JP2008251614A - 気化装置、成膜装置及び気化方法 - Google Patents
気化装置、成膜装置及び気化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008251614A JP2008251614A JP2007087757A JP2007087757A JP2008251614A JP 2008251614 A JP2008251614 A JP 2008251614A JP 2007087757 A JP2007087757 A JP 2007087757A JP 2007087757 A JP2007087757 A JP 2007087757A JP 2008251614 A JP2008251614 A JP 2008251614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid material
- lower heat
- vaporization
- heat exchange
- vaporizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】気化装置内に下部熱交換部を設けて、霧化された液体材料の気化効率を高めると共に、この下部交換部を薄肉の石英により中空に構成して熱容量を小さくし、気化を停止した時の液体材料の過熱を抑え、またこの下部熱換部の内部空間を真空雰囲気として、更にこの下部熱交換部の内部にカーボンファイバからなるカーボンヒータを設けて、輻射熱により下部熱交換部、気化装置の内壁及び気化装置内に霧化された液体材料を直接加熱する。
【選択図】図2
Description
この気化装置300は、側壁にヒーター301を備えた気化室302内の底面に下部熱交換部303を設けて、この下部熱交換部303の表面でも液体材料を気化させるために、下部熱交換部303内に例えば棒状体のヒーター304を例えば下部熱交換部303の周方向に4本埋設した構造である。気化室302の上面からインジェクタ305により気化室302内に霧化された液体材料は、気化室302の側壁のヒーター301と下部熱交換部303内のヒーター304とにより例えば150℃に加熱されて気化し、処理ガスとして取出し口306から例えばCVD装置などの消費装置へ供給される。
液体材料のミストは、気化室302の側壁と内部(下部熱交換部303)とから加熱されるので、気化する量が多くなり、CVD装置などへ供給される処理ガスに含まれる量が減少するため、パーティクルの量が減少する。
例えば液体材料の供給を停止した後に、オーバーシュートが起こる前に例えば不活性ガスなどの処理に影響の少ないパージガスなどを冷却して気化室302内に供給し、下部熱交換部303を冷却する方法もあるが、液体材料の供給を停止する度にパージガスを大量に供給する必要があり、ガスの使用量が多くなると共に、パージガスを冷却するエネルギーも必要となり、コストの面から好ましくない。
液体材料を気化する空間を形成する気化室形成部材と、
この気化室形成部材の上部に設けられ、霧化された液体材料を下方に向けて吐出するインジェクタと、
前記気化室形成部材の下部に設けられ、インジェクタとの間に霧化された液体材料の流れの助走空間を形成すると共に気化室形成部材の内周面との間にリング状の気化空間を形成する中空の下部熱交換部と、
前記霧化された液体材料を加熱して気化するために、前記下部熱交換部の内部空間に設けられ、カーボンファイバの束が複数編み込まれたカーボンワイヤをセラミックスにより封止した加熱手段と、
前記インジェクタによる液体材料の吐出を停止した時に、前記加熱手段への供給電力を小さくするかまたはゼロにする制御部と、
前記リング状の気化空間を通り、気化された液体材料を消費装置に供給するための取出し口と、を備えたことを特徴とする。
前記下部熱交換部は、石英からなることが好ましい。
前記下部熱交換部の内部空間は、真空雰囲気であることが好ましい。
また、上記気化装置は、前記下部熱交換部の温度を検出する温度検出部を備え、
前記制御部は、この温度検出部の温度検出値と予め設定した設定温度とに基づいて、前記加熱手段への供給電力を制御することが好ましい。
前記温度検出部は、前記下部熱交換部における前記インジェクタ側の面部の温度を検出するように設けられていることが好ましい。
前記気化室形成部材は、前記霧化された液体材料を加熱して気化するための加熱手段を備えていても良い。
液体材料を貯留する貯留槽と、
この貯留槽の下流側に液体材料供給路により接続され、液体材料を気化して処理ガスを得る上記気化装置と、
この気化装置の下流側に設けられ、気化装置から送られた処理ガスを用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴とする。
気化室形成部材の上部に設けられたインジェクタから、霧化された液体材料を下方に向けて吐出する工程と、
吐出された液体材料を加熱して気化させながら、前記気化室形成部材の下部に設けられ、内部にカーボンファイバの束が複数編み込まれたカーボンワイヤをセラミックスにより封止した加熱手段を備えた中空の下部熱交換部に向かって助走させる工程と、
霧化された液体材料の流れを前記下部熱交換部により前記気化室形成部材の内周面側に拡散させ、当該内周面と下部熱交換部との間に形成されたリング状の気化空間を通過させながら、前記加熱手段からの輻射熱により加熱して気化させる工程と、
前記気化された液体材料を取出し口から取出す工程と、
前記インジェクタによる液体材料の吐出を停止すると共に、前記液体材料の加熱を抑えるかあるいは停止する工程と、を含むことを特徴とする。
前記下部熱交換部の温度と予め設定した設定温度とに基づいて、前記液体材料の加熱量を調整する工程と、を含むことが好ましい。
前記下部熱交換部の温度を検出する工程は、前記下部熱交換部における前記インジェクタ側の面部の温度を検出する工程であることが好ましい。
前記助走させる工程及び前記気化させる工程は、前記気化室形成部材に設けられた加熱手段により、吐出された液体材料を加熱する工程を含んでいても良い。
次いで、処理ガスを気化装置2に供給する。即ち、バルブVd、Vc、Vd、Ve、Vf及びVmを閉じ、バルブV1、V2、V3及びVaを開き、窒素ガス供給源22から加圧気体供給管21を介して加圧気体である窒素ガスを貯留槽1内に供給し、貯留槽1内の液体材料例えばハフニウム材料を所定の流量で液体材料供給管51を介して気化装置2に圧送し、更に気化装置2のインジェクタ30から液体材料がスプレーされるように、図示しない窒素ガス源から窒素ガスを供給しているので、この窒素ガスと共に、気化装置2には、例えば5sccmの流量の液体材料がミスト状となり導入される。
こうして処理ガスは、処理ガス供給管53を介して成膜処理部100へ送られる。そして、上述のようにハフニウム材料を気化して得た処理ガスと、酸素ガス(図示せず)と、を処理ガス供給管53から供給して、ウェハW上にハフニウム酸化膜を形成する成膜処理が行われる。所定の時間成膜処理部100に処理ガスを供給した後、処理ガスを停止し、更にカーボンワイヤヒータ33への電力の供給を停止する。即ち、バルブV1、V2、V3及びVaを閉じて、電源部50aからの出力を止める。また、気化装置2のパージ処理を行うために、バルブVb及びVmを開く。これにより、窒素ガス供給源24のパージガスである窒素ガスは、窒素ガス供給管23を介して気化装置2に供給される。
さらに洗浄処理では、バルブV2、Vd及びVeを開き、液体マスフローメータM、液体材料供給管51、分岐管54及びミスト排出管42に通流させ、これらの内壁に付着した液体材料や液体材料の固化成分等の付着物を除去するようにしてもよい。
G 助走空間
2 気化装置
30 インジェクタ
31 下部熱交換部
33 加熱手段
35 熱電対
40 気化室形成部材
Claims (13)
- 液体材料を気化する空間を形成する気化室形成部材と、
この気化室形成部材の上部に設けられ、霧化された液体材料を下方に向けて吐出するインジェクタと、
前記気化室形成部材の下部に設けられ、インジェクタとの間に霧化された液体材料の流れの助走空間を形成すると共に気化室形成部材の内周面との間にリング状の気化空間を形成する中空の下部熱交換部と、
前記霧化された液体材料を加熱して気化するために、前記下部熱交換部の内部空間に設けられ、カーボンファイバの束が複数編み込まれたカーボンワイヤをセラミックスにより封止した加熱手段と、
前記インジェクタによる液体材料の吐出を停止した時に、前記加熱手段への供給電力を小さくするかまたはゼロにする制御部と、
前記リング状の気化空間を通り、気化された液体材料を消費装置に供給するための取出し口と、を備えたことを特徴とする気化装置。 - 前記下部熱交換部は、石英からなることを特徴とする請求項1に記載の気化装置。
- 前記下部熱交換部の内部空間は、真空雰囲気であることを特徴とする請求項1または2に記載の気化装置。
- 前記下部熱交換部の温度を検出する温度検出部を備え、
前記制御部は、この温度検出部の温度検出値と予め設定した設定温度とに基づいて、前記加熱手段への供給電力を制御することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の気化装置。 - 前記温度検出部は、前記下部熱交換部における前記インジェクタ側の面部の温度を検出するように設けられていることを特徴とする請求項4に記載の気化装置。
- 前記気化室形成部材は、前記霧化された液体材料を加熱して気化するための加熱手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の気化装置。
- 液体材料を貯留する貯留槽と、
この貯留槽の下流側に液体材料供給路により接続され、液体材料を気化して処理ガスを得る請求項1ないし6のいずれか一に記載の気化装置と、
この気化装置の下流側に設けられ、気化装置から送られた処理ガスを用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 気化室形成部材の上部に設けられたインジェクタから、霧化された液体材料を下方に向けて吐出する工程と、
吐出された液体材料を加熱して気化させながら、前記気化室形成部材の下部に設けられ、内部にカーボンファイバの束が複数編み込まれたカーボンワイヤをセラミックスにより封止した加熱手段を備えた中空の下部熱交換部に向かって助走させる工程と、
霧化された液体材料の流れを前記下部熱交換部により前記気化室形成部材の内周面側に拡散させ、当該内周面と下部熱交換部との間に形成されたリング状の気化空間を通過させながら、前記加熱手段からの輻射熱により加熱して気化させる工程と、
前記気化された液体材料を取出し口から取出す工程と、
前記インジェクタによる液体材料の吐出を停止すると共に、前記液体材料の加熱を抑えるかあるいは停止する工程と、を含むことを特徴とする気化方法。 - 前記下部熱交換部は、石英からなることを特徴とする請求項8に記載の気化方法。
- 前記下部熱交換部の内部空間は、真空雰囲気であることを特徴とする請求項8または9に記載の気化方法。
- 前記気化させる工程は、前記下部熱交換部の温度を検出する工程と、
前記下部熱交換部の温度と予め設定した設定温度とに基づいて、前記液体材料の加熱量を調整する工程と、を含むことを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一つに記載の気化方法。 - 前記下部熱交換部の温度を検出する工程は、前記下部熱交換部における前記インジェクタ側の面部の温度を検出する工程であることを特徴とする請求項11に記載の気化方法。
- 前記助走させる工程及び前記気化させる工程は、前記気化室形成部材に設けられた加熱手段により、吐出された液体材料を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項8ないし12のいずれか一つに記載の気化方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087757A JP4324619B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
US12/076,765 US8197600B2 (en) | 2007-03-29 | 2008-03-21 | Vaporizer and semiconductor processing system |
TW097110393A TWI377092B (en) | 2007-03-29 | 2008-03-24 | Vaporizer and semiconductor processing system |
CN2008100869153A CN101285178B (zh) | 2007-03-29 | 2008-03-28 | 汽化器和半导体处理系统 |
KR1020080028805A KR101160724B1 (ko) | 2007-03-29 | 2008-03-28 | 기화기 및 반도체 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087757A JP4324619B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008251614A true JP2008251614A (ja) | 2008-10-16 |
JP4324619B2 JP4324619B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=39825858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007087757A Expired - Fee Related JP4324619B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8197600B2 (ja) |
JP (1) | JP4324619B2 (ja) |
KR (1) | KR101160724B1 (ja) |
CN (1) | CN101285178B (ja) |
TW (1) | TWI377092B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010116577A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Nec Electronics Corp | 成膜装置の再稼働方法 |
JP2011072894A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Chino Corp | 蒸発装置 |
JP2016143798A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 株式会社リンテック | 気化器 |
JP2016196687A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | 株式会社リンテック | 高沸点液体材料の微小液滴発生装置 |
WO2018155419A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 株式会社アルバック | 気化器および素子構造体の製造装置 |
KR20190077534A (ko) * | 2017-02-21 | 2019-07-03 | 가부시키가이샤 아루박 | 성막 방법, 성막 장치, 소자구조체의 제조 방법, 및 소자구조체의 제조 장치 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4299286B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2009-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
JP5137366B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム及び液体材料供給装置 |
JP4324619B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
US7883745B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods |
JP5200551B2 (ja) | 2008-01-18 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
CN102365388A (zh) * | 2009-04-21 | 2012-02-29 | 株式会社堀场Stec | 液体原料气化装置 |
JP6013917B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2016-10-25 | 株式会社渡辺商行 | 気化器及び気化方法 |
US20130269613A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for generating and delivering a process gas for processing a substrate |
KR101369739B1 (ko) * | 2012-04-18 | 2014-03-04 | 최대규 | 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버 |
JP6034231B2 (ja) * | 2012-07-25 | 2016-11-30 | 株式会社Kelk | 半導体製造装置用温度調整装置、半導体製造におけるpid定数演算方法、及び半導体製造装置用温度調整装置の運転方法 |
SG11201807933QA (en) * | 2016-03-24 | 2018-10-30 | Kokusai Electric Corp | Vaporizer, substrate treatment apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
KR101895933B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2018-09-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20180027780A (ko) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 기화기 |
JP6990121B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US11885017B2 (en) | 2019-04-17 | 2024-01-30 | Welcon Inc. | Vaporizer and method for manufacture thereof |
WO2022190711A1 (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 株式会社フジキン | 気化器および気化供給装置 |
KR20240048557A (ko) * | 2021-09-01 | 2024-04-15 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기화기 조립체 |
CN113913787A (zh) * | 2021-10-15 | 2022-01-11 | 浙江生波智能装备有限公司 | 一种新型薄膜制备工艺及真空镀膜设备 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3047241B2 (ja) | 1989-10-11 | 2000-05-29 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
JP3126872B2 (ja) | 1994-05-12 | 2001-01-22 | 三菱電機株式会社 | 燃料の混合比率検知装置 |
JP4185194B2 (ja) | 1997-07-31 | 2008-11-26 | コバレントマテリアル株式会社 | カーボンヒータ |
US6174371B1 (en) * | 1997-10-06 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
JP2000068055A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法 |
US6988466B2 (en) * | 1999-11-10 | 2006-01-24 | Birdquest, Llc | Apparatus and method for rotating avian enclosures |
EP1211333A3 (en) | 2000-12-01 | 2003-07-30 | Japan Pionics Co., Ltd. | Vaporizer for CVD apparatus |
JP2003013234A (ja) | 2000-12-01 | 2003-01-15 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器及び気化供給装置 |
JP3421660B2 (ja) | 2001-05-09 | 2003-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその方法 |
EP1349429A3 (en) | 2002-03-25 | 2007-10-24 | Tokyo Electron Limited | Carbon wire heating object sealing heater and fluid heating apparatus using the same heater |
JP3822135B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2006-09-13 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化供給装置 |
JP4056888B2 (ja) | 2003-01-07 | 2008-03-05 | 株式会社島津製作所 | 気化器 |
JP2004335564A (ja) | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器 |
JP4553245B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器、成膜装置及び成膜方法 |
JP4299286B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2009-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
JP4263206B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2009-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法、熱処理装置及び気化装置 |
JP4324619B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
JP5200551B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007087757A patent/JP4324619B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-21 US US12/076,765 patent/US8197600B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-24 TW TW097110393A patent/TWI377092B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-03-28 KR KR1020080028805A patent/KR101160724B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-03-28 CN CN2008100869153A patent/CN101285178B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010116577A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Nec Electronics Corp | 成膜装置の再稼働方法 |
JP2011072894A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Chino Corp | 蒸発装置 |
JP2016143798A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 株式会社リンテック | 気化器 |
JP2016196687A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | 株式会社リンテック | 高沸点液体材料の微小液滴発生装置 |
WO2018155419A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 株式会社アルバック | 気化器および素子構造体の製造装置 |
KR20190062564A (ko) * | 2017-02-21 | 2019-06-05 | 가부시키가이샤 아루박 | 기화기 및 소자 구조체의 제조 장치 |
KR20190077534A (ko) * | 2017-02-21 | 2019-07-03 | 가부시키가이샤 아루박 | 성막 방법, 성막 장치, 소자구조체의 제조 방법, 및 소자구조체의 제조 장치 |
KR102221194B1 (ko) | 2017-02-21 | 2021-03-02 | 가부시키가이샤 아루박 | 기화기 및 소자 구조체의 제조 장치 |
KR102234630B1 (ko) | 2017-02-21 | 2021-04-01 | 가부시키가이샤 아루박 | 성막 방법, 성막 장치, 소자구조체의 제조 방법, 및 소자구조체의 제조 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200846080A (en) | 2008-12-01 |
KR101160724B1 (ko) | 2012-06-28 |
CN101285178B (zh) | 2011-12-14 |
CN101285178A (zh) | 2008-10-15 |
TWI377092B (en) | 2012-11-21 |
US20080245306A1 (en) | 2008-10-09 |
KR20080088488A (ko) | 2008-10-02 |
JP4324619B2 (ja) | 2009-09-02 |
US8197600B2 (en) | 2012-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4324619B2 (ja) | 気化装置、成膜装置及び気化方法 | |
TWI626689B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體 | |
TW202113154A (zh) | 冷卻總成、控制前驅物源容器之內部的溫度之方法、及反應器系統 | |
US9816182B2 (en) | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
JP5200551B2 (ja) | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 | |
JP4299286B2 (ja) | 気化装置、成膜装置及び気化方法 | |
JP4973071B2 (ja) | 成膜装置 | |
WO2011070945A1 (ja) | 薄膜製造装置、薄膜の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2013094680A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および気化装置 | |
JP2014007289A (ja) | ガス供給装置及び成膜装置 | |
TWI827623B (zh) | 用於控制處理材料到沉積腔室的流動的設備及方法 | |
JP2014012869A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
US9422624B2 (en) | Heat treatment method | |
US20190003047A1 (en) | Vaporizer and Substrate Processing Apparatus | |
US9425074B2 (en) | Heat treatment apparatus | |
JP2013076113A (ja) | ガス供給装置及び成膜装置 | |
JP2006132003A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JP4421119B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6907406B2 (ja) | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI518198B (zh) | 製備薄膜之系統 | |
JPH10147870A (ja) | 液体原料の気化装置 | |
KR100322410B1 (ko) | 액체원료 기화장치 | |
TW202326023A (zh) | 前驅物容器 | |
TW202343625A (zh) | 流體供給系統、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法暨程式 | |
JPS62169410A (ja) | 気相成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090526 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150612 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |