JP6570794B2 - 排ガスの減圧除害装置 - Google Patents
排ガスの減圧除害装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6570794B2 JP6570794B2 JP2019519541A JP2019519541A JP6570794B2 JP 6570794 B2 JP6570794 B2 JP 6570794B2 JP 2019519541 A JP2019519541 A JP 2019519541A JP 2019519541 A JP2019519541 A JP 2019519541A JP 6570794 B2 JP6570794 B2 JP 6570794B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- water
- reaction
- reaction cylinder
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/68—Halogens or halogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
- F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
- F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2251/00—Reactants
- B01D2251/30—Alkali metal compounds
- B01D2251/304—Alkali metal compounds of sodium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2251/00—Reactants
- B01D2251/30—Alkali metal compounds
- B01D2251/306—Alkali metal compounds of potassium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2251/00—Reactants
- B01D2251/60—Inorganic bases or salts
- B01D2251/604—Hydroxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/206—Organic halogen compounds
- B01D2257/2066—Fluorine
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/55—Compounds of silicon, phosphorus, germanium or arsenic
- B01D2257/553—Compounds comprising hydrogen, e.g. silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
- B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2321/00—Details relating to membrane cleaning, regeneration, sterilization or to the prevention of fouling
- B01D2321/10—Use of feed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/005—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by heat treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/76—Gas phase processes, e.g. by using aerosols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Description
このうち、例えばシリコン系薄膜の形成には、主として爆発性や毒性を有するシラン系ガスを用いたCVD法が使われている。このCVD法で使用された上記シラン系ガスを含むプロセスガスは、CVDプロセスで使用された後、排ガスとして下記の特許文献1に記載のような除害装置で無害化されるが、従来より、かかる除害装置の手前で、排ガス中のシラン系ガスを爆発限界以下まで希釈するために大量の希釈用窒素ガスが投入されていた。
ここで、典型的なシリコン酸窒化膜CVDでは、SiH4/NH3/N2O=1slm/10slm/10slm(slm;standard liter per minute,1atm、0℃における1分間辺りの流量をリットルで表示した単位)が使われるが、SiH4の爆発範囲が1.3%〜100%であるため、CVDプロセスから排出されたこのようなガスは、直ちに希釈用窒素ガスで約76倍程度希釈をする必要がある。かかる希釈を行えば、従来の燃焼方式や大気圧プラズマ方式の熱分解装置で安全且つ確実に除害処理をすることができる。
すなわち、上述のように窒素ガスで希釈されたシラン系ガスを含む排ガス全体を分解温度まで加熱するのに必要なエネルギーは、希釈前のシラン系ガスを含む排ガスのみを加熱する場合の約76倍のエネルギーが必要となる。つまり、従来の窒素ガスでの希釈が必要な除害プロセスでは、多量な窒素ガスの使用に伴うコストアップのみならず、排ガスの除害に直接関係が無い窒素ガスも加熱しなければならないため、エネルギー効率が低く、電力或いは燃料などのコストアップも招いていた。
本発明の排ガスの減圧除害装置は、真空ポンプ14を介して排ガス発生源12より供給される排ガスEを、その内部に形成された排ガス処理空間16aにて電熱ヒーター18又はプラズマで加熱又は励起して分解及び/又は反応処理する反応筒16を有する。その反応筒16の排ガス出口20側には、上記の真空ポンプ14の排気口から上記の反応筒16の内部に亘って減圧する後段真空ポンプ22が接続される。その後段真空ポンプ22を水封ポンプで構成すると共に、上記の反応筒16の排ガス流路の下流端側を洗浄水Wで水洗する水洗手段24を設ける。そして、その水洗手段24より上記の反応筒16の排ガス流路の下流端側に供給された洗浄水Wを上記の後段真空ポンプ22の封水とする。
真空ポンプ14を介して排ガス発生源12より供給される排ガスEを減圧状態に保ち、電熱ヒーター18で加熱して分解や反応処理するため、反応で生じる熱が希薄となり、急激な温度上昇や爆発反応を生じることがない。このため、希釈用の窒素ガスが不要か極少量で足りることとなる。また、このように窒素ガスでの希釈が不要か極少量で足りるため、電熱ヒーター18より供給される熱エネルギーのほぼ全てを直接的に排ガスEの分解や反応に使用することができる。加えて、排ガスEの発生源から処理部までが減圧下にあるため、排ガスE中に人体にとって有毒なものが含まれる場合であっても、電熱ヒーター18で加熱分解・反応処理される前に当該排ガスEが系外へ漏れ出す心配はない。
また、反応筒16の排ガス流路の下流端側を洗浄水Wで水洗する水洗手段24が設けられているため、排ガスEの加熱・分解反応処理によって副成し反応筒16の排ガス流路の下流端側に堆積する粉塵を洗浄水Wで洗い流すことができる。
さらに、後段真空ポンプ22を水封ポンプで構成すると共に、水洗手段24より反応筒16の排ガス流路の下流端側に供給された洗浄水Wを後段真空ポンプ22の封水としているので、排ガスEの除害にかかる用水原単位を低減させることができる。
この場合、排ガスE中にSiH4やNF3などと言った可燃性の物質や有害な物質が主体で且つ多量に含まれる場合であっても、上記の分解・反応補助剤を加えることにより、これらの物質を安定な状態まで容易に分解したり反応で無害化したりすることができる。
この場合、粉塵払い落とし手段28と上記の水洗手段24とが協働して、排ガスEの加熱分解・反応処理によって副成する粉塵をより一層効果的に反応筒16内から除去することができるようになる。
この場合、反応筒16に導入する排ガスEを予め水洗して粉塵や水溶性成分を除去することができるのに加え、水洗後の排ガスEと共に反応筒16内へ持ち込まれる水分が分解・反応助剤として作用する。
この場合、用水の利用効率を極大化することができ、用水原単位を削減することが可能となる。
図1は、本発明の一実施形態の排ガスの減圧除害装置10の概要を示す図である。この図が示すように、本実施形態の排ガスの減圧除害装置10は、CVD装置などの排ガス発生源12より真空ポンプ14を介して供給される排ガスEを除害するための装置であり、反応筒16と後段真空ポンプ22とを有する。
ここで、図1の実施形態では、排ガス発生源12としてシリコン酸窒化膜CVD装置の例を示している。典型的なシリコン酸窒化膜CVD装置ではプロセスガスとしてSiH4/NH3/N2O=1slm/10slm/10slmが、又、クリーニングガスとしてNF3/Ar=15slm/10slmがそれぞれ使用されており、またクリーニング反応の生成物としてSiF4が約10slmほど排出されるとみられる。使用済みとなったこれらのガスが排ガスEとして真空ポンプ14を介して減圧除害装置10へと供給される。なお、シリコン酸窒化膜CVDのような半導体デバイスの製造プロセスでは、真空ポンプ14として主にドライポンプが使用される。したがって、この真空ポンプ14に供給されているN2(窒素ガス)は、当該真空ポンプ14の軸シールのために供給されるパージN2である。
また、反応筒16の内部には排ガス処理空間16aが形成されると共に、熱源として後述する電熱ヒーター18が取り付けられる。
そして、この反応筒16における排ガス流路の下流端、すなわち反応筒16の下端部には水洗手段24が一体的に連設される。
この水洗手段24におけるケーシング34の外周壁下端部には、排ガス出口20に通じる配管38が接続されており、この配管38の下流端である排ガス出口20に後段真空ポンプ22の吸気口が直結される。したがって、水洗手段24より供給された洗浄水Wは、加熱・分解処理後の排ガスEと共に、排ガス出口20を介して後段真空ポンプ22へと与えられる。
また、反応筒16の天板16bの中央部にはヒーター挿入孔16cが穿設され、このヒーター挿入孔16cを介して反応筒16内に電熱ヒーター18が設置される。
発熱体18aは、電気によって排ガスEの熱分解温度以上の温度に発熱し、電熱ヒーター18の発熱源となるものであり、例えば、炭化珪素からなる中実あるいは中空の棒状のものや、ニクロム線やカンタル線などの金属線をその長手方向中心部Cで二つ折りにして該金属線どうしが互いに略並行するようにした後、さらに螺旋状に巻回したものなどを挙げることができる。そして、この発熱体18aの外周は保護管18bによって保護されている。
保護管18bは、アルミナ(Al2O3),シリカ(SiO2)および窒化ケイ素(Si3N4)などのセラミック、又はハステロイ(登録商標)などの耐食性に優れる金属材料等からなる有底筒状の容器体である。
なお、後段真空ポンプ22の排気口側には、この後段真空ポンプ22から混ざった状態で排出される処理済の排ガスEと封水とを分離させる気液分離コアレッサーなどのようなセパレーター45が必要に応じて装着される(図1参照)。
この粉塵払い落とし手段28は、反応筒16の直下に配設されたモーター44と、このモーター44に接続され、反応筒16の内部に向けて立設された回転アーム46と、この回転アーム46の先端が枝分かれして電熱ヒーター18の外周に沿って反応筒16の上方へと延ばされた粉塵払い落としアーム48とで構成されており、反応筒16の内周面及び電熱ヒーター18の外周面に付着した粉塵を払い落とすようになっている。粉塵は極く微細な綿埃状のもので、回転する粉塵払い落としアーム48に軽く接触するだけで落下する。
さらに、排ガス発生源12から処理部までが減圧下にあるため、排ガスE中に人体にとって有毒なものが含まれる場合であっても電熱ヒーター18で加熱分解・反応処理される前に当該排ガスEが系外へ漏れ出す心配はない。
なお、循環ポンプ54によって循環・再利用されるスクラバー水SW及び洗浄水Wは、後段真空ポンプ22の封水としてオーバーフローさせる分だけ減っていくことになるが、配管52の下流端側に連結された給水配管62からオーバーフロー分の新水を補給することによって装置全体の水量のバランスを取るようになっている。
また、本実施形態の給水配管62は、スクラバー本体50aの貯留部50cに直接、新水を供給するように取り付けられる。
反応筒16内で排ガスEを加熱分解させるための熱源として、電熱ヒーター18を用いる場合を示したが、これに代えて(図示しないが)直流アークプラズマ,誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマなどのプラズマを用いるようにしてもよい。
Claims (5)
- 真空ポンプ(14)を介して排ガス発生源(12)より供給される排ガス(E)を、その内部に形成された排ガス処理空間(16a)にて電熱ヒーター(18)又はプラズマで加熱又は励起して分解及び/又は反応処理する反応筒(16)と、
上記の反応筒(16)の排ガス出口(20)側に接続され、上記の真空ポンプ(14)の排気口から上記の反応筒(16)の内部に亘って減圧する後段真空ポンプ(22)とを備える排ガス(E)の減圧除害装置であって、
上記の後段真空ポンプ(22)を水封ポンプで構成すると共に、上記の反応筒(16)の排ガス流路の下流端側を洗浄水(W)で水洗する水洗手段(24)を設け、
上記の水洗手段(24)より上記の反応筒(16)の排ガス流路の下流端側に供給された洗浄水(W)を上記の後段真空ポンプ(22)の封水とする、
ことを特徴とする排ガスの減圧除害装置。 - 請求項1の排ガスの減圧除害装置において、
前記の反応筒(16)の内部に、分解・反応補助剤として水分,空気,O2,H2又は炭化水素ガスからなる群より選ばれる少なくとも1種を供給する分解・反応補助剤供給手段(26)を設けた、ことを特徴とする排ガスの減圧除害装置。 - 請求項1又は2の排ガスの減圧除害装置において、
前記の反応筒(16)の内部に、堆積する粉塵を払い落とす粉塵払い落とし手段(28)を設けた、ことを特徴とする排ガスの減圧除害装置。 - 請求項1乃至3の何れかの排ガスの減圧除害装置において、
前記の反応筒(16)に導入する排ガス(E)を減圧雰囲気中で水洗する湿式の入口スクラバー(50)が更に設けられる、ことを特徴とする排ガスの減圧除害装置。 - 請求項4の排ガスの減圧除害装置において、
前記の入口スクラバー(50)で使用するスクラバー水(SW)を循環ポンプ(54)で循環させると共に、循環するスクラバー水(SW)の一部を、前記の水洗手段(24)に洗浄水(W)として供給する、ことを特徴とする排ガスの減圧除害装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017102711 | 2017-05-24 | ||
JP2017102711 | 2017-05-24 | ||
PCT/JP2018/017529 WO2018216446A1 (ja) | 2017-05-24 | 2018-05-02 | 排ガスの減圧除害装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6570794B2 true JP6570794B2 (ja) | 2019-09-04 |
JPWO2018216446A1 JPWO2018216446A1 (ja) | 2019-11-07 |
Family
ID=64396488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019519541A Active JP6570794B2 (ja) | 2017-05-24 | 2018-05-02 | 排ガスの減圧除害装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10617997B1 (ja) |
JP (1) | JP6570794B2 (ja) |
KR (1) | KR102066409B1 (ja) |
CN (1) | CN110573234A (ja) |
TW (2) | TW201936253A (ja) |
WO (1) | WO2018216446A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11504669B2 (en) * | 2017-05-29 | 2022-11-22 | Kanken Techno Co., Ltd. | Method for exhaust gas abatement under reduced pressure and apparatus therefor |
JP7128078B2 (ja) * | 2018-10-12 | 2022-08-30 | 株式会社荏原製作所 | 除害装置、除害装置の配管部の交換方法及び除害装置の配管の洗浄方法 |
KR102135068B1 (ko) * | 2019-09-03 | 2020-07-17 | (주)다산이엔지 | 폐가스 선별분리 처리장치 및 그 제어방법 |
US20230417410A1 (en) * | 2020-11-10 | 2023-12-28 | Kanken Techno Co., Ltd. | Gas processing furnace and exhaust gas processing device in which same is used |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2199811Y (zh) * | 1994-08-19 | 1995-06-07 | 阳漱泉 | 迥转震击旁插布袋式除尘器 |
JP3866412B2 (ja) | 1998-05-28 | 2007-01-10 | カンケンテクノ株式会社 | 半導体製造排ガスの除害方法及び除害装置 |
JP3709432B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2005-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 排ガス処理装置及び基板処理装置 |
JP2000323414A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-24 | Applied Materials Inc | 基板処理装置 |
CN2420504Y (zh) | 2000-04-03 | 2001-02-21 | 王恩俊 | 有机有毒有害气体处理装置 |
JP4696378B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2011-06-08 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 金属を含む有機化合物廃液の処理装置とその処理方法 |
JP4107959B2 (ja) | 2002-12-27 | 2008-06-25 | 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー | 放電の始動方法、この始動方法を利用した被処理物の処理方法、及びこの始動方法を利用した被処理物の処理装置 |
KR100836094B1 (ko) | 2004-01-29 | 2008-06-09 | 다다히로 오미 | 배기가스 처리방법 및 배기가스 처리장치 |
JP4937998B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-05-23 | カンケンテクノ株式会社 | Hcdガスの除害方法とその装置 |
JP5277784B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料回収方法、トラップ機構、排気系及びこれを用いた成膜装置 |
GB0902234D0 (en) * | 2009-02-11 | 2009-03-25 | Edwards Ltd | Method of treating an exhaust gas stream |
TWM495894U (zh) | 2014-07-18 | 2015-02-21 | Hsueh-Yuan Lee | 尾氣處理系統 |
GB2540582A (en) * | 2015-07-22 | 2017-01-25 | Edwards Ltd | Apparatus for evacuating a corrosive effluent gas stream from a processing chamber |
-
2018
- 2018-05-02 KR KR1020197029722A patent/KR102066409B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-02 WO PCT/JP2018/017529 patent/WO2018216446A1/ja active Application Filing
- 2018-05-02 CN CN201880025531.2A patent/CN110573234A/zh active Pending
- 2018-05-02 US US16/603,959 patent/US10617997B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-05-02 JP JP2019519541A patent/JP6570794B2/ja active Active
- 2018-05-17 TW TW108121508A patent/TW201936253A/zh unknown
- 2018-05-17 TW TW107116727A patent/TWI671114B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018216446A1 (ja) | 2018-11-29 |
US20200122085A1 (en) | 2020-04-23 |
CN110573234A (zh) | 2019-12-13 |
TW201936253A (zh) | 2019-09-16 |
US10617997B1 (en) | 2020-04-14 |
JPWO2018216446A1 (ja) | 2019-11-07 |
TW201900265A (zh) | 2019-01-01 |
KR20190119167A (ko) | 2019-10-21 |
TWI671114B (zh) | 2019-09-11 |
KR102066409B1 (ko) | 2020-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6570794B2 (ja) | 排ガスの減圧除害装置 | |
US7976807B2 (en) | Method for detoxifying HCD gas and apparatus therefor | |
JP2018523567A (ja) | 処理チャンバから腐食性の流出ガス流を排気する装置 | |
TW201010790A (en) | Exhaust gas-processing method and exhaust gas-processing apparatus | |
AU2008215944B2 (en) | Method of treating a gas stream | |
JP6595148B2 (ja) | 排ガスの減圧除害装置 | |
CN111048441B (zh) | 除害装置、除害装置的配管部的更换方法及除害装置的配管的清洗方法 | |
JP2018047424A (ja) | 排ガス除害排出システム | |
JP5004453B2 (ja) | 排ガスの処理方法及び処理装置 | |
TWI669151B (zh) | 排氣之減壓除害方法及其裝置 | |
JP4594065B2 (ja) | 半導体製造プロセスからの排気ガスに含まれるフッ素化合物の処理装置及び処理方法 | |
JP2018083140A (ja) | 排ガスの減圧除害方法及びその装置 | |
TW201900266A (zh) | 廢氣的減壓除害方法及其裝置 | |
JP2018069112A (ja) | 排ガスの減圧除害方法及びその装置 | |
JP2006159017A (ja) | 排ガスの処理方法及び処理装置 | |
JP2010017636A (ja) | スクラバおよびこれを用いた排ガス除害装置 | |
KR200336937Y1 (ko) | 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190607 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190607 |
|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20190618 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6570794 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |