TWI433718B - 電漿反應器 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種電漿反應器。該設備尤其適用於用於處理已從處理室排放的氣體流之電漿消減系統。
半導體裝置製造中之一主要步驟係藉由蒸汽先驅物之化學反應在一半導體基板上形成一薄膜。用以在一基板上沉積一薄膜之一已知技術係化學汽相沉積(CVD)。在此技術中，處理氣體係供應至一裝載該基板的處理室並反應以在該基板之表面上形成一薄膜。向該處理室供應以形成一薄膜的氣體之範例包括但不限於：．用於形成一氮化矽膜之矽烷及氨；．用於形成一SiON膜之矽烷、氨及氧化氮；．用於形成一氧化矽膜之TEOS及氧與臭氧之一者；以及．用於形成一氧化鋁膜之Al(CH3
)3
及水蒸汽。
一般還在該處理室內實行電漿蝕刻程序以蝕刻電路特徵。蝕刻氣體一般係全氟化合物氣體，例如CF4
、C2
F6
、CHF3
、NF3
及SF6
。
還規則地清潔該處理室之內側表面以從該室移除不想要的沉積材料。清潔該室之一方法係供應一全氟化合物清潔氣體(例如，NF3
或C2
F6
)以與不想要的沉積材料反應。
一處理工具一般具有複數個處理室，在一沉積、蝕刻或清潔程序中每一處理室可處於個別不同階段。從一處理室排放的氣體流之成分一般包括向該處理室供應的氣體之一
殘餘量連同由該程序產生之副產物。因此，在處理期間由從該等室排放的氣體之一組合形成之一廢屑流可具有各種不同成分。
處理氣體(例如矽烷及TEOS)及清潔氣體(例如全氟化合物)若排到大氣中會極危險，而因此在將該等排放氣體排出到大氣中之前，將其輸送至消減設備。該消減設備將該等排放氣體之較危險的成分轉換成易於藉由傳統的擦洗來移除並可安全地排放到大氣中之物種。
目前的趨勢係向無燃料消減技術發展，而吾等習知可使用一電漿消減裝置來高效率而以相對較低的成本移除來自一蝕刻處理室之排放氣體中的不需要物種。在電漿消減程序中，驅使該氣體流流入一高密度電漿中，而在密集狀態下，該氣體流內的電漿物種經受與高能電子之撞擊而導致解離成活性物種，該等活性物種可與氧或氫組合，以產生相對較穩定的副產物。例如，可將C2
F6
轉換成CO、CO2
及HF，可在另一處理步驟中將後者移除。因此，需要擴展電漿消減技術以致能使用一單一的無燃料消減裝置來處理來自多種處理室之排放氣體。
但是，由在該等室中發生的程序決定，該等不同的排放氣體可包含彼此不相容之化學品。例如，來自其中發生一氧化矽沉積程序之一室的排放氣體可包含已在該室內產生之TEOS、氧及SiO2
微粒。另一方面，來自其中發生一NF3
清潔程序之一室的排放氣體可包含氟(F2
)。TEOS及氟一旦接觸便將自發燃燒，而可能導致在排放氣體管道內著火或
爆炸。儘管可使用個別的消減設備來分別處理此等氣體流，但此舉使得與該消減系統相關聯的成本增加。
此外，為使得微波電漿消減裝置之破壞效率最佳化，該氣體入口一般係1 mm2
之等級。因此，僅數微米直徑的微粒在該排放氣體中之存在可能導致該電漿消減裝置的入口之快速堵塞。
本發明之至少較佳具體實施例之一目的係嘗試解決此等及其他問題。
在一第一態樣中，本發明提供一種電漿反應器，其包含：一反應室，一入口頭部，其具有：一開口端，其係連接至該反應室；一電漿入口，其位置係與該開口端相對；一內部表面，其係從該開口端朝該電漿入口逐漸變小；以及第一及第二氣體入口，其皆係位於該電漿入口與該開口端之間；以及一電漿炬，其用以透過該電漿入口將一電漿流注入至該反應室內；其中該電漿入口係成形為導致該電漿流朝該等氣體入口向外擴展。
該入口頭部與該電漿入口之此成形可致能該電漿流在氣體流從該等氣體入口退出時撞擊於其上。該電漿流可提供一能量來源，從而可導致在該等氣體流開始在該室內混合
之前該等氣體流之至少一成分之一顯著比例發生反應。
例如，若該氣體流之成分之一具可燃性而係與一充足量的氧化劑一同輸送至該反應器內，則該電漿流可提供用以在該氣體流與另一氣體流混合於該反應器內之前引起該可燃性成分的實質上完全且受控制的燃燒之點火能量。此可抑制在該電漿反應器內於一氣體流之可燃性成分(例如TEOS)與另一氣體流之一成分(例如氟)之間發生一不受控制的反應。該另一氣體流之此成分可以係與單獨向該反應室供應或先前以在該氣體流中攜帶之一反應物(例如，水蒸汽)反應，而由該電漿流提供用以促進此反應之一能量來源。
因此，可使用該電漿反應器來同時處理從兩個處理室排放的氣體流而其功率消耗及成本與針對每一氣體流包含一電漿反應器之一消減系統相比而減小。
為產生一其中處理粉末無法聚集之高溫反應器，該反應室較佳的係包含一環形主體，與用以向該環形主體的內部表面供應氣體以抑制積聚於其上之沉積物之構件。此特徵可以係提供於一不具有上述入口頭部之反應室內，而因此，在一第二態樣中，本發明提供一種電漿反應器，其包含：一反應室，至少一氣體入口，其用以向該反應室電漿供應一氣體；以及一電漿炬，其用以將一電漿流注入至一反應室內；
其中該反應室包含一環形主體與用以向該環形主體的內部表面供應氣體以抑制積聚於其上之沉積物之構件。
該環形主體可包含一多孔環形部件，而該氣體供應構件包含在該環形部件周圍延伸用以接收該氣體之一充氣室。該氣體在來自該充氣室的壓力下穿過該環形室而驅逐可能已在該環形室的內部表面上積聚之任何沉積物。
可提供構件用以加熱向該環形主體的內部表面供應之氣體。可藉由位於該充氣室中的電阻加熱器或者藉由圍繞該充氣室之一加熱器來提供該構件。加熱向該反應室供應的氣體可致能沿該反應室之長度保持一高溫度，從而增加將該氣體流的成分曝露於在該室內產生的高溫條件之時間長度而因此增強該反應器之消減效能。
該氣體可以係一惰性清洗氣體，例如氮或氬，且可包含一反應物，例如水蒸汽、氧、氫或甲烷，以與透過該等氣體入口之一入口進入該反應器之一氣體流之一成分反應。此可提供用以將該反應物供應給該反應室之一方便的機構，因為不需要任何額外的氣體供應來將該反應物供應給該反應室。
可將一冷卻柱體提供於該反應室下方且與該反應室形成流體流通，連同用以保持沿該冷卻柱體的內部表面之一水流的構件。此可致能冷卻離開該反應室之反應產物流而同時致能藉由塗布該柱體的內部表面之水流將包含於該氣體流內的酸性氣體(例如HF)取入溶液，且還致能藉由此水流來捕獲固體微粒。該冷卻柱體亦可包含一熱交換器以回收
熱量來提供給該反應器之其他部分。
第一氣體入口較佳的係在直徑上相對於第二氣體入口而定位。該內部表面之形狀較佳的係選擇成使其與該電漿流之形狀接近一致，從而使一氣體入口與該電漿流之間的氣體路徑之長度最小化。舉例而言，該入口頭部之內部表面實質上可為圓錐形或截頭圓錐體形，而該內部表面之錐角經選擇成與該電漿流從該電漿入口向外展開的角度接近匹配。
每一氣體入口包含一噴嘴其用以接收在該反應室內之一待處理氣體流，與一環形通道其在該噴嘴周圍延伸以接收一清洗氣體。此清洗氣體可用來冷卻該入口頭部，而額外的優點係藉由該清洗氣體將該清洗氣體正從該入口頭部引出之熱量重新引入回到該反應室內。該清洗氣體可包含一相對惰性氣體，例如氮或氬，且亦可包括一反應物，例如氫、水蒸汽、氧或甲烷，以與藉由該氣體入口輸送至該反應器內的氣體流之一成分反應。該噴嘴可終止於該氣體入口內，以為該反應物在其離開該氣體入口之前與該氣體流的混合提供機會。該入口亦可包含延伸至該噴嘴內之一反應氣體入口管，該噴嘴及環形通道以同心方式包圍該管。傳遞至該反應氣體入口管之反應氣體可包含(例如)氫、水蒸汽、甲烷或氧。傳遞至該反應氣體入口管之反應氣體可為除了傳遞至該環形通道的任何反應物以外之額外或替代氣體。
該入口頭部可包含位於該電漿入口與該反應室之間的構
件，用以朝該等第一及第二氣體入口引導該電漿流，以藉此進一步縮短從該氣體入口至該電漿流延伸的氣體路徑。舉例而言，一陶瓷主體可位於該入口頭部內，且係成形為將該電漿流引導至位於該主體與該入口頭部的內部表面之間的一圓錐形或截頭圓錐體形通道內。可提供構件用以在該主體的外部表面上產生一氣體層。舉例而言，該陶瓷主體可為多孔，及供應至該主體之一氣體流以在該主體之外部表面上產生該氣體層。此氣體層可為該陶瓷主體提供一保護性氣體邊界。該氣體亦可包含一反應物，以與透過該等氣體入口之一入口進入該反應器之一氣體流的一成分反應。若向該主體供應冷卻水，則此可提供用以與該氣體流的成分反應之一水蒸汽來源。
首先參考圖1，一電漿反應器之一第一具體實施例包含一反應器室12。該反應器室12實質上係圓柱形，且受環形主體16之內部表面14約束。在此範例中，該環形主體16係藉由一多孔陶瓷環形部件來提供，該環形部件受一充氣容積18包圍，該充氣容積18係形成於該環形主體的外部表面與一圓柱形外殼20之間。如下面之更詳細說明，經由一或多個入口噴嘴22將一氣體引入至該充氣容積18內，以使得在使用期間氣體穿過該環形主體16進入至該反應室12內，如圖1中的24所示。
該反應器室12之下部端(如圖所示)係開放以允許從該反應器室12輸出反應產物。該反應器室12之上部端(如圖所
示)係連接至一入口頭部30，用以向該反應器室12供應欲處理氣體。該入口頭部30包含連接至該反應室12之一開放的下部端32、與該開口端32相對而定位之一電漿入口34，而該入口頭部30之內部表面36係從該開口端32朝該電漿入口34逐漸變小。
一直流電漿炬38係相對於該入口頭部30位於外部，用以透過該電漿入口34注入一電漿流。該電漿流可以係由任何可離子化的電漿源氣體(例如，氬或氮)產生。該電漿入口34係成形為導致該電漿流在其離開該電漿入口34時向外擴展。在此範例中，該電漿入口34具有一內壁，該內壁具有與該電漿炬38相鄰而定位之一漸縮區段，以及與該入口頭部30的內部表面36相鄰而定位之一漸擴區段，以使得該電漿流以一電漿展開角度α從該電漿入口34向外展開。該內部頭30之內部表面36係成形為與該電漿流之形狀接近一致。在此範例中，該內部表面36實質上係截頭圓錐體形，其具有與該電漿展開角度α接近匹配之一錐角β。
該入口頭部30亦包含一第一氣體入口40與一第二氣體入口42，每一入口係位於該電漿入口34與該入口頭部30的開口端32之間並沿實質上平行的方向延伸穿過該入口頭部30。每一氣體入口40、42係連接至一個別的氣體供應導管44、46，該導管向其個別的氣體入口40、42供應欲在該電漿反應器內處理之一氣體。如圖1至3所示，入口40、42可經配置用以沿與該環形主體16的內部表面14平行之一向下方向透過該電漿反應器來供應該欲處理氣體。該等入口
40、42亦可經配置用以藉由將該等入口40、42以一角度引導進該入口頭部30(未顯示)內來透過該電漿反應器沿一向下的螺旋形方向供應該欲處理氣體，而因此增加該等氣體在該反應器中的滯留時間。一噴嘴48係提供於每一氣體入口40、42內，用以接收來自該氣體供應導管44、46之氣體並將該氣體注入至該反應室12內。每一噴嘴48受一環形氣體通道50之包圍，該環形氣體通道50係界定於該噴嘴48的外部表面與該氣體入口40、42的內部表面之間，而且在該電漿反應器使用期間向該環形氣體通道50供應一清洗氣體以冷卻該入口頭部30。
向一氣體入口40、42供應之氣體可包含來自一半導體處理室之一排放氣體，而每一氣體入口40、42經配置用以接收來自一不同處理室之氣體。例如，向氣體導管44輸送的氣體在一給定時間可以係來自其中發生一氧化矽沉積程序之一處理室的排放氣體，而向氣體導管46輸送的氣體可以係來自其中發生一清潔程序之一不同處理室的排放氣體。因此，向該反應器室供應的氣體可能不相容；在此範例中，一氣體可包含TEOS而另一氣體可包含氟。
該入口頭部30之設計可致能該電漿流在此等氣體從該等氣體入口40、42進入該電漿反應器時撞擊在其上。該內部表面36之形狀意味著在每一氣體入口40、42與該電漿流之間僅有一相對較短的氣體路徑，而因此該等氣體在受該電漿流撞擊之前混合的機會極少。該電漿流可提供一能量來源，從而可導致在該等氣體開始在該反應室12內混合之前
該等氣體之至少一成分之一顯著比例發生反應。例如，該電漿流可提供用於消減一可燃性氣體(例如來自一沉積處理室之排放氣體所包含之TEOS)之一點火源。TEOS一般係同一定量的氧化劑(例如氧或臭氧)一起從此一室排放，而且係提供成使得在該氣體內有足夠的氧化劑，在該反應器內可發生該可燃性氣體之實質上完全的燃燒。在該排放氣體內含有不足以令該可燃性氣體完全燃燒的氧化劑之情況下，可向供應給該環形通道50(其圍繞氣體入口44之噴嘴48)的清洗氣體供應額外的氧化劑。
如上所述，向氣體導管46輸送的氣體可以係來自其中發生一清潔程序之一處理室的排放氣體，而因此可包含連同在該清潔程序期間產生的氟(F2
)及SiF4
之清潔氣體(例如NF3
)。藉由該電漿流將該氣體加熱至一足夠的溫度以使F2
與SiF4
與水蒸汽快速而完全地反應，來實現此等物種之消減。同樣，可將該水蒸汽供應給在該清洗氣體(其係供應至圍繞該氣體入口46之噴嘴之氣體通道50)內攜帶的反應器，從而該等反應可在該入口頭部30內發生。或者，由於在緊鄰該氣體入口44之處已消減該可燃性氣體，因此，將會有極少(即便有的話)的可燃性氣體存在於該反應室12內，而因此可將該水蒸汽供應給在向該充氣室18供應的清洗氣體內攜帶之反應室12，從而氟及SiF4
與水蒸汽之反應完全在該反應室12內發生。NF3
及其他全氟化合物之消減需要一升高的溫度及一較長的滯留時間，此係藉由加熱向該充氣室18供應的(載水)清洗氣體來實現。可使用位於該
充氣室18內的電阻加熱器，或藉由圍繞該充氣室18之一加熱夾套來加熱該清洗氣體。
由於進入該電漿反應器的氣體之一可以係來自其中發生一二氧化矽沉積的處理室之排放氣體，因此二氧化矽微粒可進入該反應器。此係由於在該沉積程序中，緊接該基板處的條件係最佳化以使得汽相反應最小化而使得用於在該基板上形成一連續膜的表面反應最大化。但是，在該室中其他地方的條件及從該室起的下游並非如此最佳化，而汽相晶核生長可導致形成微粒。此等微粒一般係以多種尺寸形成，從數微米直徑直至數十或數百微米直徑，而更精細的微粒趨向於黏聚以形成較大的微粒。透過該環形主體16之清洗氣體供應係用來從該環形主體16的內部表面14驅逐任何此類微粒，從而致能在該反應器之使用期間將該反應室12保持於一相對較清潔的狀況。
因此，從該反應室12之開放的底部端排放之氣體流將包含由該反應器內發生的反應產生之副產物連同已穿過該反應器之其他氣體(例如清洗氣體及未消耗的反應物)以及固體微粒。該反應室之開放底部端係連接至一圓柱形後燃燒室60，該後燃燒室60包含用以接收從該反應室12流動氣體流之水冷卻柱體62。透過一管(未顯示)將水供應至包圍該冷卻柱體62之一環形槽64，從而使水從該槽64之頂部溢流而沿該冷卻柱體62之內部表面下湧。水係用來冷卻該氣體流而防止固體微粒沉積於該冷卻柱體62之表面上。此外，可藉由水將該氣體流之任何酸性成分取入溶液。若需要任
何額外的淬火，則可將噴灑口定位於該室60之下部端以引入一水霧。
可將透過該室60的出口排放的氣體流及水輸送至一分離器(未顯示)，用以將現在包含固體微粒與酸性物種的水與該氣體流分離。接著可透過一濕式洗滌器來輸送氣體流，以在將該氣體流排到大氣中之前從該氣體流移除酸性物種。
圖2解說一電漿反應器之一第二具體實施例。該第二具體實施例包括該第一具體實施例之所有特徵且還包括位置與該電漿入口34相對用以將該電漿流引導進一圓錐形通道72(其係位於該主體70與該入口頭部30之內部表面36之間)內之一圓錐形陶瓷主體70。該主體70可以係連接至該入口頭部30、至該環形主體16或至外殼20之底部。將該電漿流引導進該圓錐形通道72內進一步縮短從每一氣體入口40、42向該電漿流延伸之氣體路徑，從而使得在已將該等氣體處理成從該等氣體實質上移除至少一成分之前該等氣體更難以在該反應器內混合。
圖3解說一電漿反應器之一第三具體實施例。該第三具體實施例包括該第一具體實施例之所有特徵，且還包括位於該入口頭部30與該環形主體16之間的一第二環形主體80。較佳的係，亦藉由一多孔陶瓷環形部件來提供該第二環形主體，該第二環形部件受一形成於該環形主體80的外部表面與一圓柱形外殼84之間之充氣容積82包圍。對於該環形主體16，經由一或多個入口噴嘴86將一氣體引入至該
充氣容積82，從而，在使用期間，氣體穿過該第二環形主體80進入該反應器室12內(如圖3中在88所示)以從該第二環形主體80的內部表面90驅逐微粒。如同在該第一具體實施例中，較佳的係在此氣體進入該反應室12之前加熱此氣體。
除增加該反應室12之長度，以進而增加氣體在該電漿反應器內的滯留時間外，包括此第二環形主體80及相關聯的充氣室82可致能沿該反應室12的長度使用不同的清洗氣體流速、清洗氣體成分及溫度，從而可使得該消減化學性質為該反應器內之待處理氣體而最佳化。例如，用以消減氫之一富含氧化劑的清洗氣體可供應至該充氣室82，而同時可將一富含水蒸汽的清洗氣體供應至該充氣室18，以消減一氧化劑(例如氟或NF3
)。
圖4解說一電漿反應器之一第四具體實施例。該第四具體實施例包括該第三具體實施例之所有特徵，且還包括反應氣體入口管100，其位於該等噴嘴48及環形氣體通道50的內側，且該等噴嘴48及環形氣體通道50以同心方式包圍反應氣體入口管100。除經由氣體通道50供應的任何反應氣體外，還連同或替代地經由反應氣體入口管100將反應氣體供應給欲處理的氣體。應瞭解，反應氣體入口管100可以具有本文在圖1至3中說明的任何具體實施例，而不限於圖4所示之具體實施例。此外，該反應氣體入口管相對於該清洗氣體入口之配置並不限於圖4所示之配置。例如，可將該反應氣體入口管100配置成使得所有氣體係在
進入至室12內之前彼此混合。
12‧‧‧反應器室
14‧‧‧環形主體16的內部表面
16‧‧‧環形主體
18‧‧‧充氣容積/充氣室
20‧‧‧圓柱形外殼
22‧‧‧入口噴嘴
30‧‧‧入口頭部
32‧‧‧開放的下部端
34‧‧‧電漿入口
36‧‧‧入口頭部30之內部表面
38‧‧‧直流電漿炬
40‧‧‧第一氣體入口
42‧‧‧第二氣體入口
44‧‧‧氣體供應導管/氣體入口
46‧‧‧氣體供應導管/氣體入口
48‧‧‧噴嘴
50‧‧‧環形氣體通道
60‧‧‧圓柱形後燃燒室
62‧‧‧冷卻柱體
64‧‧‧環形槽
70‧‧‧主體
72‧‧‧圓錐形通道
80‧‧‧第二環形主體
82‧‧‧充氣容積/充氣室
84‧‧‧圓柱形外殼
86‧‧‧入口噴嘴
90‧‧‧第二環形主體80的內部表面
100‧‧‧反應氣體入口管
已僅藉由範例而參考附圖說明本發明之較佳特徵，其中：圖1係一電漿反應器之一第一具體實施例之一斷面圖；圖2係一電漿反應器之一第二具體實施例之一斷面圖；以及圖3係一電漿反應器之一第三具體實施例之一斷面圖；圖4係一電漿反應器之一第四具體實施例之一斷面圖。
12‧‧‧反應器室
14‧‧‧環形主體16的內部表面
16‧‧‧環形主體
18‧‧‧充氣容積/充氣室
20‧‧‧圓柱形外殼
22‧‧‧入口噴嘴
30‧‧‧入口頭部
32‧‧‧開放的下部端
34‧‧‧電漿入口
36‧‧‧入口頭部30之內部表面
38‧‧‧直流電漿炬
40‧‧‧第一氣體入口
42‧‧‧第二氣體入口
44‧‧‧氣體供應導管/氣體入口
46‧‧‧氣體供應導管/氣體入口
48‧‧‧噴嘴
50‧‧‧環形氣體通道
60‧‧‧圓柱形後燃燒室
62‧‧‧冷卻柱體
64‧‧‧環形槽
Claims (32)
- 一種電漿消減反應器，其包含：一反應室；一入口頭部，其具有：一開口端，其係連接至該反應室；一電漿入口，其係相對於該開口端；一內部表面，其係從該開口端朝該電漿入口逐漸變小；以及第一及第二氣體入口，其皆係位於該電漿入口與該開口端之間，其中每一氣體入口包含一噴嘴以接收在該反應室內待處理之一氣體流；以及一電漿炬，其用以透過該電漿入口將一電漿流注入至該反應室內；其中該電漿入口係成形為使該電漿流朝該等氣體入口向外擴展。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其中該第一氣體入口係在直徑上相對於該第二氣體入口而定位。
- 如請求項1或請求項2之電漿消減反應器，其中該入口頭部之該內部表面實質上為截頭圓錐體形。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其中該等氣體入口沿實質上平行的方向延伸穿過該入口頭部。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其中每一氣體入口更進一步包含一環形通道在該噴嘴周圍延伸以接收一清洗氣體。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其中該電漿入口具有一內壁，該內壁具有相鄰於該電漿炬之一漸縮區段，以及 相鄰於該入口頭部的該內部表面之一漸擴區段。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其包含相對於該電漿入口以朝該等第一及第二氣體入口引導該電漿流之構件。
- 如請求項7之電漿消減反應器，其中該引導構件包含一主體，以將該電漿流引導進位於該主體與該入口頭部的該內部表面之間的一圓錐形通道內。
- 如請求項8之電漿消減反應器，其中該主體係由陶瓷材料形成。
- 如請求項8之電漿消減反應器，其包含用以在該主體的外部表面上產生一氣體層之構件。
- 如請求項10之電漿消減反應器，其中該氣體層包含一反應物，其用以與透過該等氣體入口之一入口進入該反應器之一氣體流之一成分反應。
- 如請求項8之電漿消減反應器，其包含用以冷卻該主體的該外部表面之構件。
- 如請求項12之電漿消減反應器，其中該主體冷卻構件經組態以供應水至該主體。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其中該反應室包含一環形主體，以及用以向該環形主體的該內部表面供應氣體以抑制積聚於其上之沉積物的構件。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其包含用以加熱供應至該主體的該內部表面之該氣體的構件。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其中該氣體包含一反應物以與進入該反應器之一氣體流之一成分反應。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其中該反應室包含：一第二環形主體，其係位於該第一所述環形主體與該電漿入口之間；以及第二氣體供應構件，其用以供應一第二氣體至該第二環形主體之該內部表面，該第二氣體與供應至該第一所述環形主體之該氣體不同，以抑制積聚於其上之沉積物。
- 如請求項17之電漿消減反應器，其中該第二環形主體包含一多孔環形部件，且該第二氣體供應構件包含在此環形構件周圍延伸以接收該第二氣體之一充氣室。
- 如請求項17之電漿消減反應器，其包含用以加熱該第二氣體之構件。
- 如請求項17之電漿消減反應器，其中該第二氣體包含一反應物以與進入該反應器之一氣體流之一成分反應。
- 如請求項1之電漿消減反應器，其包含在該反應室下方且與該反應室形成流體流通之一冷卻柱體，以及用以保持沿該冷卻柱體的該內部表面之一水流的構件。
- 如請求項5之電漿消減反應器，其進一步包含一氣體導管，以導入一反應氣體至在藉由該電漿處理之前之待處理的該氣體。
- 一種電漿消減反應器，其包含：一反應室；至少一氣體入口，以供應一氣體至該反應室電漿；以及一電漿炬，其用以將一電漿流注入至該反應室內；其中該反應室包含一環形主體，以及用以供應氣體至 該環形主體的該內部表面以抑制積聚於其上之沉積物的構件。
- 如請求項23之電漿消減反應器，其中該環形主體包含一多孔環形部件，且該氣體供應構件包含在該環形構件周圍延伸以接收該氣體之一充氣室。
- 如請求項23之電漿消減反應器，其包含用以加熱供應至該主體的該內部表面的該氣體之構件。
- 如請求項23之電漿消減反應器，其中該氣體包含一反應物，以與進入該反應器之一氣體流之一成分反應。
- 如請求項23之電漿消減反應器，其中該反應室包含：一第二環形主體，其係位於該第一所述環形主體與該電漿入口之間；以及第二氣體供應構件，其用以供應一第二氣體至該第二環形主體之該內部表面，該第二氣體與供應至該第一所述環形主體的該氣體不同，以抑制積聚於其上之沉積物。
- 如請求項27之電漿消減反應器，其中該第二環形主體包含一多孔環形部件，且該第二氣體供應構件包含在此環形部件周圍延伸以接收該第二氣體之一充氣室。
- 如請求項27之電漿消減反應器，其包含用以加熱該第二氣體之構件。
- 如請求項27之電漿消減反應器，其中該第二氣體包含一反應物以與進入該反應器之一氣體流之一成分反應。
- 如請求項23之電漿消減反應器，其包含在該反應室下方且與該反應室形成流體流通之一冷卻柱體，以及用以保 持沿該冷卻柱體的該內部表面之一水流的構件。
- 如請求項23之電漿消減反應器，其進一步包含一氣體導管，以導入一反應氣體至在藉由該電漿處理之前之待處理的該氣體。
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