JP4594065B2 - 半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理装置及び処理方法 - Google Patents
半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理装置及び処理方法 Download PDFInfo
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Description
「半導体製造プロセスからの排気ガスのガス供給通路を上部に備え,ガス排出口を下部に備えた加熱炉と,この加熱炉をその外側から加熱する加熱手段とを有し,前記加熱炉への排気ガスのガス供給通路に,小径にした絞り口を設ける一方,水蒸気を前記加熱炉内に直接噴出供給するようにした水蒸気供給ノズルを設け,この水蒸気供給ノズルを前記ガス供給通路における絞り口の内部に挿通する構成にした。」
ことを特徴としている。
「前記請求項1の記載において,前記加熱炉のうちガス排出口の部分に,当該ガス排出口からの排出ガスを洗浄するための洗浄水供給口を備えている。」
ことを特徴としている。
更にまた,請求項3は,
「前記請求項1又は2の記載において,前記加熱炉におけるガス排出口からの排出ガスを水と直接接触する水洗浄装置を備えている。」
ことを特徴としている。
これに加えて,処理方法は請求項4に記載したように,
「前記請求項1〜3のいずれかに記載の処理装置を用いる。」
ことを特徴としている。
この場合,前記水蒸気供給ノズル13は,前記ガス供給通路11における絞り口11a内に挿通するという構成になっている。
4 循環ポンプ
2 加熱反応装置
8 加熱炉
11 排気ガス通路
11a 絞り口
12 ガス出口
13 水蒸気供給ノズル
16 加熱手段としての電磁誘電コイル
3 水洗浄装置
21,22 充填層
23,24 水散布ノズル
25 送風機
26 サイクロン
27 煙突ダクト
Claims (4)
- 半導体製造プロセスからの排気ガスのガス供給通路を上部に備え,ガス排出口を下部に備えた加熱炉と,この加熱炉をその外側から加熱する加熱手段とを有し,前記加熱炉への排気ガスのガス供給通路に,小径にした絞り口を設ける一方,水蒸気を前記加熱炉内に直接噴出供給するようにした水蒸気供給ノズルを設け,この水蒸気供給ノズルを前記ガス供給通路における絞り口の内部に挿通する構成にしたことを特徴とする半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理装置。
- 前記請求項1の記載において,前記加熱炉のうちガス排出口の部分に,当該ガス排出口からの排出ガスを洗浄するための洗浄水供給口を備えていることを特徴とする半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理装置。
- 前記請求項1又は2の記載において,前記加熱炉におけるガス排出口からの排出ガスを水と直接接触する水洗浄装置を備えていることを特徴とする半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理装置。
- 前記請求項1〜3のいずれかに記載の処理装置を用いることを特徴とする半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理方法。
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