JP6013917B2 - 気化器及び気化方法 - Google Patents
気化器及び気化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6013917B2 JP6013917B2 JP2012549861A JP2012549861A JP6013917B2 JP 6013917 B2 JP6013917 B2 JP 6013917B2 JP 2012549861 A JP2012549861 A JP 2012549861A JP 2012549861 A JP2012549861 A JP 2012549861A JP 6013917 B2 JP6013917 B2 JP 6013917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- vaporizer
- carrier gas
- introduction
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims description 83
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims description 25
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 43
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D1/00—Evaporating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
また、特許文献4には、キャリアガスに液体原料を導入し、ミクロンオーダー以下(1ミクロン以下)に微細化した液体原料をキャリアガスに分散させ(以下、液体原料が分散したキャリアガスを原料ガスという。)、この原料ガスを気化器に導入して気化させた後、成膜室において成膜する技術が開示されている。その際、溶媒のみが気化してしまい、出口の目詰まりが発生することを防止すること等を目的として、出口を冷却するための手段を設けてある。また、液体原料をより小さな粒子としてキャリアガス中に分散させるためにキャリアガスの流速は50〜340m/secが好適な条件として用いられている。
しかし、上記技術により成膜を行うと、膜の表面に波紋が生じてしまうことがある。また、膜中あるいは表面にパーティクルの存在が認められる。さらに、膜の組成が目標とする組成からずれてしまうことがある。また、カーボン含有量が多くなることがある。
さらに、特許文献4記載の記述においては、例えば、STO膜を成膜する場合、気化器の出口近傍における他の装置との継ぎ手部近傍において温度を300℃以上の温度に設定してあかなければ液体原料を気化することができなかった。すなわち、理論上の温度よりはるかに高い温度に設定する必要があった。しかし、例えば、継ぎ手部を300℃に加熱する場合、継ぎ手部におけるOリングとして高い耐熱性が要求されることとなり、メタルリングを使用せざるを得ない場合も生じていた。
特許文献5には、気化部の形状が、ガスの入力側に対して、拡がりを持つ形状であって、内部にヒータを配置した薄膜成膜液体原料用気化器について記載されている。
特許文献5では、気化部の形状が、ガスの入力側に対して、拡がりを持つ形状であるために、ガスの流れが、凹湾の形状の部分で停滞する、あるいは気流の乱れにより噴流に偏りが生じ、十分な気化が困難となり、また、凹湾の形状部分に付着物が蓄積し、パーティクルの発生などの問題点があった。
本発明は、膜における、波紋、パーティクル、カーボン量を減少させることができ、しかも所望の組成を有する膜を形成することができる原料供給可能な気化器を提供することを目的とする。
また、このような気化器を用いることにより、気化器内での気化を促進して、成膜時の波紋の発生等を抑制することができる成膜装置を提供することを目的とする。
本発明は、必要以上の加熱を要することなく気化を十分に行うことが可能な気化器を提供することを目的とする。
前記内部に配置されたヒータがある部分の円周部周辺の通路断面積は、ヒータが無い部分の通路断面積の0.8〜1.2であることを特徴とする気化器である。
本発明者は、従来技術が有する問題の原因について各種実験を重ねて探求した。その結果、キャリアガス中に分散した液体材料が十分気化されないまま成膜室に送り込まれてしまうことに原因があるのではないかとの知見を抱き上記問題の解明を試みた。その結果、加熱温度を単純に高くしただけでは、必ずしも未気化を防止することはできないことを実験により確認した。また、温度を高くすることは継ぎ手部などへの悪影響を与える。
各種実験を重ねる中で、液体原料が分散したキャリアガスの通路にヒータを配置しておくと上記問題点が一気に解決できることを偶然見出し、本発明をなすに到ったものである。
図1におけるS0で示した部分の断面積と、内部ヒータ4が配置された部分における通路断面積S1との関係として、S1は、S0に対して0.8〜1.2とすることが好ましく、0.9〜1.1とすることがより好ましい。この範囲とした場合には、気化は瞬間的に行われ、未反応の液体原料は激減することが確認された。
なお、通路断面積S1に関して、請求項4に記載した、ヒータがある部分の通路断面積は、図1にて、ヒータが円筒状の周辺の通路断面積であり、請求項5に記載した、ヒータがある部分の前記円錐形状周辺の通路断面積は、ヒータの導入部の円錐形状周辺のヒータが円錐状の周辺の通路断面積である。
また、内部ヒータは、原料ガス導入部側に円錐又は多角錐形状の傾斜部を設けておくことが乱流防止の上好ましい。この傾斜部に対応するガス導入部の断面積もS1と同じとすることが好ましい。
従って、気化器の外形も、内部ヒータの傾斜部に沿って傾斜部が形成される。なお、排出部側にも傾斜を設けることが好ましい。
原料ガスの気化器内への導入部における面積は、0.1〜1mm2であり、その部分から原料溶液が分散したキャリアガスが気化器内に導入される。そのガスの流れの延長線上の部分で流速が大きくなり、気化器内において熱を受領する時間が短くなる。そこで、原料ガスの通路の遮蔽物となるように内部ヒータを配置することが好ましい。
気化器の長さは(図1におけるH)は、成膜条件によっても変動するが、一般的には、5〜100cm、あるいは10〜50cmの寸法を有している。原料ガスの導入が高速で行われると、気化に必要な熱を受領することなく一気に導入口から排気口まで流れてしまうおそれがある。従って、排気部は、前記キャリアガスの導入部の延長軸上に配置されている場合に特に有効である。
キャリアガスの通路、液体原料、原料ガスの通路乃至原料ガスの導入部を冷却(特に溶媒の沸点以下の温度への冷却)することにより導入部における目詰まりを防止できるが、かかる冷却を行った場合に特に本発明は有効である。
請求項6に係る発明は、前記気化器本体の排出側外周に第2のヒータが配置されたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の気化器である。
前記第2のヒータを配置することによって、気化路での温度差を、更に縮小することが可能となる。
請求項8に係る発明は、請求項1乃至7のいずれか1項記載の気化器を備えていることを特徴とする成膜装置である。
請求項9に係る発明は、請求項1乃至7のいずれか1項記載の気化器において、成膜用液体材料を含むキャリアガスは、50m/sec〜350m/secの速度で気化器本体に導入されることを特徴とする気化方法である。
液体原料を裁断し、小さな粒子(外径1μm以下)として霧化し、キャリアガス中に分散させるために、50m/sec〜350m/sec(特に亜音速(音速の0.6〜0.75)のキャリアガスに液体原料を導入することが好適に使用されるのが好ましい。かかる条件の場合において本発明を適用すると気化率を大幅に向上させることが可能となる。
請求項8による気化器によれば、気化路での温度差を、更に縮小することが可能となる気化器を提供することができる。
本発明は、必要以上の加熱を要することなく気化を十分に行うことが可能な、しかも、温度管理を容易とすることができる気化器を提供することができる。
2 配管接続部
3 気化器本体
3a 導入部
3b 円筒部
3c 排出部
4 ヒータ本体
4a 導入部
4b 円周部
4c 排出部
5 気化路
6 第2のヒータ
図1は、本発明の一実施の形態による気化器の説明図、図2は、図1の本発明の気化器のAA断面図、図3は、本発明の他の実施の形態による気化器の説明図である。
尚、図1に示すように、気化器1へは、複数の成膜用液体材料を投入(矢印C、D参照)することも可能であるし、これらを切り替え投入することも可能である。
図3は、本発明の他の実施の形態による気化器の説明図であり、気化器本体3の排出側外周に第2のヒータ6を配置した例である。
本発明では、例えば、STOの成膜に際して、気化室内を250℃として成膜を行ったところ、気化器と他の装置(例えば、成膜装置)との継ぎ手部も250℃であり、その条件でも膜における波紋、パーティクル、カーボン量は著しく減少しており、しかも所望の組成に対するずれを小さくすることができた。
なお、本例では、高さ/円錐の底辺直径を、0.6とした。
本例では、円周部周辺の通路断面積は、ヒータが無い部分の通路断面積 と同じとした。
一方、ヒータの導入部を円柱として同様にSTO膜(膜B)を形成した。
膜Aにおいては、SrTiO3の化学量論比からのずれは、膜Bにおけるそれの半分以下であった。
また、膜Aは膜Bに対して、パーティクル数、カーボン量ともに1/4以下であった。
円周部周辺の通路断面積がヒータが無い部分の通路断面積の0.8〜1.2とした場合には、 0.8未満、1.2を超えた場合に比べて、本発明効果はより優れていた。
Claims (9)
- 成膜用液体材料が分散しているキャリアガスが導入される気化器本体と、該気化器本体の内部に配置されたヒータ本体とを備えており、前記ヒータ本体は、導入部、円周部、排出部の順に構成され、前記ヒータ本体の導入部の形状が、円錐又は多角錐形状である気化器において、
前記内部に配置されたヒータがある部分の円周部周辺の通路断面積は、ヒータが無い部分の通路断面積の0.8〜1.2であることを特徴とする気化器。 - 成膜用液体材料が分散しているキャリアガスが導入される気化器本体と、該気化器本体の内部に配置されたヒータ本体とを備えており、前記ヒータ本体は、導入部、円周部、排出部の順に構成され、前記ヒータ本体の導入部の形状が、円錐又は多角錐形状である気化器において、
前記内部に配置されたヒータがある部分の導入部の円錐形状周辺の通路断面積は、前記ヒータ本体の導入部におけるヒータが無い部分の通路断面積の0.8〜1.2であることを特徴とする気化器。 - 前記ヒータ本体は、キャリアガスの導入部の延長軸上に配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の気化器。
- 気化後のガスの排出部は、前記キャリアガスの導入部の延長軸上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の気化器。
- キャリアガスの導入部を冷却するための手段を設けてあることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の気化器。
- 前記気化器本体の排出側外周に、第2のヒータが配置されたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の気化器。
- 前記ヒータ本体の導入部の円錐形状は、高さ/円錐底部の直径は、0.5〜1の範囲であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の気化器。
- 請求項1乃至7のいずれか1項記載の気化器を備えていることを特徴とする成膜装置。
- 請求項1乃至7のいずれか1項記載の気化器において、成膜用液体材料を含むキャリアガスは、50m/sec〜350m/secの速度で気化器本体に導入されることを特徴とする気化方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010284916 | 2010-12-21 | ||
JP2010284916 | 2010-12-21 | ||
PCT/JP2011/079727 WO2012086728A1 (ja) | 2010-12-21 | 2011-12-21 | 気化器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016135825A Division JP6313820B2 (ja) | 2010-12-21 | 2016-07-08 | 気化器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012086728A1 JPWO2012086728A1 (ja) | 2014-06-05 |
JP6013917B2 true JP6013917B2 (ja) | 2016-10-25 |
Family
ID=46313996
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012549861A Active JP6013917B2 (ja) | 2010-12-21 | 2011-12-21 | 気化器及び気化方法 |
JP2016135825A Active JP6313820B2 (ja) | 2010-12-21 | 2016-07-08 | 気化器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016135825A Active JP6313820B2 (ja) | 2010-12-21 | 2016-07-08 | 気化器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130291797A1 (ja) |
EP (1) | EP2657957B1 (ja) |
JP (2) | JP6013917B2 (ja) |
KR (2) | KR20180005266A (ja) |
CN (1) | CN103380486B (ja) |
WO (1) | WO2012086728A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101389011B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2014-04-24 | 주식회사 유니텍스 | 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074746A (ja) * | 1996-05-23 | 1998-03-17 | Ebara Corp | 液体原料気化装置 |
JP2000119859A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-25 | Mitsubishi Materials Corp | Cvd装置用気化器 |
JP2001011634A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Lintec:Kk | 気化装置 |
JP2003213422A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Nec Corp | 薄膜の形成装置及びその形成方法 |
KR100805354B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2008-02-20 | 주식회사 한본 | 액체 원료 기화 장치 |
JP2008196054A (ja) * | 2001-01-18 | 2008-08-28 | Watanabe Shoko:Kk | 気化器及び気化方法 |
JP2009054655A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Tokyo Electron Ltd | 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置 |
JP2009170800A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
JP2010003974A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置および半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW393521B (en) * | 1996-05-23 | 2000-06-11 | Ebara Corp | Vaporizer apparatus and film deposition apparatus therewith |
US6195504B1 (en) * | 1996-11-20 | 2001-02-27 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
US5887117A (en) * | 1997-01-02 | 1999-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flash evaporator |
JPH1187327A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-30 | Ebara Corp | 液体原料気化装置 |
JP3690095B2 (ja) | 1997-12-22 | 2005-08-31 | ソニー株式会社 | 成膜方法 |
JP2000031134A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Toshiba Corp | 薄膜の製造方法 |
JP4634592B2 (ja) | 2000-10-06 | 2011-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜成膜液体原料用気化器 |
JP2003224118A (ja) | 2002-01-28 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2003268552A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Watanabe Shoko:Kk | 気化器及びそれを用いた各種装置並びに気化方法 |
US7524766B2 (en) * | 2002-07-15 | 2009-04-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
US20050208774A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-09-22 | Akira Fukunaga | Wet processing method and processing apparatus of substrate |
WO2007122203A2 (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Shell Erneuerbare Energien Gmbh | Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material |
JP4324619B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
JP5427344B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2014-02-26 | 株式会社渡辺商行 | 気化装置、及び、気化装置を備えた成膜装置 |
-
2011
- 2011-12-21 KR KR1020177037722A patent/KR20180005266A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-12-21 CN CN201180062075.7A patent/CN103380486B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 EP EP11849995.3A patent/EP2657957B1/en active Active
- 2011-12-21 US US13/991,756 patent/US20130291797A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-21 WO PCT/JP2011/079727 patent/WO2012086728A1/ja active Application Filing
- 2011-12-21 KR KR1020137017445A patent/KR101881617B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-21 JP JP2012549861A patent/JP6013917B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-08 JP JP2016135825A patent/JP6313820B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074746A (ja) * | 1996-05-23 | 1998-03-17 | Ebara Corp | 液体原料気化装置 |
JP2000119859A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-25 | Mitsubishi Materials Corp | Cvd装置用気化器 |
JP2001011634A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Lintec:Kk | 気化装置 |
JP2008196054A (ja) * | 2001-01-18 | 2008-08-28 | Watanabe Shoko:Kk | 気化器及び気化方法 |
JP2003213422A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Nec Corp | 薄膜の形成装置及びその形成方法 |
KR100805354B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2008-02-20 | 주식회사 한본 | 액체 원료 기화 장치 |
JP2009054655A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Tokyo Electron Ltd | 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置 |
JP2009170800A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
JP2010003974A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置および半導体素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101881617B1 (ko) | 2018-07-24 |
EP2657957A4 (en) | 2014-05-28 |
CN103380486A (zh) | 2013-10-30 |
KR20140034123A (ko) | 2014-03-19 |
JP6313820B2 (ja) | 2018-04-18 |
EP2657957A1 (en) | 2013-10-30 |
EP2657957B1 (en) | 2020-03-11 |
CN103380486B (zh) | 2016-08-10 |
JPWO2012086728A1 (ja) | 2014-06-05 |
US20130291797A1 (en) | 2013-11-07 |
WO2012086728A1 (ja) | 2012-06-28 |
KR20180005266A (ko) | 2018-01-15 |
JP2016195273A (ja) | 2016-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101039163B1 (ko) | 반도체 처리 시스템 및 기화기 | |
JP2014240077A5 (ja) | ||
JP5118644B2 (ja) | 液体材料気化装置 | |
JP4607474B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6313820B2 (ja) | 気化器 | |
KR101098359B1 (ko) | 반도체 공정용 기화장치 | |
KR101753758B1 (ko) | 기화기 및 이를 포함하는 기판 처리장치 | |
JP2009131834A (ja) | 溶射ガン内への軸方向注入の混合を改善する装置および方法 | |
CN106560007B (zh) | 具备多个坩埚的薄膜沉积装置 | |
JP2005067990A (ja) | 改質原料用蒸発器 | |
US8871062B2 (en) | Falling film evaporator | |
CN105081194B (zh) | 一种环形件用的冷却喷淋装置 | |
JP2002217181A (ja) | 半導体原料供給用気化器 | |
JP2018053368A (ja) | 成膜装置 | |
KR101604757B1 (ko) | 기판 처리 설비용 기화기 | |
KR102155734B1 (ko) | 증착 장치 | |
KR102150625B1 (ko) | 코팅장치 | |
US10807057B2 (en) | FCC unit charge injection device with limited pressure drop | |
KR101351438B1 (ko) | 소스 공급 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 시스템 | |
JP2019214766A (ja) | 真空蒸着装置用の蒸着源 | |
JP5933233B2 (ja) | 成膜装置および気化器の設置方法 | |
KR102678271B1 (ko) | 혼합식 열교환기 | |
JP5346532B2 (ja) | 気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 | |
DE102009014891A1 (de) | Vorrichtung zum Verdampfen eines Materials in einer Vakuumkammer | |
JP2011009440A (ja) | 気化器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20130827 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160309 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160824 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160923 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6013917 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |