JPH02290223A - 熱分解装置 - Google Patents

熱分解装置

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JPH02290223A
JPH02290223A JP2031280A JP3128090A JPH02290223A JP H02290223 A JPH02290223 A JP H02290223A JP 2031280 A JP2031280 A JP 2031280A JP 3128090 A JP3128090 A JP 3128090A JP H02290223 A JPH02290223 A JP H02290223A
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LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
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    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/68—Halogens or halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/72—Organic compounds not provided for in groups B01D53/48 - B01D53/70, e.g. hydrocarbons

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、種々の化合物の熱分解装置に係り、特に、改
良された熱分解トラップを備えた熱分解装置に関する。
種々の無機ハロゲン化物、無機水素化物、有機金属化合
物は、例えば、半導体製造プロセスにおけるＣＶＤ等に
よる薄膜形成の為の原料として多用されており、半導体
産業の急激な発達に陣い、その需要は急増している。こ
れらの化学物質は、ロータリーポンプにより排気されて
いる反応室内にガス状で供給されて薄膜を形成し、薄膜
を形成した残りの未反応ガス及び反応による副生成物は
、ローリーポンプにより排気される。
しかし、このような未反応ガス及び反応による副生成物
ガスは、ロータリーポンプ内を通る際にポンプのオイル
と反応し、オイルを劣化させ、ポンプを損傷させてしま
うという不都合がある。このような不都合を取除くため
、ロータリーポンプの前に熱分解トラップを配置し、上
記ガスを熱分解トラップを通し、そこで熱分解してオイ
ルと反応しない物質に変換することが提案されている。
その熱分解トラップとして第１図に示すような構成のも
のがある。
第１図に示す熱分解トラップにおいて、トラップ本体１
の中心付近には、外気に解放され、内部にヒーター３を
収容するヒーター室２が挿入されている。トラップ本体
１の巾には、ヒーター室２の周囲を取囲むように銅製の
メッシュ板４が収容されている。また、トラップ本体１
の周囲は、バンドヒーター５が巻かれている。トラップ
本体１の下部および上部にはそれぞれ人口６及び出口７
が設けられている。
上述の熱分解トラップにおいて、反応室からのガスは入
口６からトラップ本体１内に導入され、ヒーター３及び
バンドヒーター５により加熱されたメッシュ仮４上で熱
分解し、分解されたガスは出口７から排出され、ロータ
リーポンプに至る。
この分解されたガスはロータリーポンプのオイルと反応
して該オイルを劣化させることがないため、ロータリー
ポンプが損傷を受けることはない。
しかし、上述の熱分解トラップでは、ガスの熱分解によ
り生成した固体粒子がトラップ本体１の底部８に堆積す
るという問題がある。従来、堆積した固体粒子は、操作
停止後、トラップ本体１の底部８を取外すことにより除
去されていた。しかし、この固体粒子は毒性を有し、ト
ラップ本体１の底部８から除去する際に外部に飛散して
しまうという重大な問題がある。
一方、第２図に示すように、熱分解トラップ１１は、通
常反応室１２の下流直後に配置されており、その更に下
流にオイルトラップ１３、メカニカルブースターポンプ
１４及びロータリーポンプ１５が配置されている。この
ような各機器の配置では、熱分解トラップ１１における
圧力損失により、メカニカルブースターボンプ１４及び
ロータリーポンプ１５による反応室１２内の排気スビド
が極端に低下してしまうという問題もある。
本発明の目的は、ガスの熱分解により生成した固体粒子
をトラップ本体の底部から容易に取出すことを可能とす
る熱分解トラップを提供することにある。
本発明の他の目的は、熱分解トラップの配置にもかかわ
らず、反応室内の排気速度が低下することのない熱分解
装置を提供することにある。
本発明によると、熱分解されるべきガスが導入される人
口と排出される出口とを有する熱分解トラップ本体と、
この熱分解トラップ本体内に導入されたガスを加熱する
ためのヒーターとを具備する熱分解トラップにおいて、
前記熱分解トラップ本体の底部には、オイルを収容し、
オイルυ［出口およびそれに接続されたバルブをＨする
オイルトラップが設けられていることを特徴とする熱分
解トラップが提供される。
本発明の熱分解トラップにおいては、トラップ本体の底
部にオイルトラップが設けられている。
オイルトラップ内にはオイル例えばポンプに用いられる
オイルが所定のレベルまで収容されている。
ガスの熱分解により生成した固形粒子は、このオイル中
に沈澱する。オイルトラップの底部に設けられたオイル
排出口にはバルブが取付けられていて、このバルブを開
くことにより、固形粒子を含むオイルが排出される。
オイルトラップの周囲には、オイルの蒸発及び分解を避
けるために、冷却手段を設けるのが好ましい。
本発明の熱分解トラップによると、ガスの熱分解により
生成した固形粒子を、外気との遮断状態を維持したまま
、極めて容易に、短時間でトラップ外に取出すことが可
能である。
更に本発明によると、反応室と、この反応室からのガス
を熱分解するための熱分解トラップと、前記反応室内を
排気するためのオイルフリーの補助ポンプ及びメインポ
ンプとを具備する熱分解装置において、前記熱分解トラ
ップは、熱分解されるべきガスが導入される入口と排出
される出口とをＨする熱分解トラップ本体と、この熱分
解トラップ本体内に導入されたガスを加熱するためのヒ
ーターと、前記熱分解トラップ本体の底部に設けられた
、オイルを収容し、オイル排出口およびそれに接続され
たバルブを有するオイルトラップを具碕し、前記補助ポ
ンプは前記反応室の出口及び前記熱分解トラップの入口
に接続され、前記メインポンプは前記熱分解トラップの
出口に接続されていることを特徴とする熱分解装置が提
供される。
本発明の熱分解装置によると、反応室の直後にオイルフ
リーの補助ポンプを配置しているため、熱分解トラップ
の設置にもかかわらず反応室内の排気速度は減少するこ
とがなく、また反応室内の圧力を何等動揺させることな
く１″Ｉ４整することが出来る。
本発明の熱分解トラップ及び熱分解装置により分解され
るガスとしては、ＷＦ６、ＭｏＦ６、ＴＩ　ＣＮ　　の
ような無機ハロゲン化物、Ａｊ７（Ｃ２ＨＭ）ｖ、Ａｆ
ｆ　（ＣＨ３）ｓ、ＡＮ（ＩＣ４Ｈ９）ｉ、Ｚｎ　　（
ＣｚＨ，）１、Ｃｄ（ＣＨｔ）２、ＩｎＣＣ２Ｈｑ　）
３　、Ｇａ（ＣＨｉ　）　３、Ｇａ　　（Ｃ２Ｈ５）３
、Ｐ　（ＣＨ３）３、Ｐ　（Ｃ２　Ｈｓ）３、ＡＳ　　
（ＣＨ３　）３　、Ａｓ　　（Ｃ２　Ｈ，）３、Ｂ　（
Ｃ　Ｈｓ）ｓ　、Ｂ　（Ｃ２　Ｈ５　３）、Ｓｔ（ＣＨ
３１、Ｓｉ　　（Ｃ２Ｈ，）４、Ｓｌ　　（ＯＣＨ３）
４、Ｓｌ（ＯＣ２Ｈ９）４のような何機金属化合物、及
びＳｔ　Ｈ４　、Ｓｉ　２　Ｈ６　、Ｓｌ　３　Ｈ８の
ような無機水素化物が挙げられる。
以下図面を参照して、本発明の実施例について説明する
。
第３図は、本発明の一実施例に係る熱分解トラップの断
面図である。第３図に示す熱分解トラップにおいて、ト
ラップ本体２１の中心付近には、外気に解放され、内部
にヒーター２３を収容するヒーター室２２が挿入されて
いる。トラップ本体２１の中には、ヒーター室２２の周
囲を取囲むように例えば銅製のメッシュ板２４が収容さ
れている。また、トラップ本体２１の周囲は、バンドヒ
ーター２５が巻かれている。トラップ本体２１の下部お
よび上部にはそれぞれバルブＶ１を有する人口２６とバ
ルブｖ２を有する出口２７が設けられている。メッシュ
板２４の上端には振動輸送部材３６を介して振動機３５
が接続されている。
トラップ本体２１の底部には円錐状のオイルトラップ２
８が設けられている。このオイルトラップ２８の底部に
はオイル排出口２９が設けられ、このオイル排出口２つ
にはバルブｖ３が取付けられている。オイルトラップ２
８内には、所定量のオイルが収容されている。オイルと
しては、通常、ポンプに用いられるオイルが使用される
。オイルトラップ２８にはバルブＶ４が取付けられたオ
イル導入口３０が設けられていて、ここからオイルがオ
イルトラップ２８内に導入される。
また、オイルトラップ２８の周囲には冷却管３１が配設
されていて、その中を冷却水が流れ、それによってオイ
ルトラップ２８内のオイルが冷却される。その結果、オ
イルの蒸発や熱分解が防止される。なお、トラップ本体
２１の上部側部には、トラップ内の圧力の過剰な上昇を
防止するための圧力スイッチ３３、及び不活性ガス例え
ば窒素を導入するための配管３４が取付けられ、この配
管３４にはバルブｖ５が取付けられている。
上述の熱分解トラップにおいて、反応室からのガスは人
口２６からトラップ本体２〕内に導入され、ヒーター２
３及びバンドヒーター２５により加熱されたメッシュ板
２４上で熱分解し、分解されたガスは出口２７から排出
され、ロータリーポンプに至る。熱分解により生成した
固体粒子はオイルトラップ２８内のオイル中に落下する
。メッシュ板２４の表面に付着した固体粒子は、振動機
の作動によって容易に振り落とされる。
長時間の熱分解操作により大量の固体粒子がオイルトラ
ップ２８中に堆積すると、オイルを交換する必要がある
。その操作は次のようにして行われる。
まず、バルブＶ１とｖ２を閉とした状態でバルブＶ５を
開け、トラップ内に窒素ガスを導入する。
窒素ガスの導入は、トラップ内が大気圧となるまで行な
う。次にバルブｖ３を開け、ｖ５を開けて窒素ガスをゆ
っくり導入しながらオイルを排出する。そして、オイル
トラップ２８内のオイルがなくなる前にバルブＶ３を閉
ざし、最後にバルブＶ４を開いて新しいオイルを導入し
、オイル交換操作が終了する。必要であれば、このオイ
ル交換操作を繰返すことにより、オイルトラップ２８を
洗浄することができる。
このような操作により、反応室からの排ガスの熱分解に
より生成された有害な固体粒子を、トラップを開けてト
ラップ内を外気にさらすことなく、安全に、容易に、か
つ短時間で、トラップから取出すことが可能である。
実際、反応室において、原料ガスとしてＷＦ６と水素と
を用いてＣＶＤによりシリコンウェハー上にＷ膜を形成
した場合、反応室から未反応のＷＦ，を含むガスが排出
された。このガスを第３図に示す熱分解トラップにより
熱分解したところ、固体粒子としてＷを含むガスが生成
した。この固体粒子はオイルトラップ２８内のオイル中
に沈澱し、上述の操作により容易に外部に取出された。
第４図は、以上説明した第３図の熱分解トラップを組込
んだ熱分解装置のフローシート図である。
第４図において、反応室４２の下流直後にはメカニカル
ブースターポンプ４４が配置されており、その下流に熱
分解トラップ４１、オイルトラップ４３、及びロータリ
ーポンプ４５が配置されている。このような各機器の配
置では、反応室４２の下流直後にオイルフリーのメカニ
カルブースターポンプ４４が配置されているため、熱分
解トラップ４１における圧力損失により、メカニカルブ
ースターポンプ４４及びロータリーポンプ４５による反
応室４２内の排気スピードが低下することはなく、また
、反応室内の圧力を何等食動なく調整することが出来る
。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の熱分解トラップの断面図、第２図は、
第１図の熱分解トラップを組込んだ熱分解装置のフロー
シ一ト図、第３図は、本発明の一実施例の熱分解トラッ
プの断面図、第４図は、第３図の熱分解トラップを組込
んだ熱分解装置のフローシ一ト図である。 ２１・・・熱分解トラップ本体、２３・・・ヒータ、２
５・・・バンドヒー夕、２６・・・入口、２７・・・出
口、２８・・・オイルトラップ、２つ・・・オイル排出
口、３０・・・オイル導入口 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ＦＩＧ，１ ＦＩＧ．２ ＦＩＧ．３

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）熱分解されるべきガスが導入される入口と排出さ
    れる出口とを有する熱分解トラップ本体と、この熱分解
    トラップ本体内に導入されたガスを加熱するための加熱
    手段とを具備する熱分解トラップにおいて、前記熱分解
    トラップ本体の底部には、オイルを収容し、オイル排出
    口およびそれに接続されたバルブを有するオイルトラッ
    プが設けられていることを特徴とする熱分解トラップ。
  2. （２）前記加熱手段は、前記熱分解トラップ本体の中央
    部及び周囲に設けられていることを特徴とする請求項１
    に記載の熱分解トラップ。
  3. （３）前記熱分解トラップ本体内には、金属製のメッシ
    ュ板が設けられていることを特徴とする請求項１に記載
    の熱分解トラップ。
  4. （４）前記熱分解トラップ本体には、不活性ガス導入口
    が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の熱
    分解トラップ。
  5. （５）前記オイルトラップの周囲には、オイルの蒸発及
    び分解を避けるための冷却手段が設けられていることを
    特徴とする請求項１に記載の熱分解トラップ。
  6. （６）反応室からのガスを熱分解するための熱分解トラ
    ップと、前記反応室内を排気するためのオイルフリーの
    補助ポンプ及びメインポンプとを具備する熱分解装置に
    おいて、前記熱分解トラップは、熱分解されるべきガス
    が導入される入口と排出される出口とを有する熱分解ト
    ラップ本体と、この熱分解トラップ本体内に導入された
    ガスを加熱するための加熱手段と、前記熱分解トラップ
    本体の底部に設けられた、オイルを収容し、オイル排出
    口およびそれに接続されたバルブを有するオイルトラッ
    プを具備し、前記補助ポンプは前記反応室の出口及び前
    記熱分解トラツプの入口に接続され、前記メインポンプ
    は前記熱分解トラップの出口に接続されていることを特
    徴とする熱分解装置。
  7. （７）前記メインポンプはロータリーポンプであること
    を特徴とする請求項６に記載の熱分解装置。
  8. （８）前記補助ポンプはメカニカルブースターポンプま
    たはターボモレキュラーポンプであることを特徴とする
    請求項６に記載の熱分解装置。
  9. （９）前記熱分解トラップと前記メインポンプとの間に
    はオイルトラップが配置されていることを特徴とする請
    求項６に記載の熱分解装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109383A (ja) * 2003-10-02 2005-04-21 Renesas Technology Corp 半導体製造装置用排気配管および半導体製造装置
JP2011050804A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Meidensha Corp 分離膜の製造装置

Families Citing this family (257)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU95106478A (ru) * 1994-04-29 1997-01-20 Моторола Устройство и способ для разложения химических соединений
JP3246708B2 (ja) * 1995-05-02 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
US5928426A (en) * 1996-08-08 1999-07-27 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors
US6015463A (en) * 1997-02-14 2000-01-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for trapping contaminants formed during chemical vapor deposition processing of semiconductor wafers
US6099649A (en) * 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP3554219B2 (ja) * 1998-03-31 2004-08-18 キヤノン株式会社 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法
JP2000249058A (ja) * 1999-02-26 2000-09-12 Ebara Corp トラップ装置
FI110311B (fi) * 1999-07-20 2002-12-31 Asm Microchemistry Oy Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista
US6500487B1 (en) * 1999-10-18 2002-12-31 Advanced Technology Materials, Inc Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions
JP2001252527A (ja) * 2000-03-13 2001-09-18 Seiko Epson Corp Ｐｆｃの処理方法および処理装置
TW496907B (en) * 2000-04-14 2002-08-01 Asm Microchemistry Oy Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
US7060132B2 (en) * 2000-04-14 2006-06-13 Asm International N.V. Method and apparatus of growing a thin film
US6527828B2 (en) * 2001-03-19 2003-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. Oxygen enhanced CDA modification to a CDO integrated scrubber
US6551381B2 (en) * 2001-07-23 2003-04-22 Advanced Technology Materials, Inc. Method for carbon monoxide reduction during thermal/wet abatement of organic compounds
US6596054B2 (en) * 2001-07-23 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. Method for carbon monoxide reduction during thermal/wet abatement of organic compounds
JP4908738B2 (ja) * 2002-01-17 2012-04-04 サンデュー・テクノロジーズ・エルエルシー Ａｌｄ方法
US6843830B2 (en) * 2003-04-15 2005-01-18 Advanced Technology Materials, Inc. Abatement system targeting a by-pass effluent stream of a semiconductor process tool
US7662233B2 (en) * 2003-06-27 2010-02-16 Ofer Sneh ALD apparatus and method
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
US7569193B2 (en) 2003-12-19 2009-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants
DE602005016933D1 (de) 2004-06-28 2009-11-12 Cambridge Nanotech Inc Atomlagenabscheidungssystem und -verfahren
US7736599B2 (en) * 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
US8679287B2 (en) * 2005-05-23 2014-03-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing ALD reactants from damaging vacuum pumps
EP1954926A2 (en) * 2005-10-31 2008-08-13 Applied Materials, Inc. Process abatement reactor
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
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CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
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US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
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CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
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TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
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TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
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US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
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USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115233187B (zh) * 2022-07-22 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 气体处理装置和半导体工艺设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US514814A (en) * 1894-02-13 Feed-water heater and purifier
US1928706A (en) * 1930-04-11 1933-10-03 Donald A Sillers Mist extractor
US2045519A (en) * 1933-12-21 1936-06-23 Coutant Jay Gould Purification of gases
US3093466A (en) * 1959-07-15 1963-06-11 Mc Graw Edison Co Apparatus for the treatment of gases
CH621366A5 (ja) * 1977-05-09 1981-01-30 Balzers Hochvakuum

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109383A (ja) * 2003-10-02 2005-04-21 Renesas Technology Corp 半導体製造装置用排気配管および半導体製造装置
JP2011050804A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Meidensha Corp 分離膜の製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0384803A1 (en) 1990-08-29
EP0384803B1 (en) 1993-11-18
DE69004591D1 (de) 1993-12-23
JP2851670B2 (ja) 1999-01-27
DE69004591T2 (de) 1994-03-17
EP0382984A1 (en) 1990-08-22
US5114683A (en) 1992-05-19

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