JP2005057193A - 気化器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 熱を効率的に液体材料微粒子に伝達する熱効率に優れる気化器を提供すること。
【解決手段】 気化器1は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料Mを高温に保持された気化チャンバ30内の気化面S1に向けて噴霧し、噴霧された液体材料微粒子Mを気化し、気化により生成した材料ガスVをCVD成膜装置に供給する。気化面S1は、ステンレス鋼よりも熱伝導率の高い材料で形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 気化器1は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料Mを高温に保持された気化チャンバ30内の気化面S1に向けて噴霧し、噴霧された液体材料微粒子Mを気化し、気化により生成した材料ガスVをCVD成膜装置に供給する。気化面S1は、ステンレス鋼よりも熱伝導率の高い材料で形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、CVD成膜に用いられ、液体有機金属や有機金属溶液等の液体材料を気化する気化器に関する。
半導体デバイス製造工程における薄膜形成方法の一つとしてMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法が知られている。このMOCVD法では、液体有機金属若しくは有機金属溶液等の液体材料をMOCVD装置の直前で気化して供給することにより、制御性および安定性を向上させ得る。この場合、高温に保たれた気化チャンバ内に噴射ノズルから液体材料を噴霧して、液体材料を気化させている。
液体材料の種類や気化チャンバ内の温度分布等によって、霧状の液体材料の総てが気化チャンバ内で気化されず、その一部が気化チャンバから配管を介してCVD装置側へと排出される場合がある。気化が不完全であると、排出された未気化の微粒子が配管中で固化して未気化残渣として残留したり、気化した材料ガスが再凝集してパーティクルが発生する。この未気化の微粒子やパーティクルがCVD装置まで達すると、成膜不良を生じさせる恐れがある。気化が不完全となる原因の1つに、霧状の液体材料に十分に熱が伝わらない点が挙げられる。そこで、従来は、気化チャンバに配設された複数のヒータの発熱量を独立に制御することにより、気化チャンバの温度を設定していた。(例えば、特許文献1参照)。
上記の従来技術では、未気化残渣やパーティクルの発生を防止するために、ヒータの発熱量を気化チャンバの領域毎に制御しているが、ヒータの熱を効率的に霧状の液体材料に伝達する点に関しては、必ずしも十分ではなかった。
(1)請求項1の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内の気化面に向けて噴霧し、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをCVD成膜装置に供給する気化器であって、気化面は、ステンレス鋼よりも熱伝導率の高い材料で形成されていることを特徴とする。
(2)請求項2の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内の気化面に向けて噴霧し、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをCVD成膜装置に供給する気化器であって、気化面は、非平滑面であることを特徴とする。その非平滑面は、メッシュ状または凹凸形状であることが好ましい。
(2)請求項2の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内の気化面に向けて噴霧し、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをCVD成膜装置に供給する気化器であって、気化面は、非平滑面であることを特徴とする。その非平滑面は、メッシュ状または凹凸形状であることが好ましい。
(3)請求項4の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温雰囲気中に噴霧する噴霧ノズル部と、噴霧された液体材料の微粒子を気化して材料ガスを生成する気化チャンバと、気化チャンバを加熱する加熱手段とを有し、気化チャンバには、液体材料の噴霧方向と直交して配置される少なくとも2つの加熱部材で仕切られる少なくとも3つの気化室が設けられ、各気化室が加熱部材を介して連通され、最終段の気化室がCVD成膜装置に接続されていることを特徴とする。その加熱部材は、メッシュ状または多孔形状を有する板材であることが好ましい。
(4)請求項6の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温雰囲気中に噴霧する噴霧ノズル部と、噴霧された前記液体材料の微粒子を気化して材料ガスを生成する気化室装置と、気化室装置を加熱する加熱手段とを有し、気化室装置は、噴霧ノズル部からの液体材料の微粒子を導入する第1の気化室と、第1の気化室と連通管で連通され、第1の気化室からの未気化の液体材料の微粒子を気化してCVD成膜装置に供給する第2の気化室とを少なくとも備えることを特徴とする。
(4)請求項6の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温雰囲気中に噴霧する噴霧ノズル部と、噴霧された前記液体材料の微粒子を気化して材料ガスを生成する気化室装置と、気化室装置を加熱する加熱手段とを有し、気化室装置は、噴霧ノズル部からの液体材料の微粒子を導入する第1の気化室と、第1の気化室と連通管で連通され、第1の気化室からの未気化の液体材料の微粒子を気化してCVD成膜装置に供給する第2の気化室とを少なくとも備えることを特徴とする。
(5)請求項7の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内の気化面に向けて噴霧し、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをCVD成膜装置に供給する気化器であって、気化チャンバの材料ガス排出口を通過する液体材料の微粒子の通過経路を延長する通路延長部材を設けたことを特徴とする。
本発明によれば、熱を効率的に霧状の液体材料に伝達する熱効率に優れる気化器を提供することができる。
以下、本発明による気化器について図1〜6を参照しながら説明する。同じ構成部品には同一符号を付し、説明を省略する。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の実施の形態による気化器の全体構造を模式的に示す断面図である。気化器1は、噴射ノズル部20と気化チャンバ30とを備えている。噴射ノズル部20には二重管21が設けられており、内側導管21aには、液体材料供給管L1が接続され、外側導管21bには、ガス供給管L2が接続されている。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の実施の形態による気化器の全体構造を模式的に示す断面図である。気化器1は、噴射ノズル部20と気化チャンバ30とを備えている。噴射ノズル部20には二重管21が設けられており、内側導管21aには、液体材料供給管L1が接続され、外側導管21bには、ガス供給管L2が接続されている。
二重管21の上部には冷却ジャケット22が設けられており、冷却ジャケット22には、冷却水供給管L3が接続され、冷却水路23内を冷却水Cが二重管21の軸周りに循環するような構成となっている。噴射ノズル部20の先端付近にはフランジ24が設けられており、フランジ24をボルト25で気化チャンバ30に締結することにより、噴射ノズル部20が気化チャンバ30に固定される。このとき、二重管21の先端部21cは、気化チャンバ30の気化室30aに露出する。
気化チャンバ30には加熱用ヒータ31が設けられており、気化チャンバ30の内壁32の温度が液体材料Mの気化温度程度となるように加熱される。気化チャンバ30の内壁32には、気化面S1が形成されている。仮想線で示される3次元領域Aは、噴射ノズル部20により気化室30a内に噴出する液体材料Mの噴出流の存在領域であり、この噴出流が当接する内壁32の表面部分を気化面と呼ぶ。気化面については後に詳述する。また、気化チャンバ30には、液体材料Mが気化して生成した材料ガスを外部に送出する排出口33が設けられている。排出口33は、成膜装置、例えばCVDリアクタ(不図示)へ配管接続されている。
液体材料MとキャリアガスG1が混合した気液混合物(M+G1)は、液体材料供給管L1から内側導管21aへ送出され、キャリアガスG2は、ガス供給管L2から外側導管21bへ送出される。液体材料Mは、液体有機金属や有機金属溶液であり、例えば、液体有機金属としてはCuやTaなどの有機金属があり、有機金属溶液としてはBa,Sr,Ti,Pb,Zrなどの有機金属をTHF(tetrahydrofuran)等の有機溶剤に溶かしたものがある。キャリアガスG1,G2は、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスである。
内側導管21aの内径は、液体材料供給管L1の内径よりも小さく絞られており、気液混合物(M+G1)は、内側導管21a内では気液2相流状態で流れ、内側導管21aの先端21cに到達する。一方、ガス供給管L2からのキャリアガスG2は、外側導管21bと内側導管21aとの間の環状空間を流れて、二重管21の先端21cから気化室30aへと噴出する。その結果、内側導管21aの先端21cから噴出する液体材料Mは、霧状の微粒子となって気化室30a内に噴出される。
霧状の液体材料Mのほとんど総ては、液体材料Mの気化温度程度に保持された内壁32、特に気化面S1と接触して気化する。また、一度気化した後に再凝集して生成したパーティクルPも、内壁32、特に気化面S1と接触して気化する。気化により生成する材料ガスVは、排出口33からCVDリアクタへと排出される。
気化を完全に行うためには、加熱用ヒータ31の電流値を上げて気化面S1或いは内壁32の温度を気化温度以上に高くすればよいが、エネルギー消費量が大きくなるという欠点がある。本実施の形態では、気化面S1に熱伝導率の高い材料を用い、加熱用ヒータ31からの熱エネルギーを効率良く霧状の液体材料Mへ与えることにより、未気化の液体微粒子の残留やパーティクルPの発生を低減する。
従来、気化チャンバ30の気化面S1或いは内壁32は、ステンレス鋼で作製されているが、本実施の形態では、気化面S1は、炭化珪素(SiC)で作製されている。SiCの熱伝導率は125W/m・Kであり、ステンレス鋼に対して約8倍高い値である。気化面S1の材質としてSiCを用いることにより、気化熱に相当する熱量を短時間で加熱用ヒータ31から霧状の液体材料Mへ供給できるので、未気化の液体微粒子Mが残留しなくなり、パーティクルPが発生しなくなる。熱伝導率の高い材料として、SiCの他に、アルミニウム、アルミニウム合金、銅などを用いることができる。
〈第2の実施の形態〉
図2および3は、本発明の第2の実施の形態による気化器の概略構成図である。第1の実施の形態と同様、気化器1は、噴射ノズル部20と気化チャンバ30とを備えており、3次元領域Aは、液体材料Mが霧状の噴出流として存在する領域である。本実施の形態では、第1の実施の形態と相違する特徴について説明する。
図2および3は、本発明の第2の実施の形態による気化器の概略構成図である。第1の実施の形態と同様、気化器1は、噴射ノズル部20と気化チャンバ30とを備えており、3次元領域Aは、液体材料Mが霧状の噴出流として存在する領域である。本実施の形態では、第1の実施の形態と相違する特徴について説明する。
図2に示される気化面S2は、メッシュ状を呈している。メッシュ状部材としては、ステンレス鋼の金網を積層圧縮したもの、ステンレス鋼の連続繊維をマット状に圧縮成形したもの、ステンレス鋼の短繊維や粉末を圧縮焼結したものが用いられる。本明細書では、このようなメッシュ状部材を非平滑面を有する部材と呼ぶ。メッシュ状部材は、多数の空隙を含むため、見かけの表面積は平滑な部材と比べるとはるかに大きい。液体微粒子Mは、空隙にトラップされ、気化熱に相当する熱量を十分に与えられるので、未気化の液体微粒子は存在しなくなる。また、気化面S2がメッシュ状であると、液体材料Mに含まれる気化しにくい不純物粒子をトラップできるので、これらがCVDリアクタへ排出されるのを防止する効果もある。
気化面S2を形成する材料として、ステンレス鋼よりも熱伝導率が高いアルミニウム、アルミニウム合金又は銅を用いると、より一層有効である。
気化面として、メッシュ状に代えて凹凸形状にしてもよい。図3に示される気化面S3は、凹凸が形成された面である。凹凸を有する部材としては、ステンレス鋼の板材に凹凸を形成する機械加工をしたものや板材表面に化学処理をしたものが用いられる。機械加工としては、切削、プレス、砥粒噴射(ブラスト)などがある。化学処理としては、エッチング液中浸漬による腐食がある。部材表面の凹凸に関しては、大きさ、深さ、存在密度は任意である。本明細書では、このような凹凸形状部材を非平滑面を有する部材と呼ぶ。このような凹凸を有する部材は、見かけの表面積が平滑な部材と比べると大きいので、メッシュ状部材と同様の作用で、未気化の液体微粒子Mは存在しなくなる。また、ステンレス鋼よりも熱伝導率が高いアルミニウム、アルミニウム合金又は銅を用いると、より一層有効である。
〈第3の実施の形態〉
図4は、本発明の第3の実施の形態による気化器の概略構成図である。図4に示される気化面S4は、貫通孔が多数形成された多孔板(加熱板)34a上に設けられた非平滑面である。第1の実施の形態と同様にヒータ31を備えた気化チャンバ30の気化室30a内には、多孔板34aに加えて、多孔板34b、34cが順に配置されている。多孔板34a,34b、34cには、それぞれ不図示のヒータが設けられ、液体材料Mの気化温度程度に加熱されている。多孔板34aは、気化チャンバ30の内壁32よりも噴射ノズル部20の先端21cに近い場所に位置する。B1は多孔板34aと34bの間の領域、B2は多孔板34bと34cの間の領域、B3は多孔板34cと内壁32の間の領域を示す。
図4は、本発明の第3の実施の形態による気化器の概略構成図である。図4に示される気化面S4は、貫通孔が多数形成された多孔板(加熱板)34a上に設けられた非平滑面である。第1の実施の形態と同様にヒータ31を備えた気化チャンバ30の気化室30a内には、多孔板34aに加えて、多孔板34b、34cが順に配置されている。多孔板34a,34b、34cには、それぞれ不図示のヒータが設けられ、液体材料Mの気化温度程度に加熱されている。多孔板34aは、気化チャンバ30の内壁32よりも噴射ノズル部20の先端21cに近い場所に位置する。B1は多孔板34aと34bの間の領域、B2は多孔板34bと34cの間の領域、B3は多孔板34cと内壁32の間の領域を示す。
図4では、先端21cから気化面S4までの3次元領域A´は、液体材料Mが霧状の噴出流として存在する領域である。霧状の液体材料Mは、気化面S4と多孔板34aの貫通孔37の内面による熱伝導や熱輻射を受けて気化する。気化によって生成した材料ガスVと未気化の液体微粒子Mは、貫通孔37を通過して空間領域B1に到達し、多孔板34bの貫通孔38を通過して空間領域B2に到達し、さらに多孔板34cの貫通孔39を通過して空間領域B3に到達する。未気化の液体微粒子Mは、貫通孔37〜39を通過する度に加熱されるので、最終的にほぼ完全に消滅して材料ガスVとなる。特に、多孔板34a、34b,34cを厚くすれば、貫通孔37〜39も長くなるので、未気化の液体微粒子Mの存在確率は、より一層減少する。
なお、多孔板は少なくとも2つ、多孔板によって仕切られる空間領域は少なくとも3つ備えていればよい。
また、このような多段構造において、多孔板の代わりにメッシュ状やフィルタ状の部材を用いても、同様の効果が得られる。さらに、多孔板、メッシュ状部材、フィルタ状部材として、熱伝導率の高いアルミニウム、アルミニウム合金、銅などを用いると、より一層大きな効果が得られる。
また、このような多段構造において、多孔板の代わりにメッシュ状やフィルタ状の部材を用いても、同様の効果が得られる。さらに、多孔板、メッシュ状部材、フィルタ状部材として、熱伝導率の高いアルミニウム、アルミニウム合金、銅などを用いると、より一層大きな効果が得られる。
〈第4の実施の形態〉
図5は、本発明の第4の実施の形態による気化器の概略構成図である。図5に示されるように、本実施の形態では、密閉筺体35内に多段構成の気化室装置40が設けられている。気化室装置40は、液体材料Mの導入口41から排気口42までの間に内部が空洞の小室(気化室)40a〜40dを有し、また、小室と小室との間は、複数の管で配管接続されている。排気口42は、密閉筺体35に設けられた排出口33に接続されている。気化室装置40は、密閉筺体35内に設けられたランプヒータ43により全体が液体材料Mの気化温度程度に加熱される。
図5は、本発明の第4の実施の形態による気化器の概略構成図である。図5に示されるように、本実施の形態では、密閉筺体35内に多段構成の気化室装置40が設けられている。気化室装置40は、液体材料Mの導入口41から排気口42までの間に内部が空洞の小室(気化室)40a〜40dを有し、また、小室と小室との間は、複数の管で配管接続されている。排気口42は、密閉筺体35に設けられた排出口33に接続されている。気化室装置40は、密閉筺体35内に設けられたランプヒータ43により全体が液体材料Mの気化温度程度に加熱される。
霧状の液体材料Mは、その大部分が導入口41から気化室装置40内に入り、ランプヒータ43からの輻射熱により加熱され、ほぼ完全に気化し、材料ガスVとして排気口42を経由して排出口33から不図示のCVDリアクタへと排出される。液体材料微粒子Mは、気化室装置40内、特に小室40a〜40d内で自由に運動し、内面衝突を繰り返しながら排気口42へと移動してゆく。液体材料微粒子Mは、このように長い行程をとるので、気化室装置40から十分に気化熱を受け取ることができる。また、気化室装置40は、ランプヒータ43からの輻射熱により加熱され、気化室装置40全体の温度が均一となるために、高効率の熱伝導効果が得られる。なお、小室は、2つ以上であればいくつ設けてもよい。
〈第5の実施の形態〉
図6は、本発明の第5の実施の形態による気化器の概略構成図である。図6(a)に示されるように、本実施の形態では、気化チャンバ30の気化室30a内に、排出口33を覆うようにスリット付きフィルタ50が設けられている。図6(b)は、スリット付きフィルタ50の構造を模式的に示す透視図である。フィルタ50は、中央部に貫通穴51が形成され、外周から貫通穴51に向かって延在するスリット52が複数形成され、内部にヒータが組み込まれた円板である。通常は、液体材料微粒子Mは、気化チャンバ30の気化面32aや内壁32でほぼ完全に気化するが、前述したように未気化微粒子Mが僅かに残存する場合には、フィルタ50によってその未気化微粒子Mを気化させることができる。未気化微粒子Mは、スリット52内を内面衝突を繰り返しながら貫通穴51へと移動し、CVDリアクタへ排出される。フィルタ50を設けることにより、液体材料微粒子Mの気化はより一層完全になる。フィルタ50は、1枚でもよいし、2枚以上を多段に配置してもよい。なお、未気化微粒子Mの通過経路を延長するものであれば、スリットのみに限定されず、例えば細管でもよい。また、スリット付きフィルタ50にヒータを設けず、気化チャンバ30の内壁32からの熱伝導により、フィルタ50を加熱してもよい。
図6は、本発明の第5の実施の形態による気化器の概略構成図である。図6(a)に示されるように、本実施の形態では、気化チャンバ30の気化室30a内に、排出口33を覆うようにスリット付きフィルタ50が設けられている。図6(b)は、スリット付きフィルタ50の構造を模式的に示す透視図である。フィルタ50は、中央部に貫通穴51が形成され、外周から貫通穴51に向かって延在するスリット52が複数形成され、内部にヒータが組み込まれた円板である。通常は、液体材料微粒子Mは、気化チャンバ30の気化面32aや内壁32でほぼ完全に気化するが、前述したように未気化微粒子Mが僅かに残存する場合には、フィルタ50によってその未気化微粒子Mを気化させることができる。未気化微粒子Mは、スリット52内を内面衝突を繰り返しながら貫通穴51へと移動し、CVDリアクタへ排出される。フィルタ50を設けることにより、液体材料微粒子Mの気化はより一層完全になる。フィルタ50は、1枚でもよいし、2枚以上を多段に配置してもよい。なお、未気化微粒子Mの通過経路を延長するものであれば、スリットのみに限定されず、例えば細管でもよい。また、スリット付きフィルタ50にヒータを設けず、気化チャンバ30の内壁32からの熱伝導により、フィルタ50を加熱してもよい。
これら第1〜第5の実施の形態は、2つ以上を組み合わせて用いることができる。例えば、第1と第2の実施の形態を組み合わせて、気化面を熱伝導率の良い非平滑面とすれば、熱効率は単独のものよりも向上する。また、第1、第2および第5の実施の形態を組み合わせて、気化面を熱伝導率の良い非平滑面とした上でスリット付きフィルタを排出口に設ければ、熱効率はより一層向上する。
1:気化器
20:噴射ノズル部
30:気化チャンバ
30a:気化室
31:ヒータ
32:内壁
33:排出口
40:導管
50:スリット付きフィルタ
M:液体材料(液体材料微粒子)
A:3次元領域
P:パーティクル
V:材料ガス
S1,S2,S3,S4,S6:気化面
20:噴射ノズル部
30:気化チャンバ
30a:気化室
31:ヒータ
32:内壁
33:排出口
40:導管
50:スリット付きフィルタ
M:液体材料(液体材料微粒子)
A:3次元領域
P:パーティクル
V:材料ガス
S1,S2,S3,S4,S6:気化面
Claims (7)
- 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内の気化面に向けて噴霧し、噴霧された前記液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをCVD成膜装置に供給する気化器において、
前記気化面は、ステンレス鋼よりも熱伝導率の高い材料で形成されていることを特徴とする気化器。 - 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内の気化面に向けて噴霧し、噴霧された前記液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをCVD成膜装置に供給する気化器において、
前記気化面は、非平滑面であることを特徴とする気化器。 - 請求項2に記載の気化器において、
前記非平滑面は、メッシュ状または凹凸形状であることを特徴とする気化器。 - 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温雰囲気中に噴霧する噴霧ノズル部と、
噴霧された前記液体材料の微粒子を気化して材料ガスを生成する気化チャンバと、
前記気化チャンバを加熱する加熱手段とを有し、
前記気化チャンバには、前記液体材料の噴霧方向と直交して配置される少なくとも2つの加熱部材で仕切られる少なくとも3つの気化室が設けられ、各気化室が前記加熱部材を介して連通され、最終段の気化室がCVD成膜装置に接続されていることを特徴とする気化器。 - 請求項4に記載の気化器において、
前記加熱部材は、メッシュ状または多孔形状を有する板材であることを特徴とする気化器。 - 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温雰囲気中に噴霧する噴霧ノズル部と、
噴霧された前記液体材料の微粒子を気化して材料ガスを生成する気化室装置と、
前記気化室装置を加熱する加熱手段とを有し、
前記気化室装置は、
前記噴霧ノズル部からの液体材料の微粒子を導入する第1の気化室と、
前記第1の気化室と連通管で連通され、前記第1の気化室からの未気化の液体材料の微粒子を気化してCVD成膜装置に供給する第2の気化室とを少なくとも備えることを特徴とする気化器。 - 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内の気化面に向けて噴霧し、噴霧された前記液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをCVD成膜装置に供給する気化器において、
前記気化チャンバの材料ガス排出口を通過する前記液体材料の微粒子の通過経路を延長する通路延長部材を設けたことを特徴とする気化器。
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Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007029726A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Lintec Co., Ltd. | 低温度で液体原料を気化させることのできる液体原料の気化方法および該方法を用いた気化器 |
JP2008001986A (ja) * | 2006-06-03 | 2008-01-10 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | 気化チューブを備えた物質の気化装置 |
WO2011040067A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
KR20110068554A (ko) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 시스템 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
JP2011131141A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Noritz Corp | 蒸発装置及びこれを用いた燃料電池システム |
WO2011101276A1 (en) | 2010-02-18 | 2011-08-25 | Höganäs Ab | Ferromagnetic powder composition and method for its production |
KR101217517B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2013-01-02 | (주)에이디에스 | 증착 원료 분사 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 |
KR101244096B1 (ko) | 2007-09-28 | 2013-03-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기화기 및 성막 장치 |
JP2013078754A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-05-02 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
JP2013154336A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-15 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
JP2013232624A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、気化システムおよびミストフィルタ |
TWI416007B (zh) * | 2005-07-11 | 2013-11-21 | Praxair Technology Inc | 低蒸氣壓氣體系統 |
JP2013237006A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
JP2014018693A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Ckd Corp | 液体制御装置、及び液体制御装置に適用される網状体組立体 |
KR101363395B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2014-02-21 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 이용한 유기 박막 증착 장치와유기 박막 증착 방법 |
US8755679B2 (en) | 2006-04-05 | 2014-06-17 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporizer |
US9010736B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-04-21 | Cdk Corporation | Liquid control apparatus |
US9031391B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-05-12 | Ckd Corporation | Woven mesh form liquid control apparatus |
US9127359B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-09-08 | Ckd Corporation | Liquid vaporizer |
JP2017521563A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-08-03 | アイクストロン、エスイー | 複数の液体または固体の原材料からcvdまたはpvd装置のために蒸気を生成する蒸気発生装置および蒸気発生方法 |
CN115613005A (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 雾化装置与薄膜沉积系统 |
-
2003
- 2003-08-07 JP JP2003289011A patent/JP2005057193A/ja active Pending
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI416007B (zh) * | 2005-07-11 | 2013-11-21 | Praxair Technology Inc | 低蒸氣壓氣體系統 |
US8162298B2 (en) | 2005-09-09 | 2012-04-24 | Lintec Co., Ltd | Method for vaporizing liquid material capable of vaporizing liquid material at low temperature and vaporizer using the same |
WO2007029726A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Lintec Co., Ltd. | 低温度で液体原料を気化させることのできる液体原料の気化方法および該方法を用いた気化器 |
US7975993B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-07-12 | Lintec Co., Ltd | Method for vaporizing liquid material capable of vaporizing liquid material at low temperature and vaporizer using the same |
US8755679B2 (en) | 2006-04-05 | 2014-06-17 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporizer |
JP2008001986A (ja) * | 2006-06-03 | 2008-01-10 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | 気化チューブを備えた物質の気化装置 |
KR101244096B1 (ko) | 2007-09-28 | 2013-03-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기화기 및 성막 장치 |
KR101363395B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2014-02-21 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 이용한 유기 박막 증착 장치와유기 박막 증착 방법 |
KR101217517B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2013-01-02 | (주)에이디에스 | 증착 원료 분사 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 |
JP2011097088A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Ckd Corp | 液体気化システム |
CN102470282A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-05-23 | Ckd株式会社 | 液体汽化系统 |
TWI414361B (zh) * | 2009-09-30 | 2013-11-11 | Ckd Corp | Liquid vaporization system |
US8361231B2 (en) | 2009-09-30 | 2013-01-29 | Ckd Corporation | Liquid vaporization system |
KR101234409B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2013-02-18 | 시케이디 가부시키가이샤 | 액체 기화 시스템 |
JP4673449B1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-20 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
WO2011040067A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
KR20110068554A (ko) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 시스템 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
KR101639732B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2016-07-15 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 시스템 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
JP2011131141A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Noritz Corp | 蒸発装置及びこれを用いた燃料電池システム |
WO2011101276A1 (en) | 2010-02-18 | 2011-08-25 | Höganäs Ab | Ferromagnetic powder composition and method for its production |
US9127359B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-09-08 | Ckd Corporation | Liquid vaporizer |
US9010736B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-04-21 | Cdk Corporation | Liquid control apparatus |
US9031391B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-05-12 | Ckd Corporation | Woven mesh form liquid control apparatus |
JP2013154336A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-15 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
US9266130B2 (en) | 2012-02-01 | 2016-02-23 | Ckd Corporation | Liquid control apparatus |
JP2013078754A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-05-02 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
JP2013232624A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、気化システムおよびミストフィルタ |
JP2013237006A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Ckd Corp | 液体制御装置 |
KR101928107B1 (ko) | 2012-05-15 | 2018-12-11 | 시케이디 가부시키가이샤 | 액체 제어 장치 |
JP2014018693A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Ckd Corp | 液体制御装置、及び液体制御装置に適用される網状体組立体 |
US9022366B2 (en) | 2012-07-12 | 2015-05-05 | Ckd Corporation | Liquid control device and mesh-like body assembly applied thereto |
JP2017521563A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-08-03 | アイクストロン、エスイー | 複数の液体または固体の原材料からcvdまたはpvd装置のために蒸気を生成する蒸気発生装置および蒸気発生方法 |
CN115613005A (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 雾化装置与薄膜沉积系统 |
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