JP6489478B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6489478B2 JP6489478B2 JP2015056087A JP2015056087A JP6489478B2 JP 6489478 B2 JP6489478 B2 JP 6489478B2 JP 2015056087 A JP2015056087 A JP 2015056087A JP 2015056087 A JP2015056087 A JP 2015056087A JP 6489478 B2 JP6489478 B2 JP 6489478B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chamber
- reaction
- manufacturing
- inner tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 40
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 28
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 210000003254 palate Anatomy 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体製造装置内に反応ガスを導入して半導体基板表面に加工を施す工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程では、半導体基板表面に薄膜を形成する工程やエッチング工程等を繰り返し、所望の半導体装置を形成する。例えば、半導体基板表面に薄膜を形成する一例として、シリコンナイトライド膜を形成する場合がある。一般的にシリコンナイトライド膜は、化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成される。
図２は、ＣＶＤ法により薄膜を形成する際に使用される半導体製造装置の一種である縦型ＣＶＤ装置の説明図である。石英製のアウターチューブ１の内側に同心状にインナーチューブ２が配置され、ステンレス製のマニホールド３上に載置されている。インナーチューブ２の内側が、成膜反応を行う反応室４となる。この反応室４はアウターチューブ１外側に設置された図示しないヒーターにより加熱される。マニホールド３には、反応室４内部に成膜に必要な反応ガス等を導入するガス導入管５と、インナーチューブ２の外側から未反応の反応ガス等を排出する排気口６が設けられている。排気口６は真空ポンプに接続され、反応室４を減圧、真空に保つことができる。半導体基板７は、ボート８に複数枚載置され、反応室４の所定の位置に設置される。なお、９はボート８を載置する台座であり、１０はマニホールド３の開口を密閉する炉口蓋となる。
上記ＣＶＤ装置を使用して半導体基板７表面に薄膜を形成する場合には、炉口蓋１０から半導体基板７を複数枚載置したボート８を台座９と共に反応室４に配置し、炉口蓋１０を密閉した後、アウターチューブ１およびインナーチューブ２内を排気、減圧させた後、ガス導入管５から薄膜形成に必要な反応ガスを供給するとともに、所望の圧力、温度に設定することで、半導体基板７表面に薄膜を形成することができる。
所望の薄膜形成後は、ガス導入管５から不活性ガスを導入し、アウターチューブ１およびインナーチューブ２内を不活性ガスで置換した後、常圧に戻し、炉口蓋１０からボート８が台座９と共に取り出される。
ところで、この種のＣＶＤ装置では、反応室４内で反応ガスが熱分解して半導体基板７上に薄膜が堆積し、未反応の反応ガス、副生成物、キャリアガスが図中矢印で示すように流れ、排気口６から排気される。その際、排気口６付近は反応室４より低温となるため、副生成物１１が管壁に付着してしまうという課題を抱えていた。そこで、付着した副生成物１１をエッチング除去するため、上記半導体基板７表面に薄膜を形成する工程とは別にクリーニング工程を、所定間隔で行う必要があった。クリーニング方法の一例は、例えば特許文献１に記載されている。
従来の副生成物の除去方法は、半導体装置の製造工程とは別のクリーニング工程を必要としていた。しかしながら、例えばＭＥＭＳ素子の製造工程において低ストレスの薄膜形成を行う場合、従来の薄膜形成工程と比較すると発生する副生成物の量が多くなり、頻繁に副生成物を除去しなければならないという問題があった。
例えば、低ストレスの薄膜としてシリコンナイトライド膜を形成する場合、従来方法と同一のガス（例えば、シラン系ガスであるジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）ガスとアンモニア（ＮＨ3）ガス）を使用する場合には、その組成比を変更して所望のストレスとなるように調整する。具体的には、一般的な半導体装置のパッシベーション膜等に使用されるシリコンナイトライド膜を形成する場合、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスとＮＨ3ガスの流量比（ＳｉＨ2Ｃｌ2／ＮＨ3）が０．２５〜０．５程度であるのに対し、低ストレスのシリコンナイトライド膜を形成する場合には、５．０を越える流量比で成膜する。
このように、シラン系ガスが過剰に存在する条件で成膜すると、シラン系ガスが反応室３内で消費しきれずに排気されてしまうことになる。その結果、従来に比べて多量の副生成物が発生してしまう。
しかもシラン系ガスから生成される副生成物は、塩素や塩酸を多量に含むシリコン系ポリマーとなる。そこで真空ポンプへの負担を避けるため、ガストラップを付加する必要があり、装置の複雑化を招いていた。またガストラップを追加することで、減圧経路の抵抗を増大させてしまう。さらに副生成物に塩素や塩酸を含むことからクリーニング工程での作業者の安全確保に留意しなければならない等の問題があった。
そこで本願発明は、複雑な装置を使用することなく、副生成物の発生を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため本願請求項１に係る発明は、 アウターチューブの内側に同心状にインナーチューブが配置され、前記アウターチューブの外側に該アウターチューブを加熱するヒーターが設置された半導体製造装置の前記インナーチューブの内側の反応室内に基板を配置する工程と、前記反応室内に反応ガスを供給して前記基板表面に加工を施す工程と、前記反応室の下流側で、前記インナーチューブの上部側の開放端から、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間に別のガスを供給し、前記反応室を通過した前記反応ガスに別のガスを混合させ、該混合されたガスから形成される副生成物を除去する工程とを同時に行うことを特徴とする。
本願請求項２に係る発明は、請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体製造装置はＣＶＤ装置であり、前記反応室内に反応ガスとしてシラン系ガスとアンモニアガスを供給して前記基板表面に薄膜を形成する工程と、前記反応室の下流側で、前記インナーチューブの上部側の開放端から前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間に別のアンモニアガスを供給し、前記反応室を通過した前記反応ガスに別のアンモニアガスを混合させ、形成される塩化アンモニウムを除去する工程とを同時に行う
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
本願請求項３に係る発明は、請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記塩化アンモニウムを除去する工程は、該塩化アンモニウムが昇華して除去される工程であることを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、薄膜形成等の加工工程とクリーニング工程を同時に行うため、副生成物の堆積を大幅に低減することができる。特に副生成物の発生量が多くなる成膜条件での半導体装置の製造工程で本発明を採用すると効果は大きい。
また本発明を実施するための半導体製造装置は、通常の半導体製造装置に追加のガス導入ができる簡便な構造を追加するのみで良く、ガストラップの用な複雑な構造を追加する必要がないという利点がある。
本発明の製造方法により生成する副生成物が塩化アンモニウムの場合、昇華により簡便に除去することが可能となる。また、加工工程と同時に行うクリーニング工程だけでは除去しきれずに堆積した場合でも、追加のクリーニングを行うことで昇華させ、あるいは水洗で容易に除去することができるという利点がある。当然ながら追加のクリーニングの頻度は大幅に削減することができるし、副生成物に塩素や塩酸を含まないので、クリーニング工程での作業者の安全確保が容易になるという利点がある。
本願発明は、薄膜の形成やエッチングなど基板表面に加工を施す工程と同時に反応室より下流側では副生成物の堆積を抑制するための処理を行う半導体装置の製造方法となる。以下、本願発明の実施例について詳細に説明する。
本発明の実施例として、薄膜を形成する場合について説明する。具体的には、特に本発明の効果の大きい一例として、低ストレスのシリコンナイトライド膜を形成する場合について説明する。図１に本実施例に使用するＣＶＤ装置を示す。図１に示すように従来例で説明したＣＶＤ装置同様、石英製のアウターチューブ１の内側に同心状にインナーチューブ２が配置され、ステンレス製のマニホールド３上に載置されている。インナーチューブ２の内側が、成膜反応を行う反応室４となる。この反応室４はアウターチューブ１外側に設置された図示しないヒーターにより加熱される。マニホールド３には、反応室４内部に成膜に必要な反応ガス等を導入するガス導入管５ａ〜５ｄと、インナーチューブ２の外側から未反応の反応ガス等を排出する排気口６が設けられている。排気口６は真空ポンプに接続され、反応室４を減圧、真空に保つことができる。半導体基板７は、ボート８に複数枚載置され、反応室４の所定の位置に設置される。なお、９はボート８を載置する台座であり、１０はマニホールド３の開口を密閉する炉口蓋となる。
ここで、本実施例で使用するＣＶＤ装置のガス導入管として、反応室４の下流側で反応ガスの供給ができるガス導入管５ｅが追加されている点が相違している。このガス導入管５ｅの設置場所は、供給されるガスが反応室４に逆流しない位置に設定される。従って、この条件が満たされれば、図１に示すようにアウターチューブ１とインナーチューブ２の間に限定されず、インナーチューブ２内であっても良い。またその形状も図１に示す形状の他、先端が曲がった形状等種々変更可能である。
上記ＣＶＤ装置を使用して半導体基板７表面に低ストレスのシリコンナイトライド膜を形成する場合、炉口蓋１０から半導体基板７を複数枚載置したボート８を台座９と共に反応室４に配置し、炉口蓋１０を密閉した後、アウターチューブ１およびインナーチューブ２内を排気、減圧させた後、ガス導入管５ａ〜５ｄから薄膜形成に必要な反応ガスを供給すると共に、ガス導入管５ｅから副生成物を除去するためのガスを供給し、所望の圧力、温度に設定する。
具体的には、反応ガスとしてガス導入管５ａ、５ｂからＮＨ3ガスを、ガス導入管５ｃからＳｉＨ2Ｃｌ2ガスをそれぞれ供給し、ガス導入管５ｄからキャリアガスとして窒素（Ｎ2）ガスを供給する。反応ガスは、反応室４内で熱分解され、半導体基板７上にシリコンナイトライド膜が堆積する。
ここで、低ストレスのシリコンナイトライド膜を形成する場合、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスとＮＨ3ガスの流量は、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスを過剰に導入するのが一般的である。そのため、反応ガスが供給される上流側、即ち図１の台座９に近いＣＶＤ装置下部側と、その上流側、即ち図１の台座９から遠いＣＶＤ装置上部側では、熱分解反応により消費されるＮＨ3ガスが上流側ほど不足してしまう。そこで、ＮＨ3ガスの供給をガス導入管５ａに加え、ガス導入管５ｂからも供給する構成としている。
このような構成で半導体基板７上に低ストレスのシリコンナイトライド膜が形成された場合、未反応の反応ガスは図中矢印で示すようにインナーチューブ２の外側を通り、排気口６から排気される。従来例で説明したように、ＳｉＨ2Ｃｌ2は、反応室３内で消費しきれずに排気されてしまい多量の副生成物を発生してしまう。そこで本実施例では、未反応の反応ガスにガス導入管５ｅからＮＨ3ガスを供給する。ここで供給するＮＨ3ガスは、反応室を通過した未反応のＮＨ3ガスおよびＳｉＨ2Ｃｌ2ガス等と混合した状態で副生成物として塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）が形成されるように調整して供給する。この副生成物ＮＨ4Ｃｌは、１５０℃程度で昇華する物質であり、通常の排気工程で十分除去可能となる。
このように供給されるＮＨ3ガスは、除去が容易な副生成物を形成するために必要な反応ガスとなり、また生成した塩化アンモニウムをキャリアガスとともに除去することにもなる。また、薄膜の生成と共に行う塩化アンモニウムの除去工程だけでは除去しきれずに
排気口６に副生成物１１として堆積した場合でも、塩化アンモニウムは昇華させ、あるいは水洗により容易に除去することができる。またその頻度は、従来に比べて大幅に削減することが可能となる。
排気口６に副生成物１１として堆積した場合でも、塩化アンモニウムは昇華させ、あるいは水洗により容易に除去することができる。またその頻度は、従来に比べて大幅に削減することが可能となる。
なお、図１に示すようにガス導入管５ｅを排気経路内に設置する場合、排気経路内でＳｉＨ2Ｃｌ2はＮＨ3ガスと反応し、不要のパーティクルの発生やガス導入管５ｅ表面にシリコンナイトライド膜の積層等が生じる。そこで、ガス導入管を石英、パイレックス、アルミナ、ボロンナイトライドやシリコンカーバイドなどのセラミックなど、所望の材料で形成するのが望ましい。
以上説明したように本発明では、通常の成膜工程において、成膜のための熱分解反応を阻害しない下流側で、別の反応ガスを供給する構成とするのみで、除去の容易な副生成物を形成し、さらに副生成物の除去を同時に行うことができ、副生成物を除去するためのクリーニングの頻度を大幅に少なくすることが可能なる。
本発明は、上記実施例に限定されず種々変更することが可能である。第１の実施例は、縦型ＣＶＤ装置の場合について説明したが、横型ＣＶＤ装置であっても何ら問題ない。また、低ストレスのシリコンナイトライド膜の形成に限るものでもない。さらにＣＶＤ装置を用いた成膜の場合に限らず、半導体基板をエッチング加工する際に、下流側にエッチング除去される半導体基板、反応ガス等から生成する副生成物を除去するようなガスを導入すれば、エッチング工程を行っている反応室の下流側で副生成物の発生を抑えることが可能となる。
１：アウターチューブ、２：インナーチューブ、３：マニホールド、４：反応室、５、５ａ〜５ｅ：ガス導入管、６：排気口、７：半導体基板、８：ボート、９：台座、１０：炉口蓋、１１：副生成物
Claims (3)
- アウターチューブの内側に同心状にインナーチューブが配置され、前記アウターチューブの外側に該アウターチューブを加熱するヒーターが設置された半導体製造装置の前記インナーチューブの内側の反応室内に基板を配置する工程と、
前記反応室内に反応ガスを供給して前記基板表面に加工を施す工程と、前記反応室の下流側で、前記インナーチューブの上部側の開放端から、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間に別のガスを供給し、前記反応室を通過した前記反応ガスに別のガスを混合させ、該混合されたガスから形成される副生成物を除去する工程とを同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体製造装置はＣＶＤ装置であり、
前記反応室内に反応ガスとしてシラン系ガスとアンモニアガスを供給して前記基板表面に薄膜を形成する工程と、前記反応室の下流側で、前記インナーチューブの上部側の開放端から前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間に別のアンモニアガスを供給し、前記反応室を通過した前記反応ガスに別のアンモニアガスを混合させ、形成される塩化アンモニウムを除去する工程とを同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記塩化アンモニウムを除去する工程は、該塩化アンモニウムが昇華して除去される工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015056087A JP6489478B2 (ja) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015056087A JP6489478B2 (ja) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016178169A JP2016178169A (ja) | 2016-10-06 |
| JP6489478B2 true JP6489478B2 (ja) | 2019-03-27 |
Family
ID=57071357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015056087A Active JP6489478B2 (ja) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6489478B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3415491B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2003-06-09 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法 |
| JP3774668B2 (ja) * | 2001-02-07 | 2006-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜形成装置の洗浄前処理方法 |
| JP2012069844A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
-
2015
- 2015-03-19 JP JP2015056087A patent/JP6489478B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016178169A (ja) | 2016-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20230119083A (ko) | 증착 반응기의 처리를 위한 방법 및 시스템 | |
| CN104853855B (zh) | 用于薄膜沉积反应器和薄膜层的原位干式清洁的过程和方法 | |
| KR102423113B1 (ko) | 기상 화합물의 인시츄 형성을 위한 방법 및 시스템 | |
| JP2637265B2 (ja) | 窒化珪素膜の形成方法 | |
| US8158093B2 (en) | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon | |
| JP5728341B2 (ja) | 排気トラップ | |
| US9670580B2 (en) | MOCVD layer growth method with subsequent multi-stage cleaning step | |
| JP2011082493A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP6529927B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
| JP2008112973A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JP2011233583A (ja) | 気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| TWI749278B (zh) | 立式熱處理裝置 | |
| US7727483B2 (en) | Reactor for chlorosilane compound | |
| JP2018529605A (ja) | 流動床反応器及び多結晶シリコン顆粒の製造方法 | |
| JP2009064913A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6489478B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR101909430B1 (ko) | 반도체 공정 시스템용 가스 파우더처리 장치 및 방법 | |
| JP5197554B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法 | |
| TWI602944B (zh) | 含碳之矽膜之形成方法 | |
| JP2010212712A (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JP5370209B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP4804354B2 (ja) | クロロシラン類の反応装置 | |
| JP4423282B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2019508586A (ja) | 高純度ポリシリコンを製造するための流動床反応器の熱的および化学的に負荷された構成部品上に原位置コーティングを堆積する方法 | |
| JP2010287825A (ja) | 半導体装置の製造方法及びポリシリコン膜の製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181120 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190116 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190215 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6489478 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |