JP2001126990A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2001126990A JP2001126990A JP30144499A JP30144499A JP2001126990A JP 2001126990 A JP2001126990 A JP 2001126990A JP 30144499 A JP30144499 A JP 30144499A JP 30144499 A JP30144499 A JP 30144499A JP 2001126990 A JP2001126990 A JP 2001126990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- exhaust
- pipe
- chamber
- piping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で容易な構成で排気配管内壁への反応生
成物付着防止、最終的な排ガス処理機構の負荷を軽減し
除害効率を向上させる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置本体１００は、各種ガス
が投入される製造チャンバ１１を含む。ガス排気配管１
２は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流し、
最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理機構１３
に導かれる。ガス排気配管１２は所定距離だけ配管外周
表面を覆うように副配管１４が形成され、その一方端部
はチャンバ１１内で発生した熱を排気する熱排気管１５
に繋がり、他方端部は熱排気流出口ＥＸＨになってい
る。内管のガス排気配管１２は常に保温または加熱さ
れ、ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、チャ
ンバ１１から排出された直後の温度近くに維持され、反
応生成物の発生を抑える。
成物付着防止、最終的な排ガス処理機構の負荷を軽減し
除害効率を向上させる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置本体１００は、各種ガス
が投入される製造チャンバ１１を含む。ガス排気配管１
２は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流し、
最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理機構１３
に導かれる。ガス排気配管１２は所定距離だけ配管外周
表面を覆うように副配管１４が形成され、その一方端部
はチャンバ１１内で発生した熱を排気する熱排気管１５
に繋がり、他方端部は熱排気流出口ＥＸＨになってい
る。内管のガス排気配管１２は常に保温または加熱さ
れ、ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、チャ
ンバ１１から排出された直後の温度近くに維持され、反
応生成物の発生を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体素子を
製造する際に発生する排ガスの除害処理を伴なう半導体
製造装置に関する。
製造する際に発生する排ガスの除害処理を伴なう半導体
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置では、半導体素子の製造
工程で化学気相反応を利用して成膜するＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition ）装置のような、各種のガスを扱
う装置がある。このような半導体製造装置本体の製造チ
ャンバから化学気相反応を経て発生する排ガスは、有害
なものも含まれている。従って、上記排ガスは、有害な
状態を除くべく、スクラバー、除害装置といった排ガス
処理機構を経る。
工程で化学気相反応を利用して成膜するＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition ）装置のような、各種のガスを扱
う装置がある。このような半導体製造装置本体の製造チ
ャンバから化学気相反応を経て発生する排ガスは、有害
なものも含まれている。従って、上記排ガスは、有害な
状態を除くべく、スクラバー、除害装置といった排ガス
処理機構を経る。
【０００３】図２は、従来の半導体製造装置の要部を示
す概観図である。例えば各種ガス（ＧＡＳ）が投入され
るＣＶＤ装置ＭＣの炉体（製造チャンバ）２１が示され
ている。排気配管２２は、チャンバ内における反応後の
排ガスを流す。図示の排気配管２２は一部であり、排ガ
スは最終的に上述の排ガス処理機構に導かれる。
す概観図である。例えば各種ガス（ＧＡＳ）が投入され
るＣＶＤ装置ＭＣの炉体（製造チャンバ）２１が示され
ている。排気配管２２は、チャンバ内における反応後の
排ガスを流す。図示の排気配管２２は一部であり、排ガ
スは最終的に上述の排ガス処理機構に導かれる。
【０００４】また、排気配管２２には、希釈用のＮ2 ガ
スを流入している。排気配管２２に流れる排ガス中には
未反応ガスが含まれているからである。この未反応ガス
により、反応生成物（ＳｉＯ2 系の物質）が生成され、
排気配管２２の内壁に付着する恐れがある。Ｎ2 ガス
は、排気配管２２内の排ガスを希釈し、この反応生成物
の付着を阻止するように働く。
スを流入している。排気配管２２に流れる排ガス中には
未反応ガスが含まれているからである。この未反応ガス
により、反応生成物（ＳｉＯ2 系の物質）が生成され、
排気配管２２の内壁に付着する恐れがある。Ｎ2 ガス
は、排気配管２２内の排ガスを希釈し、この反応生成物
の付着を阻止するように働く。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、排ガス
の希釈にも、排ガスの後処理をする関係上限度がある。
希釈ガスを多量に含んでいると、最終的な排ガス処理機
構の負荷が増大するからである。すなわち、Ｎ2 等の希
釈ガスは、排ガスを除害する際の除害効率を低下させる
原因となっている。
の希釈にも、排ガスの後処理をする関係上限度がある。
希釈ガスを多量に含んでいると、最終的な排ガス処理機
構の負荷が増大するからである。すなわち、Ｎ2 等の希
釈ガスは、排ガスを除害する際の除害効率を低下させる
原因となっている。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、その課題は、排気配管の内壁に反応生成物
が付着するのを安価で容易な構成でもって抑制し、最終
的な排ガス処理機構の負荷を軽減して、除害効率を向上
させる半導体製造装置を提供することにある。
れたもので、その課題は、排気配管の内壁に反応生成物
が付着するのを安価で容易な構成でもって抑制し、最終
的な排ガス処理機構の負荷を軽減して、除害効率を向上
させる半導体製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、半導体素子製造に関し、製造チャンバ内での化学気
相反応に伴なって排出される排ガスを導くガス排気配管
と、少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において、
配管外周表面を覆うように設けられる副配管と、前記副
配管の一方端部に繋がり、製造チャンバ内で発生した熱
を排気する熱排気管と、前記副配管の他方端部に繋がる
熱排気流出口とを具備したことを特徴とする。
は、半導体素子製造に関し、製造チャンバ内での化学気
相反応に伴なって排出される排ガスを導くガス排気配管
と、少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において、
配管外周表面を覆うように設けられる副配管と、前記副
配管の一方端部に繋がり、製造チャンバ内で発生した熱
を排気する熱排気管と、前記副配管の他方端部に繋がる
熱排気流出口とを具備したことを特徴とする。
【０００８】本発明によれば、上記副配管は、製造チャ
ンバからの熱排気を常に流すことにより、上記ガス排気
配管外周表面が加熱され、排ガスが保温されることにな
る。これにより、上記ガス排気配管内に含まれる未反応
ガスは、反応生成物を作りにくい。
ンバからの熱排気を常に流すことにより、上記ガス排気
配管外周表面が加熱され、排ガスが保温されることにな
る。これにより、上記ガス排気配管内に含まれる未反応
ガスは、反応生成物を作りにくい。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態に係る
半導体製造装置の構成を示す概観図である。半導体製造
装置本体１００は、ＣＶＤ炉等、各種ガス（ＧＡＳ）が
投入される製造チャンバ１１を含む。ガス排気配管１２
は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流す。す
なわち、化学気相反応に伴なって排出される排ガスを導
く配管である。図示のガス排気配管１２は一部であり、
排ガスは最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理
機構１３に導かれる。
半導体製造装置の構成を示す概観図である。半導体製造
装置本体１００は、ＣＶＤ炉等、各種ガス（ＧＡＳ）が
投入される製造チャンバ１１を含む。ガス排気配管１２
は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流す。す
なわち、化学気相反応に伴なって排出される排ガスを導
く配管である。図示のガス排気配管１２は一部であり、
排ガスは最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理
機構１３に導かれる。
【００１０】本発明ではガス排気配管１２の所定距離に
おいて、配管外周表面を覆うように、例えばステンレス
からなる副配管１４が設けられている。すなわち、ガス
排気配管１２と副配管１４とで二重配管構成になってい
る。二重配管構成となる領域は、例えば、チャンバ１１
からの排出ガスが管外の自然雰囲気で徐々に冷却されつ
つある領域である。
おいて、配管外周表面を覆うように、例えばステンレス
からなる副配管１４が設けられている。すなわち、ガス
排気配管１２と副配管１４とで二重配管構成になってい
る。二重配管構成となる領域は、例えば、チャンバ１１
からの排出ガスが管外の自然雰囲気で徐々に冷却されつ
つある領域である。
【００１１】副配管１４の一方端部は、チャンバ１１内
で発生した熱を排気する熱排気管１５に繋がり、他方端
部は熱排気流出口ＥＸＨになっている。すなわち、熱排
気管１５はチャンバ１１のヒーター（図示せず）を熱源
とし、熱排気を副配管１４に常に流入させる。これによ
り、内管のガス排気配管１２は常に保温あるいは加熱さ
れる。
で発生した熱を排気する熱排気管１５に繋がり、他方端
部は熱排気流出口ＥＸＨになっている。すなわち、熱排
気管１５はチャンバ１１のヒーター（図示せず）を熱源
とし、熱排気を副配管１４に常に流入させる。これによ
り、内管のガス排気配管１２は常に保温あるいは加熱さ
れる。
【００１２】これにより、ガス排気配管１２内を流れる
排ガスの温度は、チャンバ１１から排出された直後の温
度に近いまま、なるべく下がらないように維持できる。
ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、使用した
ガス種にもよるが、だいたい５０℃〜６０℃に保てれば
よい。この結果、ガス排気配管１２内での反応生成物発
生が抑制される。
排ガスの温度は、チャンバ１１から排出された直後の温
度に近いまま、なるべく下がらないように維持できる。
ガス排気配管１２内を流れる排ガスの温度は、使用した
ガス種にもよるが、だいたい５０℃〜６０℃に保てれば
よい。この結果、ガス排気配管１２内での反応生成物発
生が抑制される。
【００１３】上記実施形態によれば、チャンバ１１の熱
排気を利用して、排ガスラインの加熱が行なえる。これ
により、ガス排気配管１２内に未反応ガスが含まれてい
ても、反応生成物発生の防止効果は相当期待できる。よ
って、ガス排気配管１２内にＮ2 等の希釈ガスを多量に
流す必要はなくなる。希釈ガスを減少できる結果、最終
的な排ガス処理機構の負荷を軽減することができる。
排気を利用して、排ガスラインの加熱が行なえる。これ
により、ガス排気配管１２内に未反応ガスが含まれてい
ても、反応生成物発生の防止効果は相当期待できる。よ
って、ガス排気配管１２内にＮ2 等の希釈ガスを多量に
流す必要はなくなる。希釈ガスを減少できる結果、最終
的な排ガス処理機構の負荷を軽減することができる。
【００１４】すなわち、製造装置から発生する熱排気を
利用する安価で容易な構成により、ガス排気配管１２に
流す稀釈ガスを大幅に減少することができる。このこと
は、排ガスを除害する際の除害効率を向上させることを
意味し、エネルギー環境を配慮した高信頼性の半導体製
造システムの設備に寄与する。
利用する安価で容易な構成により、ガス排気配管１２に
流す稀釈ガスを大幅に減少することができる。このこと
は、排ガスを除害する際の除害効率を向上させることを
意味し、エネルギー環境を配慮した高信頼性の半導体製
造システムの設備に寄与する。
【００１５】副配管１４の材料はステンレス管を用いた
が、特に限定されない。副配管１４を設ける箇所もガス
排気配管１２のどの部分かは特に限定されない。さら
に、副配管１４の周り、または全体表面を断熱テープ等
の断熱材（図示せず）で覆うことが望ましく、さらに保
温効果が期待できる。さらに、熱排気管１５の周りを断
熱テープ等の断熱材（図示せず）で覆ってもよい。
が、特に限定されない。副配管１４を設ける箇所もガス
排気配管１２のどの部分かは特に限定されない。さら
に、副配管１４の周り、または全体表面を断熱テープ等
の断熱材（図示せず）で覆うことが望ましく、さらに保
温効果が期待できる。さらに、熱排気管１５の周りを断
熱テープ等の断熱材（図示せず）で覆ってもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ス排気配管外周表面を覆う副配管を構成し、この副配管
に半導体製造装置本体の製造チャンバで発生した熱排気
を常に流入させる。これにより、ガス排気配管外周表面
が加熱され、排ガスが製造チャンバから排出された直後
の温度に近い状態で保温されながら通過していくことに
なる。
ス排気配管外周表面を覆う副配管を構成し、この副配管
に半導体製造装置本体の製造チャンバで発生した熱排気
を常に流入させる。これにより、ガス排気配管外周表面
が加熱され、排ガスが製造チャンバから排出された直後
の温度に近い状態で保温されながら通過していくことに
なる。
【００１７】すなわち、希釈ガスを多量に流す必要もな
く、しかも、安価で容易な構成でもって排気配管の内壁
への反応生成物付着を防止することができる。よって最
終的な排ガス処理機構の負荷を軽減し、除害効率が向上
する高信頼性の半導体製造装置を提供することができ
る。
く、しかも、安価で容易な構成でもって排気配管の内壁
への反応生成物付着を防止することができる。よって最
終的な排ガス処理機構の負荷を軽減し、除害効率が向上
する高信頼性の半導体製造装置を提供することができ
る。
【図１】本発明の実施形態に係る半導体製造装置の要部
構成を示す概観図である。
構成を示す概観図である。
【図２】従来の半導体製造装置の要部構成を示す概観図
である。
である。
１００…半導体製造装置本体 １１…製造チャンバ １２…ガス排気配管 １３…排ガス処理機構 １４…副配管 １５…熱排気管 ＥＸＨ…外部流出口
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子製造に関し、製造チャンバ内
での化学気相反応に伴なって排出される排ガスを導くガ
ス排気配管と、 少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において、配管
外周表面を覆うように設けられる副配管と、 前記副配管の一方端部に繋がり、製造チャンバ内で発生
した熱を排気する熱排気管と、 前記副配管の他方端部に繋がる熱排気流出口と、を具備
したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記副配管の周囲を覆う断熱材をさらに
具備することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装
置。 - 【請求項３】 前記副配管の周囲及び熱排気管の周囲を
覆う断熱材をさらに具備することを特徴とする請求項1
記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144499A JP2001126990A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144499A JP2001126990A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126990A true JP2001126990A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17896976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30144499A Withdrawn JP2001126990A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001126990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021098168A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 昭和電工株式会社 | スクラバーの排ガス導入管およびスクラバー |
-
1999
- 1999-10-22 JP JP30144499A patent/JP2001126990A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021098168A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 昭和電工株式会社 | スクラバーの排ガス導入管およびスクラバー |
| JP7331685B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-08-23 | 株式会社レゾナック | スクラバー |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4252702B2 (ja) | 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 | |
| JP4916119B2 (ja) | リモートプラズマ源清浄技術を用いた窒化ケイ素堆積中の白色粉末低減用の装置 | |
| JP4599701B2 (ja) | 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法 | |
| JP2001126988A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001126990A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4099270B2 (ja) | 触媒化学蒸着装置 | |
| JP2004200364A (ja) | 排ガス処理装置および排ガス処理方法 | |
| JP2002153726A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JPH01293120A (ja) | 廃ガス処理方法 | |
| JP3625741B2 (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
| JP4361179B2 (ja) | オゾン処理装置及びオゾン処理方法 | |
| JP4252142B2 (ja) | ガス処理装置およびそれに用いられる原料供給系のパージ機構 | |
| JPS6359533B2 (ja) | ||
| JP2021096005A (ja) | 排気配管及び排気設備 | |
| JPH01312833A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2686465B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4434334B2 (ja) | Ｃｖｄ装置および膜の形成方法 | |
| JPH06151414A (ja) | ガス加熱装置 | |
| JP2003124127A (ja) | 半導体製造装置及びその排気配管及びメンテナンス方法 | |
| JP3279466B2 (ja) | 半導体ウエハの処理装置及び半導体素子 | |
| JP2000058459A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JPH0927486A (ja) | 横型プロセスチューブ装置 | |
| JP3552037B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法及び形成装置 | |
| JP3959174B2 (ja) | 半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法、水冷トラップ装置 | |
| JPH03285884A (ja) | 炭化硅素治具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070109 |