JP2000024456A - 熱分解性ガスの除去装置及び除去方法 - Google Patents
熱分解性ガスの除去装置及び除去方法Info
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- JP2000024456A JP2000024456A JP10207199A JP20719998A JP2000024456A JP 2000024456 A JP2000024456 A JP 2000024456A JP 10207199 A JP10207199 A JP 10207199A JP 20719998 A JP20719998 A JP 20719998A JP 2000024456 A JP2000024456 A JP 2000024456A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Abstract
(57)【要約】
【課題】 触媒を用いることなく排気ガス中に含まれる
未反応の熱分解性ガスを熱により分解して除去すること
ができる熱分解性ガスの除去装置を提供する。 【解決手段】 熱によって分解可能な熱分解性ガスの使
用系２から延びる排気通路２２，２６に設けられた熱分
解性ガスの除去装置において、前記排気通路の途中に介
設された熱分解容器３４と、この熱分解容器内に設けら
れた発熱体３６とにより構成する。これにより、触媒を
用いることなく排気ガス中に含まれる未反応の熱分解性
ガスを熱により分解して除去する。
未反応の熱分解性ガスを熱により分解して除去すること
ができる熱分解性ガスの除去装置を提供する。 【解決手段】 熱によって分解可能な熱分解性ガスの使
用系２から延びる排気通路２２，２６に設けられた熱分
解性ガスの除去装置において、前記排気通路の途中に介
設された熱分解容器３４と、この熱分解容器内に設けら
れた発熱体３６とにより構成する。これにより、触媒を
用いることなく排気ガス中に含まれる未反応の熱分解性
ガスを熱により分解して除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばオゾンを用
いて金属酸化膜を改質する際に、未反応ガスとして排出
されるオゾン等を除去する除去装置及び除去方法に関す
る。
いて金属酸化膜を改質する際に、未反応ガスとして排出
されるオゾン等を除去する除去装置及び除去方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造するに
は、半導体ウエハに成膜処理やパターンエッチング処理
を繰り返し行なって所望のデバイスを製造するが、中で
も成膜技術は半導体デバイスが高密度化及び高集積化す
るに伴ってその仕様が年々厳しくなっており、例えばデ
バイス中のキャパシタの絶縁膜やゲート絶縁膜のように
非常に薄い酸化膜などに対しても更なる薄膜化が要求さ
れ、これと同時に更に高い絶縁性が要求されている。
は、半導体ウエハに成膜処理やパターンエッチング処理
を繰り返し行なって所望のデバイスを製造するが、中で
も成膜技術は半導体デバイスが高密度化及び高集積化す
るに伴ってその仕様が年々厳しくなっており、例えばデ
バイス中のキャパシタの絶縁膜やゲート絶縁膜のように
非常に薄い酸化膜などに対しても更なる薄膜化が要求さ
れ、これと同時に更に高い絶縁性が要求されている。
【０００３】これらの絶縁膜としては、シリコン酸化膜
やシリコンナイトライド膜等を用いることができるが、
最近にあっては、より絶縁特性の良好な材料として、金
属酸化膜、例えば酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）等が用い
られる傾向にある。この金属酸化膜は、薄くても信頼性
の高い絶縁性を発揮するが、この金属酸化膜の成膜後
に、この表面の改質処理を施すことにより、更に絶縁性
を向上させることができることが発見され、特開平２−
２８３０２２号公報にその技術が開示されている。
やシリコンナイトライド膜等を用いることができるが、
最近にあっては、より絶縁特性の良好な材料として、金
属酸化膜、例えば酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）等が用い
られる傾向にある。この金属酸化膜は、薄くても信頼性
の高い絶縁性を発揮するが、この金属酸化膜の成膜後
に、この表面の改質処理を施すことにより、更に絶縁性
を向上させることができることが発見され、特開平２−
２８３０２２号公報にその技術が開示されている。
【０００４】この金属酸化膜を形成するには、例えば酸
化タンタルを形成する場合を例にとって説明すると、上
記公報に開示されているように成膜用の原料として、タ
ンタルの金属アルコキシド（Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 ）を
用い、これを窒素ガス等でバブリングしながら供給して
半導体ウエハを例えば４００℃程度のプロセス温度に維
持し、真空雰囲気下でＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により酸化タンタル膜
（Ｔａ2 Ｏ5 ）を積層させている。そして、必要に応じ
て更なる絶縁特性の向上を図る場合には、この半導体ウ
エハを、オゾン或いはＮ2 Ｏガスを含む雰囲気中に搬入
し、大気圧下でこれに水銀ランプから紫外線を照射する
ことにより活性酸素原子を発生させ、この活性酸素原子
を用いて上記酸化タンタル膜を改質することにより、一
層、特性の良好な絶縁膜を得ている。
化タンタルを形成する場合を例にとって説明すると、上
記公報に開示されているように成膜用の原料として、タ
ンタルの金属アルコキシド（Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 ）を
用い、これを窒素ガス等でバブリングしながら供給して
半導体ウエハを例えば４００℃程度のプロセス温度に維
持し、真空雰囲気下でＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により酸化タンタル膜
（Ｔａ2 Ｏ5 ）を積層させている。そして、必要に応じ
て更なる絶縁特性の向上を図る場合には、この半導体ウ
エハを、オゾン或いはＮ2 Ｏガスを含む雰囲気中に搬入
し、大気圧下でこれに水銀ランプから紫外線を照射する
ことにより活性酸素原子を発生させ、この活性酸素原子
を用いて上記酸化タンタル膜を改質することにより、一
層、特性の良好な絶縁膜を得ている。
【０００５】このような改質装置にあっては、全ての反
応性ガス、すなわちオゾンやＮ2 Ｏガスが改質装置内で
反応して消費されるわけではなく、必ずいくらかの未反
応ガスが排気ガスと共に排出されることになる。これら
の反応性ガスは、一般的に有害であることから、そのま
ま大気放散させることはできず、また、この反応性ガス
は腐食性を有していることから下流側に設置してある真
空ポンプ内のシール部材等を腐食する場合もあり、この
ため、改質装置から延びる排気通路には、未反応ガスを
除去する除去装置が設けられている。従来、この除去装
置は、粉状或いは粒状の酸化マンガンを触媒として用
い、これをオゾン等と接触させて分解させることにより
オゾン等を除去するようにしていた。
応性ガス、すなわちオゾンやＮ2 Ｏガスが改質装置内で
反応して消費されるわけではなく、必ずいくらかの未反
応ガスが排気ガスと共に排出されることになる。これら
の反応性ガスは、一般的に有害であることから、そのま
ま大気放散させることはできず、また、この反応性ガス
は腐食性を有していることから下流側に設置してある真
空ポンプ内のシール部材等を腐食する場合もあり、この
ため、改質装置から延びる排気通路には、未反応ガスを
除去する除去装置が設けられている。従来、この除去装
置は、粉状或いは粒状の酸化マンガンを触媒として用
い、これをオゾン等と接触させて分解させることにより
オゾン等を除去するようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
触媒を用いてオゾン等を分解する場合には、除去効率は
ある程度以上に確保することができたが、触媒からパー
ティクルが発生し、これが排気通路内を逆流して改質装
置内へ侵入するという問題が発生していた。このよう
に、パーティクルが逆流する理由は、改質装置内の圧力
等を切り換える際に、改質装置内に対して排気通路側が
一時的に陽圧状態になる場合が発生するからである。本
発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解
決すべく創案されたものである。本発明の目的は、触媒
を用いることなく排気ガス中に含まれる未反応の熱分解
性ガスを熱により分解して除去することができる熱分解
性ガスの除去装置及び除去方法を提供することにある。
触媒を用いてオゾン等を分解する場合には、除去効率は
ある程度以上に確保することができたが、触媒からパー
ティクルが発生し、これが排気通路内を逆流して改質装
置内へ侵入するという問題が発生していた。このよう
に、パーティクルが逆流する理由は、改質装置内の圧力
等を切り換える際に、改質装置内に対して排気通路側が
一時的に陽圧状態になる場合が発生するからである。本
発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解
決すべく創案されたものである。本発明の目的は、触媒
を用いることなく排気ガス中に含まれる未反応の熱分解
性ガスを熱により分解して除去することができる熱分解
性ガスの除去装置及び除去方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、熱によって分解可能な熱分解性ガスの
使用系から延びる排気通路に設けられた熱分解性ガスの
除去装置において、前記排気通路の途中に介設された熱
分解容器と、この熱分解容器内に設けられた発熱体とに
より構成するようにしたものである。これにより、排気
ガス中に含まれる未反応の熱分解性ガスは、熱分解容器
内の発熱体と接触して熱分解され、そのまま、排気通路
内を流下して行くことになる。
解決するために、熱によって分解可能な熱分解性ガスの
使用系から延びる排気通路に設けられた熱分解性ガスの
除去装置において、前記排気通路の途中に介設された熱
分解容器と、この熱分解容器内に設けられた発熱体とに
より構成するようにしたものである。これにより、排気
ガス中に含まれる未反応の熱分解性ガスは、熱分解容器
内の発熱体と接触して熱分解され、そのまま、排気通路
内を流下して行くことになる。
【０００８】この場合、請求項２に規定するように、前
記発熱体には、前記排気ガスとの接触面積を増大させる
ための接触面積拡張部材が取り付けられるようにすれ
ば、熱分解性ガスが加熱された接触面積拡張部材と接触
するので、熱分解を促進させることができる。
記発熱体には、前記排気ガスとの接触面積を増大させる
ための接触面積拡張部材が取り付けられるようにすれ
ば、熱分解性ガスが加熱された接触面積拡張部材と接触
するので、熱分解を促進させることができる。
【０００９】また、請求項３に規定するように、前記排
気通路には、排気ポンプが介設されており、前記熱分解
容器は、前記排気ポンプの上流側に介設されるようにす
れば、腐食性を有する熱分解性ガスが排気ポンプ内に流
入することもない。
気通路には、排気ポンプが介設されており、前記熱分解
容器は、前記排気ポンプの上流側に介設されるようにす
れば、腐食性を有する熱分解性ガスが排気ポンプ内に流
入することもない。
【００１０】また、請求項４に規定するように、前記熱
分解容器の下流側であって、前記排気ポンプの上流側の
排気通路には、これに流れる排気ガスを冷却する冷却手
段が設けられるようにすれば、熱分解容器から排出され
た排気ガスを直ちに冷却することができるので、これよ
りも下流側の設備、例えば排気ポンプ等に熱的ダメージ
を与えることもない。
分解容器の下流側であって、前記排気ポンプの上流側の
排気通路には、これに流れる排気ガスを冷却する冷却手
段が設けられるようにすれば、熱分解容器から排出され
た排気ガスを直ちに冷却することができるので、これよ
りも下流側の設備、例えば排気ポンプ等に熱的ダメージ
を与えることもない。
【００１１】また、請求項５に規定するように、前記排
気通路には、前記使用系内の圧力調整を行なう圧力調整
弁が介設されており、前記熱分解容器と前記冷却手段
は、前記圧力調整弁の上流側に設置されているようにす
れば、熱分解性ガスの使用系内と熱分解容器内との圧力
差が小さくなるので、この熱分解容器内の排気ガス速度
が遅くなってここでの滞留時間が長くなり、結果的に、
熱分解性ガスの分解除去効率を向上させることができ
る。
気通路には、前記使用系内の圧力調整を行なう圧力調整
弁が介設されており、前記熱分解容器と前記冷却手段
は、前記圧力調整弁の上流側に設置されているようにす
れば、熱分解性ガスの使用系内と熱分解容器内との圧力
差が小さくなるので、この熱分解容器内の排気ガス速度
が遅くなってここでの滞留時間が長くなり、結果的に、
熱分解性ガスの分解除去効率を向上させることができ
る。
【００１２】また、請求項６に規定するように、前記熱
分解容器は、前記使用系内の雰囲気を均等に排気するた
めに前記使用系の直ぐ下流側の排気通路に設けられるバ
ッファタンクと兼用されるようにすれば、既存の設備の
一部を用いることができるので、設備コストを削除する
ことができる。
分解容器は、前記使用系内の雰囲気を均等に排気するた
めに前記使用系の直ぐ下流側の排気通路に設けられるバ
ッファタンクと兼用されるようにすれば、既存の設備の
一部を用いることができるので、設備コストを削除する
ことができる。
【００１３】また、このような熱分解性ガスの使用系
は、例えば被処理体の表面に形成された金属酸化膜を改
質するための改質装置を適用することができ、また、熱
分解性ガスとしては例えば、改質処理に用いるオゾンを
適用することができる。この場合、発熱体の温度は４０
０〜１０００℃の範囲内である。
は、例えば被処理体の表面に形成された金属酸化膜を改
質するための改質装置を適用することができ、また、熱
分解性ガスとしては例えば、改質処理に用いるオゾンを
適用することができる。この場合、発熱体の温度は４０
０〜１０００℃の範囲内である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る熱分解性ガ
スの除去装置及び除去方法の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。図１は使用系としての改質装置の排気通
路に設けた本発明の熱分解性ガスの除去装置を示す概略
構成図、図２は発熱体に設けた接触面積拡張部材を示す
斜視図、図３は接触面積拡張部材を示す断面図である。
ここでは、熱分解性ガスの使用系として半導体ウエハ上
に成膜した金属酸化膜を改質する改質装置を用い、且つ
熱分解性ガスとしてオゾン（Ｏ3 ）を用いた場合を例に
とって説明する。
スの除去装置及び除去方法の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。図１は使用系としての改質装置の排気通
路に設けた本発明の熱分解性ガスの除去装置を示す概略
構成図、図２は発熱体に設けた接触面積拡張部材を示す
斜視図、図３は接触面積拡張部材を示す断面図である。
ここでは、熱分解性ガスの使用系として半導体ウエハ上
に成膜した金属酸化膜を改質する改質装置を用い、且つ
熱分解性ガスとしてオゾン（Ｏ3 ）を用いた場合を例に
とって説明する。
【００１５】まず、改質装置について説明すると、この
改質装置２は、例えばアルミニウムにより四角形状に容
器状に形成された処理容器４を有しており、この内部に
ヒータ６が内蔵された載置台８が設置されている。そし
て、この載置台８の上面に被処理体としての半導体ウエ
ハＷが載置可能になされている。この載置台８の上方に
は、例えば紫外線に対して透明な石英よりなるシャワー
ヘッド部１０が設置されており、これに形成された噴射
孔１２から熱分解性の反応性ガスとして、例えばオゾン
（Ｏ3 ）を供給するようになっている。このオゾンは例
えばＯ2 とＮ2とよりオゾンを発生するオゾンイオナイ
ザ等により生成することができる。
改質装置２は、例えばアルミニウムにより四角形状に容
器状に形成された処理容器４を有しており、この内部に
ヒータ６が内蔵された載置台８が設置されている。そし
て、この載置台８の上面に被処理体としての半導体ウエ
ハＷが載置可能になされている。この載置台８の上方に
は、例えば紫外線に対して透明な石英よりなるシャワー
ヘッド部１０が設置されており、これに形成された噴射
孔１２から熱分解性の反応性ガスとして、例えばオゾン
（Ｏ3 ）を供給するようになっている。このオゾンは例
えばＯ2 とＮ2とよりオゾンを発生するオゾンイオナイ
ザ等により生成することができる。
【００１６】処理容器４の天井部は、例えば石英よりな
る透過窓１４が気密に設けられ、この上方には、改質処
理を推進するために紫外線をウエハ上に照射する紫外線
ランプ１６が設けられており、透過窓１４を介してウエ
ハＷ上に紫外線を照射するようになっている。また、処
理容器４の側壁には、ウエハＷを搬出入するためのゲー
トバルブ１８が設けられる。そして、処理容器４の底部
には、容器内の雰囲気を排出する排気口２０が設けられ
る。この排気口２０は、処理容器４内の雰囲気を均等に
排気するために複数、例えば４隅に４個（図示例では２
個のみ記す）設けられており、各排気口２０には、排気
通路として排気管２２がそれぞれ接続されている。この
４個の排気管２２は、各排気管２２に対して均等引きを
行なうために一定の容量を有する断面略矩形状のバッフ
ァタンク２４に接続されている。
る透過窓１４が気密に設けられ、この上方には、改質処
理を推進するために紫外線をウエハ上に照射する紫外線
ランプ１６が設けられており、透過窓１４を介してウエ
ハＷ上に紫外線を照射するようになっている。また、処
理容器４の側壁には、ウエハＷを搬出入するためのゲー
トバルブ１８が設けられる。そして、処理容器４の底部
には、容器内の雰囲気を排出する排気口２０が設けられ
る。この排気口２０は、処理容器４内の雰囲気を均等に
排気するために複数、例えば４隅に４個（図示例では２
個のみ記す）設けられており、各排気口２０には、排気
通路として排気管２２がそれぞれ接続されている。この
４個の排気管２２は、各排気管２２に対して均等引きを
行なうために一定の容量を有する断面略矩形状のバッフ
ァタンク２４に接続されている。
【００１７】そして、このバッファタンク２４には、排
気通路として大口径の排気主管２６が接続され、この最
下流には、排気ポンプとして例えば真空ポンプ２８が介
設されており、処理容器４内を真空引きできるようにな
っている。この排気主管２６には、その上流側より処理
容器４内の圧力を自動的にコントロールする圧力調整弁
３０と本発明に係る熱分解ガスの除去装置３２とが順次
設けられている。この除去装置３２は、排気主管２６に
介設した所定の容量の熱分解容器３４を有しており、こ
の内部に発熱体として温度コントロール可能な棒状の加
熱ヒータ３６が排気ガスの流れ方向と直交するように多
数配列されている。この加熱ヒータ３６には、図２及び
図３にも示すように、接触面積拡張部材として多数の通
気口３８が形成された、例えばステンレス板製のパンチ
ングメタル４０が接続されており、ヒータ３６のみなら
ず、このパンチングメタル４０も所定の温度に加熱する
ようになっている。このパンチングメタル４０は、排気
ガスの流れ方向に沿って多段に配置されており、また、
上下に隣接するパンチングメタル４０の通気口３８は、
図３に示すように排気ガスの流れ方向に沿って互い違い
に、いわば千鳥状に配置されており、排気ガスの滞留時
間を稼いで、排気ガスと上記パンチングメタル４０との
接触効率を上げるようになっている。
気通路として大口径の排気主管２６が接続され、この最
下流には、排気ポンプとして例えば真空ポンプ２８が介
設されており、処理容器４内を真空引きできるようにな
っている。この排気主管２６には、その上流側より処理
容器４内の圧力を自動的にコントロールする圧力調整弁
３０と本発明に係る熱分解ガスの除去装置３２とが順次
設けられている。この除去装置３２は、排気主管２６に
介設した所定の容量の熱分解容器３４を有しており、こ
の内部に発熱体として温度コントロール可能な棒状の加
熱ヒータ３６が排気ガスの流れ方向と直交するように多
数配列されている。この加熱ヒータ３６には、図２及び
図３にも示すように、接触面積拡張部材として多数の通
気口３８が形成された、例えばステンレス板製のパンチ
ングメタル４０が接続されており、ヒータ３６のみなら
ず、このパンチングメタル４０も所定の温度に加熱する
ようになっている。このパンチングメタル４０は、排気
ガスの流れ方向に沿って多段に配置されており、また、
上下に隣接するパンチングメタル４０の通気口３８は、
図３に示すように排気ガスの流れ方向に沿って互い違い
に、いわば千鳥状に配置されており、排気ガスの滞留時
間を稼いで、排気ガスと上記パンチングメタル４０との
接触効率を上げるようになっている。
【００１８】ここで、接触面積拡張部材としてパンチン
グメタル４０を用いたが、これに限定されず、金網状の
金属部材或いはメッシュ状の金属部材など、排気ガスと
接触しつつこれを通す熱導伝性の金属部材ならばどのよ
うなものを用いてもよい。また、熱分解容器３４の壁面
の略全体には、冷却ジャケット４２が設けられる。具体
的には、この冷却ジャケット４２は、容器の壁面を２重
構造にすることにより形成されており、これに冷媒とし
て例えば冷却水を流すことにより、容器側壁を人間にと
って安全な温度まで冷却するようになっている。また、
この除去装置３２の直ぐ下流側の排気主管２６内には、
例えば冷媒パイプ４４を螺旋状に巻回してなる冷却手段
４６が設けられており、これに冷媒として例えば冷却水
を流すことにより、ここを流れる排気ガスの温度を下流
側の真空ポンプ２８にとって安全な温度まで冷却するよ
うになっている。
グメタル４０を用いたが、これに限定されず、金網状の
金属部材或いはメッシュ状の金属部材など、排気ガスと
接触しつつこれを通す熱導伝性の金属部材ならばどのよ
うなものを用いてもよい。また、熱分解容器３４の壁面
の略全体には、冷却ジャケット４２が設けられる。具体
的には、この冷却ジャケット４２は、容器の壁面を２重
構造にすることにより形成されており、これに冷媒とし
て例えば冷却水を流すことにより、容器側壁を人間にと
って安全な温度まで冷却するようになっている。また、
この除去装置３２の直ぐ下流側の排気主管２６内には、
例えば冷媒パイプ４４を螺旋状に巻回してなる冷却手段
４６が設けられており、これに冷媒として例えば冷却水
を流すことにより、ここを流れる排気ガスの温度を下流
側の真空ポンプ２８にとって安全な温度まで冷却するよ
うになっている。
【００１９】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、前工程において、例えば
Ｔａ（ＣＯ2 Ｈ5 ）5 等のような金属酸化膜が形成され
ている半導体ウエハＷをこの改質装置２内に搬入して処
理容器４内を密閉し、この処理容器４内に図示しないオ
ゾン発生器にて発生した高濃度、例えば１３０ｇ／ｍ3
程度のオゾンと酸素を含む混合ガスを導入しつつ、容器
内雰囲気を真空引きし、これと同時に紫外線ランプ１６
より紫外線ＵＶをウエハ表面に照射する。これにより活
性酸素原子が発生してウエハ表面の金属酸化膜中に含ま
れる有機不純物等を分解して除去する。この時のプロセ
ス温度は３００〜６００℃の範囲内、例えば４２５℃と
し、また、プロセス圧力は１〜１００Ｔｏｒｒの範囲
内、例えば２０Ｔｏｒｒとする。この圧力調整は、排気
主管２６に介設した圧力調整弁３０の弁解度を調整する
ことにより行なう。また、圧力調整弁３０よりも下流側
は、１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒのかなり低い圧力となる。
動作について説明する。まず、前工程において、例えば
Ｔａ（ＣＯ2 Ｈ5 ）5 等のような金属酸化膜が形成され
ている半導体ウエハＷをこの改質装置２内に搬入して処
理容器４内を密閉し、この処理容器４内に図示しないオ
ゾン発生器にて発生した高濃度、例えば１３０ｇ／ｍ3
程度のオゾンと酸素を含む混合ガスを導入しつつ、容器
内雰囲気を真空引きし、これと同時に紫外線ランプ１６
より紫外線ＵＶをウエハ表面に照射する。これにより活
性酸素原子が発生してウエハ表面の金属酸化膜中に含ま
れる有機不純物等を分解して除去する。この時のプロセ
ス温度は３００〜６００℃の範囲内、例えば４２５℃と
し、また、プロセス圧力は１〜１００Ｔｏｒｒの範囲
内、例えば２０Ｔｏｒｒとする。この圧力調整は、排気
主管２６に介設した圧力調整弁３０の弁解度を調整する
ことにより行なう。また、圧力調整弁３０よりも下流側
は、１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒのかなり低い圧力となる。
【００２０】このように改質処理を行なっている間は、
処理容器４内の雰囲気は容器底部に設けた各排気口２０
より排気管２２を介して略均等に排気されてバッファタ
ンク２４内で一時的に滞留し、その後、排気主管２６内
を流れ出て行く。この排気ガス中には、未反応のオゾン
が含まれており、そのまま流下させると真空ポンプ２８
にダメージを与えたり、このオゾン自体が有害であるこ
とから環境に悪影響を与えることになるが、この未反応
のオゾンは、除去装置３２内で分解されて除去されるこ
とになる。すなわち、この排気ガスには例えば５〜１０
ｇ／ｍ3 程度の濃度の未反応オゾンが含まれており、こ
の排気ガスが熱分解容器３４内に流入すると、このガス
は加熱ヒータ３６により所定の温度、例えば４００〜１
０００℃の温度の範囲内、例えば６５０℃程度に加熱さ
れたパンチングメタル４０と接触して加熱され、この
時、残留オゾンは下記の反応式によって熱分解されて無
毒化する。 Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ＊ ２Ｏ＊→Ｏ2
処理容器４内の雰囲気は容器底部に設けた各排気口２０
より排気管２２を介して略均等に排気されてバッファタ
ンク２４内で一時的に滞留し、その後、排気主管２６内
を流れ出て行く。この排気ガス中には、未反応のオゾン
が含まれており、そのまま流下させると真空ポンプ２８
にダメージを与えたり、このオゾン自体が有害であるこ
とから環境に悪影響を与えることになるが、この未反応
のオゾンは、除去装置３２内で分解されて除去されるこ
とになる。すなわち、この排気ガスには例えば５〜１０
ｇ／ｍ3 程度の濃度の未反応オゾンが含まれており、こ
の排気ガスが熱分解容器３４内に流入すると、このガス
は加熱ヒータ３６により所定の温度、例えば４００〜１
０００℃の温度の範囲内、例えば６５０℃程度に加熱さ
れたパンチングメタル４０と接触して加熱され、この
時、残留オゾンは下記の反応式によって熱分解されて無
毒化する。 Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ＊ ２Ｏ＊→Ｏ2
【００２１】尚、反応式中、＊印は活性酸素原子を示
す。この排気ガスは多段に設けた各パンチングメタル４
０の通気孔３８を図３に示すようにジグザグ状に流下し
て行き、更に排気主管２６内を流れて行く。この時、各
パンチングメタル４０の通気孔３８は、図３に示したよ
うに、排気ガスの流れ方向に沿っていわば千鳥状に配列
された状態となっているので、流路長が長くなって排気
ガスとパンチングメタル４０の表面とが効率良く接触す
るので、残留オゾンの熱分解を効率的に行なうことがで
きる。また、熱分解容器３４に設けた冷却ジャケット４
２は、例えば冷却水を流してこの側壁を例えば１０〜５
０℃程度の安全な温度に冷却しているので、オペレータ
等が間違って接触しても火傷等を生ずることがない。
す。この排気ガスは多段に設けた各パンチングメタル４
０の通気孔３８を図３に示すようにジグザグ状に流下し
て行き、更に排気主管２６内を流れて行く。この時、各
パンチングメタル４０の通気孔３８は、図３に示したよ
うに、排気ガスの流れ方向に沿っていわば千鳥状に配列
された状態となっているので、流路長が長くなって排気
ガスとパンチングメタル４０の表面とが効率良く接触す
るので、残留オゾンの熱分解を効率的に行なうことがで
きる。また、熱分解容器３４に設けた冷却ジャケット４
２は、例えば冷却水を流してこの側壁を例えば１０〜５
０℃程度の安全な温度に冷却しているので、オペレータ
等が間違って接触しても火傷等を生ずることがない。
【００２２】また、この熱分解容器３４からは、上述の
ような加熱分解の結果、高温の排気ガス、例えば本実施
例では６５０℃に近い排気ガスが流れ出るが、この直ぐ
下流側の排気主管２６内には、冷却手段４６として冷却
パイプ４４を設けてこれに冷却水を流すことにより、こ
の排気ガスを１００℃以下例えば８０℃程度まで冷却し
ている。従って、この下流側に配置されている真空ポン
プ２８が熱的にダメージを受けることもない。表１は上
記した本発明の実施例のオゾン除去効率の評価結果を示
し、図４はこの表１をグラフ化したものである。尚、図
４中のグラフからは、熱分解温度が２００℃の場合は、
効果が少ないので除外している。
ような加熱分解の結果、高温の排気ガス、例えば本実施
例では６５０℃に近い排気ガスが流れ出るが、この直ぐ
下流側の排気主管２６内には、冷却手段４６として冷却
パイプ４４を設けてこれに冷却水を流すことにより、こ
の排気ガスを１００℃以下例えば８０℃程度まで冷却し
ている。従って、この下流側に配置されている真空ポン
プ２８が熱的にダメージを受けることもない。表１は上
記した本発明の実施例のオゾン除去効率の評価結果を示
し、図４はこの表１をグラフ化したものである。尚、図
４中のグラフからは、熱分解温度が２００℃の場合は、
効果が少ないので除外している。
【００２３】
【表１】
【００２４】発熱体３６の温度を、２００℃、３００
℃、４００℃及び４５０℃に種々変更し、また、Ｏ2 ガ
スの混入量も少し変更し、最終的に真空ポンプ２８から
排出される排気ガス中のオゾン濃度を測定した。図４に
示すグラフによれば、発熱体３６の温度が２００℃、３
００℃の場合には、最終的に残留するオゾン濃度がかな
り高くて好ましくない。また、発熱体３６の温度が３５
０℃の時には、混入Ｏ2 ガス量が少ない時、すなわち、
１０リットル／ｍｉｎまではオゾンが略全て分解されて
良好であるが、混入Ｏ2 ガス量が１５リットル／ｍｉｎ
以上になると残留オゾン量もかなり多くなり好ましくな
い。
℃、４００℃及び４５０℃に種々変更し、また、Ｏ2 ガ
スの混入量も少し変更し、最終的に真空ポンプ２８から
排出される排気ガス中のオゾン濃度を測定した。図４に
示すグラフによれば、発熱体３６の温度が２００℃、３
００℃の場合には、最終的に残留するオゾン濃度がかな
り高くて好ましくない。また、発熱体３６の温度が３５
０℃の時には、混入Ｏ2 ガス量が少ない時、すなわち、
１０リットル／ｍｉｎまではオゾンが略全て分解されて
良好であるが、混入Ｏ2 ガス量が１５リットル／ｍｉｎ
以上になると残留オゾン量もかなり多くなり好ましくな
い。
【００２５】これに対して、発熱体３６の温度が４００
℃以上になると、温度４００℃にて混入Ｏ2 ガス量が２
０リットル／ｍｉｎ以上の場合で、僅かに残留オゾンが
検出されるが、全体的に良好な結果を示しており、特に
４５０℃以上の場合には、混入Ｏ2 ガス量に関係なく、
オゾンが全く検出されず、全て分解できることが判明し
た。上記実施例では、中空状の熱分解容器３４内に、単
に加熱ヒータ３６付きのパンチングメタル４０を設けた
構造であるが、この構造に限定されずに種々変更しても
よく、例えば図５に示すように構成してもよい。図５に
示す場合には、熱分解容器３４内に上方が開放された断
面Ｕ字状の大きな流路拡大容器５０を設け、この容器５
０内に下端が開放されて上端が流入側の排気主管２６に
接続された筒体状の流れ規制筒５２を設けている。そし
て、この流れ規制筒５２内に上記加熱ヒータ３６付きの
パンチングメタル４０を設けるようにする。この場合に
は、パンチングメタル４０を通過した排気ガスは、流路
拡大容器５０の底部で折り返して流れ規制筒５２の外側
を上方へ流れ、更に天井部にて再度折り返して下方向へ
流れて熱分解容器３４から排出されることになる。この
場合には、図１に示した実施例と比較して、熱分解容器
内のオゾンガスの滞留時間を長くすることができ、オゾ
ンガスの分解効率を上げることができる、という利点を
有する。尚、図５において、図１及び図２中と同一構成
部分については同一符号を付している。上記各実施例に
あっては、圧力調整弁３０と排気ポンプ２８との間の排
気主管２６に除去装置３２と冷却手段４６を設けたが、
これに限定されず、図６に示すように、圧力調整弁２６
よりも上流側の排気通路に除去装置３２と冷却手段４６
を設けるようにしてもよい。
℃以上になると、温度４００℃にて混入Ｏ2 ガス量が２
０リットル／ｍｉｎ以上の場合で、僅かに残留オゾンが
検出されるが、全体的に良好な結果を示しており、特に
４５０℃以上の場合には、混入Ｏ2 ガス量に関係なく、
オゾンが全く検出されず、全て分解できることが判明し
た。上記実施例では、中空状の熱分解容器３４内に、単
に加熱ヒータ３６付きのパンチングメタル４０を設けた
構造であるが、この構造に限定されずに種々変更しても
よく、例えば図５に示すように構成してもよい。図５に
示す場合には、熱分解容器３４内に上方が開放された断
面Ｕ字状の大きな流路拡大容器５０を設け、この容器５
０内に下端が開放されて上端が流入側の排気主管２６に
接続された筒体状の流れ規制筒５２を設けている。そし
て、この流れ規制筒５２内に上記加熱ヒータ３６付きの
パンチングメタル４０を設けるようにする。この場合に
は、パンチングメタル４０を通過した排気ガスは、流路
拡大容器５０の底部で折り返して流れ規制筒５２の外側
を上方へ流れ、更に天井部にて再度折り返して下方向へ
流れて熱分解容器３４から排出されることになる。この
場合には、図１に示した実施例と比較して、熱分解容器
内のオゾンガスの滞留時間を長くすることができ、オゾ
ンガスの分解効率を上げることができる、という利点を
有する。尚、図５において、図１及び図２中と同一構成
部分については同一符号を付している。上記各実施例に
あっては、圧力調整弁３０と排気ポンプ２８との間の排
気主管２６に除去装置３２と冷却手段４６を設けたが、
これに限定されず、図６に示すように、圧力調整弁２６
よりも上流側の排気通路に除去装置３２と冷却手段４６
を設けるようにしてもよい。
【００２６】ここでは、上記バッファタンク２４を除去
装置３２の熱分解容器３４として兼用している。すなわ
ち、このバッファタンク２４内に、図２及び図３に示し
たと同様な加熱ヒータ３６付きのパンチングメタル４０
を収容している。また、このバッファタンク２４の側壁
にも冷却ジャケット４２を配置して、この側壁を人間に
安全な温度まで冷却するようになっている。そして、冷
却手段４６をこのバッファタンク２４と上記圧力調整弁
２６との間の排気主管２６内に設けて排出されるガス温
度を１００℃以下まで冷却するようになっている。
装置３２の熱分解容器３４として兼用している。すなわ
ち、このバッファタンク２４内に、図２及び図３に示し
たと同様な加熱ヒータ３６付きのパンチングメタル４０
を収容している。また、このバッファタンク２４の側壁
にも冷却ジャケット４２を配置して、この側壁を人間に
安全な温度まで冷却するようになっている。そして、冷
却手段４６をこのバッファタンク２４と上記圧力調整弁
２６との間の排気主管２６内に設けて排出されるガス温
度を１００℃以下まで冷却するようになっている。
【００２７】この場合にも、先に説明した実施例と同様
に排気ガス中に含まれる残留未反応のオゾンを効率的に
熱分解することができる。更に、この実施例では、圧力
調整弁２６よりも上流側の排気通路に除去装置３２を設
けた構造となっているので、除去装置３２内であるバッ
ファタンク２４内の圧力と改質装置２の処理容器４内の
圧力が略同じで３０Ｔｏｒｒ程度となる。その結果、バ
ッファタンク２４内を流れる排気ガスの流速が、先の実
施例の場合よりもかなり遅くなって、ここでの滞留時間
が長くなり、これにより排気ガスとパンチングメタル４
０との接触時間が長くなって、その分、オゾンをより効
率的に熱分解することが可能となる。また、バッファタ
ンク２４を熱分解容器３４として用いているので、その
分、設備コストも少なくて済む。
に排気ガス中に含まれる残留未反応のオゾンを効率的に
熱分解することができる。更に、この実施例では、圧力
調整弁２６よりも上流側の排気通路に除去装置３２を設
けた構造となっているので、除去装置３２内であるバッ
ファタンク２４内の圧力と改質装置２の処理容器４内の
圧力が略同じで３０Ｔｏｒｒ程度となる。その結果、バ
ッファタンク２４内を流れる排気ガスの流速が、先の実
施例の場合よりもかなり遅くなって、ここでの滞留時間
が長くなり、これにより排気ガスとパンチングメタル４
０との接触時間が長くなって、その分、オゾンをより効
率的に熱分解することが可能となる。また、バッファタ
ンク２４を熱分解容器３４として用いているので、その
分、設備コストも少なくて済む。
【００２８】以上の各実施例では、オゾンを熱のみによ
って分解することとしたが、各熱分解容器３４内に紫外
線ランプを配置するなどして、紫外線をオゾンに照射し
てその分解を促進させるようにしてもよい。また、ここ
では熱分解性ガスとしてオゾンを用いた場合を例にとっ
て説明したが、他のガス、例えば未反応のＮ2 Ｏガス
（一酸化二窒素）を分解する場合にも適用することがで
きる。更には、使用系としては改質装置に限らず、上記
したオゾンやＮ2 Ｏのような熱分解性ガスを用いる使用
系については全て適用することができるのは勿論であ
る。
って分解することとしたが、各熱分解容器３４内に紫外
線ランプを配置するなどして、紫外線をオゾンに照射し
てその分解を促進させるようにしてもよい。また、ここ
では熱分解性ガスとしてオゾンを用いた場合を例にとっ
て説明したが、他のガス、例えば未反応のＮ2 Ｏガス
（一酸化二窒素）を分解する場合にも適用することがで
きる。更には、使用系としては改質装置に限らず、上記
したオゾンやＮ2 Ｏのような熱分解性ガスを用いる使用
系については全て適用することができるのは勿論であ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱分解性
ガスの除去装置及び除去方法によれば、次のように優れ
た作用効果を発揮することができる。請求項１及び請求
項１０に規定する発明によれば、熱分解性ガスの使用系
から排気される未反応のガスを発熱体からの熱によって
分解するようにしたので、触媒等を用いることなく未反
応の熱分解性ガスを分解して除去することができる。請
求項３に規定するように、発熱体に接触面積拡大部材を
取り付けて排気ガスとの接触面積を大きくすることによ
り、更に効率的に未反応の熱分解性ガスを除去すること
ができる。また、請求項３及び４に規定するように、排
気ポンプの上流側に冷却手段を設けて除去装置から排出
される排気ガスを冷却することにより、排気ポンプに熱
的ダメージを与えることを防止することができる。更
に、請求項５に規定するように、除去装置を排気通路の
圧力調整弁よりも上流側に設けることにより、除去装置
内と使用系内の圧力が略同じになって排気ガスの流れが
遅くなり、その結果、排気ガスの滞留時間が長くなっ
て、このガスが効率的に加熱されるのでその分、未反応
の熱分解性ガスを効率的に分解することができる。ま
た、請求項６に規定するように、熱分解容器とバッファ
タンクを兼用すれば、その分、設備のコストを削減する
ことができる。更に、請求項７乃至９に規定するよう
に、使用系として半導体ウエハ等の被処理体の表面の金
属酸化膜を改質する改質装置を適用すれば、この時用い
られるオゾンの残留ガスを除去することができる。
ガスの除去装置及び除去方法によれば、次のように優れ
た作用効果を発揮することができる。請求項１及び請求
項１０に規定する発明によれば、熱分解性ガスの使用系
から排気される未反応のガスを発熱体からの熱によって
分解するようにしたので、触媒等を用いることなく未反
応の熱分解性ガスを分解して除去することができる。請
求項３に規定するように、発熱体に接触面積拡大部材を
取り付けて排気ガスとの接触面積を大きくすることによ
り、更に効率的に未反応の熱分解性ガスを除去すること
ができる。また、請求項３及び４に規定するように、排
気ポンプの上流側に冷却手段を設けて除去装置から排出
される排気ガスを冷却することにより、排気ポンプに熱
的ダメージを与えることを防止することができる。更
に、請求項５に規定するように、除去装置を排気通路の
圧力調整弁よりも上流側に設けることにより、除去装置
内と使用系内の圧力が略同じになって排気ガスの流れが
遅くなり、その結果、排気ガスの滞留時間が長くなっ
て、このガスが効率的に加熱されるのでその分、未反応
の熱分解性ガスを効率的に分解することができる。ま
た、請求項６に規定するように、熱分解容器とバッファ
タンクを兼用すれば、その分、設備のコストを削減する
ことができる。更に、請求項７乃至９に規定するよう
に、使用系として半導体ウエハ等の被処理体の表面の金
属酸化膜を改質する改質装置を適用すれば、この時用い
られるオゾンの残留ガスを除去することができる。
【図１】使用系としての改質装置の排気通路に設けた本
発明の熱分解性ガスの除去装置を示す概略構成図であ
る。
発明の熱分解性ガスの除去装置を示す概略構成図であ
る。
【図２】発熱体に設けた接触面積拡張部材を示す斜視図
である。
である。
【図３】接触面積拡張部材を示す断面図である。
【図４】表１をグラフ化した図でる。
【図５】本発明装置の変形例を示す概略断面図である。
【図６】本発明装置の他の変形例を示す概略断面図であ
る。
る。
２ 改質装置（使用系） ２２ 排気管（排気通路） ２４ バッファタンク ２６ 排気主管（排気通路） ２８ 真空ポンプ（排気ポンプ） ３０ 圧力調整弁 ３２ 除去装置 ３４ 熱分解容器 ３６ 加熱ヒータ（発熱体） ３８ 通気孔 ４０ パンチングメタル（接触面積拡張部材） ４２ 冷却ジャケット ４４ 冷却パイプ ４６ 冷却手段 ５０ 流路拡大容器 ５２ 流れ規制筒 Ｗ 半導体ウエハＷ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D002 AA11 BA09 BA12 GA01 GB11 5F045 AA11 AC11 AD07 AD08 AD09 AD10 AE21 AE23 AE25 BB14 EC03 EE07 EG02 EG06 EG07 EJ01 EJ09
Claims (10)
- 【請求項１】 熱によって分解可能な熱分解性ガスの使
用系から延びる排気通路に設けられた熱分解性ガスの除
去装置において、前記排気通路の途中に介設された熱分
解容器と、この熱分解容器内に設けられた発熱体とより
なることを特徴とする熱分解性ガスの除去装置。 - 【請求項２】 前記発熱体には、前記排気ガスとの接触
面積を増大させるための接触面積拡張部材が取り付けら
れることを特徴とする請求項１記載の熱分解性ガスの除
去装置。 - 【請求項３】 前記排気通路には、排気ポンプが介設さ
れており、前記熱分解容器は、前記排気ポンプの上流側
に介設されていることを特徴とする請求項１または２記
載の熱分解性ガスの除去装置。 - 【請求項４】 前記熱分解容器の下流側であって、前記
排気ポンプの上流側の排気通路には、これに流れる排気
ガスを冷却する冷却手段が設けられることを特徴とする
請求項３記載の熱分解性ガスの除去装置。 - 【請求項５】 前記排気通路には、前記使用系内の圧力
調整を行なう圧力調整弁が介設されており、前記熱分解
容器と前記冷却手段は、前記圧力調整弁の上流側に設置
されていることを特徴とする請求項４記載の熱分解性ガ
スの除去装置。 - 【請求項６】 前記熱分解容器は、前記使用系内の雰囲
気を均等に排気するために前記使用系の直ぐ下流側の排
気通路に設けられるバッファタンクと兼用されることを
特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の熱分解性
ガスの除去装置。 - 【請求項７】 前記使用系は、被処理体の表面に形成さ
れた金属酸化膜を改質するための改質装置であることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の熱分解性
ガスの除去装置。 - 【請求項８】 前記熱分解性ガスはオゾンであることを
特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の熱分解性
ガスの除去装置。 - 【請求項９】 前記発熱体の温度は、４００〜１０００
℃の範囲内であることを特徴とする請求項８記載の熱分
解性ガスの除去装置。 - 【請求項１０】 熱によって分解可能な熱分解性ガスの
使用系より、これに接続される排気通路を介して排出さ
れる排気ガス中に含まれる未反応の熱分解性ガスを除去
する除去方法において、前記排気ガス中に残留する熱分
解性ガスを発熱体からの熱により分解するようにしたこ
とを特徴とする熱分解性ガスの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10207199A JP2000024456A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 熱分解性ガスの除去装置及び除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10207199A JP2000024456A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 熱分解性ガスの除去装置及び除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000024456A true JP2000024456A (ja) | 2000-01-25 |
Family
ID=16535891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10207199A Pending JP2000024456A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 熱分解性ガスの除去装置及び除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000024456A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1549357A1 (en) * | 2002-12-10 | 2005-07-06 | Semitool, Inc. | Workpiece processing system |
| JP2008130270A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置 |
| JP2009206474A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Meidensha Corp | オゾン分解装置及びプロセスシステム |
| JP2010075916A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Meidensha Corp | オゾン分解装置及びプロセスシステム |
| WO2010055665A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | アルバック・クライオ株式会社 | 真空排気装置、真空処理装置及び真空処理方法 |
| JP2014151111A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Haier Asia International Co Ltd | 電気機器およびフィルタ |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP10207199A patent/JP2000024456A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1549357A1 (en) * | 2002-12-10 | 2005-07-06 | Semitool, Inc. | Workpiece processing system |
| EP1549357A4 (en) * | 2002-12-10 | 2005-10-26 | Semitool Inc | WORK PIECE PROCESSING SYSTEM |
| JP2008130270A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置 |
| JP4733618B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2011-07-27 | 積水化学工業株式会社 | 表面処理装置 |
| JP2009206474A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Meidensha Corp | オゾン分解装置及びプロセスシステム |
| JP2010075916A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Meidensha Corp | オゾン分解装置及びプロセスシステム |
| WO2010055665A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | アルバック・クライオ株式会社 | 真空排気装置、真空処理装置及び真空処理方法 |
| CN102171455A (zh) * | 2008-11-14 | 2011-08-31 | 爱发科低温泵株式会社 | 真空排气装置、真空处理装置以及真空处理方法 |
| KR101231528B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2013-02-07 | 가부시키가이샤 아루박 | 진공 배기 장치, 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 |
| JP5207417B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-06-12 | アルバック・クライオ株式会社 | 真空排気装置、真空処理装置及び真空処理方法 |
| TWI421411B (zh) * | 2008-11-14 | 2014-01-01 | Ulvac Cryogenics Nc | Vacuum evacuation device, vacuum processing device and vacuum treatment method |
| JP2014151111A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Haier Asia International Co Ltd | 電気機器およびフィルタ |
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