JP5346532B2 - 気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 - Google Patents
気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5346532B2 JP5346532B2 JP2008249664A JP2008249664A JP5346532B2 JP 5346532 B2 JP5346532 B2 JP 5346532B2 JP 2008249664 A JP2008249664 A JP 2008249664A JP 2008249664 A JP2008249664 A JP 2008249664A JP 5346532 B2 JP5346532 B2 JP 5346532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vaporizer
- pipe
- gas
- transport pipe
- bent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
また、加圧キャリアガスによるサイクロン式の霧化器と加熱気化室とを組み合わせた気化器が公知である(特許文献2)。これは、円形の内壁を持つ加熱気化室の入口から接線方向にスプレー式の霧化器で霧化したミストを加圧キャリアガスを用いて気化室の側壁に吹きつけて付着させ、側壁面で蒸発させて気化させるものである。
さらに、加圧キャリアガスによるスプレー式の霧化器の先にサイクロ通路を設けて加熱気化室へサイクロン状態の霧化流を送出するMOCVD用気化器が公知である(特許文献3)。これは、霧化された液体原料とキャリアガスとをサイクロン通路で混合した後に加熱気化室に均一な混合ガスとして送出するものである。なお、この場合、サイクロン通路は冷却通路となっている。
前者のサイクロン式の霧化器を用いる気化器は、加熱された円筒の側壁面に霧化した原料を被着するために長期間使用すると壁面で成膜が生じて、サイクロン流が成膜された原料を剥がしてフレークを生じる問題がある。このフレークの一部がパーティクルとなって反応炉にあるいは原料ガス輸送管の層流に乗って反応炉に送出されてしまうことになる。
さらに、後者のサイクロ通路を設けるMOCVD用気化器は、霧化されたミストが気化器に導入されて気化器から送出されるため、前者のスプレー式の霧化器と同様に霧化したミストの一部が原料ガスの中に残り、それが十分に気化されないままに気化器から反応炉にあるいは気化器に接続された原料ガス輸送管の層流に乗って反応炉に送出される問題がある。
いずれの場合も気化室の加熱空間では気化しないミストが残る問題がある。そのため、液体材料を霧化して気化した場合には気化器において液体材料の完全な気化を達成することはなかなか難しいところである。
たとえ、気化器の後段に加熱管路を設けたとしても気化したガスは、管路を層流として流れるために、管中心部を未気化のミストが流れたときには、それは気化されることなく、反応炉へと送られる危険性が非常に高い。
この発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決するものであって、気化ガスに混ざるミストの排出を抑えかつ気化効率が高く、パーティクルが発生し難い気化器ユニットを提供することにある。
また、この発明の他の目的は、前記気化器ユニットを用いることで、気化効率が高く、パーティクルが発生し難い液体原料の気化に適する半導体処理システムを提供することにある。
さらに、この発明の他の目的は、気化ガスに混ざるミストの排出を抑えかつパーティクルあるいはフレークを排出し難い、気化器に接続されるガス輸送管を提供することにある。
すなわち、ガス輸送管の通路がクランク状の通路になっているので、断面円形の輸送管の壁面に気化器で気化されていないミストをサイクロン状態で衝突させて効率よく気化させる。その上、クランクする通路が層流とならないことにより、たとえ気化器でフレーク等が発生してもそれを反応炉へ送出し難くすることができる。
特に、ガス輸送管を縦型のU字型あるいは逆U字型等の多段クランク構造として多段にサイクロン流結合点(接線接続個所)を設けることで、ガス輸送管のトラップ構造をより有効にすることができる。
本発明は、ガス輸送管においてミストをサイクロン状態で壁面に衝突させても、特許文献2のように加熱壁面に霧化液を吹き付けて塗るような状態とはならない。残留ミスト成分も気化されたものに対してその割合が非常に低い。したがって、ガス輸送管内壁での成膜はほとんど起こらない。しかも、気化器で気化されたガスは、サイクロン流となってガス輸送管を比較的長い距離の間流れるので、気化効率が高い。
これにより原料ガスのほとんどを気化せた状態で反応炉に原料ガスと送出することができる。
さらに、気化器をスプレー式の霧化器と加熱気化室とから構成し、これと多段クランクで立上がり立下がるあるいは逆に立下がり立上がる縦型構造のガス輸送路とを組合わせれば、長期間使用をしてもフレークが発生し難く、前記クランク状の曲折部分が複数個所となり、立上がりあるいは立下がる通路が入ることで、フレークなどが発生したとしても重力の影響によりフレークが降下して反応炉側に輸送され難い構造になる。しかも、スプレー式の霧化器とこのガス輸送管との組合わせは、気化器における圧力変動の影響を抑えることができ、気化器による反応炉の成膜への影響を極力抑えることができる。
その結果、反応炉に送る原料ガスに混ざるミストの供給を抑えしかつ気化効率が高く、パーティクルが発生し難い気化器ユニットおよび半導体処理システムとを実現することができる。
図1において、10は、気化器ユニットであり、気化器1とこれに接続された補助気化輸送管2、そして内部状態を説明する都合上、二点鎖線で示す加熱モジュール3とからなる。
加熱モジュール3は、図2の外観図に示すように、気化器1と補助気化輸送管2とを外側からカバーしているアルミニユム製の伝熱ブロック3a,3bとこれに埋設された多数のヒースヒータ3b〜3mとからなる。なお、伝熱ブロック3a,3bは、気化器1と補助気化輸送管2を収納する湾曲した断面半円形の溝を内側に有する前後2枚の平板ブロックである。気化器1と補助気化輸送管2は、これら2枚の平板ブロックでサンドウイッチにされて被覆され前後をボルト+ナットのねじ31〜36で締付固定されて一体的に加熱モジュール3に内装される。
霧化器5は、スプレーノズル6と、液体原料とキャリアガスの液体・ガス導入管ユニット7とからなる。
スプレーノズル6は、起立した気化室4のアーチ状に湾曲した天井面4aの中央部に設置され、気化室4の内部を臨むように、気化室4の円筒の軸心にその中心軸(噴射口)が一致するように配置されている。
スプレーノズル6は、出願人の出願となる特開2006−198480号に記載されているように、キャリアガス(加圧気体)を移送する外筒と、原料液を輸送する内筒とが同心円上に配置され、先端がほぼ一致するように位置決めされたノズルであって、外筒と内筒の間隙からキャリアガスを噴射することで内筒に供給された原料液を霧化して気化室4の内部空間4bに噴射する。
内部空間4bは、霧化されたミストのほとんどが気化室4の壁面に達する以前に気化される外径を持つ円筒空間として提供される。
内筒71は、前記したスプレーノズル6の内筒に連続し、外筒72は、スプレーノズル6の外筒に連続するように液体・ガス導入管ユニット7は、スプレーノズル6に接続されている。
なお、図4において、73は、管接続部材、74,75は、それぞれ管継手である。
さらに、ポッドエリア4cの底部の下には伝熱ブロックを有する加熱装置8が設けられている。8aは、加熱装置8の伝熱ブロックに埋設されたヒースヒータである。
未気化の残渣は、ポッドエリア4cの底に連通する排出管(図示せず)を介して回収される。
エルボ輸送管2aの端部は、出力口4dに接続され、気化器1の気化室4にL字型で連通する。他方の端部は、エルボ輸送管2bの端部に接合して立上がるエルボ輸送管2bの本体に直交するようにL字型で連通している。
エルボ輸送管2bは、立上がる管路を形成していて、その他方の端部は、エルボ輸送管2cの端部に接合して立下がるエルボ輸送管2cの本体に直交するようにL字型で連通している。
さらに、エルボ輸送管2cは、水平の管路になっていて、その他方の端部は、エルボ輸送管2dの端部に接合してエルボ輸送管2dの本体に直交するようにL字型で連通している。
エルボ輸送管2dは、立下がる管路になっていて、その他方の端部は、水平に位置する出力ポート9の端部に直交するようにL字型で連通している。
出力ポート9の位置は、出力口4dの先に出力ポート9が配置されるように、対応した位置にある。
これを説明するのが図3(a)の気化器と輸送管の接続部分のA−Aの断面図が図3(b)である。この図に示すように、エルボ輸送管2aは、L字に曲折する角のガス送出口2eが曲折先の管路の断面円形の外周側に片側に偏って設けられ、ガス送出口2eがエルボ輸送管2bの断面円形の外周の接線方向に送出ガスが向かうようにエルボ輸送管2aの本体からL字に曲折する端部が本体と接続されている。
これにより、エルボ輸送管2aのガス送出口2eから送出するガスは、サイクロン状となって、エルボ輸送管2aのL字に曲折する角からL字曲折した円形断面通路、そして接合管の円形断面通路へと送出されてサイクロン状となってエルボ輸送管2bの管路に入る。
他のエルボ輸送管2bとエルボ輸送管2c,エルボ輸送管2cとエルボ輸送管2d、そしてエルボ輸送管2dと気化ガスの出力ポート9aとの各L字型曲折部の接線溶接接合の個所(サイクロン流結合)も同様な関係にある。
これにより、補助気化輸送管2は、気化されたガスが内部管路を側壁に沿ってサイクロン状になって流れ、これにより未気化のミストは、気化される。
なお、補助気化輸送管2の管内部の温度は、気化器1の空間の温度と同様に加熱モジュール3によって150°C〜250°Cの範囲で所定の温度に維持されている。
気化器1と補助気化輸送管2の温度は、気化されたガスが再液化しない温度以上でかつ変質しない温度以下の範囲のある温度に設定されていればよく、気化器1と補助気化輸送管2の温度はそれぞれ違っていてもよい。
すなわち、この実施例では、エルボ輸送管2bが重力方向に対して縦に昇る配置になっているので、この管路がフレークを反応炉への送出するのを防止するフィルタの役割を果たす。
図1の実施例では補助気化輸送管2の構造は、逆さU字型にクランク結合したものである。これに対してこの実施例では単にU字型にクランク結合されて立下がり、立上がる管路を形成している。
この例では、通路後段の立上がるエルボ輸送管2dが重力方向に対して縦に昇る配置になっているので、この管路とこれに対するL字型曲折部の接線溶接接合個所とがフレークを反応炉へ送出するのを防止するフィルタの役割を果たしている。
ところで、エルボ輸送管2a,2b,2c,2dは、通常の直管の輸送管をL字に接合して各L字接合個所を接線結合溶接として図3(b)に示す構造としたものであってもよい。
図6は、半導体処理装置において気化器ユニット10を組込んだ半導体処理システムの説明図である
20は、LP−CVD等の縦型反応炉、21はガス供給系、22は液体材料供給系である。縦型反応炉20は、堆積棚20aにウエハ30が多数堆積されていて、外側がベルジャ(石英のカバー)20bで覆われ、反応ガス供給路20cが下側側面に形成されている。この反応ガス供給路20cに接続されてガス輸送管路23が設けられている。
ガス供給系21からガス輸送管路23との間には図1にガス気化器ユニット10が設けられている。ガス供給系21とガス輸送管路25との間には、途中にガス加熱装置11が挿嵌され、これの下流にエアーバルブAVが組込まれている。気化器ユニット10の下流にはガス輸送管路23が接続され、これを介して反応炉20のガス供給口に至る。
液体材料供給系22は、液体原料タンク22aがバルブ22b、そして流体マスフローコントローラ(LMFC)22c、バルブ22dを経て気化器ユニット10の気化器1(液体・ガス導入管ユニット7)に結合されている。液体原料タンク22aにはHeガスが供給されている。
縦型反応炉20のガス排気口は、ガス輸送管路26を経て真空ポンプ等からなる排出ガス処理系27に接続されている。ガス輸送管路26にはガス加熱装置12が挿嵌されている。排出ガス処理系27は、排気ポンプの後ろに形成されるガス輸送管路28の排出管路を経て排気ガスを無害なガスに処理する除害処理装置29に至る。
この場合には、気化器1と補助気化輸送管2とはそれぞれ独立したブロックになる。そこで、補助気化輸送管2を他の気化器1あるいは他の種類の気化器、例えば、サイクロン式の霧化器を用いる気化器などと結合することも可能である。このような場合も前記した発明の効果を得ることができる。
なお、気化器1と補助気化輸送管2とを分割する場合には、加熱モジュール3は、気化器1の排出口に設けられたコネクタの位置で2分割され、気化器1と補助気化輸送管2とがそれぞれに2枚の平板ブロックでサンドウイッチにされて被覆されることになる。
このように気化器ユニット10から分割可能になった補助気化輸送管2自体は、ここでの発明の対象である。ただし、この場合、気化器1と補助気化輸送管2との結合によるエルボ輸送管2aの長さは短い方が好ましい。この意味で図1,図5の実施例では気化器ユニットとしている。
その距離としては、1/4インチ(≒6.3mm)管〜1インチ管のガス輸送管を使用した場合に、気化器の出口から最初のL字型曲折部の接線溶接接合(サイクロン接合点)までの管長が150mmか、これ以下であることが好ましい。なお、長さの下限は、L字型曲折部の接線溶接接合の長さで決まり、それは5mm程度になる。
なお、このL字型曲折部の管接続は、2本の管が直交するように管端部をエルボを介して接続しても、エルボ管を使用しても、さらに直接管同士を接続してもよいことはもちろんである。さらに、曲折部の曲折状態は、直角以外の所定の角度とされてもよく、L字型に限定されないことももちろんである。
また、実施例では、液体原料を気化する気化器について説明しているが、この場合の液体原料は、個体原料を液化した場合の液体も含むものである。さらに、液体原料に限らず、酸化膜等を成膜するための水蒸気発生の場合におけるような水を気化する場合にもこの気化器ユニットを用いることができる。
さらに、実施例では、補助気化輸送管2を構成する各輸送管は、溶接結合しているが、これは、L曲折部をサイクロン接合として通常の管継手を用いて結合するものであってもよく、その構造はU字型に限定されないことはもちろんである。
3…加熱モジュール、3a…伝熱ブロック、
3b〜3e…ヒースヒータ、4…気化室、
5…霧化器、6…スプレーノズル、
7…液体・ガス導入管ユニット、8…加熱装置、
9…出力ポート、10…気化器ユニット。
Claims (8)
- 液体を気化する気化器と、クランク状に曲折して直角か所定の角度で立ち上がりかつ断面円形の管路を持ち未気化ミストを気化するために所定の温度に加熱され前記気化器の出口に接続されたガス輸送管とを備え、
前記ガス輸送管のクランク状に曲折する部分が曲折先の管路の前記断面円形の接線方向にガスを送出する接続構造になっている気化器ユニット。 - 前記クランク状に曲折した管路は、2本の管が直交するように管端部で接続されて形成され、接続する一方の管の端部にある送出口が、接続される他方の管の端部において外周側に偏って配置されている請求項1記載の気化器ユニット。
- 前記気化器は、スプレー式の霧化器と加熱気化室とからなる縦置型のものであって、半導体製造における液体原料を気化するものであり、前記クランク状に曲折した管路は、複数個所設けられていてかつ前記管路の一部が立上がりあるいは立下がる請求項2記載の気化器ユニット。
- 前記気化器と前記ガス輸送管とは、ヒータが埋め込まれた伝熱ブロックにより被覆され、前記所定の温度は、前記気化器で気化された前記ガスが再液化しない温度以上でかつ変質しない温度以下の範囲にある請求項3記載の気化器ユニット。
- 前記気化器の内部空間と前記断面円形の通路とは前記伝熱ブロックにより150°C〜250°Cの範囲のある温度に加熱される請求項4記載の気化器ユニット。
- 請求項1乃至5記載のうちのいずれか1項記載の気化器ユニットとこの気化器ユニットから前記ガス輸送管を介して液体原料ガスの供給を受ける反応炉とを備える半導体処理システム。
- 気化器の出口に接続されるガス輸送管であって、前記気化器から送出される未気化ミストを気化するために、クランク状に曲折して直角か所定の角度で立ち上がりかつ断面円形の管路を持ち所定の温度に加熱されかつ前記クランク状に曲折する部分が曲折先の前記断面円形の管路の接線方向にガスを送出する構造になっている、気化器に接続されるガス輸送管。
- 前記気化器の出口から前記クランク状に曲折した部分までの距離が150mm以下である請求項7記載の気化器に接続されるガス輸送管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008249664A JP5346532B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008249664A JP5346532B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010077514A JP2010077514A (ja) | 2010-04-08 |
JP5346532B2 true JP5346532B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=42208263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008249664A Expired - Fee Related JP5346532B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5346532B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3335492B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2002-10-15 | 三菱電機株式会社 | 薄膜の堆積装置 |
KR100368319B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액체운송장치 |
JP4511414B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2010-07-28 | 株式会社リンテック | 気化器 |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008249664A patent/JP5346532B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010077514A (ja) | 2010-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4519173B2 (ja) | 内燃機関の排気ガス導管内に液体媒体を供給するための装置 | |
JP5016026B2 (ja) | 内燃機関の排気ガスの処理方法および処理装置 | |
JP3820370B2 (ja) | 基板上に前駆物質を析出させるための装置 | |
KR960039122A (ko) | 사이클론 증착기 | |
JP5118644B2 (ja) | 液体材料気化装置 | |
KR20090091726A (ko) | 피스톤 기관용 유입 및 연료 이송 장치 | |
JP2005057193A (ja) | 気化器 | |
JP6858991B2 (ja) | 熱交換器、分離システム、及びエアロゾル形成システム | |
CN107078079A (zh) | 抗腐蚀减量系统 | |
JP5346532B2 (ja) | 気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 | |
KR101104632B1 (ko) | 기화기 및 박막증착시스템 | |
JP2009149948A (ja) | 流体加熱装置、ガス加熱装置およびこれを利用した半導体処理装置 | |
JP3567831B2 (ja) | 気化装置 | |
KR102072924B1 (ko) | 고효율 반도체 증착용 기화기 | |
JP2009194006A (ja) | ガス輸送路およびこれを利用した半導体処理装置 | |
JPH038330A (ja) | 液状半導体形成材料気化供給装置 | |
JP2011124416A (ja) | 気化器ユニット、これを含むガス輸送路および半導体処理システム | |
JP2018053368A (ja) | 成膜装置 | |
TW201825697A (zh) | 氣溶膠蒸發器 | |
JP2005051006A (ja) | 気化器 | |
KR19980024352A (ko) | 사이클론 증발기 | |
TWI796368B (zh) | 噴嘴及其方法 | |
US20010018034A1 (en) | Ammonia generating apparatus | |
TW201933483A (zh) | 液體汽化裝置及使用該液體汽化裝置的半導體處理系統 | |
JP2009191283A (ja) | ガス加熱装置、これを利用した半導体処理装置およびガス加熱装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |