから分離して、下方の粒子槽１０ａに
貯留し、残った高温の処理済ガス７ｂを冷却装置１１の
下部１１ａに送る。
【００１１】冷却装置１１の下部１１ａに供給された高
温の処理済ガス７ｂは冷却室１１ｂを上昇して上部１１
ｃからメインダクト１２を経て大気中に放出される。こ
の間に冷却室１１ｂ内に於いて冷却水スプレー１３から
５℃〜１５℃の冷却水を放水して、その温度差によって
処理済ガス７ｂを冷却すると共に、その冷却水が蒸発す
るときの蒸発熱によって、処理済ガス７ｂは直接的に冷
却され、その際に生ずるドレーン１４はその排水配管１
５から外部に排出される。
温の処理済ガス７ｂは冷却室１１ｂを上昇して上部１１
ｃからメインダクト１２を経て大気中に放出される。こ
の間に冷却室１１ｂ内に於いて冷却水スプレー１３から
５℃〜１５℃の冷却水を放水して、その温度差によって
処理済ガス７ｂを冷却すると共に、その冷却水が蒸発す
るときの蒸発熱によって、処理済ガス７ｂは直接的に冷
却され、その際に生ずるドレーン１４はその排水配管１
５から外部に排出される。
【００１２】冷却水スプレー１３と給水源１６とは水配
管１７と結合されていて、その途中で、チラー１８内を
通り、ここで通常５℃〜１５℃に冷却される。この際チ
ラー１８に通ずる冷却液配管１９はクーラー２０と接続
されている。
管１７と結合されていて、その途中で、チラー１８内を
通り、ここで通常５℃〜１５℃に冷却される。この際チ
ラー１８に通ずる冷却液配管１９はクーラー２０と接続
されている。
【００１３】上述のようにして炉内５の出口側５ｂと冷
却室１１ｂの下部１１ａとの間に、該炉内５で発生した
固体粒子９と高温状態の処理済ガス７ｂ、即ち加熱され
て比重の低下した処理済ガス７ｂを、そのままの温度で
サイクロンセパレータ１０に供給して、処理済ガス７ｂ
と固体粒子９に分離することができるので、固体粒子９
と高温状態の処理済ガス７ｂの比重差を大きくして、分
離するため、その分離が能率的に行われて冷却室１１ｂ
に入り込む固体粒子９を少くすることができる。
却室１１ｂの下部１１ａとの間に、該炉内５で発生した
固体粒子９と高温状態の処理済ガス７ｂ、即ち加熱され
て比重の低下した処理済ガス７ｂを、そのままの温度で
サイクロンセパレータ１０に供給して、処理済ガス７ｂ
と固体粒子９に分離することができるので、固体粒子９
と高温状態の処理済ガス７ｂの比重差を大きくして、分
離するため、その分離が能率的に行われて冷却室１１ｂ
に入り込む固体粒子９を少くすることができる。
【００１４】また冷却室１１ｂ内では固体粒子９の除去
された処理済ガス７ｂが冷却水スプレー１３からの冷却
水との温度差によって冷却されると共に、その冷却水の
蒸発熱によって能率的に冷却されて５℃〜２０℃に冷却
され、このときのメインダクト１２の外側、即ち大気中
の温度は２０℃〜２５℃であるので、結露のおそれが少
なくなり、冷却室１１ｂの内壁面及びメインダクト１２
の内壁面に固体粒子９と結露が一緒になって固く付着し
て、その部分を腐食することを防止する。
された処理済ガス７ｂが冷却水スプレー１３からの冷却
水との温度差によって冷却されると共に、その冷却水の
蒸発熱によって能率的に冷却されて５℃〜２０℃に冷却
され、このときのメインダクト１２の外側、即ち大気中
の温度は２０℃〜２５℃であるので、結露のおそれが少
なくなり、冷却室１１ｂの内壁面及びメインダクト１２
の内壁面に固体粒子９と結露が一緒になって固く付着し
て、その部分を腐食することを防止する。
【００１５】
【発明の効果】この発明は上述のとおりであり、炉内か
ら排出された直後、即ち、炉内から排出された直後の高
温状態の混合ガスと固体粒子とをサイクロンセパレータ
に供給して固体粒子を分離するので、その際高温になっ
て体積の膨張した処理済ガスの小さな比重と高温度にも
影響の少ない固体粒子の比重との間に大きな比重差を生
じ、サイクロンセパレータの比重差による分離が極めて
能率的に行われ、次の冷却装置及びメインダクトに送ら
れる固体粒子の量を極めて少なくすることができる。
ら排出された直後、即ち、炉内から排出された直後の高
温状態の混合ガスと固体粒子とをサイクロンセパレータ
に供給して固体粒子を分離するので、その際高温になっ
て体積の膨張した処理済ガスの小さな比重と高温度にも
影響の少ない固体粒子の比重との間に大きな比重差を生
じ、サイクロンセパレータの比重差による分離が極めて
能率的に行われ、次の冷却装置及びメインダクトに送ら
れる固体粒子の量を極めて少なくすることができる。
【００１６】また、冷却装置の冷却室内に冷却水を直接
スプレーするので、冷却水の低温と蒸発熱によって、高
温の混合ガスを能率的に冷却し、その温度と大気の温度
との差による結露を防止し、冷却装置に固体粒子と結露
が付着して、そこを腐蝕するようなことがない。
スプレーするので、冷却水の低温と蒸発熱によって、高
温の混合ガスを能率的に冷却し、その温度と大気の温度
との差による結露を防止し、冷却装置に固体粒子と結露
が付着して、そこを腐蝕するようなことがない。
【図１】本発明の実施形態を示す側面図である。
１ ＣＶＤ装置 ２ 未反応ガス ３ 反応用エアー ４ 炉体 ５ 炉内 ７ａ 混合ガス ７ｂ 処理済ガス ８ 電熱線 ９ 固体粒子 １０ サイクロンセパレータ １１ 冷却装置 １２ メインダクト １３ 冷却水スプレー １８ チラー
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D002 AA26 AC10 BA05 BA12 BA13 BA14 EA02 4D053 AA03 AB01 BA01 BB06 BC01 BD04 CA01 CB13 CC16 CD01 DA02 4K030 AA06 AA14 BA44 CA12 EA12 5F045 AA03 AB32 AC01 AC11 EG08 EJ01
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＶＤ装置から排出される未反応ガスと
反応用エアーを混合し、それを炉内で加熱して固体粒子
を発生し、その状態の処理済ガスを炉内から排出して冷
却装置に送るＣＶＤ装置の排出ガス処理方法において、
該炉内から排出された直後の加熱された処理済ガスを冷
却装置に送る前に、サイクロンセパレータでその処理済
ガスの中から固体粒子を除去することを特徴とするＣＶ
Ｄ装置の排出ガス処理方法。 - 【請求項２】 加熱して発生した固体粒子を除去した後
の処理済ガスを冷却室に導入し、該冷却室内に冷却水を
直接スプレーして冷却することを特徴とする請求項１記
載のＣＶＤ装置の排出ガス処理方法。 - 【請求項３】 炉体の一端にＣＶＤ装置の未反応ガスと
反応用エアーの入口を形成し、該炉体の外側に電熱線を
設け、また該炉体の他端に加熱された処理済ガスと固体
粒子の出口を形成し、その出口にサイクロンセパレータ
の入口を接続すると共に、該サイクロンセパレータの出
口を冷却室の入口側に接続し、該冷却室の出口側にメイ
ンダクトを接続することを特徴とするＣＶＤ装置の排出
ガス処理装置。 - 【請求項４】 冷却室内に冷却水用スプレーを配置し、
該冷却水用スプレーと給水源とを連通する配管の途中に
チラーを設けることを特徴とする請求項３記載のＣＶＤ
装置の排出ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11060527A JP2000254444A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | Ｃｖｄ装置の排出ガス処理方法とその処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11060527A JP2000254444A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | Ｃｖｄ装置の排出ガス処理方法とその処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000254444A true JP2000254444A (ja) | 2000-09-19 |
Family
ID=13144885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11060527A Pending JP2000254444A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | Ｃｖｄ装置の排出ガス処理方法とその処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000254444A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100923265B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2009-10-23 | (주)제이오션 | 배기가스 데포지션 장치 및 방법 |
| US7638106B2 (en) | 2006-04-21 | 2009-12-29 | Edwards Limited | Method of treating a gas stream |
| CN111974170A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-11-24 | 烟台奥森制动材料有限公司 | 一种c-c生产线尾气净化处理方法 |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP11060527A patent/JP2000254444A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7638106B2 (en) | 2006-04-21 | 2009-12-29 | Edwards Limited | Method of treating a gas stream |
| TWI470109B (zh) * | 2006-04-21 | 2015-01-21 | Edwards Ltd | 處理氣流之方法 |
| KR100923265B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2009-10-23 | (주)제이오션 | 배기가스 데포지션 장치 및 방법 |
| CN111974170A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-11-24 | 烟台奥森制动材料有限公司 | 一种c-c生产线尾气净化处理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW550117B (en) | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber | |
| US6348088B2 (en) | System and method for recovering cooling capacity from a factory exhaust gas | |
| TWI692542B (zh) | 電漿前級熱反應器系統 | |
| JP2007520880A (ja) | プラズマリアクター用のガス分配プレートアセンブリ | |
| TW200900135A (en) | Gas processing apparatus | |
| US6530977B2 (en) | Abatement of semiconductor processing gases | |
| JPH08150317A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| TW200527495A (en) | Cleaning of chamber components | |
| TW495375B (en) | Treatment system for removing hazardous substances from a semiconductor process waste gas stream | |
| JPH05326483A (ja) | ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置 | |
| CN103290387B (zh) | 化学气相沉积反应器过程室清洁方法 | |
| JP2000317265A (ja) | 排ガス処理装置及び基板処理装置 | |
| JP2000254444A (ja) | Ｃｖｄ装置の排出ガス処理方法とその処理装置 | |
| CN103021779B (zh) | 等离子体反应器 | |
| KR100483577B1 (ko) | 폐가스 처리장치 | |
| JP2004216246A (ja) | 高周波プラズマ処理装置及び高周波プラズマ処理方法 | |
| JPH08323133A (ja) | 高周波誘導熱プラズマを用いた有機ハロゲン化合物の高温加水分解により発生した排ガスの無害化処理方法 | |
| JP2001126988A (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN110491805A (zh) | 半导体处理设备及半导体处理方法 | |
| US3063694A (en) | Apparatus for cleaning gases from ferrous metallurgical operations | |
| US6024105A (en) | Semiconductor manufacturing device and method of removing particles therefrom | |
| JP2002153726A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JP3242875B2 (ja) | 排ガス除害装置及び排ガスの除害方法 | |
| JP4594065B2 (ja) | 半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理装置及び処理方法 | |
| JP2002334870A (ja) | 高密度プラズマｃｖｄ装置のリモートプラズマクリーニング方法 |