JP2001126988A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2001126988A JP2001126988A JP30144399A JP30144399A JP2001126988A JP 2001126988 A JP2001126988 A JP 2001126988A JP 30144399 A JP30144399 A JP 30144399A JP 30144399 A JP30144399 A JP 30144399A JP 2001126988 A JP2001126988 A JP 2001126988A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気配管内壁への反応生成物付着を防止し、
最終的な排ガス処理機構の負荷を軽減して除害効率を向
上させる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置本体１００は、各種ガス
が投入される製造チャンバ１１を含む。ガス排気配管１
２は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流し、
最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理機構１３
に導かれる。ガス排気配管１２は所定距離だけ配管外周
表面を覆うように副配管１４が形成され、ガス流入口Ｉ
Ｎから加熱された不活性なガス（例えばＮ2 ガス）が流
入される。内管のガス排気配管１２は常に保温または加
熱され、ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、
チャンバ１１から排出された直後の温度近くに維持さ
れ、反応生成物の発生を抑える。
最終的な排ガス処理機構の負荷を軽減して除害効率を向
上させる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置本体１００は、各種ガス
が投入される製造チャンバ１１を含む。ガス排気配管１
２は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流し、
最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理機構１３
に導かれる。ガス排気配管１２は所定距離だけ配管外周
表面を覆うように副配管１４が形成され、ガス流入口Ｉ
Ｎから加熱された不活性なガス（例えばＮ2 ガス）が流
入される。内管のガス排気配管１２は常に保温または加
熱され、ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、
チャンバ１１から排出された直後の温度近くに維持さ
れ、反応生成物の発生を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体素子を
製造する際に発生する排ガスの除害処理を伴なう半導体
製造装置に関する。
製造する際に発生する排ガスの除害処理を伴なう半導体
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置では、半導体素子の製造
工程で化学気相反応を利用して成膜するＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition ）装置のような、各種のガスを扱
う装置がある。このような半導体製造装置本体の製造チ
ャンバから化学気相反応を経て発生する排ガスは、有害
なものも含まれている。従って、上記排ガスは、有害な
状態を除くべく、スクラバー、除害装置といった排ガス
処理機構を経る。
工程で化学気相反応を利用して成膜するＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition ）装置のような、各種のガスを扱
う装置がある。このような半導体製造装置本体の製造チ
ャンバから化学気相反応を経て発生する排ガスは、有害
なものも含まれている。従って、上記排ガスは、有害な
状態を除くべく、スクラバー、除害装置といった排ガス
処理機構を経る。
【０００３】図３は、従来の半導体製造装置の要部を示
す概観図である。例えば各種ガスＧＡＳが投入されるＣ
ＶＤ装置ＭＣの炉体（製造チャンバ）３１が示されてい
る。排気配管３２は、チャンバ内における反応後の排ガ
スを流す。図示の排気配管３２は一部であり、排ガスは
最終的に上述の排ガス処理機構に導かれる。
す概観図である。例えば各種ガスＧＡＳが投入されるＣ
ＶＤ装置ＭＣの炉体（製造チャンバ）３１が示されてい
る。排気配管３２は、チャンバ内における反応後の排ガ
スを流す。図示の排気配管３２は一部であり、排ガスは
最終的に上述の排ガス処理機構に導かれる。
【０００４】また、排気配管３２には、希釈用のＮ2 ガ
スを流入している。排気配管３２に流れる排ガス中には
未反応ガスが含まれているからである。この未反応ガス
により、反応生成物（ＳｉＯ2 系の物質）が生成され、
排気配管３２の内壁に付着する恐れがある。Ｎ2 ガス
は、排気配管３２内の排ガスを希釈し、この反応生成物
の付着を阻止するように働く。
スを流入している。排気配管３２に流れる排ガス中には
未反応ガスが含まれているからである。この未反応ガス
により、反応生成物（ＳｉＯ2 系の物質）が生成され、
排気配管３２の内壁に付着する恐れがある。Ｎ2 ガス
は、排気配管３２内の排ガスを希釈し、この反応生成物
の付着を阻止するように働く。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、排ガス
の希釈にも、排ガスの後処理をする関係上限度がある。
希釈ガスを多量に含んでいると、最終的な排ガス処理機
構の負荷が増大するからである。すなわち、Ｎ2 等の希
釈ガスは、排ガスを除害する際の除害効率を低下させる
原因となっている。
の希釈にも、排ガスの後処理をする関係上限度がある。
希釈ガスを多量に含んでいると、最終的な排ガス処理機
構の負荷が増大するからである。すなわち、Ｎ2 等の希
釈ガスは、排ガスを除害する際の除害効率を低下させる
原因となっている。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、その課題は、排気配管の内壁に反応生成物
の付着するのを防ぎつつ、最終的な排ガス処理機構の負
荷を軽減し、除害効率が向上する半導体製造装置を提供
することにある。
れたもので、その課題は、排気配管の内壁に反応生成物
の付着するのを防ぎつつ、最終的な排ガス処理機構の負
荷を軽減し、除害効率が向上する半導体製造装置を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、半導体素子製造に関し、製造チャンバ内での化学気
相反応に伴なって排出される排ガスを導くガス排気配管
と、少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において、
配管外周表面を覆うように設けられる副配管と、前記副
配管に加熱した不活性なガスを流す前記排ガスの保温機
構とを具備したことを特徴とする。
は、半導体素子製造に関し、製造チャンバ内での化学気
相反応に伴なって排出される排ガスを導くガス排気配管
と、少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において、
配管外周表面を覆うように設けられる副配管と、前記副
配管に加熱した不活性なガスを流す前記排ガスの保温機
構とを具備したことを特徴とする。
【０００８】本発明によれば、上記保温機構は、加熱し
た不活性なガスを上記副配管に流すことにより、上記ガ
ス排気配管外周表面が加熱され、排ガスが保温されるこ
とになる。これにより、上記ガス排気配管内に含まれる
未反応ガスは、反応生成物を作りにくい。
た不活性なガスを上記副配管に流すことにより、上記ガ
ス排気配管外周表面が加熱され、排ガスが保温されるこ
とになる。これにより、上記ガス排気配管内に含まれる
未反応ガスは、反応生成物を作りにくい。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体製造装置の構成を示す概観図である。半導体
製造装置本体１００は、ＣＶＤ炉等、各種ガスＧＡＳが
投入される製造チャンバ１１を有する。ガス排気配管１
２は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流す。
すなわち、化学気相反応に伴なって排出される排ガスを
導く配管である。図示のガス排気配管１２は一部であ
り、排ガスは最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス
処理機構１３に導かれる。
係る半導体製造装置の構成を示す概観図である。半導体
製造装置本体１００は、ＣＶＤ炉等、各種ガスＧＡＳが
投入される製造チャンバ１１を有する。ガス排気配管１
２は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流す。
すなわち、化学気相反応に伴なって排出される排ガスを
導く配管である。図示のガス排気配管１２は一部であ
り、排ガスは最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス
処理機構１３に導かれる。
【００１０】この第１実施形態では、ガス排気配管１２
の所定距離において、配管外周表面を覆うように、例え
ばステンレスからなる副配管１４が設けられている。す
なわち、ガス排気配管１２と副配管１４とで二重配管構
成になっている。二重配管構成となる領域は、例えば、
チャンバ１１からの排出ガスが管外の自然雰囲気で徐々
に冷却されつつある領域である。
の所定距離において、配管外周表面を覆うように、例え
ばステンレスからなる副配管１４が設けられている。す
なわち、ガス排気配管１２と副配管１４とで二重配管構
成になっている。二重配管構成となる領域は、例えば、
チャンバ１１からの排出ガスが管外の自然雰囲気で徐々
に冷却されつつある領域である。
【００１１】副配管１４には、一方端部に設けられたガ
ス流入口ＩＮを介して、加熱された不活性なガス（例え
ばＮ2 ガス）が流入されるようになっている。バルブ１
５は流入すべきガス（ここではＮ2 ガス）の供給を制御
する。ヒーター１６は、この副配管１４に流すガスを加
熱するために設けられている。副配管１４の他方端部に
は加熱ガス（Ｎ2 ガス）のガス流出口ＥＸＨが設けられ
ている。この構成を機能させることにより、内管のガス
排気配管１２は常に保温あるいは加熱される。
ス流入口ＩＮを介して、加熱された不活性なガス（例え
ばＮ2 ガス）が流入されるようになっている。バルブ１
５は流入すべきガス（ここではＮ2 ガス）の供給を制御
する。ヒーター１６は、この副配管１４に流すガスを加
熱するために設けられている。副配管１４の他方端部に
は加熱ガス（Ｎ2 ガス）のガス流出口ＥＸＨが設けられ
ている。この構成を機能させることにより、内管のガス
排気配管１２は常に保温あるいは加熱される。
【００１２】これにより、ガス排気配管１２内を流れる
排ガスの温度は、チャンバ１１から排出された直後の温
度に近いまま、なるべく下がらないように維持できる。
ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、使用した
ガス種にもよるが、だいたい５０℃〜６０℃に保てれば
よい。この結果、ガス排気配管１２内での反応生成物発
生が抑制される。
排ガスの温度は、チャンバ１１から排出された直後の温
度に近いまま、なるべく下がらないように維持できる。
ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、使用した
ガス種にもよるが、だいたい５０℃〜６０℃に保てれば
よい。この結果、ガス排気配管１２内での反応生成物発
生が抑制される。
【００１３】上記実施形態によれば、例えば希釈ガスで
あるＮ2 ガスを用いて排ガスラインの加熱が行なえる。
これにより、ガス排気配管１２内に未反応ガスが含まれ
ていても、反応生成物発生の防止効果は大きい。よっ
て、ガス排気配管１２内にＮ2等の希釈ガスを多量に流
す必要はなくなる。希釈ガスを減少できる結果、最終的
な排ガス処理機構の負荷を軽減することができる。すな
わち、排ガスを除害する際の除害効率を向上させること
ができる。
あるＮ2 ガスを用いて排ガスラインの加熱が行なえる。
これにより、ガス排気配管１２内に未反応ガスが含まれ
ていても、反応生成物発生の防止効果は大きい。よっ
て、ガス排気配管１２内にＮ2等の希釈ガスを多量に流
す必要はなくなる。希釈ガスを減少できる結果、最終的
な排ガス処理機構の負荷を軽減することができる。すな
わち、排ガスを除害する際の除害効率を向上させること
ができる。
【００１４】なお、副配管１４に流入させる加熱した不
活性なガスは、Ｎ2 ガスに限らず、Ａｒ等の不活性ガス
でもよい。副配管１４の材料はステンレス管を用いた
が、特に限定されない。ヒーター１６の形態は問わな
い。副配管１４の周りに電熱線を巻く等簡単な構成も考
えられる。また、副配管１４において、その周囲または
全体表面を断熱テープ等の断熱材（図示せず）で覆えば
さらに保温効果が期待できる。
活性なガスは、Ｎ2 ガスに限らず、Ａｒ等の不活性ガス
でもよい。副配管１４の材料はステンレス管を用いた
が、特に限定されない。ヒーター１６の形態は問わな
い。副配管１４の周りに電熱線を巻く等簡単な構成も考
えられる。また、副配管１４において、その周囲または
全体表面を断熱テープ等の断熱材（図示せず）で覆えば
さらに保温効果が期待できる。
【００１５】図２は、本発明の第２実施形態に係る半導
体製造装置の構成を示す概観図である。第１実施形態と
同様の箇所には同一の符号を付す。第１実施形態と異な
る点は、副配管１４に流入させる加熱した不活性なガス
（例えばＮ2 ガス）を循環させる構成とすることであ
る。
体製造装置の構成を示す概観図である。第１実施形態と
同様の箇所には同一の符号を付す。第１実施形態と異な
る点は、副配管１４に流入させる加熱した不活性なガス
（例えばＮ2 ガス）を循環させる構成とすることであ
る。
【００１６】すなわち、ガス排気配管１２の一部領域を
二重配管とした構成の副配管１４において、一方端部の
ガス流入口ＩＮにヒーター１６で加熱されたＮ2 ガスが
供給される。このＮ2 ガスは、他方端部のガス流出口か
らポンプ２１を介して循環させてきたものである。バル
ブ２２は、Ｎ2 ガスの循環を制御する。また、バルブ２
３は新しいＮ2 ガスの供給、バルブ２４はガス流出口Ｅ
ＸＨへのＮ2 ガスの排出を制御する。
二重配管とした構成の副配管１４において、一方端部の
ガス流入口ＩＮにヒーター１６で加熱されたＮ2 ガスが
供給される。このＮ2 ガスは、他方端部のガス流出口か
らポンプ２１を介して循環させてきたものである。バル
ブ２２は、Ｎ2 ガスの循環を制御する。また、バルブ２
３は新しいＮ2 ガスの供給、バルブ２４はガス流出口Ｅ
ＸＨへのＮ2 ガスの排出を制御する。
【００１７】上記構成を機能させることにより、Ｎ2 ガ
スの消費を抑えながら、内管のガス排気配管１２は常に
保温あるいは加熱される。これにより、ガス排気配管１
２内を流れる排ガスの温度は、チャンバ１１から排出さ
れた直後の温度に近いまま、なるべく下がらないように
制御できる。この結果、ガス排気配管１２内での反応生
成物発生が抑制される。その他の基本的構成は第１実施
形態と同様である。副配管１４は、周囲または全体表面
を断熱テープ等の断熱材（図示せず）で覆えばさらに保
温効果が期待できる。
スの消費を抑えながら、内管のガス排気配管１２は常に
保温あるいは加熱される。これにより、ガス排気配管１
２内を流れる排ガスの温度は、チャンバ１１から排出さ
れた直後の温度に近いまま、なるべく下がらないように
制御できる。この結果、ガス排気配管１２内での反応生
成物発生が抑制される。その他の基本的構成は第１実施
形態と同様である。副配管１４は、周囲または全体表面
を断熱テープ等の断熱材（図示せず）で覆えばさらに保
温効果が期待できる。
【００１８】上記実施形態によっても、ガス排気配管１
２内における反応生成物発生の防止効果は絶大である。
希釈ガスを減少できるため、最終的な排ガス処理機構の
負荷を軽減することができる。すなわち、排ガスを除害
する際の除害効率を向上させることができる。
２内における反応生成物発生の防止効果は絶大である。
希釈ガスを減少できるため、最終的な排ガス処理機構の
負荷を軽減することができる。すなわち、排ガスを除害
する際の除害効率を向上させることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ス排気配管外周表面を覆う副配管を構成し、この副配管
に加熱した不活性なガスを流す。これにより、ガス排気
配管外周表面が加熱され、排ガスが製造チャンバから排
出された直後の温度に近い状態で保温されながら通過す
ることになる。この結果、希釈ガスを多量に流さなくて
も、排気配管の内壁に反応生成物の付着を防止すること
ができる。よって最終的な排ガス処理機構の負荷を軽減
し、除害効率が向上する高信頼性の半導体製造装置を提
供することができる。
ス排気配管外周表面を覆う副配管を構成し、この副配管
に加熱した不活性なガスを流す。これにより、ガス排気
配管外周表面が加熱され、排ガスが製造チャンバから排
出された直後の温度に近い状態で保温されながら通過す
ることになる。この結果、希釈ガスを多量に流さなくて
も、排気配管の内壁に反応生成物の付着を防止すること
ができる。よって最終的な排ガス処理機構の負荷を軽減
し、除害効率が向上する高信頼性の半導体製造装置を提
供することができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置の
要部構成を示す概観図である。
要部構成を示す概観図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置の
要部構成を示す概観図である。
要部構成を示す概観図である。
【図３】従来の半導体製造装置の要部構成を示す概観図
である。
である。
１００…半導体製造装置本体 １１…製造チャンバ １２…ガス排気配管 １３…排ガス処理機構 １４…副配管 １５，２２，２３，２４…バルブ １６…ヒーター ２１…ポンプ ＩＮ…ガス流入口 ＥＸＨ…ガス流出口
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子製造に関し、製造チャンバ内
での化学気相反応に伴なって排出される排ガスを導くガ
ス排気配管と、 少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において、配管
外周表面を覆うように設けられる副配管と、 前記副配管に加熱した不活性なガスを流す前記排ガスの
保温機構と、を具備したことを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項２】 前記保温機構は、前記不活性なガスを加
熱する加熱機構を含むことを特徴とする請求項1記載の
半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記保温機構は、前記加熱した不活性な
ガスを循環させる循環機構を含むことを特徴とする請求
項1記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記保温機構は、前記副配管の周囲を覆
う断熱材を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144399A JP2001126988A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144399A JP2001126988A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126988A true JP2001126988A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17896964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30144399A Withdrawn JP2001126988A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001126988A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053283A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자용 산화막 증착 시스템 |
| KR100467821B1 (ko) * | 2002-02-05 | 2005-01-24 | 주식회사 세미라인 | 반도체 및 엘씨디（ｌｃｄ） 생산 설비용 핫 질소공급장치 |
| KR100615601B1 (ko) | 2004-09-09 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비용 가열배기라인, 그 가열장치 및 제어방법 |
| KR100648268B1 (ko) | 2004-10-07 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 사용되는 배기 시스템 및 이를 이용한기판 처리 장치 |
| KR100791073B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 난류 날개들을 갖는 배기 배관 및 배기 시스템 |
| WO2009100083A2 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Applied Materials, Inc. | System and methods for conservation of exhaust heat energy |
| JP2011058033A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法 |
| US8915775B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-12-23 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Exhaust system |
| CN114588762A (zh) * | 2020-12-03 | 2022-06-07 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体加工设备排气装置及方法 |
| JP7331685B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-08-23 | 株式会社レゾナック | スクラバー |
-
1999
- 1999-10-22 JP JP30144399A patent/JP2001126988A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20030053283A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자용 산화막 증착 시스템 |
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| WO2009100083A3 (en) * | 2008-02-04 | 2009-10-08 | Applied Materials, Inc. | System and methods for conservation of exhaust heat energy |
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| CN114588762A (zh) * | 2020-12-03 | 2022-06-07 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体加工设备排气装置及方法 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070109 |