JP7331685B2 - スクラバー - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態にかかる化学気相成長装置100の構成を概略的に示す模式図である。化学気相成長装置100は、反応炉10と、排気配管20と、フィルタ30と、排気ポンプ40と、スクラバー50と、を備えている。反応炉10と、排気配管20と、フィルタ30と、排気ポンプ40と、は、公知のものを用いることができる。
図2は、本実施形態にかかるスクラバー50の断面の一部を示す断面模式図である。図2では、説明の便宜上、排ガス導入管1の中心線と、排ガス導入管1からスクラバー50内へ導入される第1ガスG1および第2ガスG2をあわせて図示した。図2に示す例ではスクラバー50の中心軸と排ガス導入管1の中心軸とが一致している。以下、説明の便宜上、スクラバー50内へ導入されるプロセスガスを第1ガスGpという。
図3は、比較例に係るスクラバー50Hの一部を示す断面模式図である。スクラバー50Hは、本発明に含まれない。スクラバー50Hの上端を上端51Hという。スクラバー50Hは、排ガス導入管1Hを有する。排ガス導入管1Hは、排気配管を介して反応炉に接続している。比較例1に係るスクラバー50Hは、排ガス導入管1Hが一重構造である点がスクラバー50と異なる。
図4は、変形例1にかかるスクラバー50Xの一部を示す断面模式図である。スクラバー50Xは、排ガス導入管1Xの第2配管1BXが、テーパー部13を有する点がスクラバー50と異なる。テーパー部13は、第2先端12BXへ近づくに従い、内径が小さくなる形状をしている。すなわち、テーパー部13は、第2ガスG2の流れ方向において下流側ほど窄んでいる。スクラバー50と同一の構成は、同一の符号を付し、説明を省略する。
図5は、変形例3にかかるスクラバー50´の一部を示す断面模式図である。スクラバー50´は、排ガス導入管1´の第1配管1A´および第2配管1B´の配置が、スクラバー50と異なる。第1配管1Aの第1先端12A´および第2配管1Bの第2先端12B´は、上端51に位置する。すなわち、長さLAおよびLBは、0である。スクラバー50と同一の構成は、同一の符号を付し、説明を省略する。
図6は、第2の実施形態に係るスクラバー50Yの一部を示す断面模式図である。スクラバー50Yは、第3配管6を有する点が第1実施形態に係るスクラバー50と異なる。スクラバー50と同一の構成は、同一の符号を付し、説明を省略する。
図7は、変形例3に係るスクラバー50Zの一部を示す断面模式図である。スクラバー50Zは、排ガス導入管1Zの構造がスクラバー50Yと異なる。スクラバー50Yと同一の構成は、同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、上記実施形態にかかる化学気相成長装置100を用いて、SiCエピタキシャルウェハを製造する。本実施形態にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、排ガス導入管1を介してスクラバー50内へ第1ガスG1および第2ガスG2を導入する工程と、スクラバー50で第1ガスG1を無害化処理する工程と、を有する。
排ガス導入管1Zを4本備えたスクラバー50Jを用いてシミュレーションを行った。説明の便宜上、4本の排ガス導入管1Zをそれぞれ、1Z1、1Z2、1Z3、1Z4とする。4本の排ガス導入管1Zは、スクラバー50Jの中心軸に対して点対称に配置されている。また、排ガス導入管1Z1と排ガス導入管1Z4および排ガス導入管1Z2と排ガス導入管1Z3は、それぞれ排ガス導入管6に対して対称に配置されている。4本の排ガス導入管1Z1、1Z2、1Z3及び1Z4は、何れも同じ規格の第1配管および第2配管を用いた。図8は、シミュレーションを行ったスクラバー50Jの要部を示す断面模式図である。
排ガス導入管1Zの第1配管の外径:48.6(mm)
排ガス導入管1Zの第2配管の内径:54.9(mm)
排ガス導入管1Zの第2配管の外径:60.5(mm)
第1根本11AZ1および第1根本11AZ2近傍における第1ガスG1の温度:60(℃)
第1ガスG1の内訳:H2=92200(sccm)、Ar=31550(sccm)、SiHCl3=471(sccm)、C3H8=180.6(sccm)、
HCl=1884(sccm)、N2=34300(sccm)
第2根本11BZ1および第2根本11BZ2近傍における第2ガスG2の温度:60(℃)
第2ガスの流速:2.1(m/s)
第3ガスG3の流量:41.5(m3/min)
実施例2~実施例6は、第2ガスの流量を実施例1から変更した。それぞれの実施例で第2ガスの流量の変更にともない、第2ガスの流速が変化したので併せて記載しておく。その他の条件は、実施例1と同様とした。排ガス導入管1Z1の第1配管における先端12Z1近傍における温度T1、および、排ガス導入管1Z2の第1配管における先端12Z2近傍における温度T2の結果を表1に示す。便宜上、表1には、実施例1の条件および結果も併せて記載する。
比較例1は、排ガス導入管を第1配管のみからなる構成に変更した。すなわち、実施例1の排ガス導入管1Z1および1Z2の第2配管を取り除いた。第1配管としては、実施例1と同じ配管を用いた。また、第1配管からは、実施例1で流した第1ガスG1に加えて、高温のN2を流した。比較例2~比較例9も同様にして行った。比較例1~比較例9における、高温のN2の温度および流量と、その結果を表2および表3に示す。尚、表中に示すN2の温度とは、根本11H近傍における温度である。
1A:第1配管
1B:第2配管
10:反応炉
11:根本
11A:第1根本
11B:第2根本
12:先端
12A:第1先端
12B:第2先端
20:排気配管
30:フィルタ
40:排気ポンプ
50:スクラバー
6:第3配管
60:第3排気口
100:化学気相成長装置
R:ガス収容部
Gp:プロセスガス
G1:第1ガス
G2:第2ガス
Claims (1)
- 内部でSiC薄膜の気相成長を行うことが可能な反応炉から、排気配管を流れ、排出される第1ガスを除害することが可能なスクラバーであって、
複数のガスが集合するガス収容部に、前記第1ガスを流す第1配管と、
前記第1配管の径方向外側に配置され、前記第1配管と二重配管構造を形成する第2配管と、
前記スクラバーの側壁に配置される第3配管と、を有し、
前記第2配管は、前記ガス収容部に前記第1ガスよりも高温の第2ガスを流す配管であり、
前記第3配管は、前記第1ガスの流れ方向に対して交差する向きに配置され、
前記第3配管は、前記ガス収容部に大気を流す配管である、スクラバー。
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