JP2002153726A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
- Publication number
- JP2002153726A JP2002153726A JP2000399352A JP2000399352A JP2002153726A JP 2002153726 A JP2002153726 A JP 2002153726A JP 2000399352 A JP2000399352 A JP 2000399352A JP 2000399352 A JP2000399352 A JP 2000399352A JP 2002153726 A JP2002153726 A JP 2002153726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- cylinder
- reaction tube
- electromagnetic induction
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエーハの製造処理においてプラズマ
ＣＶＤ装置等から排出されるクリーニング排ガスとデポ
ジット排ガスを、一台で混合する事無く別々に瞬時に電
磁誘導加熱により熱分解処理を行い、装置の安全性と小
型化を図り低コスト製造が出来る排ガス処理装置を提供
する事。 【解決手段】 電磁誘導コイルと加熱体でクリーニング
排ガスであるＰＦＣガスを熱分解し、デポジット排ガス
は完全分離した反応筒でＳｉＯ２粉体にして、両者とも
冷却し、水スクラバー及び吸収筒で分解ガスを吸収させ
除外する。
ＣＶＤ装置等から排出されるクリーニング排ガスとデポ
ジット排ガスを、一台で混合する事無く別々に瞬時に電
磁誘導加熱により熱分解処理を行い、装置の安全性と小
型化を図り低コスト製造が出来る排ガス処理装置を提供
する事。 【解決手段】 電磁誘導コイルと加熱体でクリーニング
排ガスであるＰＦＣガスを熱分解し、デポジット排ガス
は完全分離した反応筒でＳｉＯ２粉体にして、両者とも
冷却し、水スクラバー及び吸収筒で分解ガスを吸収させ
除外する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエーハの製
造処理において、酸化膜やＢＰＳＧ膜付けのシランガ
ス、ＴＥＯＳ等のデポジット用プロセスガス、ドライエ
ッチングプロセスにおいてエッチングガスやプラズマＣ
ＶＤ装置等のクリーニングに使用されるＰＦＣガス（炭
素とフッ素のみで構成されるフロンガス，ＮＦ３）等の
排ガス処理装置に関する。
造処理において、酸化膜やＢＰＳＧ膜付けのシランガ
ス、ＴＥＯＳ等のデポジット用プロセスガス、ドライエ
ッチングプロセスにおいてエッチングガスやプラズマＣ
ＶＤ装置等のクリーニングに使用されるＰＦＣガス（炭
素とフッ素のみで構成されるフロンガス，ＮＦ３）等の
排ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ドライエッチングプロセスにおい
てエッチングガスやプラズマＣＶＤ装置等のクリーニン
グに使用されるＰＦＣガスやＮＦ３は赤外線吸収量が大
きく、地球温暖化防止のために直接排気する事が規制さ
れ、ＰＦＣガスとしてＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＳＦ６，ＮＦ
３，ＣＨＦ３，Ｃ３Ｆ８の６種類を規定し、それらの排
出削減と排出削減技術開発が要請されている。
てエッチングガスやプラズマＣＶＤ装置等のクリーニン
グに使用されるＰＦＣガスやＮＦ３は赤外線吸収量が大
きく、地球温暖化防止のために直接排気する事が規制さ
れ、ＰＦＣガスとしてＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＳＦ６，ＮＦ
３，ＣＨＦ３，Ｃ３Ｆ８の６種類を規定し、それらの排
出削減と排出削減技術開発が要請されている。
【０００３】半導体製造のドライ・エッチング工程、プ
ラズマＣＶＤクリーニング工程ではＮＦ３，Ｃ２Ｆ６が
特に使われ、それら使用量が年々増加する傾向にある。
ラズマＣＶＤクリーニング工程ではＮＦ３，Ｃ２Ｆ６が
特に使われ、それら使用量が年々増加する傾向にある。
【０００４】特に枚葉式のプラズマＣＶＤ装置の普及に
より、排ガス除害の方式が変わってきた。枚葉式のプラ
ズマＣＶＤ装置はＳｉＨ４のデポ排ガスとＮＦ３等のク
リーニング排ガスが時間間隔を有してＣＶＤチャンバー
から排気され、デポ排ガスとクリーニング排ガスの２種
類のガスを除害処理する必要が出てきた。
より、排ガス除害の方式が変わってきた。枚葉式のプラ
ズマＣＶＤ装置はＳｉＨ４のデポ排ガスとＮＦ３等のク
リーニング排ガスが時間間隔を有してＣＶＤチャンバー
から排気され、デポ排ガスとクリーニング排ガスの２種
類のガスを除害処理する必要が出てきた。
【０００５】ところが高圧ガス取締法題７８条第８号−
３により、可燃性ガスのＳｉＨ４と支燃性ガスのＮＦ３
の混合は爆発するので、ガス配管は別々とせねばなら
ず。混合処理は出来ない。
３により、可燃性ガスのＳｉＨ４と支燃性ガスのＮＦ３
の混合は爆発するので、ガス配管は別々とせねばなら
ず。混合処理は出来ない。
【０００６】そのため、デポ排ガスとクリーニング排ガ
スのそれぞれ専用の除害装置で処理をしたり、デポ排ガ
スとクリーニング排ガスを相互に混合させずに燃焼させ
ていた。
スのそれぞれ専用の除害装置で処理をしたり、デポ排ガ
スとクリーニング排ガスを相互に混合させずに燃焼させ
ていた。
【０００７】デポ排ガスはフィルター、触媒等の乾式捕
捉、ガス燃焼方式酸化分解、電熱ヒーター加熱酸化分解
等で除害処理を行ってきた。
捉、ガス燃焼方式酸化分解、電熱ヒーター加熱酸化分解
等で除害処理を行ってきた。
【０００８】クリーニング排ガスであるＣＦ４、Ｃ２Ｆ
６ガスは極めて安定なガスであるので、十分に高温酸化
分解するために１２００℃以上の温度が必要で、水素や
ＬＰＧを燃焼させ直接燃焼分解したり、電熱ヒーターに
よる熱酸化分解していた。
６ガスは極めて安定なガスであるので、十分に高温酸化
分解するために１２００℃以上の温度が必要で、水素や
ＬＰＧを燃焼させ直接燃焼分解したり、電熱ヒーターに
よる熱酸化分解していた。
【０００９】ガスによる直接燃焼分解方式は燃焼ガスを
用いるため、ガス漏れや着火不良等の安全上の対策が必
要である。燃料ガス等のランニングコストがかかる。燃
料ガス燃焼に伴うＣＯ２の発生があるので地球温暖化防
止のためＣＯ２発生量も少ないものが良い。電熱ヒータ
ーによる熱酸化分解方式もヒーター加熱効率が悪いため
加熱準備時間が数時間かかる等の欠点を有している。
用いるため、ガス漏れや着火不良等の安全上の対策が必
要である。燃料ガス等のランニングコストがかかる。燃
料ガス燃焼に伴うＣＯ２の発生があるので地球温暖化防
止のためＣＯ２発生量も少ないものが良い。電熱ヒータ
ーによる熱酸化分解方式もヒーター加熱効率が悪いため
加熱準備時間が数時間かかる等の欠点を有している。
【００１０】吸着剤加熱による吸着回収方式は、常温に
て、ＰＣＦは吸着材に吸着しにくいので吸着材を４００
℃〜６００℃に熱して活性化させてＰＦＣを吸着させ
る。吸着材のランニングコストがかかるのと、吸着後の
吸着材の産業廃棄物処理費用がかかるという欠点を持
つ。
て、ＰＣＦは吸着材に吸着しにくいので吸着材を４００
℃〜６００℃に熱して活性化させてＰＦＣを吸着させ
る。吸着材のランニングコストがかかるのと、吸着後の
吸着材の産業廃棄物処理費用がかかるという欠点を持
つ。
【００１１】ＰＦＣのプラズマ分解は、現時点では処理
量が少ないので全体的に見て効率は良くない。又ポンプ
前段での粉体発生がありポンプに噛み込む等の問題があ
る。
量が少ないので全体的に見て効率は良くない。又ポンプ
前段での粉体発生がありポンプに噛み込む等の問題があ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】そこで熱レスポンスの
良い電磁誘導加熱方式により安全性、環境面、コスト面
とメンテナンスを含めた作業性、小型化の面からクリー
ニング排ガスとデポジット排ガスを混合する事無く、同
時酸化分解処理出来る除害装置が求められている。
良い電磁誘導加熱方式により安全性、環境面、コスト面
とメンテナンスを含めた作業性、小型化の面からクリー
ニング排ガスとデポジット排ガスを混合する事無く、同
時酸化分解処理出来る除害装置が求められている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに提案される本発明に係る排ガス処理装置の特徴は次
の通りである。
めに提案される本発明に係る排ガス処理装置の特徴は次
の通りである。
【００１４】すなわち、本発明の請求項１に係る排ガス
処理装置は、半導体排ガスを高温酸化分解するための反
応筒１１を有し、クリーニングガスとデポジットガスを
該反応筒１１内で別々に加熱分解する排ガス除害装置で
あり、該反応筒内の請求項２に記載の電磁誘導コイル１
４の外側に開口を上部に有する内筒１７が設置されてお
り、該反応筒１１と該内筒１７の間の空間にはクリーニ
ング排ガスを導入する配管９が接続され、電磁誘導コイ
ル１４を保持する内側の円筒１５上部は該反応筒１１の
上蓋１２に固着され、該円筒１５内部に空気吐出穴を有
する円筒２０を設置しており、コイルを保持する該円筒
１５と内側の空気吐出穴を有する該円筒２０との空間に
空気が導入される配管６が接続され、空気吐出穴を有す
る該円筒２０上部は外部空気を含んだデポジット排ガス
を導入する配管７に接続されており、該反応筒１１内部
の全ての部品や金属面がセラミックで被覆された事を特
徴とする
処理装置は、半導体排ガスを高温酸化分解するための反
応筒１１を有し、クリーニングガスとデポジットガスを
該反応筒１１内で別々に加熱分解する排ガス除害装置で
あり、該反応筒内の請求項２に記載の電磁誘導コイル１
４の外側に開口を上部に有する内筒１７が設置されてお
り、該反応筒１１と該内筒１７の間の空間にはクリーニ
ング排ガスを導入する配管９が接続され、電磁誘導コイ
ル１４を保持する内側の円筒１５上部は該反応筒１１の
上蓋１２に固着され、該円筒１５内部に空気吐出穴を有
する円筒２０を設置しており、コイルを保持する該円筒
１５と内側の空気吐出穴を有する該円筒２０との空間に
空気が導入される配管６が接続され、空気吐出穴を有す
る該円筒２０上部は外部空気を含んだデポジット排ガス
を導入する配管７に接続されており、該反応筒１１内部
の全ての部品や金属面がセラミックで被覆された事を特
徴とする
【００１５】ＰＦＣガス（炭素とフッ素のみで構成され
るフロンガス）を電磁誘導加熱により高温酸化分解する
ために、ＰＦＣガス分解反応筒の金属材料部品はインコ
ネル等のニッケル系合金、ハステロイ等のコバルト系合
金や耐熱チタン合金等の耐熱、耐高温酸化性に優れた金
属で形成する。
るフロンガス）を電磁誘導加熱により高温酸化分解する
ために、ＰＦＣガス分解反応筒の金属材料部品はインコ
ネル等のニッケル系合金、ハステロイ等のコバルト系合
金や耐熱チタン合金等の耐熱、耐高温酸化性に優れた金
属で形成する。
【００１６】ＰＦＣガスの熱分解により副生するＨＦ、
Ｆ２等による高温金属腐食を防止するために、熱分解処
理空間を形成する全ての金属表面はセラミック被覆する
Ｆ２等による高温金属腐食を防止するために、熱分解処
理空間を形成する全ての金属表面はセラミック被覆する
【００１７】デポジット用プロセスガスを分解する円筒
２０の内側に、窒化ボロン等のセラミック潤滑膜を形成
する。反応塔容器１１内の円筒２０の空気吐出穴より空
気を流出させ、円筒２０の内側の表面に反応生成物であ
るＳｉＯ２粉体が壁面に付着せず、落下し易いようにな
っている。
２０の内側に、窒化ボロン等のセラミック潤滑膜を形成
する。反応塔容器１１内の円筒２０の空気吐出穴より空
気を流出させ、円筒２０の内側の表面に反応生成物であ
るＳｉＯ２粉体が壁面に付着せず、落下し易いようにな
っている。
【００１８】排出されるＳｉＯ２粉体とＨＦ、Ｆ２等の
分解ガスを水冷却させて、分解ガスを水スクラバーで吸
収させて希弗酸水とし、分解ガスは出口の吸収筒で吸収
されるように構成した事を特徴とする排ガス処理装置。
分解ガスを水冷却させて、分解ガスを水スクラバーで吸
収させて希弗酸水とし、分解ガスは出口の吸収筒で吸収
されるように構成した事を特徴とする排ガス処理装置。
【００１９】請求項２は排ガス処理装置にあって、耐熱
耐高温酸化性に優れたニッケル系合金やコバルト系合金
や耐熱チタン合金の線材を使用し、円筒１５外周に耐熱
合金の中空円板１６を等間隔に複数枚溶接し、全ての中
空円板に合金線材を通していくと、トロイダル（円環）
状の電磁誘導コイルを形成するように穴が開けられてお
り、碍子１９を中空円板１８の穴に入れ、碍子１９に合
金線材を通して電磁誘導コイルにし、全ての部品と金属
面をセラミック被覆した電磁誘導加熱用コイルを持つ事
を特徴とする。
耐高温酸化性に優れたニッケル系合金やコバルト系合金
や耐熱チタン合金の線材を使用し、円筒１５外周に耐熱
合金の中空円板１６を等間隔に複数枚溶接し、全ての中
空円板に合金線材を通していくと、トロイダル（円環）
状の電磁誘導コイルを形成するように穴が開けられてお
り、碍子１９を中空円板１８の穴に入れ、碍子１９に合
金線材を通して電磁誘導コイルにし、全ての部品と金属
面をセラミック被覆した電磁誘導加熱用コイルを持つ事
を特徴とする。
【００２０】排ガスが複数の中空円板を通過する時に、
中空円板１８の全体に高温接触して熱分解されるように
排ガス通過穴を開けてある。
中空円板１８の全体に高温接触して熱分解されるように
排ガス通過穴を開けてある。
【００２１】円筒１６の外周に溶接された中空円板１８
の面積を広くし、中空円板１６の穴に碍子を入れ、碍子
に合金線材を通してトロイダル巻き状にする事により、
電磁誘導による中空円板１６の部分表皮異常加熱を防い
でいる。
の面積を広くし、中空円板１６の穴に碍子を入れ、碍子
に合金線材を通してトロイダル巻き状にする事により、
電磁誘導による中空円板１６の部分表皮異常加熱を防い
でいる。
【００２２】高温酸化と排ガス分解成分ＨＦやＦ２等の
フッ素系腐食性ガスから金属を保護するために、該反応
筒１１内部の部品や全ての金属面をセラミック被覆する
事を特徴とする。
フッ素系腐食性ガスから金属を保護するために、該反応
筒１１内部の部品や全ての金属面をセラミック被覆する
事を特徴とする。
【００２３】本発明の請求項３に係る排ガス処理装置
は、半導体排ガスを高温酸化分解するためのＳｉＣ（炭
化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等のセラミック製
の反応筒反応筒３１を有し、クリーニングガスとデポジ
ットガスを該反応筒３１内で全く別々に加熱分解する排
ガス除害装置であり、該反応筒の外側に水冷式電磁誘導
コイル３４を設け、該反応筒内に開口を上部に有する内
筒３７が設置されており、該反応筒３１と該内筒３７の
間の空間にはクリーニング排ガスを導入する配管９が接
続され、電磁誘導加熱体３３を保持する内側の円筒３５
上部は該反応筒３１の上蓋３２に固着され、該円筒３５
内部に空気吐出穴を有する円筒２０を設置しており、電
磁誘導加熱体３３を保持する該円筒３５と内側の空気吐
出穴を有する該円筒２０との空間に空気が導入される配
管６が接続され、空気吐出穴を有する該円筒２０上部は
外部空気を含んだデポジット排ガスを導入する配管７に
接続されており、該反応筒３１内部の全ての部品や金属
面がセラミックで被覆された事を特徴とする
は、半導体排ガスを高温酸化分解するためのＳｉＣ（炭
化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等のセラミック製
の反応筒反応筒３１を有し、クリーニングガスとデポジ
ットガスを該反応筒３１内で全く別々に加熱分解する排
ガス除害装置であり、該反応筒の外側に水冷式電磁誘導
コイル３４を設け、該反応筒内に開口を上部に有する内
筒３７が設置されており、該反応筒３１と該内筒３７の
間の空間にはクリーニング排ガスを導入する配管９が接
続され、電磁誘導加熱体３３を保持する内側の円筒３５
上部は該反応筒３１の上蓋３２に固着され、該円筒３５
内部に空気吐出穴を有する円筒２０を設置しており、電
磁誘導加熱体３３を保持する該円筒３５と内側の空気吐
出穴を有する該円筒２０との空間に空気が導入される配
管６が接続され、空気吐出穴を有する該円筒２０上部は
外部空気を含んだデポジット排ガスを導入する配管７に
接続されており、該反応筒３１内部の全ての部品や金属
面がセラミックで被覆された事を特徴とする
【００２４】
【作用】本発明は半導体ウエーハの製造処理において、
酸化膜やＢＰＳＧ膜付けのシランガス、ＴＥＯＳ等のデ
ポジット用プロセスガス、ドライエッチングプロセスに
おいてエッチングガスやプラズマＣＶＤ装置等のクリー
ニングに使用されるＰＦＣガス等を電磁誘導による速や
かな高温発熱体加熱により高温酸化分解し、分解ガスは
反応生成物を形成するために導入した物質と反応し反応
生成物として捕捉する作用を有している。
酸化膜やＢＰＳＧ膜付けのシランガス、ＴＥＯＳ等のデ
ポジット用プロセスガス、ドライエッチングプロセスに
おいてエッチングガスやプラズマＣＶＤ装置等のクリー
ニングに使用されるＰＦＣガス等を電磁誘導による速や
かな高温発熱体加熱により高温酸化分解し、分解ガスは
反応生成物を形成するために導入した物質と反応し反応
生成物として捕捉する作用を有している。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明は、異種ガスの混合により
爆発を起こす危険性の在るデポジット排ガスとクリーニ
ング排ガスを別配管で安全に反応筒内の別々の場所に導
入し、それぞれを安全に効率良く酸化処理させ、これら
の反応筒の内部部品や金属面をセラミック被覆して高温
酸化しないように保護することにある。
爆発を起こす危険性の在るデポジット排ガスとクリーニ
ング排ガスを別配管で安全に反応筒内の別々の場所に導
入し、それぞれを安全に効率良く酸化処理させ、これら
の反応筒の内部部品や金属面をセラミック被覆して高温
酸化しないように保護することにある。
【００２６】枚葉式プラズマＣＶＤ装置の複数チャンバ
ーから出ているデポジット排ガス配管とクリーニング排
ガス配管を、除害装置のデポジット排ガス取入れ口７と
クリーニング排ガス取り入れ口９にそれぞれのガス種類
毎に集合させ接続している。
ーから出ているデポジット排ガス配管とクリーニング排
ガス配管を、除害装置のデポジット排ガス取入れ口７と
クリーニング排ガス取り入れ口９にそれぞれのガス種類
毎に集合させ接続している。
【００２７】枚葉式プラズマＣＶＤ装置から排出する未
反応クリーニングガスであるＮＦ３は８００℃〜１００
０℃で酸化分解し、ＣＦ４等のＰＦＣガスは１１００℃
〜１３００℃で酸化分解する。
反応クリーニングガスであるＮＦ３は８００℃〜１００
０℃で酸化分解し、ＣＦ４等のＰＦＣガスは１１００℃
〜１３００℃で酸化分解する。
【００２８】反応筒内１１の請求項２に記載の電磁誘導
コイル１４の外側に開口を上部に有する内筒１７が設置
されており、該反応筒１１と該内筒１７の間の空間には
クリーニング排ガスを導入する配管口９が接続されてい
る。
コイル１４の外側に開口を上部に有する内筒１７が設置
されており、該反応筒１１と該内筒１７の間の空間には
クリーニング排ガスを導入する配管口９が接続されてい
る。
【００２９】該反応筒１１と該内筒１７の間の空間は電
磁誘導コイル１４の輻射熱で最大９００℃近くに達す
る。クリーニング排ガスを空間に通して最外壁を冷却し
加熱防止を行い、かつクリーニング排ガスの酸化反応前
の予備加熱を行う。
磁誘導コイル１４の輻射熱で最大９００℃近くに達す
る。クリーニング排ガスを空間に通して最外壁を冷却し
加熱防止を行い、かつクリーニング排ガスの酸化反応前
の予備加熱を行う。
【００３０】予備加熱されたクリーニング排ガスは誘導
加熱コイル１５を通過して、ガス種類に応じて最大１２
００℃〜１３００℃に加熱酸化分解され、排気過程で冷
却され水スクラバーに排出される。
加熱コイル１５を通過して、ガス種類に応じて最大１２
００℃〜１３００℃に加熱酸化分解され、排気過程で冷
却され水スクラバーに排出される。
【００３１】一方、デポジット排ガスであるシランガス
は５００℃〜６５０℃の温度で高温酸化分解される。Ｔ
ＥＯＳは６５０℃〜８００℃で酸化分解される。
は５００℃〜６５０℃の温度で高温酸化分解される。Ｔ
ＥＯＳは６５０℃〜８００℃で酸化分解される。
【００３２】デポジット排ガス導入配管７より導入され
た外部空気を含んだデポジット排ガスは円筒２０内で電
磁誘導コイル１４の輻射熱で反応させ粉化する。
た外部空気を含んだデポジット排ガスは円筒２０内で電
磁誘導コイル１４の輻射熱で反応させ粉化する。
【００３３】円筒２０内側の表面に窒化ボロン等の潤滑
膜を形成してある。生成した粉体は側壁からの空気流に
より滑落して行くので詰る事が無い。
膜を形成してある。生成した粉体は側壁からの空気流に
より滑落して行くので詰る事が無い。
【００３４】該反応筒部１１内部の部品は全てセラミッ
ク被覆する。被覆するセラミックコート材はシリカ、ア
ルミナ、ジルコニア等のセラミック粉と硬化剤として燐
酸アルミ、燐酸マグネシュウム等の混合物からなり、熱
膨張係数を金属素地に合わせてあるのでクラックは生じ
ず。被覆されたセラミック被膜は常用耐熱１４００℃に
耐えるものである。
ク被覆する。被覆するセラミックコート材はシリカ、ア
ルミナ、ジルコニア等のセラミック粉と硬化剤として燐
酸アルミ、燐酸マグネシュウム等の混合物からなり、熱
膨張係数を金属素地に合わせてあるのでクラックは生じ
ず。被覆されたセラミック被膜は常用耐熱１４００℃に
耐えるものである。
【００３５】酸化分解反応炉内外の耐熱合金表面のセラ
ミック被覆は、高温酸化防止効果をもたらし、排ガスの
高温酸化分解時にＮＯｘの発生を押さえる効果がある。
ミック被覆は、高温酸化防止効果をもたらし、排ガスの
高温酸化分解時にＮＯｘの発生を押さえる効果がある。
【００３６】図２は電磁誘導コイル１４の上面図であ
る。全ての加熱体になる中空円板１６に穴が開けられて
おり、穴に碍子を設置しインコネル等のＮｉ系合金線や
耐熱チタン合金を通していくと、トロイダル巻きコイル
の電磁誘導コイル１４になり、合金線終端部を上蓋部１
２のコイル入力端子１２、１３とに接合する。
る。全ての加熱体になる中空円板１６に穴が開けられて
おり、穴に碍子を設置しインコネル等のＮｉ系合金線や
耐熱チタン合金を通していくと、トロイダル巻きコイル
の電磁誘導コイル１４になり、合金線終端部を上蓋部１
２のコイル入力端子１２、１３とに接合する。
【００３７】円筒１５の内外面と外周に溶接された全て
の中空円板１６をセラミック被覆する。耐熱合金線のト
ロイダル巻きコイルもセラミック被覆を行い。急激な加
熱による熱膨張差でクラックが生じないように、セラミ
ックスと金属素地の熱膨張係数を合わせる。
の中空円板１６をセラミック被覆する。耐熱合金線のト
ロイダル巻きコイルもセラミック被覆を行い。急激な加
熱による熱膨張差でクラックが生じないように、セラミ
ックスと金属素地の熱膨張係数を合わせる。
【００３８】誘導コイルのメンテナンスの点から、上蓋
部１２や、誘導コイル１４や、円筒１６や、中空円板１
５等は交換時、一体で取り出すので軽量な耐熱チタン製
が望ましい。
部１２や、誘導コイル１４や、円筒１６や、中空円板１
５等は交換時、一体で取り出すので軽量な耐熱チタン製
が望ましい。
【００３９】図３は反応筒内３１の外側に水冷式電磁誘
導コイル３４を設置し、反応筒内３１の内側に開口を上
部に有する内筒３７が設置されており、該反応筒３１と
該内筒３７の間の空間にはクリーニング排ガスを導入す
る配管口９が接続されている。
導コイル３４を設置し、反応筒内３１の内側に開口を上
部に有する内筒３７が設置されており、該反応筒３１と
該内筒３７の間の空間にはクリーニング排ガスを導入す
る配管口９が接続されている。
【００４０】該反応筒３１と該内筒３７の間の空間は電
磁誘導コイル３４で加熱された電磁誘導加熱体の輻射熱
で最大９００℃近くに達する。クリーニング排ガスを空
間に通してクリーニング排ガスの酸化反応前の予備加熱
を行う。
磁誘導コイル３４で加熱された電磁誘導加熱体の輻射熱
で最大９００℃近くに達する。クリーニング排ガスを空
間に通してクリーニング排ガスの酸化反応前の予備加熱
を行う。
【００４１】予備加熱されたクリーニング排ガスは誘導
加熱体３３を通過して、ガスの種類に応じて最大１２０
０℃〜１３００℃に加熱酸化分解され、排気過程で冷却
され水スクラバーに排出される。
加熱体３３を通過して、ガスの種類に応じて最大１２０
０℃〜１３００℃に加熱酸化分解され、排気過程で冷却
され水スクラバーに排出される。
【００４２】誘導加熱体３３の材質は耐熱合金にセラミ
ック被覆したものでも、セラミックカーボン等のセラミ
ック加熱体でも、セラミック加熱体にセラミック被覆し
たものでもよい。
ック被覆したものでも、セラミックカーボン等のセラミ
ック加熱体でも、セラミック加熱体にセラミック被覆し
たものでもよい。
【００４３】デポジット排ガス導入配管７より導入され
た外部空気を含んだデポジット排ガスは円筒２０内で電
磁誘導発熱体３４の輻射熱で酸化反応させＳｉＯ２に粉
化する。
た外部空気を含んだデポジット排ガスは円筒２０内で電
磁誘導発熱体３４の輻射熱で酸化反応させＳｉＯ２に粉
化する。
【００４４】円筒２０内側の表面に窒化ボロン等の潤滑
膜を形成してある。酸化分解して生成した粉体は側壁か
らの空気流により滑落して行くので２０の穴が詰る事が
無い。
膜を形成してある。酸化分解して生成した粉体は側壁か
らの空気流により滑落して行くので２０の穴が詰る事が
無い。
【００４５】該反応筒部３１外部の電磁誘導コイルを循
環水冷させているため反応筒からの輻射熱が押さえる事
が出来る。
環水冷させているため反応筒からの輻射熱が押さえる事
が出来る。
【図１】本発明の１実施の形態による排ガス処理装置を
示す全体図である。
示す全体図である。
【図２】本発明の１実施の形態による排ガス処理装置の
上面図である。
上面図である。
【図３】本発明の１実施の形態による排ガス処理装置を
示す全体図である
示す全体図である
１ クリーニング排ガス入口 ２ 除害ガス排気 ３ 給水 ４ 排水 ５ ドレイン排水 ６ 空気導入 ７ デポジット排ガス導入口 ８ 放射温度計窓 ９ クリーニング排気ガス導入口 １０ コイル入力端子 １１ 反応筒部 １２ 上蓋 １３ コイル入力端子 １４ 電磁誘導加熱用コイル １５ 発熱体取付円筒 １６ 金属中空円板発熱体 １７ 内部円筒 １８ 碍子 １９ 電磁誘導加熱発熱体 ２０ デポジット排ガス反応筒 ２３ 冷却ゾーン ２５ 水スクラバー ２６ 円盤状発熱体 ２７ 水シャワー排ガス吸収筒 ２９ ガス検知機 ３１ セラミック反応筒 ３２ セラミック反応筒用上蓋 ３４ 水冷式電磁誘導コイル ３５ ガス分離隔壁円筒 ３６ 直方体状発熱体
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体排ガスを高温酸化分解するための
反応筒を有し、クリーニングガスとデポジットガスを該
反応筒内でまったく別々に加熱分解する排ガス除害装置
であり、該反応筒内の電磁誘導コイルの外側に開口を上
部に有する内筒が設置されており、該反応筒と該内筒の
間の空間にはクリーニング排ガスを導入する配管が接続
され、電磁誘導コイルを保持する内側の円筒上部は該反
応筒の上蓋に固着され、該円筒内部に空気吐出穴を有す
る円筒を設置しており、コイルを保持する該円筒と内側
の空気吐出穴を有する該円筒との空間に空気が導入され
る配管が接続され、空気吐出穴を有する該円筒上部は外
部空気を含んだデポジット排ガスを導入する配管に接続
され、該反応筒内部の全ての部品や面がセラミックで被
覆された事を特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の排ガス処理装置におい
て、耐熱耐高温酸化性に優れたニッケル系合金やコバル
ト系合金の線材を使用し、円筒外周に耐熱合金の中空円
板を等間隔に複数枚溶接し、全ての中空円板に合金線材
を通していくと、トロイダル（円環）状の電磁誘導コイ
ルを形成するように穴が開けられており、碍子を中空円
板の穴に入れ、碍子に合金線材を通してトロイダルコイ
ルにし、全ての部品と金属面をセラミック被覆した電磁
誘導加熱用コイルを持つ事を特徴とする排ガス処理装
置。 - 【請求項３】 半導体排ガスを高温酸化分解するための
ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等のセ
ラミック製の反応筒を有し、該反応筒の外側に水冷式電
磁誘導コイルを設け、クリーニング排ガスとデポジット
排ガスを該反応筒内で別々に加熱分解する排ガス除害装
置であり、該反応筒内側に開口を上部に有する内筒が設
置されており、該反応筒と該内筒の間の空間にはクリー
ニング排ガスを導入する配管が接続され、電磁誘導加熱
体を保持する内側の円筒上部は該反応筒の上蓋に固着さ
れ、該円筒内部に空気吐出穴を有する円筒を設置してお
り、電磁誘導加熱体を保持する該円筒と内側の空気吐出
穴を有する該円筒との空間に空気が導入される配管が接
続され、空気吐出穴を有する該円筒上部は外部空気を含
んだデポジット排ガスを導入する配管に接続され、該反
応筒内部の全ての部品や面がセラミックで被覆された事
を特徴とする排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000399352A JP2002153726A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000399352A JP2002153726A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002153726A true JP2002153726A (ja) | 2002-05-28 |
Family
ID=18864142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000399352A Pending JP2002153726A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002153726A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005083633A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 誘導加熱式乾留炉 |
| JP2006026614A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Akiji Nishiwaki | 排ガス処理方法および排ガス処理装置 |
| WO2006062264A1 (en) * | 2004-12-08 | 2006-06-15 | M.A.T. Co., Ltd. | Gas scrubbing method using electric energy and fossil fuel and gas scrubber thereof |
| KR100634173B1 (ko) | 2006-06-23 | 2006-10-16 | 주식회사 이즈컨텍 | 폐가스 처리장치 |
| WO2009020081A1 (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Akifumi Nishiwaki | 排ガス処理方法およびその装置 |
| KR100917908B1 (ko) | 2007-10-11 | 2009-09-16 | 주식회사 피코 | 혼합식 가스처리장치 |
| WO2016106845A1 (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 干式蚀刻机及用于捕集气体中磁性颗粒的捕集装置 |
| CN108136310A (zh) * | 2015-09-01 | 2018-06-08 | 爱德华兹有限公司 | 减排装置 |
| CN116963820A (zh) * | 2022-01-28 | 2023-10-27 | 北京康肯环保设备有限公司 | 筒状加热部和具备该筒状加热部的废气处理装置 |
-
2000
- 2000-11-21 JP JP2000399352A patent/JP2002153726A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005083633A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 誘導加熱式乾留炉 |
| JP2006026614A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Akiji Nishiwaki | 排ガス処理方法および排ガス処理装置 |
| WO2006062264A1 (en) * | 2004-12-08 | 2006-06-15 | M.A.T. Co., Ltd. | Gas scrubbing method using electric energy and fossil fuel and gas scrubber thereof |
| KR100634173B1 (ko) | 2006-06-23 | 2006-10-16 | 주식회사 이즈컨텍 | 폐가스 처리장치 |
| WO2007148858A1 (en) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Iscontek.Co., Ltd. | Waste gas purification apparatus |
| WO2009020081A1 (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Akifumi Nishiwaki | 排ガス処理方法およびその装置 |
| KR100917908B1 (ko) | 2007-10-11 | 2009-09-16 | 주식회사 피코 | 혼합식 가스처리장치 |
| WO2016106845A1 (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 干式蚀刻机及用于捕集气体中磁性颗粒的捕集装置 |
| CN108136310A (zh) * | 2015-09-01 | 2018-06-08 | 爱德华兹有限公司 | 减排装置 |
| CN108136310B (zh) * | 2015-09-01 | 2021-10-29 | 爱德华兹有限公司 | 减排装置 |
| CN116963820A (zh) * | 2022-01-28 | 2023-10-27 | 北京康肯环保设备有限公司 | 筒状加热部和具备该筒状加热部的废气处理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1828680B1 (en) | Reactor design to reduce particle deposition during effluent abatement process | |
| JP2006170603A (ja) | 廃ガス処理装置 | |
| US20100317197A1 (en) | Heat Shield for Heater in Semiconductor Processing Apparatus | |
| US7976807B2 (en) | Method for detoxifying HCD gas and apparatus therefor | |
| US20050085057A1 (en) | Gas heating method and gas heating device | |
| CN106029217A (zh) | 等离子体前级热反应器系统 | |
| JP2002153726A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| TWI495829B (zh) | Exhaust gas treatment device | |
| JP4172938B2 (ja) | 排ガスの処理方法および処理装置 | |
| TWI433718B (zh) | 電漿反應器 | |
| JP7166759B2 (ja) | Ｈｄｐ－ｃｖｄチャンバのアーク発生を防止するための高度なコーティング方法および材料 | |
| JP3927359B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JP2002058961A5 (ja) | ||
| JP3215074B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害方法と除害装置 | |
| JPS6157222A (ja) | ハロゲンを含有する有害物質を浄化する装置 | |
| JP3866404B2 (ja) | 半導体排ガスの除害装置 | |
| JP3272986B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置 | |
| JPH01293120A (ja) | 廃ガス処理方法 | |
| JP2000342931A (ja) | パーフルオロカーボンガスの除去方法及び除去装置 | |
| JP2009049047A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JPH1061934A (ja) | 燃焼式排ガス処理装置 | |
| JPS6359533B2 (ja) | ||
| JP2000024456A (ja) | 熱分解性ガスの除去装置及び除去方法 | |
| JP2000058459A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| KR102296714B1 (ko) | 질소 산화물 제거장치 |