JP2003224118A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法Info
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- JP2003224118A JP2003224118A JP2002018975A JP2002018975A JP2003224118A JP 2003224118 A JP2003224118 A JP 2003224118A JP 2002018975 A JP2002018975 A JP 2002018975A JP 2002018975 A JP2002018975 A JP 2002018975A JP 2003224118 A JP2003224118 A JP 2003224118A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 混合原料溶液を使用した場合であっても、生
成されるＰＺＴ膜中の元素の組成比を制御することので
きる成膜装置及び成膜方法を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 Ｐｂ原料とＺｒ原料とＴｉ原料との混合
原料溶液を気化器６６に供給して気化し、原料ガスを生
成する。配管７０を通じて原料ガスを処理チャンバ２の
シャワープレート４に供給する。配管７０をヒータ７２
により加熱し、ヒータ７２の発熱量を温度調整器７４に
より制御する。これにより原料ガスの温度を所定の温度
として、生成されるＰＺＴ膜中の元素の組成比を制御す
る。
成されるＰＺＴ膜中の元素の組成比を制御することので
きる成膜装置及び成膜方法を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 Ｐｂ原料とＺｒ原料とＴｉ原料との混合
原料溶液を気化器６６に供給して気化し、原料ガスを生
成する。配管７０を通じて原料ガスを処理チャンバ２の
シャワープレート４に供給する。配管７０をヒータ７２
により加熱し、ヒータ７２の発熱量を温度調整器７４に
より制御する。これにより原料ガスの温度を所定の温度
として、生成されるＰＺＴ膜中の元素の組成比を制御す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は成膜装置及び成膜方
法に係わり、特にＰＺＴ膜を化学的気相合成法により生
成するために使用される成膜装置及び成膜方法に関す
る。
法に係わり、特にＰＺＴ膜を化学的気相合成法により生
成するために使用される成膜装置及び成膜方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、プレーナスタック型ＦｅＲＡＭの
メモリキャパシタ材としてＰＺＴ膜の使用が注目されて
おり、高品質なＰＺＴ膜を短時間で生成する技術の開発
が進められている。
メモリキャパシタ材としてＰＺＴ膜の使用が注目されて
おり、高品質なＰＺＴ膜を短時間で生成する技術の開発
が進められている。
【０００３】多元系金属酸化物薄膜であるＰＺＴ膜は、
Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３のペロブスカイト構造の
結晶膜である。ＰＺＴ膜は、一般に、有機金属材料のガ
スと酸化剤として例えばＮＯ２とをＣＶＤ装置により反
応させて基体上に堆積させることにより生成される。有
機金属材料としては、例えばＰｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ
（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）４、及びＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４が用
いられる。
Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３のペロブスカイト構造の
結晶膜である。ＰＺＴ膜は、一般に、有機金属材料のガ
スと酸化剤として例えばＮＯ２とをＣＶＤ装置により反
応させて基体上に堆積させることにより生成される。有
機金属材料としては、例えばＰｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ
（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）４、及びＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４が用
いられる。
【０００４】有機金属材料は気体の状態でＣＶＤ装置に
供給されるが、材料そのものとしては室温において固体
又は液体である。したがって、有機金属材料をＣＶＤ装
置に供給するためには、有機金属材料を気体に変換する
必要がある。有機金属材料を気体に変換する方法とし
て、固体昇華法と溶液気化法がある。
供給されるが、材料そのものとしては室温において固体
又は液体である。したがって、有機金属材料をＣＶＤ装
置に供給するためには、有機金属材料を気体に変換する
必要がある。有機金属材料を気体に変換する方法とし
て、固体昇華法と溶液気化法がある。
【０００５】固体昇華法は、固体状態の有機金属材料を
加熱して昇華により気体状態の有機金属材料を得る方法
である。一方、溶液気化法は、有機金属材料を溶媒で溶
かして液体原料を準備し、この液体原料を気化器により
気化させて気体状態の有機金属材料を得る方法である。
加熱して昇華により気体状態の有機金属材料を得る方法
である。一方、溶液気化法は、有機金属材料を溶媒で溶
かして液体原料を準備し、この液体原料を気化器により
気化させて気体状態の有機金属材料を得る方法である。
【０００６】図１は溶液気化法を用いた従来のガス供給
装置を有するＣＶＤ装置の概略構成図である。図１に示
すＣＶＤ装置はＰＺＴ膜をウェハ上に堆積させるための
装置であり、処理チャンバ２、シャワーヘッド４、冷却
トラップ６、真空ポンプ８及びガス供給装置１０を有す
る。
装置を有するＣＶＤ装置の概略構成図である。図１に示
すＣＶＤ装置はＰＺＴ膜をウェハ上に堆積させるための
装置であり、処理チャンバ２、シャワーヘッド４、冷却
トラップ６、真空ポンプ８及びガス供給装置１０を有す
る。
【０００７】処理チャンバ２内にはウェハＷを載置する
ための載置台２ａが設けられている。載置台２ａにはヒ
ータが埋め込まれており、載置台２ａに載置されたウェ
ハＷを所定の処理温度に加熱する。処理チャンバ２は排
気ポート２ｂを介して冷却トラップ６に接続され、さら
に真空ポンプ８に接続されている。冷却トラップ６及び
真空ポンプ８により処理チャンバ２内のガスを排気して
所定の真空度に維持する。
ための載置台２ａが設けられている。載置台２ａにはヒ
ータが埋め込まれており、載置台２ａに載置されたウェ
ハＷを所定の処理温度に加熱する。処理チャンバ２は排
気ポート２ｂを介して冷却トラップ６に接続され、さら
に真空ポンプ８に接続されている。冷却トラップ６及び
真空ポンプ８により処理チャンバ２内のガスを排気して
所定の真空度に維持する。
【０００８】シャワーヘッド４は、載置台２ａに対向し
た状態で処理チャンバ２の上部に設けられており、処理
ガスとして原料ガス及び酸化ガスを混合して処理チャン
バ２内に供給する。
た状態で処理チャンバ２の上部に設けられており、処理
ガスとして原料ガス及び酸化ガスを混合して処理チャン
バ２内に供給する。
【０００９】ガス供給装置３０は、シャワーヘッド４に
原料ガスを供給するための装置である。ＰＺＴ膜を生成
するためには、上述のように、Ｐｂ（ＤＰＭ）２（以下
Ｐｂ原料と称する）のガス、Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）
４（以下Ｚｒ原料と称する）のガス、及びＴｉ（Ｏ−ｉ
−Ｐｒ）４（以下Ｔｉ原料と称する）のガスをシャワー
ヘッド４に供給する。なお、処理チャンバには酸化剤と
して二酸化窒素（ＮＯ２）も供給されるが、図１では簡
略化のために図示を省略している。
原料ガスを供給するための装置である。ＰＺＴ膜を生成
するためには、上述のように、Ｐｂ（ＤＰＭ）２（以下
Ｐｂ原料と称する）のガス、Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）
４（以下Ｚｒ原料と称する）のガス、及びＴｉ（Ｏ−ｉ
−Ｐｒ）４（以下Ｔｉ原料と称する）のガスをシャワー
ヘッド４に供給する。なお、処理チャンバには酸化剤と
して二酸化窒素（ＮＯ２）も供給されるが、図１では簡
略化のために図示を省略している。
【００１０】図１に示すガス供給装置３０は、溶媒に溶
解されたＰｂ原料を貯蔵するＰｂ溶液原料タンク３２
と、溶媒に溶解されたＺｒ原料を貯蔵するＺｒ溶液原料
タンク３４と、溶媒に溶解されたＴｉ原料を貯蔵するＴ
ｉ溶液原料タンク３６とを有する。
解されたＰｂ原料を貯蔵するＰｂ溶液原料タンク３２
と、溶媒に溶解されたＺｒ原料を貯蔵するＺｒ溶液原料
タンク３４と、溶媒に溶解されたＴｉ原料を貯蔵するＴ
ｉ溶液原料タンク３６とを有する。
【００１１】Ｐｂ溶液原料タンク３２には圧送ガスが供
給され、その圧力によりＰｂ溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を３８介してＰｂ用気化
器４０に供給する。Ｐｂ用気化器４０にはマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）４２を介してキャリアガスが供給
される。Ｐｂ用気化器４０に供給されたＰｂ溶液は、Ｐ
ｂ用気化器４０内でキャリアガスにより気化され、気体
となったＰｂ原料がシャワーヘッド４に供給される。
給され、その圧力によりＰｂ溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を３８介してＰｂ用気化
器４０に供給する。Ｐｂ用気化器４０にはマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）４２を介してキャリアガスが供給
される。Ｐｂ用気化器４０に供給されたＰｂ溶液は、Ｐ
ｂ用気化器４０内でキャリアガスにより気化され、気体
となったＰｂ原料がシャワーヘッド４に供給される。
【００１２】Ｚｒ溶液原料タンク３４には圧送ガスが供
給され、その圧力によりＺｒ溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を４４介してＺｒ用気化
器４６に供給する。Ｚｒ用気化器４６にはマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）４８を介してキャリアガスが供給
される。Ｚｒ用気化器４６に供給されたＺｒ溶液は、Ｚ
ｒ用気化器４６内でキャリアガスにより気化され、気体
となったＺｒ原料がシャワーヘッド４に供給される。
給され、その圧力によりＺｒ溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を４４介してＺｒ用気化
器４６に供給する。Ｚｒ用気化器４６にはマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）４８を介してキャリアガスが供給
される。Ｚｒ用気化器４６に供給されたＺｒ溶液は、Ｚ
ｒ用気化器４６内でキャリアガスにより気化され、気体
となったＺｒ原料がシャワーヘッド４に供給される。
【００１３】Ｔｉ溶液原料タンク３６には圧送ガスが供
給され、その圧力によりＴｉ溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を５０介してＴｉ用気化
器５２に供給する。Ｔｉ用気化器５２にはマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）５４を介してキャリアガスが供給
される。Ｔｉ用気化器５２に供給されたＴｉ溶液は、Ｔ
ｉ用気化器５２内でキャリアガスにより気化され、気体
となったＴｉ原料がシャワーヘッド４に供給される。
給され、その圧力によりＴｉ溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を５０介してＴｉ用気化
器５２に供給する。Ｔｉ用気化器５２にはマスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）５４を介してキャリアガスが供給
される。Ｔｉ用気化器５２に供給されたＴｉ溶液は、Ｔ
ｉ用気化器５２内でキャリアガスにより気化され、気体
となったＴｉ原料がシャワーヘッド４に供給される。
【００１４】以上のような構成のＣＶＤ装置において、
シャワーヘッド４から供給される原料ガスと酸化ガスと
を処理チャンバ２内において反応させ、ウェハＷ上にＰ
ＺＴ膜を堆積する。なお、各原料の供給ラインはベント
ライン２０に接続されており、原料ガスが不要な場合
に、シャワーヘッド４を迂回して排気ポート２ｂに直接
原料ガスを排気することができる。
シャワーヘッド４から供給される原料ガスと酸化ガスと
を処理チャンバ２内において反応させ、ウェハＷ上にＰ
ＺＴ膜を堆積する。なお、各原料の供給ラインはベント
ライン２０に接続されており、原料ガスが不要な場合
に、シャワーヘッド４を迂回して排気ポート２ｂに直接
原料ガスを排気することができる。
【００１５】図２は溶液気化法を用いた従来のガス供給
装置を有するＣＶＤ装置の他の例を示す概略構成図であ
る。図２に示すＣＶＤ装置はＰＺＴ膜をウェハ上に堆積
させるための装置であり、ガス供給装置以外の基本的な
構成は図１に示すＣＶＤ装置と同様であり、その説明は
省略する。
装置を有するＣＶＤ装置の他の例を示す概略構成図であ
る。図２に示すＣＶＤ装置はＰＺＴ膜をウェハ上に堆積
させるための装置であり、ガス供給装置以外の基本的な
構成は図１に示すＣＶＤ装置と同様であり、その説明は
省略する。
【００１６】図２に示すガス供給装置６０は、溶媒に溶
解されたＰｂ原料とＺｒ原料とＴｉ原料との混合原料を
貯蔵する混合溶液原料タンク６２を有する。
解されたＰｂ原料とＺｒ原料とＴｉ原料との混合原料を
貯蔵する混合溶液原料タンク６２を有する。
【００１７】混合溶液原料タンク６２には圧送ガスが供
給され、その圧力により混合溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を６４介して気化器６６
に供給する。すなわち、Ｐｂ原料とＺｒ原料とＴｉ原料
とが所定の比率で予め混合された溶液が気化器６６に供
給される。
給され、その圧力により混合溶液を液体用マスフローコ
ントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を６４介して気化器６６
に供給する。すなわち、Ｐｂ原料とＺｒ原料とＴｉ原料
とが所定の比率で予め混合された溶液が気化器６６に供
給される。
【００１８】気化器６６にはマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）６８を介してキャリアガスが供給される。気
化器６６に供給された混合溶液は、気化器６６内でキャ
リアガスにより気化され、気体となったＰｂ原料、Ｚｒ
原料及びＴｉ原料が混合原料ガスとしてシャワーヘッド
４に供給される。
（ＭＦＣ）６８を介してキャリアガスが供給される。気
化器６６に供給された混合溶液は、気化器６６内でキャ
リアガスにより気化され、気体となったＰｂ原料、Ｚｒ
原料及びＴｉ原料が混合原料ガスとしてシャワーヘッド
４に供給される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】図１に示すガス供給装
置のように、Ｐｂ原料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料を各々独
立に供給する場合、気化した混合原料ガス中のＰｂ原
料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料の組成比を調整することは容
易である。すなわち、液体用マスフローコントローラ３
８，４４，５０により、液体のＰｂ原料、Ｚｒ原料及び
Ｔｉ原料の流量を制御すればよい。また、ＰＺＴ成膜の
ように、最初にＰＴＯ核付けを行うような場合に、原料
ガスの組成比を任意に調整することができる。
置のように、Ｐｂ原料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料を各々独
立に供給する場合、気化した混合原料ガス中のＰｂ原
料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料の組成比を調整することは容
易である。すなわち、液体用マスフローコントローラ３
８，４４，５０により、液体のＰｂ原料、Ｚｒ原料及び
Ｔｉ原料の流量を制御すればよい。また、ＰＺＴ成膜の
ように、最初にＰＴＯ核付けを行うような場合に、原料
ガスの組成比を任意に調整することができる。
【００２０】しかし、上述の方法では、組成比を調整し
易い反面、組成比を一定の値に維持することが難しいと
いった問題がある。また、原料の供給系を３系統設けな
ければならず、装置の製造コストが上昇してしまう。
易い反面、組成比を一定の値に維持することが難しいと
いった問題がある。また、原料の供給系を３系統設けな
ければならず、装置の製造コストが上昇してしまう。
【００２１】一方、図２に示すガス供給装置のように、
Ｐｂ原料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料が予め混合された混合
原料溶液を供給する場合、溶液の段階で各原料が混合さ
れているので、各原料の組成比の変動は少ない。また、
原料の供給系統は一つであるため、装置の製造コストを
低く抑えることができる。このため、何枚ものウェハを
続けて処理する量産装置とし好適である。
Ｐｂ原料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料が予め混合された混合
原料溶液を供給する場合、溶液の段階で各原料が混合さ
れているので、各原料の組成比の変動は少ない。また、
原料の供給系統は一つであるため、装置の製造コストを
低く抑えることができる。このため、何枚ものウェハを
続けて処理する量産装置とし好適である。
【００２２】しかし、混合原料溶液を供給するガス供給
装置の場合、原料の組成比を変更又は制御することがで
きないという問題がある。例えば、ＰＺＴ成膜の場合、
得られたＰＺＴ膜の電気的特性は膜の組成比（特にＰｂ
と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比）に影響を受けるため、ＰＺＴ
の量産の場合は組成比（Ｐｂと（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比）
の再現性が重要である。ところが、組成比が何らかの理
由で変動してしまった場合、あるいはＰＺＴ膜の電気的
特性を変更する必要が生じた場合であっても、図２に示
すガス供給装置では直ちに対応することがでず、混合原
料溶液を交換しなければならない。
装置の場合、原料の組成比を変更又は制御することがで
きないという問題がある。例えば、ＰＺＴ成膜の場合、
得られたＰＺＴ膜の電気的特性は膜の組成比（特にＰｂ
と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比）に影響を受けるため、ＰＺＴ
の量産の場合は組成比（Ｐｂと（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比）
の再現性が重要である。ところが、組成比が何らかの理
由で変動してしまった場合、あるいはＰＺＴ膜の電気的
特性を変更する必要が生じた場合であっても、図２に示
すガス供給装置では直ちに対応することがでず、混合原
料溶液を交換しなければならない。
【００２３】ここで、一般に、ＰＺＴ膜などの酸化物薄
膜を結晶状態で堆積するには、薄膜が堆積されるウェハ
等の基体を６００℃程度の温度に加熱する必要がある。
そこで、基体に耐熱性の劣る構造がすでに形成されてい
る場合は、高温で行われる結晶核の形成工程と、比較的
低温で行われる成膜工程との２段階に分けて行われる。
このようなＰＺＴ膜の結晶核を形成する工程をＰＴＯ核
付けと称する。また、ＰＴＯ核が層状に形されたＰＴＯ
バッファ層を生成して、その上にＰＺＴ膜を生成するこ
ともできる。
膜を結晶状態で堆積するには、薄膜が堆積されるウェハ
等の基体を６００℃程度の温度に加熱する必要がある。
そこで、基体に耐熱性の劣る構造がすでに形成されてい
る場合は、高温で行われる結晶核の形成工程と、比較的
低温で行われる成膜工程との２段階に分けて行われる。
このようなＰＺＴ膜の結晶核を形成する工程をＰＴＯ核
付けと称する。また、ＰＴＯ核が層状に形されたＰＴＯ
バッファ層を生成して、その上にＰＺＴ膜を生成するこ
ともできる。
【００２４】図２に示すような混合原料溶液を使用する
場合、ＰＺＴ成膜のようにＰＴＯ核付け又はＰＴＯバッ
ファ層の形成を行うことが好ましいような場合であって
も、組成比の変更ができないためＰＴＯ核付け又はＰＴ
Ｏバッファ層の形成を行うことはできない。すなわち、
ＰＴＯ核付けの場合、最初にＰｂ原料とＴｉ原料を供給
し、その後Ｚｒ原料を追加して供給するというシーケン
スが必要であるが、混合原料溶液は予め３つの原料が混
合されたものなので、ＰＴＯ核付けのシーケンスを行う
ことはできない。
場合、ＰＺＴ成膜のようにＰＴＯ核付け又はＰＴＯバッ
ファ層の形成を行うことが好ましいような場合であって
も、組成比の変更ができないためＰＴＯ核付け又はＰＴ
Ｏバッファ層の形成を行うことはできない。すなわち、
ＰＴＯ核付けの場合、最初にＰｂ原料とＴｉ原料を供給
し、その後Ｚｒ原料を追加して供給するというシーケン
スが必要であるが、混合原料溶液は予め３つの原料が混
合されたものなので、ＰＴＯ核付けのシーケンスを行う
ことはできない。
【００２５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、混合原料溶液を使用してＰＺＴ膜を生成した場合
であっても、生成されるＰＺＴ膜に含まれる元素の組成
比を制御することのできる成膜装置及び成膜方法を提供
することを目的とする。
あり、混合原料溶液を使用してＰＺＴ膜を生成した場合
であっても、生成されるＰＺＴ膜に含まれる元素の組成
比を制御することのできる成膜装置及び成膜方法を提供
することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００２７】請求項１記載の発明は、ＰＺＴ膜を化学的
気相合成法により基体上に生成する成膜装置であって、
気化した多元素混合原料溶液を、前記基体が配置された
処理チャンバに供給する原料ガス供給通路と、該原料ガ
ス供給通路の温度を調節して前記ＰＺＴ膜に含まれる元
素の組成比を制御する組成比制御手段とを有することを
特徴とするものである。
気相合成法により基体上に生成する成膜装置であって、
気化した多元素混合原料溶液を、前記基体が配置された
処理チャンバに供給する原料ガス供給通路と、該原料ガ
ス供給通路の温度を調節して前記ＰＺＴ膜に含まれる元
素の組成比を制御する組成比制御手段とを有することを
特徴とするものである。
【００２８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の成
膜装置であって、前記原料ガス供給通路は、前記処理チ
ャンバに原料ガスを供給するシャワーヘッドに接続され
た配管を含み、前記組成比制御手段は、前記配管に設け
られたヒータと該ヒータの発熱量を制御する温度調節器
とを有することを特徴とするものである。
膜装置であって、前記原料ガス供給通路は、前記処理チ
ャンバに原料ガスを供給するシャワーヘッドに接続され
た配管を含み、前記組成比制御手段は、前記配管に設け
られたヒータと該ヒータの発熱量を制御する温度調節器
とを有することを特徴とするものである。
【００２９】請求項３記載の発明は、請求項１記載の成
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原
料溶液との混合原料溶液を貯蔵する混合原料溶液貯蔵タ
ンクと、該混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合
原料溶液を気化する気化器とを有し、前記原料ガス供給
通路は該気化器を前記処理チャンバに接続する配管であ
ることを特徴とするものである。
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原
料溶液との混合原料溶液を貯蔵する混合原料溶液貯蔵タ
ンクと、該混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合
原料溶液を気化する気化器とを有し、前記原料ガス供給
通路は該気化器を前記処理チャンバに接続する配管であ
ることを特徴とするものである。
【００３０】請求項４記載の発明は、請求項１記載の成
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原
料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液
貯蔵タンクと、該第１の混合原料溶液貯蔵タンクから供
給される混合原料溶液を気化する第１の気化器と、Ｐｂ
原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第
２の混合原料溶液貯蔵タンクと、該第２の混合原料溶液
貯蔵タンクから供給される混合原料溶液を気化する第２
の気化器とを有し、前記原料ガス供給通路は、前記第１
の気化器を前記処理チャンバに接続する配管と、前記第
２の気化器を前記処理チャンバに接続する配管とよりな
ることを特徴とするものである。
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原
料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液
貯蔵タンクと、該第１の混合原料溶液貯蔵タンクから供
給される混合原料溶液を気化する第１の気化器と、Ｐｂ
原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第
２の混合原料溶液貯蔵タンクと、該第２の混合原料溶液
貯蔵タンクから供給される混合原料溶液を気化する第２
の気化器とを有し、前記原料ガス供給通路は、前記第１
の気化器を前記処理チャンバに接続する配管と、前記第
２の気化器を前記処理チャンバに接続する配管とよりな
ることを特徴とするものである。
【００３１】請求項５記載の発明は、請求項１記載の成
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原
料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液
貯蔵タンクと、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原
料溶液を貯蔵する第２の混合原料溶液貯蔵タンクと、前
記第１及び第２の混合原料溶液貯蔵タンクから供給され
る混合原料溶液を気化する気化器とを有し、前記原料ガ
ス供給通路は、前記気化器を前記処理チャンバに接続す
る配管であることを特徴とするものである。
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原
料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液
貯蔵タンクと、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原
料溶液を貯蔵する第２の混合原料溶液貯蔵タンクと、前
記第１及び第２の混合原料溶液貯蔵タンクから供給され
る混合原料溶液を気化する気化器とを有し、前記原料ガ
ス供給通路は、前記気化器を前記処理チャンバに接続す
る配管であることを特徴とするものである。
【００３２】請求項６記載の発明は、請求項１記載の成
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合
原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、
該第１の混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合原
料溶液を気化する第１の気化器と、Ｐｂ原料溶液とＴｉ
原料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第２の混合原料溶
液貯蔵タンクと、該第２の混合原料溶液貯蔵タンクから
供給される混合原料溶液を気化する第２の気化器とを有
し、前記原料ガス供給通路は、前記第１の気化器を前記
処理チャンバに接続する配管と、前記第２の気化器を前
記処理チャンバに接続する配管とよりなることを特徴と
するものである。
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合
原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、
該第１の混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合原
料溶液を気化する第１の気化器と、Ｐｂ原料溶液とＴｉ
原料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第２の混合原料溶
液貯蔵タンクと、該第２の混合原料溶液貯蔵タンクから
供給される混合原料溶液を気化する第２の気化器とを有
し、前記原料ガス供給通路は、前記第１の気化器を前記
処理チャンバに接続する配管と、前記第２の気化器を前
記処理チャンバに接続する配管とよりなることを特徴と
するものである。
【００３３】請求項７記載の発明は、請求項１記載の成
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合
原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、
Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵す
る第２の混合原料溶液貯蔵タンクと、前記第１及び第２
の混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合原料溶液
を気化する気化器とを有し、前記原料ガス供給通路は、
前記気化器を前記処理チャンバに接続する配管であるこ
とを特徴とするものである。
膜装置であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合
原料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、
Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵す
る第２の混合原料溶液貯蔵タンクと、前記第１及び第２
の混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合原料溶液
を気化する気化器とを有し、前記原料ガス供給通路は、
前記気化器を前記処理チャンバに接続する配管であるこ
とを特徴とするものである。
【００３４】請求項８記載の発明は、ＰＺＴ膜を化学的
気相合成法により基体上に生成する成膜方法であって、
多元素混合原料溶液を気化して原料ガスを生成し、前記
原料ガスの温度を所定の温度に調整しながら、前記基体
が配置された処理チャンバに前記原料ガスを供給して、
生成されるＰＺＴ膜に含まれる元素の組成比を制御する
ことを特徴とするものである。
気相合成法により基体上に生成する成膜方法であって、
多元素混合原料溶液を気化して原料ガスを生成し、前記
原料ガスの温度を所定の温度に調整しながら、前記基体
が配置された処理チャンバに前記原料ガスを供給して、
生成されるＰＺＴ膜に含まれる元素の組成比を制御する
ことを特徴とするものである。
【００３５】請求項９記載の発明は、請求項８記載の成
膜方法であって、前記原料ガスは、前記処理チャンバの
シャワーヘッドに接続された配管を通じて前記処理チャ
ンバに供給され、前記配管の温度を調整することによ
り、前記原料ガスの温度を調整することを特徴とするも
のである。
膜方法であって、前記原料ガスは、前記処理チャンバの
シャワーヘッドに接続された配管を通じて前記処理チャ
ンバに供給され、前記配管の温度を調整することによ
り、前記原料ガスの温度を調整することを特徴とするも
のである。
【００３６】請求項１０記載の発明は、請求項８記載の
成膜方法であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ
原料溶液との混合原料溶液を気化して前記原料ガスを生
成することを特徴とするものである。
成膜方法であって、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ
原料溶液との混合原料溶液を気化して前記原料ガスを生
成することを特徴とするものである。
【００３７】請求項１１記載の発明は、請求項８記載の
成膜方法であって、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化してＰＴＯ核付け用原料ガスを生成
し、該ＰＴＯ核付け用原料ガスの温度を所定の温度に調
整しながら、前記ＰＴＯ核付け用原料ガスを前記処理チ
ャンバに供給して、前記基体上にＰＴＯ核又はＰＴＯバ
ッファ層を形成し、ＰＴＯ核又はＰＴＯバッファ層を形
成した後に、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶
液との混合原料溶液を気化して前記原料ガスを生成する
ことを特徴とするものである。
成膜方法であって、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化してＰＴＯ核付け用原料ガスを生成
し、該ＰＴＯ核付け用原料ガスの温度を所定の温度に調
整しながら、前記ＰＴＯ核付け用原料ガスを前記処理チ
ャンバに供給して、前記基体上にＰＴＯ核又はＰＴＯバ
ッファ層を形成し、ＰＴＯ核又はＰＴＯバッファ層を形
成した後に、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶
液との混合原料溶液を気化して前記原料ガスを生成する
ことを特徴とするものである。
【００３８】請求項１２記載の発明は、請求項８記載の
成膜方法であって、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化してＰＴＯ核付け用原料ガスを生成
し、該ＰＴＯ核付け用原料ガスの温度を所定の温度に調
整しながら、前記ＰＴＯ核付け用原料ガスを前記処理チ
ャンバに供給して、前記基体上にＰＴＯ核又はＰＴＯバ
ッファ層を形成し、ＰＴＯ核又はＰＴＯバッファ層を形
成した後に、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶との混合原料溶
液と、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合原料溶液と
を気化して前記原料ガスを生成することを特徴とするも
のである。
成膜方法であって、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化してＰＴＯ核付け用原料ガスを生成
し、該ＰＴＯ核付け用原料ガスの温度を所定の温度に調
整しながら、前記ＰＴＯ核付け用原料ガスを前記処理チ
ャンバに供給して、前記基体上にＰＴＯ核又はＰＴＯバ
ッファ層を形成し、ＰＴＯ核又はＰＴＯバッファ層を形
成した後に、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶との混合原料溶
液と、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合原料溶液と
を気化して前記原料ガスを生成することを特徴とするも
のである。
【００３９】上述の発明によれば、溶液の段階で混合さ
れている原料を気化して原料ガスとした後に、原料ガス
を加熱しながら処理チャンバに供給する。生成されるＰ
ＺＴ膜を構成する元素の組成比は、原料ガスの加熱によ
り変化する。原料ガスを所定の温度に加熱することによ
り、所望の組成比となるように制御することができる。
れている原料を気化して原料ガスとした後に、原料ガス
を加熱しながら処理チャンバに供給する。生成されるＰ
ＺＴ膜を構成する元素の組成比は、原料ガスの加熱によ
り変化する。原料ガスを所定の温度に加熱することによ
り、所望の組成比となるように制御することができる。
【００４０】本発明によるＰＺＴ膜の成膜方法におい
て、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化して原料ガス生成する。この原料ガス
を所定の温度に加熱することにより、生成されるＰＺＴ
膜が所望の組成比となるように制御することができる。
組成比の制御により、ＰＺＴ膜の電気的特性を制御する
ことができる。
て、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化して原料ガス生成する。この原料ガス
を所定の温度に加熱することにより、生成されるＰＺＴ
膜が所望の組成比となるように制御することができる。
組成比の制御により、ＰＺＴ膜の電気的特性を制御する
ことができる。
【００４１】また、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を最初に供給することにより、ＰＴＯ核付け
又はＰＴＯバッファ層を形成することができ、この上に
効率的にＰＺＴ膜を生成することができる。
合原料溶液を最初に供給することにより、ＰＴＯ核付け
又はＰＴＯバッファ層を形成することができ、この上に
効率的にＰＺＴ膜を生成することができる。
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
て図面と共に説明する。
【００４２】本発明は、混合原料溶液を使用しながら、
供給する原料ガスの温度を調整することにより生成され
た薄膜に含まれる複数の元素の組成比を制御する組成比
制御手段を有することに特徴を有する。以下において、
ＰＺＴ膜を生成する場合について説明する。
供給する原料ガスの温度を調整することにより生成され
た薄膜に含まれる複数の元素の組成比を制御する組成比
制御手段を有することに特徴を有する。以下において、
ＰＺＴ膜を生成する場合について説明する。
【００４３】まず、本発明の原理について図３、４及び
５を参照しながら説明する。図３はＰｂ原料ガスを供給
する配管の温度を変えた場合のＰＺＴ膜中の各原料（元
素）の組成比を示すグラフである。Ｐｂ配管温度が上昇
するにつれ、ＰＺＴ膜中におけるＰｂの割合は上昇し、
結果としてＺｒ及びＴｉの組成比は減少する。したがっ
て、Ｐｂ配管温度を変更することにより電気的特性の異
なるＰＺＴ膜が成膜される。例えば、Ｐｂ配管温度を２
２５℃に維持しながら成膜したＰＺＴ膜の電気的特性
は、Ｐｂ配管温度を２５０℃あるいは２７５℃に維持し
ながら成膜したＰＺＴ膜の電気的特性とは異なったもの
となる。
５を参照しながら説明する。図３はＰｂ原料ガスを供給
する配管の温度を変えた場合のＰＺＴ膜中の各原料（元
素）の組成比を示すグラフである。Ｐｂ配管温度が上昇
するにつれ、ＰＺＴ膜中におけるＰｂの割合は上昇し、
結果としてＺｒ及びＴｉの組成比は減少する。したがっ
て、Ｐｂ配管温度を変更することにより電気的特性の異
なるＰＺＴ膜が成膜される。例えば、Ｐｂ配管温度を２
２５℃に維持しながら成膜したＰＺＴ膜の電気的特性
は、Ｐｂ配管温度を２５０℃あるいは２７５℃に維持し
ながら成膜したＰＺＴ膜の電気的特性とは異なったもの
となる。
【００４４】なお、図３においてＰｂ配管温度のみを変
化させており、Ｚｒ配管温度は１５５℃、及びＴｉ配管
温度は１６０℃とした。また、各原料ガスの流量は一定
とし、ＰＺＴ膜を生成するための基板であるウェハの温
度も一定とした。
化させており、Ｚｒ配管温度は１５５℃、及びＴｉ配管
温度は１６０℃とした。また、各原料ガスの流量は一定
とし、ＰＺＴ膜を生成するための基板であるウェハの温
度も一定とした。
【００４５】一方、図４はＺｒ原料ガスを供給する配管
の温度を変えた場合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示
すグラフである。図４に示すように、Ｚｒ原料ガスを供
給する配管の温度を変化させても、ＰＺＴ膜中の各原料
の組成比にはほとんど変化が見られないことがわかる。
なお、図４においてＺｒ配管温度のみを変化させてお
り、Ｐｂ配管温度は２２５℃、及びＴｉ配管温度は１６
０℃とした。また、各原料ガスの流量は一定とし、ＰＺ
Ｔ膜を生成するための基板であるウェハの温度も一定と
した。
の温度を変えた場合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示
すグラフである。図４に示すように、Ｚｒ原料ガスを供
給する配管の温度を変化させても、ＰＺＴ膜中の各原料
の組成比にはほとんど変化が見られないことがわかる。
なお、図４においてＺｒ配管温度のみを変化させてお
り、Ｐｂ配管温度は２２５℃、及びＴｉ配管温度は１６
０℃とした。また、各原料ガスの流量は一定とし、ＰＺ
Ｔ膜を生成するための基板であるウェハの温度も一定と
した。
【００４６】また、図５はＴｉ原料ガスを供給する配管
の温度を変えた場合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示
すグラフである。図５に示すように、Ｔｉ原料ガスを供
給する配管の温度を変化させても、ＰＺＴ膜中の各原料
の組成比にはほとんど変化が見られないことがわかる。
なお、図５においてＴｉ配管温度のみを変化させてお
り、Ｐｂ配管温度は２２５℃、及びＺｒ配管温度は１５
５℃とした。また、各原料ガスの流量は一定とし、ＰＺ
Ｔ膜を生成するための基板であるウェハの温度も一定と
した。
の温度を変えた場合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示
すグラフである。図５に示すように、Ｔｉ原料ガスを供
給する配管の温度を変化させても、ＰＺＴ膜中の各原料
の組成比にはほとんど変化が見られないことがわかる。
なお、図５においてＴｉ配管温度のみを変化させてお
り、Ｐｂ配管温度は２２５℃、及びＺｒ配管温度は１５
５℃とした。また、各原料ガスの流量は一定とし、ＰＺ
Ｔ膜を生成するための基板であるウェハの温度も一定と
した。
【００４７】以上のグラフより、ＰＺＴ膜中のＰｂの割
合を増やしたい場合には、混合溶液原料を気化して混合
原料ガスに変換する気化器以降の配管温度を上げればよ
く、また反対にＰＺＴ膜中のＰｂの割合を減らしたい場
合には、気化器以降の配管温度を下げればよいことがわ
かる。ただし、配管温度に依存するのはＰｂ原料のみで
あり、したがって制御することのできる組成比はＰｂ／
（Ｚｒ＋Ｔｉ）である。すなわち、例えばＺｒ／Ｔｉの
比率を変えることはできない。
合を増やしたい場合には、混合溶液原料を気化して混合
原料ガスに変換する気化器以降の配管温度を上げればよ
く、また反対にＰＺＴ膜中のＰｂの割合を減らしたい場
合には、気化器以降の配管温度を下げればよいことがわ
かる。ただし、配管温度に依存するのはＰｂ原料のみで
あり、したがって制御することのできる組成比はＰｂ／
（Ｚｒ＋Ｔｉ）である。すなわち、例えばＺｒ／Ｔｉの
比率を変えることはできない。
【００４８】以上のように、原料ガスを供給するための
原料ガス供給通路としての配管の温度を調整することに
より、生成された薄膜に含まれる複数の元素の組成比を
制御することができる。
原料ガス供給通路としての配管の温度を調整することに
より、生成された薄膜に含まれる複数の元素の組成比を
制御することができる。
【００４９】次に本発明の第１実施例によるガス供給機
構を備えた成膜装置について、図６を参照しながら説明
する。
構を備えた成膜装置について、図６を参照しながら説明
する。
【００５０】図６は本発明の第１実施例によるガス供給
装置を備えた成膜装置の構成図である。図６に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図６において、図１又は２に示す構成部品と
同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
装置を備えた成膜装置の構成図である。図６に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図６において、図１又は２に示す構成部品と
同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００５１】本実施例による成膜装置は、組成比制御手
段としての配管温度制御機構を図２に示す成膜装置に加
えたものである。すなわち、混合原料溶液を気化する気
化器６６をシャワーヘッド４に接続する配管７０の周り
にヒータ７２を設け、ヒータ７２による加熱温度を温度
調整器７４により制御する。ヒータ７２としては、配管
７０の外周に巻きつけるような電熱ヒータが好ましい。
段としての配管温度制御機構を図２に示す成膜装置に加
えたものである。すなわち、混合原料溶液を気化する気
化器６６をシャワーヘッド４に接続する配管７０の周り
にヒータ７２を設け、ヒータ７２による加熱温度を温度
調整器７４により制御する。ヒータ７２としては、配管
７０の外周に巻きつけるような電熱ヒータが好ましい。
【００５２】温度調整器７４は、例えば成膜装置全体の
動作を制御するためのコントローラに７６接続され、コ
ントローラ７６からの指示によりヒータ７２に供給する
電力を調節してその発熱量を制御する。なお、配管７０
に温度センサ（図示せず）を設けて配管７０の温度を温
度調整器７４にフィードバックすることにより、配管７
０の温度を目標値に維持することとしてもよい。
動作を制御するためのコントローラに７６接続され、コ
ントローラ７６からの指示によりヒータ７２に供給する
電力を調節してその発熱量を制御する。なお、配管７０
に温度センサ（図示せず）を設けて配管７０の温度を温
度調整器７４にフィードバックすることにより、配管７
０の温度を目標値に維持することとしてもよい。
【００５３】従来のガス供給装置においても、気化した
原料ガスの再液化を防ぐために、配管７０は例えば２０
０℃程度に保たれているが、本実施例では、配管７０を
２００℃以上、例えば２００℃〜２６０℃程度の範囲で
制御する。これにより、処理チャンバ４中に配置された
ウェハＷ上に成膜されるＰＺＴ膜中のＰｂの組成比を増
減することができる。したがって、組成比の中でＰＺＴ
膜の電気的特性に最も強く影響を及ぼすＰｂの割合を制
御することができる。すなわち、配管７０の温度を上述
のように制御することにより、ＰＺＴ膜中のＰｂ／（Ｚ
ｒ＋Ｔｉ）の比を制御することができる。これにより、
得られたＰＺＴ膜の電気的特性を一定に維持することが
できる。
原料ガスの再液化を防ぐために、配管７０は例えば２０
０℃程度に保たれているが、本実施例では、配管７０を
２００℃以上、例えば２００℃〜２６０℃程度の範囲で
制御する。これにより、処理チャンバ４中に配置された
ウェハＷ上に成膜されるＰＺＴ膜中のＰｂの組成比を増
減することができる。したがって、組成比の中でＰＺＴ
膜の電気的特性に最も強く影響を及ぼすＰｂの割合を制
御することができる。すなわち、配管７０の温度を上述
のように制御することにより、ＰＺＴ膜中のＰｂ／（Ｚ
ｒ＋Ｔｉ）の比を制御することができる。これにより、
得られたＰＺＴ膜の電気的特性を一定に維持することが
できる。
【００５４】ただし、本実施例による成膜装置では、Ｐ
ＺＴ膜中のＺｒ／Ｔｉの比は制御することはできない。
また、ＰＴＯ核付けのシーケンスを行うことはできな
い。
ＺＴ膜中のＺｒ／Ｔｉの比は制御することはできない。
また、ＰＴＯ核付けのシーケンスを行うことはできな
い。
【００５５】なお、本実施例による成膜装置及び以下に
説明する実施例による成膜装置には、酸化剤供給機構及
び気化器洗浄ライン等が設けられているが、図面の簡略
化のためその図示は省略している。
説明する実施例による成膜装置には、酸化剤供給機構及
び気化器洗浄ライン等が設けられているが、図面の簡略
化のためその図示は省略している。
【００５６】次に本発明の第２実施例によるガス供給機
構を備えた成膜装置について、図７を参照しながら説明
する。
構を備えた成膜装置について、図７を参照しながら説明
する。
【００５７】図７は本発明の第２実施例によるガス供給
装置を備えた成膜装置の構成図である。図７に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図７において、図１、２及び６に示す構成部
品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
装置を備えた成膜装置の構成図である。図７に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図７において、図１、２及び６に示す構成部
品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
【００５８】本実施例による成膜装置は、ＰＺＴ膜生成
用のＰＴＯ核付けシーケンスを行うことができるよう構
成されたものである。すなわち、本実施例による成膜装
置は、図６に示す成膜装置に対して、ＰＴＯ核付け用の
原料ガスを供給するガス供給系統を加えたものである。
用のＰＴＯ核付けシーケンスを行うことができるよう構
成されたものである。すなわち、本実施例による成膜装
置は、図６に示す成膜装置に対して、ＰＴＯ核付け用の
原料ガスを供給するガス供給系統を加えたものである。
【００５９】ＰＴＯ核付け用の原料ガスを供給するガス
供給系統は、溶媒に溶解されたＰｂ原料とＴｉ原料との
混合原料を貯蔵する混合溶液原料タンク８２を有する。
混合溶液原料タンク８２には圧送ガスが供給され、その
圧力により混合溶液を液体用マスフローコントローラ
（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）８４を介して気化器８６に供給す
る。すなわち、Ｐｂ原料とＴｉ原料とが所定の比率で予
め混合された溶液が気化器８６に供給される。
供給系統は、溶媒に溶解されたＰｂ原料とＴｉ原料との
混合原料を貯蔵する混合溶液原料タンク８２を有する。
混合溶液原料タンク８２には圧送ガスが供給され、その
圧力により混合溶液を液体用マスフローコントローラ
（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）８４を介して気化器８６に供給す
る。すなわち、Ｐｂ原料とＴｉ原料とが所定の比率で予
め混合された溶液が気化器８６に供給される。
【００６０】気化器８６にはマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）８８を介してキャリアガスが供給される。気
化器８６に供給された混合溶液は、気化器８６内でキャ
リアガスにより気化され、気体となったＰｂ原料及びＴ
ｉ原料が混合原料ガスとして、配管９０を介してシャワ
ーヘッド４に供給される。すなわち、混合溶液原料タン
ク８２から気化器８６及び配管９０を介してシャワーヘ
ッド４に供給される混合ガスは、Ｚｒ原料を含まないＰ
ＴＯ核付け用のＰｂ原料とＴｉ原料との混合原料ガスで
ある。
（ＭＦＣ）８８を介してキャリアガスが供給される。気
化器８６に供給された混合溶液は、気化器８６内でキャ
リアガスにより気化され、気体となったＰｂ原料及びＴ
ｉ原料が混合原料ガスとして、配管９０を介してシャワ
ーヘッド４に供給される。すなわち、混合溶液原料タン
ク８２から気化器８６及び配管９０を介してシャワーヘ
ッド４に供給される混合ガスは、Ｚｒ原料を含まないＰ
ＴＯ核付け用のＰｂ原料とＴｉ原料との混合原料ガスで
ある。
【００６１】ここで、配管９０のシャワーヘッド４に近
い部分にはヒータ７２と同様な構成のヒータ９２が設け
られる。ヒータ９２は温度調整器７４に接続され、入力
が制御される。
い部分にはヒータ７２と同様な構成のヒータ９２が設け
られる。ヒータ９２は温度調整器７４に接続され、入力
が制御される。
【００６２】以上のような構成の成膜装置においてＰＺ
Ｔ膜を生成するには、まず混合溶液原料タンク８２に貯
蔵されているＰｂ原料とＴｉ原料との混合溶液を気化器
８６に供給することにより、Ｐｂ原料ガスとＴｉ原料ガ
スとをシャワーヘッド４を介して処理チャンバ２に供給
して、ＰＴＯ核付け又はＰＴＯバッファ層の形成を行
う。
Ｔ膜を生成するには、まず混合溶液原料タンク８２に貯
蔵されているＰｂ原料とＴｉ原料との混合溶液を気化器
８６に供給することにより、Ｐｂ原料ガスとＴｉ原料ガ
スとをシャワーヘッド４を介して処理チャンバ２に供給
して、ＰＴＯ核付け又はＰＴＯバッファ層の形成を行
う。
【００６３】ＰＴＯ核付けが終了したら、混合溶液原料
タンク８２からの混合原料の供給を停止し、次に、混合
溶液原料タンク６２に貯蔵されているＰｂ原料とＺｒ原
料とＴｉ原料の混合溶液を気化器６６に供給することに
より、Ｐｂ原料ガスとＺｒ原料ガスとＴｉ原料ガスとを
シャワーヘッド４に供給してＰＴＯ核上にＰＺＴ膜の生
成を行う。
タンク８２からの混合原料の供給を停止し、次に、混合
溶液原料タンク６２に貯蔵されているＰｂ原料とＺｒ原
料とＴｉ原料の混合溶液を気化器６６に供給することに
より、Ｐｂ原料ガスとＺｒ原料ガスとＴｉ原料ガスとを
シャワーヘッド４に供給してＰＴＯ核上にＰＺＴ膜の生
成を行う。
【００６４】以上のように、本発明の第２実施例による
ガス供給装置を備えた成膜装置では、配管７０及び９０
を２００℃以上、例えば２００℃〜２６０℃程度の範囲
で制御する。これにより、処理チャンバ２中に配置され
たウェハＷ上に成膜されるＰＺＴ膜中のＰｂの組成比を
増減することができる。したがって、組成比の中でＰＺ
Ｔ膜の電気的特性に最も強く影響を及ぼすＰｂの割合を
制御することができる。加えて、ＰＴＯ核付け用の原料
ガスを供給するガス供給系統を備えているため、ＰＴＯ
核付けシーケンスを行うことができ、ＰＺＴ膜を効率的
に生成することができる。
ガス供給装置を備えた成膜装置では、配管７０及び９０
を２００℃以上、例えば２００℃〜２６０℃程度の範囲
で制御する。これにより、処理チャンバ２中に配置され
たウェハＷ上に成膜されるＰＺＴ膜中のＰｂの組成比を
増減することができる。したがって、組成比の中でＰＺ
Ｔ膜の電気的特性に最も強く影響を及ぼすＰｂの割合を
制御することができる。加えて、ＰＴＯ核付け用の原料
ガスを供給するガス供給系統を備えているため、ＰＴＯ
核付けシーケンスを行うことができ、ＰＺＴ膜を効率的
に生成することができる。
【００６５】次に本発明の第３実施例によるガス供給機
構を備えた成膜装置について、図８を参照しながら説明
する。
構を備えた成膜装置について、図８を参照しながら説明
する。
【００６６】図８は本発明の第３実施例によるガス供給
装置を備えた成膜装置の構成図である。図８に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図８において、図１、２、６及び７に示す構
成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省
略する。
装置を備えた成膜装置の構成図である。図８に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図８において、図１、２、６及び７に示す構
成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省
略する。
【００６７】本実施例による成膜装置は、ＰＺＴ膜生成
用のＰＴＯ核付けシーケンスを行うことができるよう構
成されたものである。すなわち、本実施例による成膜装
置は、図７に示す成膜装置と同様に、図６に示す成膜装
置に対してＰＴＯ核付け用の原料ガスを供給するガス供
給系統を加えたものである。ただし、図７に示す成膜装
置とは異なり、気化器６６をＰＴＯ核付け用とＰＺＴ成
膜用とに共通して使用している。したがって、気化器が
一つで済むので装置の製造コストを低減することができ
る。
用のＰＴＯ核付けシーケンスを行うことができるよう構
成されたものである。すなわち、本実施例による成膜装
置は、図７に示す成膜装置と同様に、図６に示す成膜装
置に対してＰＴＯ核付け用の原料ガスを供給するガス供
給系統を加えたものである。ただし、図７に示す成膜装
置とは異なり、気化器６６をＰＴＯ核付け用とＰＺＴ成
膜用とに共通して使用している。したがって、気化器が
一つで済むので装置の製造コストを低減することができ
る。
【００６８】次に本発明の第４実施例によるガス供給機
構を備えた成膜装置について、図９を参照しながら説明
する。
構を備えた成膜装置について、図９を参照しながら説明
する。
【００６９】図９は本発明の第４実施例によるガス供給
装置を備えた成膜装置の構成図である。図９に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図９において、図１、２及び７に示す構成部
品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
装置を備えた成膜装置の構成図である。図９に示す成膜
装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置であ
る。なお、図９において、図１、２及び７に示す構成部
品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
【００７０】本実施例による成膜装置は、ＰＺＴ膜生成
用のＰＴＯ核付けシーケンスを行うことができるよう構
成されている。すなわち、本実施例による成膜装置は、
図７に示す成膜装置と同様に、ＰＴＯ核付け用の原料ガ
スを供給するガス供給系統を備えている。
用のＰＴＯ核付けシーケンスを行うことができるよう構
成されている。すなわち、本実施例による成膜装置は、
図７に示す成膜装置と同様に、ＰＴＯ核付け用の原料ガ
スを供給するガス供給系統を備えている。
【００７１】ここで、図７に示す成膜装置では、Ｐｂ原
料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料の３種類の原料を混合した混
合原料を用いてＰＺＴ膜を生成しているが、本実施例に
よる成膜装置では、３種類の原料を混合した混合原料の
代わりに、Ｐｂ原料とＺｒ原料のみの混合原料を用いて
いる。
料、Ｚｒ原料及びＴｉ原料の３種類の原料を混合した混
合原料を用いてＰＺＴ膜を生成しているが、本実施例に
よる成膜装置では、３種類の原料を混合した混合原料の
代わりに、Ｐｂ原料とＺｒ原料のみの混合原料を用いて
いる。
【００７２】すなわち、本実施例による成膜装置は、Ｐ
ｂ原料とＺｒ原料のみの混合原料を貯蔵する混合溶液原
料タンク１０２を有する。混合溶液原料タンク１０２に
は圧送ガスが供給され、その圧力により混合溶液を液体
用マスフローコントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を１０４
介して気化器１０６に供給する。すなわち、Ｐｂ原料と
Ｚｒ原料とが所定の比率で予め混合された溶液が気化器
１０６に供給される。
ｂ原料とＺｒ原料のみの混合原料を貯蔵する混合溶液原
料タンク１０２を有する。混合溶液原料タンク１０２に
は圧送ガスが供給され、その圧力により混合溶液を液体
用マスフローコントローラ（Ｌｉｑ．ＭＦＣ）を１０４
介して気化器１０６に供給する。すなわち、Ｐｂ原料と
Ｚｒ原料とが所定の比率で予め混合された溶液が気化器
１０６に供給される。
【００７３】気化器１０６にはマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）１０８を介してキャリアガスが供給される。
気化器１０６に供給された混合溶液は、気化器１０６内
でキャリアガスにより気化され、気体となったＰｂ原料
及びＺｒ原料が混合原料ガスとして、配管１１０を介し
てシャワーヘッド４に供給される。すなわち、混合溶液
原料タンク１０２から気化１０６及び配管１１０を介し
てシャワーヘッド４に供給される混合ガスは、Ｔｉ原料
を含まないＰｂ原料とＺｒ原料との混合原料ガスであ
る。
（ＭＦＣ）１０８を介してキャリアガスが供給される。
気化器１０６に供給された混合溶液は、気化器１０６内
でキャリアガスにより気化され、気体となったＰｂ原料
及びＺｒ原料が混合原料ガスとして、配管１１０を介し
てシャワーヘッド４に供給される。すなわち、混合溶液
原料タンク１０２から気化１０６及び配管１１０を介し
てシャワーヘッド４に供給される混合ガスは、Ｔｉ原料
を含まないＰｂ原料とＺｒ原料との混合原料ガスであ
る。
【００７４】ここで、配管１１０のシャワーヘッド４に
近い部分にはヒータ７２と同様な構成のヒータ１１２が
設けられる。ヒータ１１２は温度調整器７４に接続さ
れ、入力が制御される。
近い部分にはヒータ７２と同様な構成のヒータ１１２が
設けられる。ヒータ１１２は温度調整器７４に接続さ
れ、入力が制御される。
【００７５】以上のような構成の成膜装置においてＰＺ
Ｔ膜を生成するには、まず混合溶液原料タンク８２に貯
蔵されているＰｂ原料とＴｉ原料との混合溶液を気化器
８６に供給することにより、Ｐｂ原料ガスとＴｉ原料ガ
スとをシャワーヘッド４に供給してＰＴＯ核付けを行
う。
Ｔ膜を生成するには、まず混合溶液原料タンク８２に貯
蔵されているＰｂ原料とＴｉ原料との混合溶液を気化器
８６に供給することにより、Ｐｂ原料ガスとＴｉ原料ガ
スとをシャワーヘッド４に供給してＰＴＯ核付けを行
う。
【００７６】次に、Ｐｂ原料ガスとＴｉ原料ガスとをシ
ャワーヘッド４に供給しながら、混合溶液原料タンク１
０２に貯蔵されているＰｂ原料とＺｒ原料との混合溶液
を気化器１０６に供給することにより、Ｐｂ原料ガスと
Ｚｒ原料ガスとをシャワーヘッド４に供給してＰＴＯ核
上にＰＺＴ膜の生成を行う。
ャワーヘッド４に供給しながら、混合溶液原料タンク１
０２に貯蔵されているＰｂ原料とＺｒ原料との混合溶液
を気化器１０６に供給することにより、Ｐｂ原料ガスと
Ｚｒ原料ガスとをシャワーヘッド４に供給してＰＴＯ核
上にＰＺＴ膜の生成を行う。
【００７７】上述のＰＺＴ膜の生成工程において、Ｐｂ
原料ガスとＴｉ原料ガスの混合ガスが気化器８６から供
給され、同時にＰｂ原料ガスとＺｒ原料ガスの混合ガス
が気化器１０６から供給される。したがって、Ｔｉ原料
ガスとＺｒ原料ガスとは別個の供給系統から供給される
ため、Ｔｉ原料ガスとＺｒ原料ガスとの比を制御するこ
とができる。すなわち、本実施例による成膜装置によれ
ば、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の比を配管温度の調節により
制御することができるとともに、混合溶液原料の流量を
調整することによりＴｉ／Ｚｒの比も制御することがで
きる。
原料ガスとＴｉ原料ガスの混合ガスが気化器８６から供
給され、同時にＰｂ原料ガスとＺｒ原料ガスの混合ガス
が気化器１０６から供給される。したがって、Ｔｉ原料
ガスとＺｒ原料ガスとは別個の供給系統から供給される
ため、Ｔｉ原料ガスとＺｒ原料ガスとの比を制御するこ
とができる。すなわち、本実施例による成膜装置によれ
ば、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の比を配管温度の調節により
制御することができるとともに、混合溶液原料の流量を
調整することによりＴｉ／Ｚｒの比も制御することがで
きる。
【００７８】次に本発明の第５実施例によるガス供給機
構を備えた成膜装置について、図１０を参照しながら説
明する。
構を備えた成膜装置について、図１０を参照しながら説
明する。
【００７９】図１０は本発明の第３実施例によるガス供
給装置を備えた成膜装置の構成図である。図１０に示す
成膜装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置で
ある。なお、図１０において、図１、２及び９に示す構
成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省
略する。
給装置を備えた成膜装置の構成図である。図１０に示す
成膜装置はウェハ上にＰＺＴ膜を生成するための装置で
ある。なお、図１０において、図１、２及び９に示す構
成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省
略する。
【００８０】本実施例による成膜装置は、図９に示す成
膜装置と同様に、ＰＴＯ核付け用の原料ガスを供給する
ガス供給系統と、Ｐｂ原料とＺｒ原料との混合原料ガス
を供給する系統とを備えたものである。ただし、図９に
示す成膜装置とは異なり、気化器８６をＰＴＯ核付け用
とＰＺＴ成膜用とに共通して使用している。したがっ
て、気化器が一つで済むので装置の製造コストを低減す
ることができる。
膜装置と同様に、ＰＴＯ核付け用の原料ガスを供給する
ガス供給系統と、Ｐｂ原料とＺｒ原料との混合原料ガス
を供給する系統とを備えたものである。ただし、図９に
示す成膜装置とは異なり、気化器８６をＰＴＯ核付け用
とＰＺＴ成膜用とに共通して使用している。したがっ
て、気化器が一つで済むので装置の製造コストを低減す
ることができる。
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、溶液の段階
で混合されている原料を気化して原料ガスとした後に、
原料ガスを加熱しながら処理チャンバに供給する。生成
されるＰＺＴ膜を構成する元素の組成比は、原料ガスの
加熱により変化する。原料ガスを所定の温度に加熱する
ことにより、所望の組成比となるように制御することが
できる。
で混合されている原料を気化して原料ガスとした後に、
原料ガスを加熱しながら処理チャンバに供給する。生成
されるＰＺＴ膜を構成する元素の組成比は、原料ガスの
加熱により変化する。原料ガスを所定の温度に加熱する
ことにより、所望の組成比となるように制御することが
できる。
【００８１】本発明によるＰＺＴ膜の成膜方法におい
て、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化して原料ガス生成する。この原料ガス
を所定の温度に加熱することにより、生成されるＰＺＴ
膜が所望の組成比となるように制御することができる。
組成比の制御により、ＰＺＴ膜の電気的特性を制御する
ことができる。
て、Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を気化して原料ガス生成する。この原料ガス
を所定の温度に加熱することにより、生成されるＰＺＴ
膜が所望の組成比となるように制御することができる。
組成比の制御により、ＰＺＴ膜の電気的特性を制御する
ことができる。
【００８２】また、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混
合原料溶液を最初に供給することにより、ＰＴＯ核付け
又はＰＴＯバッファ層を形成することができ、この上に
効率的にＰＺＴ膜を生成することができる。
合原料溶液を最初に供給することにより、ＰＴＯ核付け
又はＰＴＯバッファ層を形成することができ、この上に
効率的にＰＺＴ膜を生成することができる。
【図１】溶液気化法を用いた従来のガス供給装置を有す
るＣＶＤ装置の概略構成図である。
るＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】溶液気化法を用いた従来のガス供給装置を有す
るＣＶＤ装置の他の例を示す概略構成図である。
るＣＶＤ装置の他の例を示す概略構成図である。
【図３】Ｐｂ原料ガスを供給する配管の温度を変えた場
合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示すグラフである。
合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示すグラフである。
【図４】Ｚｒ原料ガスを供給する配管の温度を変えた場
合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示すグラフである。
合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示すグラフである。
【図５】Ｔｉ原料ガスを供給する配管の温度を変えた場
合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示すグラフである。
合のＰＺＴ膜中の各原料の組成比を示すグラフである。
【図６】本発明の第１実施例によるガス供給装置を備え
た成膜装置の構成図である。
た成膜装置の構成図である。
【図７】本発明の第２実施例によるガス供給装置を備え
た成膜装置の構成図である。
た成膜装置の構成図である。
【図８】本発明の第３実施例によるガス供給装置を備え
た成膜装置の構成図である。
た成膜装置の構成図である。
【図９】本発明の第４実施例によるガス供給装置を備え
た成膜装置の構成図である。
た成膜装置の構成図である。
【図１０】本発明の第５実施例によるガス供給装置を備
えた成膜装置の構成図である。
えた成膜装置の構成図である。
２ 処理チャンバ
２ａ 載置台
２ｂ 排気ポート
４ シャワーヘッド
６ 冷却トラップ
８ 真空ポンプ
２０ ベントライン
６２，８２，１０２ 混合溶液原料タンク
６４，８４，１０４ 液体用マスフローコントローラ
６６，８６，１０６ 気化器
６８，８８，１０８ マスフローコントローラ
７０，９０，１１０ 配管
７２，９２，１１２ ヒータ
７４ 温度調整器
７６ コントローラ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 神力 博
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
(72)発明者 辰巳 徹
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株
式会社内
Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA01 BA18 BA22 BA42
BB12 EA01 EA03 EA11 JA06
JA10
5F045 AA04 AB31 AF03 BB04 BB08
BB16 DC63 DP03 EC09 EE02
EE04 EE12 EF05 GB05
Claims (12)
- 【請求項１】 ＰＺＴ膜を化学的気相合成法により基体
上に生成する成膜装置であって、 気化した多元素混合原料溶液を、前記基体が配置された
処理チャンバに供給する原料ガス供給通路と、 該原料ガス供給通路の温度を調節して前記ＰＺＴ膜に含
まれる元素の組成比を制御する組成比制御手段とを有す
ることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の成膜装置であって、 前記原料ガス供給通路は、前記処理チャンバに原料ガス
を供給するシャワーヘッドに接続された配管を含み、 前記組成比制御手段は、前記配管に設けられたヒータと
該ヒータの発熱量を制御する温度調整器とを有すること
を特徴とする成膜装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の成膜装置であって、 Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原
料溶液を貯蔵する混合原料溶液貯蔵タンクと、該混合原
料溶液貯蔵タンクから供給される混合原料溶液を気化す
る気化器とを有し、 前記原料ガス供給通路は該気化器を前記処理チャンバに
接続する配管であることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の成膜装置であって、 Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原
料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、該
第１の混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合原料
溶液を気化する第１の気化器と、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原
料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第２の混合原料溶液
貯蔵タンクと、該第２の混合原料溶液貯蔵タンクから供
給される混合原料溶液を気化する第２の気化器とを有
し、 前記原料ガス供給通路は、前記第１の気化器を前記処理
チャンバに接続する配管と、前記第２の気化器を前記処
理チャンバに接続する配管とよりなることを特徴とする
成膜装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の成膜装置であって、 Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原
料溶液を貯蔵する第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、Ｐ
ｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵する
第２の混合原料溶液貯蔵タンクと、前記第１及び第２の
混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合原料溶液を
気化する気化器とを有し、 前記原料ガス供給通路は、前記気化器を前記処理チャン
バに接続する配管であることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の成膜装置であって、 Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵す
る第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、該第１の混合原料
溶液貯蔵タンクから供給される混合原料溶液を気化する
第１の気化器と、Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合
原料溶液を貯蔵する第２の混合原料溶液貯蔵タンクと、
該第２の混合原料溶液貯蔵タンクから供給される混合原
料溶液を気化する第２の気化器とを有し、 前記原料ガス供給通路は、前記第１の気化器を前記処理
チャンバに接続する配管と、前記第２の気化器を前記処
理チャンバに接続する配管とよりなることを特徴とする
成膜装置。 - 【請求項７】 請求項１記載の成膜装置であって、 Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵す
る第１の混合原料溶液貯蔵タンクと、Ｐｂ原料溶液とＴ
ｉ原料溶液との混合原料溶液を貯蔵する第２の混合原料
溶液貯蔵タンクと、前記第１及び第２の混合原料溶液貯
蔵タンクから供給される混合原料溶液を気化する気化器
とを有し、 前記原料ガス供給通路は、前記気化器を前記処理チャン
バに接続する配管であることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項８】 ＰＺＴ膜を化学的気相合成法により基体
上に生成する成膜方法であって、 多元素混合原料溶液を気化して原料ガスを生成し、 前記原料ガスの温度を所定の温度に調整しながら、前記
基体が配置された処理チャンバに前記原料ガスを供給し
て、生成されるＰＺＴ膜に含まれる元素の組成比を制御
することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の成膜方法であって、 前記原料ガスは、前記処理チャンバのシャワーヘッドに
接続された配管を通じて前記処理チャンバに供給され、 前記配管の温度を調整することにより、前記原料ガスの
温度を調整することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項１０】 請求項８記載の成膜方法であって、 Ｐｂ原料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原
料溶液を気化して前記原料ガスを生成することを特徴と
する成膜方法。 - 【請求項１１】 請求項８記載の成膜方法であって、 Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液を気化し
てＰＴＯ核付け用原料ガスを生成し、 該ＰＴＯ核付け用原料ガスの温度を所定の温度に調整し
ながら、前記ＰＴＯ核付け用原料ガスを前記処理チャン
バに供給して、前記基体上にＰＴＯ核又はＰＴＯバッフ
ァ層を形成し、 ＰＴＯ核又はＰＴＯバッファ層を形成した後に、Ｐｂ原
料溶液とＺｒ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液
を気化して前記原料ガスを生成することを特徴とする成
膜方法。 - 【請求項１２】 請求項８記載の成膜方法であって、 Ｐｂ原料溶液とＴｉ原料溶液との混合原料溶液を気化し
てＰＴＯ核付け用原料ガスを生成し、 該ＰＴＯ核付け用原料ガスの温度を所定の温度に調整し
ながら、前記ＰＴＯ核付け用原料ガスを前記処理チャン
バに供給して、前記基体上にＰＴＯ核又はＰＴＯバッフ
ァ層を形成し、 ＰＴＯ核又はＰＴＯバッファ層を形成した後に、Ｐｂ原
料溶液とＺｒ原料溶との混合原料溶液と、Ｐｂ原料溶液
とＺｒ原料溶液との混合原料溶液とを気化して前記原料
ガスを生成することを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002018975A JP2003224118A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002018975A JP2003224118A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003224118A true JP2003224118A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27743078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002018975A Pending JP2003224118A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003224118A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012086728A1 (ja) | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 株式会社渡辺商行 | 気化器 |
| WO2012118019A1 (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 株式会社渡邊商行 | 気化器および気化器に用いられるセンターロッド、ならびにキャリアガスに同伴される原料などの気化方法 |
-
2002
- 2002-01-28 JP JP2002018975A patent/JP2003224118A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012086728A1 (ja) | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 株式会社渡辺商行 | 気化器 |
| KR20140034123A (ko) | 2010-12-21 | 2014-03-19 | 가부시키가이샤 와타나베 쇼코 | 기화기 |
| WO2012118019A1 (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 株式会社渡邊商行 | 気化器および気化器に用いられるセンターロッド、ならびにキャリアガスに同伴される原料などの気化方法 |
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