JPH01293120A - 廃ガス処理方法 - Google Patents
廃ガス処理方法Info
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- JPH01293120A JPH01293120A JP63125393A JP12539388A JPH01293120A JP H01293120 A JPH01293120 A JP H01293120A JP 63125393 A JP63125393 A JP 63125393A JP 12539388 A JP12539388 A JP 12539388A JP H01293120 A JPH01293120 A JP H01293120A
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は廃ガス処理方法に間し、特に気相化学反応もし
くは熱分解反応を用いた反応装置から排出される未反応
ガスを反応除却する方法に関するものである。
くは熱分解反応を用いた反応装置から排出される未反応
ガスを反応除却する方法に関するものである。
気相化学反応あるいは熱分解反応を用いた反応装置では
導入されたガスを装置内で反応させ、反応生成物および
未反応ガスを外部に排出し廃棄される。
導入されたガスを装置内で反応させ、反応生成物および
未反応ガスを外部に排出し廃棄される。
例えば第３図に示すように、半導体基板表面にシリコン
酸化膜を形成する減圧薄膜形成装置（以下ＬＰＣＶＤ装
置）では半導体基板１１を４００℃に加熱された石英反
応管１内に入れて該 ′半導体基板１１を加熱した後
、減圧下でシラン（ＳｉＨ，）ガス４および酸素（０□
）ガス５を導入して気相化学反応により、半導体基板１
１上にシリコン酸化膜を形成する。
酸化膜を形成する減圧薄膜形成装置（以下ＬＰＣＶＤ装
置）では半導体基板１１を４００℃に加熱された石英反
応管１内に入れて該 ′半導体基板１１を加熱した後
、減圧下でシラン（ＳｉＨ，）ガス４および酸素（０□
）ガス５を導入して気相化学反応により、半導体基板１
１上にシリコン酸化膜を形成する。
一方、導入されたシラン（ＳｉＨ２）ガス４および酸素
（Ｑ２）ガス５の反応により生成されたＨ ２またはｌ
Ｉ２０ガスの他に未反応のままのシラン（ＳｉＨ，）ガ
スおよび酸素（０□）ガスが反応後の排気ガス２として
減圧用に設けられたトラップ６及び冷却器７を含む真空
ポンプ系２０を通して外部に廃棄される。
（Ｑ２）ガス５の反応により生成されたＨ ２またはｌ
Ｉ２０ガスの他に未反応のままのシラン（ＳｉＨ，）ガ
スおよび酸素（０□）ガスが反応後の排気ガス２として
減圧用に設けられたトラップ６及び冷却器７を含む真空
ポンプ系２０を通して外部に廃棄される。
反応に用いられる石英反応管１内にガスが導入された場
合には、ガスそのものの温度は上昇しに＜＜、低温の反
応になるほど未反応ガスが多量に排出される。
合には、ガスそのものの温度は上昇しに＜＜、低温の反
応になるほど未反応ガスが多量に排出される。
上述した従来の反応装置では反応後の未反応ガスが直接
減圧用の真空ポンプ系に流されるために、真空ポンプ内
でシラン（ＳｉＨ４）ガスと酸素（０２）カスか反応を
起こし、ポンプオイルの劣化、あるいは真空ポンプの劣
化を引き起こし、減圧反応下において圧力の上昇等が起
り、所望の薄膜形成での不良膜形成に至る。また、こう
した真空ボン１内での反応によりポンプの破損を生じ易
く、安全面でも避けなければならない。
減圧用の真空ポンプ系に流されるために、真空ポンプ内
でシラン（ＳｉＨ４）ガスと酸素（０２）カスか反応を
起こし、ポンプオイルの劣化、あるいは真空ポンプの劣
化を引き起こし、減圧反応下において圧力の上昇等が起
り、所望の薄膜形成での不良膜形成に至る。また、こう
した真空ボン１内での反応によりポンプの破損を生じ易
く、安全面でも避けなければならない。
減圧差を使用しない装置においても、未反応カスをその
まま廃棄する場合には、例えばシラン（Ｓ ｉ Ｈａ
）ガスの場合、外部で燃焼することもあり、工場内での
局所排気用ダクト内で燃えた場合は火災等の危険性があ
る。
まま廃棄する場合には、例えばシラン（Ｓ ｉ Ｈａ
）ガスの場合、外部で燃焼することもあり、工場内での
局所排気用ダクト内で燃えた場合は火災等の危険性があ
る。
本発明の目的は前記課題を解決した廃ガス処理方法を提
供することにある。
供することにある。
［′発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の排出ガス廃棄方法に対して本発明は排気
ガス廃棄前に未反応ガスを反応除去するという相違点を
有する。
ガス廃棄前に未反応ガスを反応除去するという相違点を
有する。
上記目的を達成するなめ、本発明に係る廃カス処理方法
は、気相化学反応もしくは熱分解反応を用いた反応装置
において該気相化学反応もしくは該熱分解反応に使用さ
れた未反応ガスに加熱ガスを混合し、該加熱ガスにより
該未反応ガスを化学反応させて廃棄するものである。
は、気相化学反応もしくは熱分解反応を用いた反応装置
において該気相化学反応もしくは該熱分解反応に使用さ
れた未反応ガスに加熱ガスを混合し、該加熱ガスにより
該未反応ガスを化学反応させて廃棄するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は減圧薄膜形成装置（ＬＰＧＶＤ装置）を用いて
シリコン酸化膜を４００℃で形成する本発明の実施例を
示すものである。ヒータ１３にて加熱された反応装置の
石英反応管１内に半導体基板１１を石英ボート１２に保
持してセットし、シラン（ＳｉＨ４）ガス４及び酸素（
０２）カス５を導入しつつ基板１１上に薄膜を形成する
。
シリコン酸化膜を４００℃で形成する本発明の実施例を
示すものである。ヒータ１３にて加熱された反応装置の
石英反応管１内に半導体基板１１を石英ボート１２に保
持してセットし、シラン（ＳｉＨ４）ガス４及び酸素（
０２）カス５を導入しつつ基板１１上に薄膜を形成する
。
一方、石英反応管１内の残留ガスは排気ガス２とＩ−で
排出する。この排出された排気ガス２に、メカニカルブ
ースタポンプ８の前段に設けられたトラップ６の直前に
て加熱窒素ガス３を導入し混合する。
排出する。この排出された排気ガス２に、メカニカルブ
ースタポンプ８の前段に設けられたトラップ６の直前に
て加熱窒素ガス３を導入し混合する。
加熱窒素カス３はシラン（ＳｉＨ２）ガス４と酸素カス
５が急速に反応し始める３５０°Ｃ以上の温度に加熱し
てＯ！−給する。この加熱窒素ガス３により排出された
排気ガス２とトラップ６が加熱され、未反応カスがこの
加熱窒素ガス３の熱により化学反応してシリコン酸化物
としてトラップ６に付着される。反応後の高温ガスはト
ラップ６の後段に設けた冷却器７にて冷却する。
５が急速に反応し始める３５０°Ｃ以上の温度に加熱し
てＯ！−給する。この加熱窒素ガス３により排出された
排気ガス２とトラップ６が加熱され、未反応カスがこの
加熱窒素ガス３の熱により化学反応してシリコン酸化物
としてトラップ６に付着される。反応後の高温ガスはト
ラップ６の後段に設けた冷却器７にて冷却する。
冷却器７にもトラップ機構を設けておくことにより、更
にシリコン酸化物を除去できる。冷却器７を通ったガス
１０がメカニカルブースタポンプ８及びロータリポンプ
９を通して外部に排出される０反応管１内の圧力はこの
加熱窒素ガス３の流量と反応ガスの流量により制御する
。
にシリコン酸化物を除去できる。冷却器７を通ったガス
１０がメカニカルブースタポンプ８及びロータリポンプ
９を通して外部に排出される０反応管１内の圧力はこの
加熱窒素ガス３の流量と反応ガスの流量により制御する
。
（実施例２）
第２図は本発明の他の実施例を示すものであり、第２図
はトラップのガス導入口に高温ガスの流入口を設けてお
き、排出側を水冷させる方式の処理装置に適用した場合
である。処理袋（テ１４の下部には、水冷用のパイプ１
５があり、網目状のステンレス針金１６の下部を冷却し
ている。
はトラップのガス導入口に高温ガスの流入口を設けてお
き、排出側を水冷させる方式の処理装置に適用した場合
である。処理袋（テ１４の下部には、水冷用のパイプ１
５があり、網目状のステンレス針金１６の下部を冷却し
ている。
上部は水冷されておらず、ステンレス針金１６の上面に
加熱窒素ガス３の導入口があり、加熱窒素ガス３は導入
口１７からの排気ガス２と混合される。この高温の混合
ガス１９と、混合カス１９により加熱されたステンレス
針金１６により排気ガス２中の未反応ガスを反応させ、
冷却部のステンレス針金１６に付着させる。高温の混合
ガス１９は同時に冷却部で冷却され、排出口１８から外
部に排出される。ステンレス針金１６は適時に洗浄し再
生して使用する。
加熱窒素ガス３の導入口があり、加熱窒素ガス３は導入
口１７からの排気ガス２と混合される。この高温の混合
ガス１９と、混合カス１９により加熱されたステンレス
針金１６により排気ガス２中の未反応ガスを反応させ、
冷却部のステンレス針金１６に付着させる。高温の混合
ガス１９は同時に冷却部で冷却され、排出口１８から外
部に排出される。ステンレス針金１６は適時に洗浄し再
生して使用する。
尚、本発明はアルシン（ＡＳＨ３）を使ったアニール等
での未反応アルシンを高温ガスによる熱分解により、Ａ
、 ｓとして固化、除却する場合にも応用できるもので
ある。
での未反応アルシンを高温ガスによる熱分解により、Ａ
、 ｓとして固化、除却する場合にも応用できるもので
ある。
以上説明したように本発明は加熱したガスと排気ガスを
混合することにより、未反応ガスを化学反応により除却
することができ、これにより、未反応ガスをそのまま真
空排気系に導かれることがないなめ、真空排気系の劣化
損傷をなくすことができる効果がある。
混合することにより、未反応ガスを化学反応により除却
することができ、これにより、未反応ガスをそのまま真
空排気系に導かれることがないなめ、真空排気系の劣化
損傷をなくすことができる効果がある。
第１図は本発明を用いたＬＰＧＶＤ装置を示す構成概略
図、第２図は本発明を用いた廃ガス処理装置を示す図、
第３図は従来のＬＰＧＶＤ装置を示す構成概略図である
。 １・・・石英反応管 ２・・・排気ガス３・・・
加熱窒素ガス ４・・・シラン（ＳｉＨ，）ガス ５・・・酸素（０□）カス ６・・・トラップ７・・・
冷却器 ８・・・メカニカルブースタポンプ ９・・・ロータリポンプ １１・・・半導体基板１２
・・・石英ボート １３・・・ヒータ１４・・・
処理装置 １５・・・水冷用パイプ１６・・・
ステンレス針金 １７・・・導入口１８・・・排出口
１つ・・・混合ガス特許出願人 日本電
気株式会社 ／４−０．処理装置 ／７− 手入口１５−
水浸用ツマイブ ／８−一一老Ｖ巴ロ／６−−−人
テンレ又針＃ ／９−−−ボ４＠−力゛人第２図 第３図
図、第２図は本発明を用いた廃ガス処理装置を示す図、
第３図は従来のＬＰＧＶＤ装置を示す構成概略図である
。 １・・・石英反応管 ２・・・排気ガス３・・・
加熱窒素ガス ４・・・シラン（ＳｉＨ，）ガス ５・・・酸素（０□）カス ６・・・トラップ７・・・
冷却器 ８・・・メカニカルブースタポンプ ９・・・ロータリポンプ １１・・・半導体基板１２
・・・石英ボート １３・・・ヒータ１４・・・
処理装置 １５・・・水冷用パイプ１６・・・
ステンレス針金 １７・・・導入口１８・・・排出口
１つ・・・混合ガス特許出願人 日本電
気株式会社 ／４−０．処理装置 ／７− 手入口１５−
水浸用ツマイブ ／８−一一老Ｖ巴ロ／６−−−人
テンレ又針＃ ／９−−−ボ４＠−力゛人第２図 第３図
Claims (1)
- （１）気相化学反応もしくは熱分解反応を用いた反応装
置において該気相化学反応もしくは該熱分解反応に使用
された未反応ガスに加熱ガスを混合し、該加熱ガスによ
り該未反応ガスを化学反応させて廃棄することを特徴と
する廃ガス処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63125393A JPH0714451B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 廃ガス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63125393A JPH0714451B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 廃ガス処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293120A true JPH01293120A (ja) | 1989-11-27 |
| JPH0714451B2 JPH0714451B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=14909028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63125393A Expired - Fee Related JPH0714451B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 廃ガス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714451B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5405445A (en) * | 1991-12-11 | 1995-04-11 | Fujitsu Limited | Vacuum extraction system for chemical vapor deposition reactor vessel and trapping device incorporated therein |
| JPH07222908A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-22 | Sadayoshi Taketsuna | 半導体製造工程等の排出ガス濾過処理方法 |
| US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
| US6090208A (en) * | 1996-01-30 | 2000-07-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Prevention of clogging in CVD apparatus |
| GB2413293A (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-26 | Boc Group Plc | Method of treating an effluent stream |
| WO2006100432A1 (en) | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Edwards Limited | Method of treating a gas stream |
| US20100101414A1 (en) * | 2007-02-14 | 2010-04-29 | James Robert Smith | Method of treating a gas stream |
| CN115233187A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-10-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01288317A (ja) * | 1987-06-19 | 1989-11-20 | L'air Liquide | 電子部品の製造に伴うガス状流出物の処理方法および該方法を実施するための焼却装置 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP63125393A patent/JPH0714451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01288317A (ja) * | 1987-06-19 | 1989-11-20 | L'air Liquide | 電子部品の製造に伴うガス状流出物の処理方法および該方法を実施するための焼却装置 |
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| JPH07222908A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-22 | Sadayoshi Taketsuna | 半導体製造工程等の排出ガス濾過処理方法 |
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| WO2006100432A1 (en) | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Edwards Limited | Method of treating a gas stream |
| TWI417131B (zh) * | 2005-03-22 | 2013-12-01 | Edwards Ltd | 處理氣流的方法 |
| US20100101414A1 (en) * | 2007-02-14 | 2010-04-29 | James Robert Smith | Method of treating a gas stream |
| US8394179B2 (en) * | 2007-02-14 | 2013-03-12 | Edwards Limited | Method of treating a gas stream |
| CN115233187A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-10-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
| CN115233187B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714451B2 (ja) | 1995-02-22 |
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