JP2005051006A - 気化器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 噴霧された液体材料微粒子の大径化を防止し、気化チャンバ内での液体材料微粒子の分布を均一にする気化器を提供すること。
【解決手段】 気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料MとキャリアガスG1とを混合した気液混合物(M+G1)を二重管10の先端部10Bから噴霧し、噴霧された液体材料Mを気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する。
二重管10は、気液混合物(M+G1)を移送する内側導管10aと、気液混合物(M+G1)を霧化するための霧化用ガスG2を移送する外側導管10bとを有するとともに、内側導管10aと外側導管10bとの間の筒状空間R1に、二重管10と軸方向を同一とする複数の細管13を有する。
【選択図】 図2
【解決手段】 気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料MとキャリアガスG1とを混合した気液混合物(M+G1)を二重管10の先端部10Bから噴霧し、噴霧された液体材料Mを気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する。
二重管10は、気液混合物(M+G1)を移送する内側導管10aと、気液混合物(M+G1)を霧化するための霧化用ガスG2を移送する外側導管10bとを有するとともに、内側導管10aと外側導管10bとの間の筒状空間R1に、二重管10と軸方向を同一とする複数の細管13を有する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、液体有機金属や有機金属溶液等の液体材料を気化し、気化した材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化器に関する。
半導体デバイス製造工程における薄膜形成方法の一つとしてMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法が知られている。このMOCVD法では、液体有機金属若しくは有機金属溶液等の液体材料をMOCVD装置の直前で気化して供給することにより、制御性および安定性を向上させ得る。この場合、高温に保たれた気化チャンバ内に噴射ノズルから液体材料を噴霧して、液体材料を気化させている。
液体材料の種類や気化チャンバ内の温度分布等によって、霧状の液体材料の総てが気化チャンバ内で気化されず、その一部が気化チャンバから配管を介してCVD装置側へと排出される場合がある。気化が不完全であると、排出された未気化の微粒子が配管中で固化して未気化残渣として残留したり、気化した材料ガスが再凝集してパーティクルが発生する。この未気化の微粒子やパーティクルがCVD装置まで達すると、成膜不良を生じさせる恐れがある。気化が不完全となる原因の1つに、液体材料が均一な霧状にならないことが挙げられる。従来技術としては、液体材料の霧化を促進するために、噴射ノズルの先端にオリフィス部材を設けた気化器が知られている(例えば、特許文献1参照)。
上記のオリフィス部材は、霧化用ガスの流速を調整して霧化を効率的に行うことができる。しかし、オリフィス部材でガスの流速を調整しても、霧状の液体材料微粒子の粒子径が大きくなるのを防止し、気化チャンバ内での液体材料微粒子の分布を均一にすることは、必ずしも十分ではなかった。
(1)請求項1の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、噴霧された液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、噴射ノズルは、気液混合材料を移送する内側導管と、この内側導管が挿入され、気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側導管と、内側導管内において、該内側導管と軸方向を同一に設けられる複数の細管とを有することを特徴とする。
(2)請求項2の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、噴霧された液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、噴射ノズルは、気液混合材料を移送する内側導管と、この内側導管が挿入され、気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側導管と、内側導管と外側導管との間の筒状空間において、内側および外側導管と軸方向を同一に設けられる複数の細管とを有することを特徴とする。
(3)請求項3の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、噴霧された液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、噴射ノズルは、気液混合材料を移送する内側導管および気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側導管とを有する二重管構造であり、二重管構造の先端部の外周には、前記内側導管と外側導管とを取り囲み、パージ用ガスを噴出するパージ用ガス噴出部を設けることを特徴とする。このパージ用ガスは、加熱されたヘリウムガスであることが好ましい。
(4)請求項1〜4の気化器は、二重管の先端部付近で、内側導管と外側導管との間の間隙を減少するためのオリフィス部材をさらに設けることができる。
(4)請求項1〜4の気化器は、二重管の先端部付近で、内側導管と外側導管との間の間隙を減少するためのオリフィス部材をさらに設けることができる。
(5)請求項6の気化器は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、噴霧された液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、噴射ノズルは、気液混合材料を移送する内側通路および気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側通路とが形成された石英管と、石英管の外周面との間に、該石英管の外側通路に霧化用ガスを供給するための通路を形成する管状部材とを有することを特徴とする。
本発明によれば、液体材料微粒子の粒子径を一定とし、その分布を均一とする気化器を提供することができる。
以下、本発明による気化器について図1〜5を参照しながら説明する。同じ構成部品には同一符号を付し、説明を省略する。
〈第1の実施の形態〉
図1(a)は、第1の実施の形態の気化器の全体構成を示す断面図である。図1(b)は、図1(a)の上端部10A付近を拡大した断面図である。
気化器100は、噴射ノズル1と気化チャンバ2とを備えている。噴射ノズル1には、図1(b)に示されるように、内側の導管10aと外側の導管10bとから成る二重管10が設けられている。二重管10は、上端部10Aにおいて、内側導管10aが液体材料供給管3と配管接続されるとともに、内側導管10aと外側導管10bとから形成される環状開口がガス供給管5に対して開放された構造になっている。また、二重管10の先端部10Bに近接してオリフィス板11が配設されている。プラグ・ナット構造の継手4は、内側導管10aと液体材料供給管3とを接続するために用いられる。
〈第1の実施の形態〉
図1(a)は、第1の実施の形態の気化器の全体構成を示す断面図である。図1(b)は、図1(a)の上端部10A付近を拡大した断面図である。
気化器100は、噴射ノズル1と気化チャンバ2とを備えている。噴射ノズル1には、図1(b)に示されるように、内側の導管10aと外側の導管10bとから成る二重管10が設けられている。二重管10は、上端部10Aにおいて、内側導管10aが液体材料供給管3と配管接続されるとともに、内側導管10aと外側導管10bとから形成される環状開口がガス供給管5に対して開放された構造になっている。また、二重管10の先端部10Bに近接してオリフィス板11が配設されている。プラグ・ナット構造の継手4は、内側導管10aと液体材料供給管3とを接続するために用いられる。
二重管10の上部には、冷却水供給管6に接続された冷却ジャケット7が設けられており、冷却ジャケット7の冷却水路7a内を冷却水が二重管10の軸周りに循環するように構成されている。冷却ロッド8は、上端が冷却ジャケット7に貫挿されるとともに、二重管10の外周側面に接して取り囲むように配設されている。
噴射ノズル1の下方には、ケーシング9が設けられており、ケーシング9と一体のフランジ9aをボルト9bで気化チャンバ2に締結することにより、噴射ノズル1が気化チャンバ2に固定される。このとき、二重管10の先端部10Bは、気化チャンバ2の気化室2aに露出する。
気化チャンバ2には、複数箇所に加熱用ヒータhが設けられており、ヒータhにより気化チャンバ2の内壁2bの温度が液体材料の気化温度程度となるように加熱される。また、気化チャンバ2には、液体材料が気化して生成した材料ガスを外部に送出する排出口2cが設けられている。排出口2cは、不図示のCVD成膜装置へ配管接続されている。
液体材料MとキャリアガスG1が混合した気液混合物(M+G1)は、液体材料供給管3から内側導管10aへ導入され、霧化用ガスG2は、ガス供給管5から環状開口を経て外側導管10bへ導入される。液体材料Mは、液体有機金属や有機金属溶液であり、例えば、液体有機金属としてはCuやTaなどの有機金属があり、有機金属溶液としてはBa,Sr,Ti,Pb,Zrなどの有機金属をTHF(tetrahydrofuran)等の有機溶剤に溶かしたものがある。キャリアガスG1および霧化用ガスG2は、窒素やアルゴンなどの不活性ガスである。
気液混合物(M+G1)は、液体材料供給管3の内径が絞られた箇所から気液2相流となり、内側導管10a内では気液2相流状態で流れ、二重管10の先端部10Bに到達する。気液2相流とは、気体が導管の内壁に沿って流れ、液体が気体に包まれるようにして流れ、気体と液体とが相分離している流れを指す。一方、ガス供給管5から供給される霧化用ガスG2は、上端部10Aで内側導管10aと外側導管10bとから形成される環状開口から二重管10内に流れ込み、筒状空間R1を流れ、二重管10の先端部10Bから気化室2a内に噴出する。
二重管10の先端部10Bでは、オリフィス板11により筒状空間が絞られているために、キャリアガスG2の流速が大きくなる。この霧吹きの作用によって、二重管10の先端部10Bに到達した液体材料Mは、霧状の微粒子となって気化室2a内に噴出する。霧状の微粒子が分布している領域は、略円錐状の3次元領域Aで表わされている。霧状の液体材料微粒子は、気化室2a内で気化し、材料ガスとして排出口2cから送出される。
本発明は、噴射ノズル先端部の構造に特徴があり、以下、図2〜5を参照しながら、噴射ノズル先端部について説明する。
図2(a)は、第1の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図であり、図2(b)は、図2(a)のI−I断面図である。
二重管10は、例えばステンレス鋼で製作され、内側導管10aは、外側導管10bより突出しており、この突出部がオリフィス板11の穴部に貫挿されており、筒状空間R1は、オリフィス板11の穴部で細く絞られた構造になっている。そのため、図中、上から下へ筒状空間R1を流れる霧化用ガスG2は、オリフィス板11の位置で流速が大きくなる。オリフィス板11は、オリフィス板11の穴部と内側導管10aとの間隙を全周で一定に保つように、ノズルリング12で固定される。すなわち、オリフィス板11は、押えリング12bを介して固定リング12aをケーシング9に螺合することにより固定される。筒状空間R1の横断面における幅が均一になるために、霧状の微粒子の分布も均一になる。
図2(a)は、第1の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図であり、図2(b)は、図2(a)のI−I断面図である。
二重管10は、例えばステンレス鋼で製作され、内側導管10aは、外側導管10bより突出しており、この突出部がオリフィス板11の穴部に貫挿されており、筒状空間R1は、オリフィス板11の穴部で細く絞られた構造になっている。そのため、図中、上から下へ筒状空間R1を流れる霧化用ガスG2は、オリフィス板11の位置で流速が大きくなる。オリフィス板11は、オリフィス板11の穴部と内側導管10aとの間隙を全周で一定に保つように、ノズルリング12で固定される。すなわち、オリフィス板11は、押えリング12bを介して固定リング12aをケーシング9に螺合することにより固定される。筒状空間R1の横断面における幅が均一になるために、霧状の微粒子の分布も均一になる。
図2(b)に示されるように、内側導管10aの内部には、多数の細管13がその軸方向を内側導管10aの軸方向に揃えて稠密に設けられている。図2(a)中、上から下へ内側導管10a内を流れる気液混合物(M+G1)は、各々の細管13で気液2相流状態を保ったまま先端部10Bに到達し、気化チャンバ内に噴霧される。また、内側導管10aの横断面が細管13によって細分化されるので、気液2相流は層流を維持し易くなる。内側導管10a内部に多数の細管を設けることにより、液体微粒子は、一層微細になるとともに、粒子径の大きなものが生じなくなる。さらに、内側導管10aの軸周りの液体微粒子の分布も均一となる。
〈第2の実施の形態〉
図3(a)は、第2の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図であり、図3(b)は、図3(a)のII−II断面図である。本実施の形態の気化器は、図1に示される気化器と同様であり、第1の実施の形態と異なる特徴について説明する。
図3(b)に示されるように、内側導管20aと外側導管20bとで形成される筒状空間R2に、多数の細管23がその軸方向を内側導管20および外側導管20bの軸方向に揃えて稠密に設けられている。
図3(a)は、第2の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図であり、図3(b)は、図3(a)のII−II断面図である。本実施の形態の気化器は、図1に示される気化器と同様であり、第1の実施の形態と異なる特徴について説明する。
図3(b)に示されるように、内側導管20aと外側導管20bとで形成される筒状空間R2に、多数の細管23がその軸方向を内側導管20および外側導管20bの軸方向に揃えて稠密に設けられている。
図3(a)中、上から下へ筒状空間R2、すなわち多数の細管23内を流れる霧化用ガスG2は、筒状空間R2の横断面上では、内周部も外周部もガスの流れは均一になる。また、多数の細管23が内側導管20aと外側導管20bとの間隔を一定に保持するスペーサーの役割をするので、二重管20の全周にわたって噴出するガス量やガス流速が均等になる。従って、噴霧された液体微粒子が均一に分布するとともに、液体微粒子同士が結合してより大きな微粒子を形成することがなくなる。
〈第3の実施の形態〉
図4は、第3の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図である。である。本実施の形態の気化器は、図1に示される気化器と同様であり、第1の実施の形態と異なる特徴について説明する。
二重管30の内側導管30aは、外側導管30bより気化器側に突出しており、この突出部がオリフィス板11の穴部に貫挿されており、筒状空間R3は、オリフィス板11の穴部で細く絞られた構造になっている。オリフィス板11は、押えリング112bを介して固定リング112aをケーシング9に螺合することにより固定される。
図4は、第3の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図である。である。本実施の形態の気化器は、図1に示される気化器と同様であり、第1の実施の形態と異なる特徴について説明する。
二重管30の内側導管30aは、外側導管30bより気化器側に突出しており、この突出部がオリフィス板11の穴部に貫挿されており、筒状空間R3は、オリフィス板11の穴部で細く絞られた構造になっている。オリフィス板11は、押えリング112bを介して固定リング112aをケーシング9に螺合することにより固定される。
本実施の形態では、ケーシング9を取り囲むようにパージ用ガス噴出部50が設けられいる。パージ用ガス噴出部50は、導入経路51、加熱器52および噴出経路53を有する。不図示のパージ用ガス供給部から導入経路51に導入された窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等のパージ用ガスG3は、加熱器52で所定温度に加熱され、噴出経路53から気化チャンバ内に噴出する。噴出したパージ用ガスG3は、霧化用ガスG2の噴流により進路を曲げられた後に、3次元領域Aの周囲を取り囲むように、図中、ガス流領域Bを下方へ流れていく。
噴出経路53は、二重管30の軸方向に対して角度θだけ傾斜して設けられている。気液混合物(M+G1)の噴霧中に、パージ用ガスG3を噴出させると、加熱作用により気化を促進するとともに、噴出圧により噴射ノズル先端部30Bに未気化の液体微粒子や固体の生成物が付着するのを防止できる。特に、パージ用ガスG3を用いることにより、筒状空間R3の周辺への液体微粒子や固体の生成物の付着がなくなり、噴射ノズル先端部30Bが清浄に保たれるので、噴霧された液体微粒子が均一に分布するとともに、液体微粒子同士が結合してより大きな微粒子を形成することがなくなる。なお、パージ用ガスG3の噴出圧の効力は、角度θにより変えることができる。
3次元領域Aに分布する霧状の液体微粒子は、気化チャンバ内の高温に加えて、パージ用ガスG3の高温によって気化が促進される。パージ用ガスG3として熱伝導率の高いヘリウムガスを用いると、より一層気化効率が向上する。また、気化チャンバの内壁、フィルタ、排出口に設けられるメッシュ部材やスリット板等に残留した未気化の液体微粒子がヘリウムガスに覆われると、熱が伝わり易くなるため、未気化残渣の発生も極めて少なくなる。
上述した第1〜第3の実施の形態では、オリフィス部材が設けられている気化器について説明したが、オリフィス部材を設けずに、二重管の先端部付近で内側導管と外側導管との間の間隙を減少するように二重管を構成することができる。
〈第4の実施の形態〉
図5(a)は、第4の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図である。図5(b)は、図5(a)のIII−III断面図であり、図5(c)は、図5(a)のIV−IV断面図である。本実施の形態の気化器は、図1に示される気化器と同様であり、第1の実施の形態と異なる特徴について説明する。
図5(a)は、第4の実施の形態の気化器の噴射ノズル先端部の構造を示す部分断面図である。図5(b)は、図5(a)のIII−III断面図であり、図5(c)は、図5(a)のIV−IV断面図である。本実施の形態の気化器は、図1に示される気化器と同様であり、第1の実施の形態と異なる特徴について説明する。
石英管40は、その中心に内側通路40aが形成され、先端部近傍では、内側通路40aの外周部に外側通路40bが石英ガラスで一体に製作される。石英管40は、第1〜第3の実施の形態における二重管に対応するものである。霧化用ガスG2は、図5(a)中、上から下へ管状部材42と石英管40との間隙Sを流れる。管状部材42は、第1〜第3の実施の形態における冷却ロッド8で代用することができる。
図5(b)に示される横断面では、間隙Sと筒状空間R4は連通していないが、図5(c)に示される横断面では、間隙Sと筒状空間R4は連通している。従って、この連通部分から霧化用ガスG2が筒状空間R4に流入し、石英管40の先端部40Bから気化チャンバ内へ噴出する。穴明き板41の穴部は、外側通路40bの外周面と接触し、この接触部分により間隙Sがシールされるので、霧化用ガスG2は漏出しない。なお、筒状空間R4は、先端部40B付近で狭められているので、第1〜第3の実施の形態におけるオリフィス板11を設ける必要がない。
石英管40を用いると、ネブライザ等で実績のあるガラス加工の手法を利用できるので、金属加工に比較して、内側通路40aと外側通路40bとの間隔を一定に加工する精度を高くすることができる。また、石英管40は、元々、面粗さが小さいので、気液混合物(M+G1)の気液2相流が乱れなくなるとともに、通路の内外周面を研磨する加工を省略できる。さらに、内側通路40aと外側通路40bとは先端部40Bの端面が同一面上にあるので、端面をフラットにする加工も容易である。従って、石英管40を用いることにより、その全周にわたって噴出するガス量やガス流速が均等になるため、噴霧された液体微粒子が均一に分布するとともに、液体微粒子同士が結合してより大きな微粒子を形成することがなくなる。
本発明は、上記の実施の形態を組み合わせて用いてもよい。例えば、第1と第2の実施の形態の組み合わせ、第1と第3の実施の形態の組み合わせ、第2と第3の実施の形態の組み合わせ、および第2と第3の実施の形態の組み合わせが挙げられる。
1:噴射ノズル
2:気化チャンバ
3:液体材料供給管
5:ガス供給管
6:冷却水供給管
8:冷却ロッド
10,20,30:二重管
10a,20a,30a:内側導管
10b,20b,30b:外側導管
11:オリフィス板
12:ノズルリング
13,23:細管
40:石英管
50:パージ用ガス噴出部
100:気化器
A:3次元領域
M+G1:気液混合物
G2:霧化用ガス
G3:パージ用ガス
R1,R2,R3,R4:筒状空間
2:気化チャンバ
3:液体材料供給管
5:ガス供給管
6:冷却水供給管
8:冷却ロッド
10,20,30:二重管
10a,20a,30a:内側導管
10b,20b,30b:外側導管
11:オリフィス板
12:ノズルリング
13,23:細管
40:石英管
50:パージ用ガス噴出部
100:気化器
A:3次元領域
M+G1:気液混合物
G2:霧化用ガス
G3:パージ用ガス
R1,R2,R3,R4:筒状空間
Claims (6)
- 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、
噴霧された前記液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、
前記噴射ノズルは、
前記気液混合材料を移送する内側導管と、
前記内側導管が挿入され、前記気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側導管と、
前記内側導管内において、該内側導管と軸方向を同一に設けられる複数の細管とを有することを特徴とする気化器。 - 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、
噴霧された前記液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、
前記噴射ノズルは、
前記気液混合材料を移送する内側導管と、
前記内側導管が挿入され、前記気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側導管と、
前記内側導管と外側導管との間の筒状空間において、前記内側および外側導管と軸方向を同一に設けられる複数の細管とを有することを特徴とする気化器。 - 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、
噴霧された前記液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、
前記噴射ノズルは、前記気液混合材料を移送する内側導管および前記気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側導管とを有する二重管構造であり、
前記二重管構造の先端部の外周には、前記内側導管と外側導管とを取り囲み、パージ用ガスを噴出するパージ用ガス噴出部を設けることを特徴とする気化器。 - 請求項3に記載の気化器において、
前記パージ用ガスは、加熱されたヘリウムガスであることを特徴とする気化器。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の気化器において、
前記噴射ノズルの先端部付近で前記内側導管と外側導管との間の間隙を減少するためのオリフィス部材をさらに設けることを特徴とする気化器。 - 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料とキャリアガスとを混合した気液混合材料を噴霧する噴射ノズルと、
噴霧された前記液体材料を気化し、気化された材料ガスをCVD成膜装置へ供給する気化チャンバとを備え、
前記噴射ノズルは、
前記気液混合材料を移送する内側通路および前記気液混合材料を霧化するための霧化用ガスを移送する外側通路とが形成された石英管と、
前記石英管の外周面との間に、前記石英管の外側通路に前記霧化用ガスを供給するための通路を形成する管状部材とを有することを特徴とする気化器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=34266522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003280815A Pending JP2005051006A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 気化器 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2005051006A (ja) |
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2003
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