JP2006132003A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006132003A JP2006132003A JP2005322613A JP2005322613A JP2006132003A JP 2006132003 A JP2006132003 A JP 2006132003A JP 2005322613 A JP2005322613 A JP 2005322613A JP 2005322613 A JP2005322613 A JP 2005322613A JP 2006132003 A JP2006132003 A JP 2006132003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- thin film
- gas line
- deposition apparatus
- film deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】 基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバ110と、チャンバ110に供給される液状の原料ケミカルが収容されるカニスタ130と、カニスタ130からバブリングされて供給される原料ケミカルを気化させてチャンバ110に供給する気化器120とを備える薄膜蒸着装置において、気化器120は、アダプタブロック125によってチャンバ110の上部や側部に一体化され、気化器120とチャンバ110との間の第1ガスラインL1は、アダプタブロック125の内部に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置である。これにより、高温の気化温度を有する原料ケミカルを効果的に使用できることとなる。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバ110と、チャンバ110に供給される液状の原料ケミカルが収容されるカニスタ130と、カニスタ130からバブリングされて供給される原料ケミカルを気化させてチャンバ110に供給する気化器120とを備える薄膜蒸着装置において、気化器120は、アダプタブロック125によってチャンバ110の上部や側部に一体化され、気化器120とチャンバ110との間の第1ガスラインL1は、アダプタブロック125の内部に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置である。これにより、高温の気化温度を有する原料ケミカルを効果的に使用できることとなる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、薄膜蒸着装置に関する。より詳細には、気化温度が高い原料ケミカルを使用できる薄膜蒸着装置に関する。
図1は、従来の薄膜蒸着装置の概略的な構成図である。
図示されているように、一般的な薄膜蒸着装置は、基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバ10と、そのチャンバ10に供給される液状の原料ケミカル(被膜の原料となる化学種)が収容されるカニスタ30と、カニスタ30から供給される原料ケミカルを気化させてチャンバ10に供給する気化器(キャブレータ)20とを備える。原料ケミカルは、カニスタ30から気化器20に供給されるときにはバブリングされた状態にある。
図示されているように、一般的な薄膜蒸着装置は、基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバ10と、そのチャンバ10に供給される液状の原料ケミカル(被膜の原料となる化学種)が収容されるカニスタ30と、カニスタ30から供給される原料ケミカルを気化させてチャンバ10に供給する気化器(キャブレータ)20とを備える。原料ケミカルは、カニスタ30から気化器20に供給されるときにはバブリングされた状態にある。
チャンバ10には、気化器20と連結される第1ガスラインL1と、気化された原料ケミカルと反応する反応ガスを供給する第2ガスラインL2とが連結されており、それぞれの第1ガスラインL1と第2ガスラインL2には、パージガスとして不活性ガスを供給する第1パージガスラインL1’及び第2パージガスラインL2’が連結されており、第1パージガスラインL1’及び第2パージガスラインL2’は、チャンバ10内部のガスが排気される排気ライン11と連結されている。
それら第1ガスラインL1及び第2ガスラインL2、第1パージガスラインL1’及び第2パージガスラインL2’には、電気的な信号によって作動されるソレノイド型の制御弁である工程弁Vが複数個設置され、それら工程弁Vにより、原料ケミカルや反応ガス、パージガスの流量が制御される。
一方、CVDやMOCVDのような薄膜蒸着装置では、基板に酸化物を形成するためにはTEOS(テトラエトキシシラン)を使用し、TiNを形成するためにはTiCl4などの液状の原料化学種を使用することがある。かかるTEOSやTiCl4などの原料ケミカルは、約150℃未満の低い気化温度を有し、それらは、気化器20によって気化される。気化された原料ケミカルは、制御弁Vを経てチャンバに流入する。
しかし、最近、誘電薄膜として多く研究されているSTO(SrxTiyOz)やBST((Ba1−x,Srx)TiO3)は、250℃以上もの高温の気化温度を必要とする。従って、気化器20とチャンバ10との間の第1ガスラインL1と、第1ガスラインL1に設置される制御弁Vは、気化器20によって気化される原料ケミカルの温度より同程度か、または、それよりも高い温度に保持されねばならない。これは、STOやBSTのように高温の気化温度を必要とする原料ケミカルは、温度条件に非常に敏感であり、気化温度より低い温度領域を通過させたときには、これら原料ケミカルの凝縮などが発生し、気化が十分になされなくなるためである。このように凝縮が生じ、或いは十分な気化が行われない場合には、所望の薄膜特性を得れないのみならず、設備に汚染が生じるために設備の信頼性が落ちてしまうとの不具合が生じる。
ところで、気化器20とチャンバ10との間に設置される工程弁Vは、電気的な制御によって作動されるソレノイド型の場合がほとんどであり、かかるソレノイド型の工程弁Vは、電気的に作動される部品が内蔵されており、150℃未満で使われなければならない。250℃以上で使われる工程弁があるが、内部に冷却装置などが備わらなければならないので、その大きさが既存の工程弁(150℃未満で使用する工程弁)に比べ、数倍以上の大きさを有し、従って制限された空間の薄膜蒸着装置の内部で使用するのに、多くの制
約を伴う。
約を伴う。
また、気化器20とチャンバ10との間に設置されるガスラインの場合にも、そのガスラインを250℃以上に加熱させることは、現実的に非常に困難であるという問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決するものであり、STO、BSTのように高温の気化温度を要求する原料ケミカルを効果的に使用できるように、その構造が改善された薄膜蒸着装置を提供することをその目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明による薄膜蒸着装置は、基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバと、前記チャンバに供給される液状の原料ケミカルが収容されるカニスタと、前記カニスタからバブリングされて供給される原料ケミカルを気化させてチャンバに供給する気化器とを備える薄膜蒸着装置において、前記気化器は、アダプタブロックによってチャンバの上部や側部に一体化され、前記気化器と前記チャンバとの間の第1ガスラインは、前記アダプタブロックの内部に形成されることを特徴とする。
本発明において、前記アダプタブロックの内部には、前記第1ガスラインを直接ヒーティングするヒータが内蔵される。
本発明において、前記アダプタブロックにガスを供給及びパージする工程弁を直接装着することも可能である。
本発明において、前記アダプタブロックにガスを供給及びパージする工程弁を直接装着することも可能である。
本発明による薄膜蒸着装置によれば、気化器をアダプタブロックを利用してチャンバに一体化させ、アダプタブロック内部に第1ガスラインを形成し、第1ガスラインを加熱させるヒータをアダプタブロック内部に内蔵させることにより、高温の気化ガスを有するSTOやBSTのような原料ケミカルを薄膜蒸着に使用できる。
以下、図面を参照して本発明による薄膜蒸着装置を詳細に説明する。
図2に図示されているように、本発明による薄膜蒸着装置は、基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバ110と、そのチャンバ110に供給される液状の原料ケミカルが収容されるカニスタ130と、カニスタ130からバブリングされて供給される原料ケミカルを気化させてチャンバ110に供給する気化器120とを備える。
図2に図示されているように、本発明による薄膜蒸着装置は、基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバ110と、そのチャンバ110に供給される液状の原料ケミカルが収容されるカニスタ130と、カニスタ130からバブリングされて供給される原料ケミカルを気化させてチャンバ110に供給する気化器120とを備える。
このとき、チャンバ110には、気化器120と連結される第1ガスラインL1と、気化された原料ケミカルと反応する反応ガスを供給する第2ガスラインL2とが連結されている。それぞれの第1ガスラインL1と第2ガスラインL2とには、パージガスとして不活性ガスを供給する第1パージガスラインL1’及び第2パージガスラインL2’が連結されている。また、第1パージガスラインL1’及び第2パージガスラインL2’は、チャンバ110内部のガスが排気される排気ライン111と連結されている。
第1ガスラインL1及び第2ガスラインL2、第1パージガスラインL1’及び第2パージガスラインL2’には、電気的な信号によって作動されるソレノイド型の工程弁Vが複数個設置され、それら工程弁Vにより、原料ケミカルや反応ガス、パージガスの流れが制御される。
本発明によれば、気化器120と第1ガスラインL1は、アダプタブロック125によってチャンバ110の上部や側部に一体化される。すなわち、図3に図示されているアダプタブロック125を設け、そのアダプタブロック125内に気化器120を設置し、第1ガスラインL1は、アダプタブロック125の内部を加工して設けた流路によって提供される。アダプタブロック125は、ステンレススチール(SUS)のようなメタルやセラミックにより製作される。
また、アダプタブロック125の内部にカートリッジ型のヒータHやゴムヒータHを設置する。アダプタブロック125の内部で、カートリッジヒータHやゴムヒータHを使用して第1ガスラインL1を直接加熱するため、従来の形態のガスラインを、ヒーティングテープやジャケットを利用して加熱する場合よりも、熱損失を低下させることができる。
従来のガスラインは、ヒーティングテープやジャケットがガスラインを外部から覆い包む構造であるから、高温による劣化や、それにより火災が発生する恐れがあった。しかし、本発明の場合、メタルやセラミックで設けたブロックの内部に、カートリッジヒータを装着したりブロックの外部にゴムヒータHを設置して第1ガスラインL1を加熱する構成を有するため、劣化の可能性や火災の危険性を排除することができる。
一方、一例として本願の場合、気化器120の後端の工程弁をいずれも除去し、ただメンテナンスのためのマニュアルバルブVmだけを一つ装着することも可能である。マニュアルバルブVmは、電気によって作動されるソレノイド型の工程弁Vではない手動で作動されるバルブであり、従って作動するにあたって温度条件に拘束されない。
また、第1パージガスラインL1’のフィーディング用の工程弁Vやバイパス用の工程弁Vをアダプタブロック125の前端に設けることができるため、工程弁の温度を低下させるように形成することが可能である。
そして、ガス供給やパージのために利用される工程弁をブロックに直接装着でき、その場合、不要なガスラインを除去し、併せてヒーティングするにあたって円滑にするための構成を取ることができる。
そして、アダプタブロック125の内部には、ガスラインL1の内部の温度を測定する温度センサSが設置され、その温度センサSは、温度制御部(図示せず)と作動連結されうる。その場合、第1ガスラインL1内部の温度が設定された温度範囲から外れる場合、温度センサSは、それを検知して温度制御部に対応する信号を送り、温度制御部は、それを基にしてヒータHを制御し、第1ガスラインL1内部の温度が常に一定範囲を保持できるようにする。かかる温度センサ及び過熱防止部は、公知技術であるから、これ以上の詳細な説明は省略する。
かかる薄膜蒸着装置において、STOやBSTのように、250℃以上の気化温度を要求する原料ケミカルを使用しても、その高温の原料ケミカルが経由する工程弁がないので、150℃未満で使用する工程弁を使用できる。従って、長期間使用するにあたり、工程弁が損傷される危険性を除去し、工程再現性を高められ、ハードウェア的な安定性を向上させることができ、設備の稼動率を高めることができる。
本発明は、図面に図示された一実施形態を参考に説明されたが、それは、例示的なものに過ぎず、本技術分野の当業者ならば、それから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点が理解できるであろう。
10,110…チャンバ、11,111…排気ライン、20,120…蒸発器、30,130…カニスタ、125…アダプタブロック、L1…第1ガスライン、L2…第2ガスライン、L1’…第1パージガスライン、L2’…第2パージガスライン、V…工程弁、Vm…マニュアル弁、H…ヒータ、S…温度センサ。
Claims (3)
- 基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバと、前記チャンバに供給される液状の原料ケミカルが収容されるカニスタと、前記カニスタからバブリングされて供給される原料ケミカルを気化させてチャンバに供給する気化器とを備える薄膜蒸着装置において、
前記気化器は、アダプタブロックによってチャンバの上部や側部に一体化され、
前記気化器と前記チャンバとの間の第1ガスラインは、前記アダプタブロックの内部に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置。 - 前記アダプタブロックの内部には、前記第1ガスラインを直接ヒーティングするヒータが内蔵されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
- 前記アダプタブロックにガスを供給及びパージする工程弁を直接装着することを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040090130A KR100583542B1 (ko) | 2004-11-06 | 2004-11-06 | 박막증착장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006132003A true JP2006132003A (ja) | 2006-05-25 |
Family
ID=36315035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005322613A Pending JP2006132003A (ja) | 2004-11-06 | 2005-11-07 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060096534A1 (ja) |
JP (1) | JP2006132003A (ja) |
KR (1) | KR100583542B1 (ja) |
CN (1) | CN1769516A (ja) |
TW (1) | TW200616050A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013110306A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Watanabe Shoko:Kk | 成膜装置および気化器の設置方法 |
JP2013195334A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Casio Comput Co Ltd | 情報処理装置、サーバ、現在位置取得システム及びプログラム |
CN112558126A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-26 | 广州南方卫星导航仪器有限公司 | 一种rtk基准站的发射功率自适应调整方法及相关装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101224870B (zh) * | 2008-01-23 | 2011-06-15 | 中国科学院化学研究所 | 一种用多孔模板制备无机纳米管的方法 |
US20110143035A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Byoung Ha Cho | Thin Film Deposition System and Method for Depositing Thin Film |
KR102100801B1 (ko) * | 2018-04-12 | 2020-04-14 | 참엔지니어링(주) | 증착 장치 및 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2569207B1 (fr) * | 1984-08-14 | 1986-11-14 | Mellet Robert | Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie |
US4859375A (en) * | 1986-12-29 | 1989-08-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical refill system |
JPH11297681A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高誘電率薄膜形成用cvd装置および高誘電率薄膜の形成方法 |
KR20000000946A (ko) * | 1998-06-05 | 2000-01-15 | 주재현 | 기화기 및 이를 사용한 화학 기상 증착장치 |
JP4252142B2 (ja) | 1999-01-12 | 2009-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置およびそれに用いられる原料供給系のパージ機構 |
DE10007059A1 (de) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung |
US6572706B1 (en) * | 2000-06-19 | 2003-06-03 | Simplus Systems Corporation | Integrated precursor delivery system |
JP2002222805A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20030049933A1 (en) * | 2001-09-07 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for handling liquid precursor material for semiconductor processing |
US7156380B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asm International, N.V. | Safe liquid source containers |
-
2004
- 2004-11-06 KR KR1020040090130A patent/KR100583542B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-11-01 TW TW094138210A patent/TW200616050A/zh unknown
- 2005-11-02 US US11/264,993 patent/US20060096534A1/en not_active Abandoned
- 2005-11-04 CN CNA200510115502XA patent/CN1769516A/zh active Pending
- 2005-11-07 JP JP2005322613A patent/JP2006132003A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013110306A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Watanabe Shoko:Kk | 成膜装置および気化器の設置方法 |
JP2013195334A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Casio Comput Co Ltd | 情報処理装置、サーバ、現在位置取得システム及びプログラム |
CN112558126A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-26 | 广州南方卫星导航仪器有限公司 | 一种rtk基准站的发射功率自适应调整方法及相关装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200616050A (en) | 2006-05-16 |
CN1769516A (zh) | 2006-05-10 |
KR20060040501A (ko) | 2006-05-10 |
US20060096534A1 (en) | 2006-05-11 |
KR100583542B1 (ko) | 2006-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101160724B1 (ko) | 기화기 및 반도체 처리 시스템 | |
KR101573733B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101118900B1 (ko) | 기화 장치 및 반도체 처리 시스템 | |
US9175395B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US20040079286A1 (en) | Method and apparatus for the pulse-wise supply of a vaporized liquid reactant | |
JP2006132003A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JP5963456B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法 | |
JP5882509B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US20240093361A1 (en) | Vaporizer, processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
KR100589821B1 (ko) | Mocvd 시스템 | |
KR20080108040A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2011054789A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6186022B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2019180906A1 (ja) | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
US11866822B2 (en) | Vaporizer, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
US20060130757A1 (en) | Apparatus for active dispersion of precursors | |
US20080078743A1 (en) | Elevated temperature chemical oxide removal module and process | |
JP3817123B2 (ja) | Cvd装置 | |
JP2022046879A (ja) | 気化装置、基板処理装置、クリーニング方法、半導体装置の製造方法、およびプログラム | |
KR102533580B1 (ko) | 금속 오염 방지 방법 및 금속 오염 방지 장치, 그리고 이들을 이용한 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR20210046694A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
JP2007113041A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090414 |