JP5728341B2 - 排気トラップ - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 112
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930091051 Arenine Natural products 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- B01D45/00—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces
- B01D45/04—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by utilising inertia
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- B01D50/00—Combinations of methods or devices for separating particles from gases or vapours
- B01D50/20—Combinations of devices covered by groups B01D45/00 and B01D46/00
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
たとえばCVD(化学気相堆積)法による成膜が行われる成膜装置は、内部を真空に排気可能な反応室と、この反応室内に配置され、半導体ウエハなどの基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持される基板を加熱する基板加熱部と、所定の排気配管を介して反応室に接続され、反応室を排気する真空ポンプなどの排気装置と、反応室に原料ガスを供給する原料供給系とを有している。このような成膜装置においては、原料供給系から反応室に供給された原料ガスが、基板加熱部により加熱される基板の熱により気相中又は基板面上で熱分解又は化学反応をすることにより、反応生成物が生成され、これが基板に堆積することにより、薄膜が形成される。
また、処理容器22の側部には、処理容器22を取り囲む例えばカーボンワイヤ製のヒータよりなる加熱部(図示せず)が設けられ、これにより、この内側に位置する処理容器22及びこの中のウエハWが加熱される。
原料ガス供給源54は、例えばシラン(SiH4)ガスやジクロロシラン(DCS)ガスなどのシリコン含有ガスを貯留し、流量制御器及び開閉バルブ(図示せず)が設けられた配管を介してガスノズル60に接続されている。ガスノズル60は、マニホールド28を気密に貫通し、処理容器22内でL字形状に屈曲して内管24内の高さ方向の全域に亘って延びている。ガスノズル60には、所定のピッチで多数のガス噴射孔60Aが形成されており、ウエハボート34に支持されたウエハWに対して横方向から原料ガスを供給することができる。ガスノズル60は、例えば石英で作製することができる。
また、マニホールド28の上部側には、内管24と外管26との間の間隙74に連通する排気口76が形成されており、この排気口76には処理容器22を排気する排気系78が設けられている。
図2に示すように、排気トラップ10は、上端が開口し底部が封止された円筒状の形状を有する本体11と、本体11の上端開口を封止する天板11aと、本体11内において高さ方向に所定の間隔で配置される複数のバッフル板12と、を有している。本体11の側周部の下方部分にガス流入口11bが設けられ、天板11aにガス流出口11cが設けられている。天板11aは、O−リングやメタルシールなどのシール部材(図示せず)を介して、本体11の上端開口縁に固定され、これにより、本体11と天板11aとの間が密閉される。また、本体11内には、底部中央から底部に対してほぼ垂直に延びるロッド11eが設けられている。ロッド11eは、後述するようにバッフル板12を位置決めする機能を有している。
バッフル板12は、4個の大口径孔12aと、複数(図示の例では38個)の小口径孔12bと、中央に位置するガイド孔12cとを有している。4個の大口径孔12aは、これらの中心が、バッフル板12の外周円と同心状の円の円周上に位置し、約90°の角度間隔で互いに離間している。大口径孔12aの内径は、バッフル板12に例えば4個の大口径孔12aを形成できるように設定することが好ましい。例えば大口径孔12aの内径は、42mmから76mmまでであって良く、本実施形態においては約50mmである。また、複数の小口径孔12bは、4個の大口径孔12a以外の部分において所定の規則性に沿って又はランダムに配置される。図示の例では、ガイド孔12cの周囲に60°の角度間隔で6個の小口径孔12bが設けられ、隣接する2つの大口径孔12aの間においてバッフル板12の半径方向にほぼ等間隔で4個の小口径孔12bが設けられている。また、小口径孔12bの内径は、大口径孔12aの内径よりも小さく、例えば10mmから20mmまでであることが好ましく、本実施形態においては約12mmである。
成膜装置20(図1)から排気され、ガス流入口11bから本体11内に流入した排ガスは、バッフル板12のバッフル面(孔12a及び12bのない部分)により流れの方向が僅かに変更されるものの、本体11内を下から上へと流れる(矢印A参照)。すなわち、本体11内では、バッフル板12の面方向に沿った流れよりも、バッフル板12に向かって流れ、大口径孔12a及び小口径孔12bを通り抜ける流れが支配的である。大口径孔12a及び小口径孔12bを排ガスが通り抜ける際、排ガス中の堆積性物質は、大口径孔12a及び小口径孔12bの内縁(エッジ)に吸着する。そうすると、エッジに吸着した堆積性物質が核となり、この核に対して排ガス中の堆積性物質が更に吸着し、核を中心として堆積性物質が成長していく。その結果、図7(b)に示すように、ほぼ円形の断面を有する堆積物DPが、孔12a及び12bのエッジを中心として形成される(この堆積物DPは、大口径孔12a及び小口径孔12bの円形のエッジに沿って成長していくため、リング状の形状を有している)。このようにして、排ガス中から堆積性物質を効率よく捕集することができる。
−バッフル板12の枚数: 19枚
−バッフル板12の間隔: 10mm
−大口径孔12aの数: 4個
−大口径孔12aの内径: 50mm
−小口径孔12bの数: 38個
−小口径孔12bの内径: 12mm
とした。そして、成膜装置20を42日間稼働させて、窒化シリコンがどの程度捕集されるかを求めた(実施例)。シリコン含有ガスとしてDCSガスを使用し、窒化ガスとしてアンモニアを使用した。
例えば、上述の実施形態では、排気トラップ10には4個の大口径孔12aが設けられていたが、大口径孔12aの数は1個でも2個でも4個以上でも良い。また、例えば3個の大口径孔12aを設けた場合には、上下に隣り合う2つのバッフル板12は互いに60°の角度でずれていると好ましい。このようにすれば、これら2つのバッフル板12において、大口径孔12aが上下に重なることがない。
Claims (4)
- 処理ガスを用いて基板に対して所定の処理を行う処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、
前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、
第1の開口寸法を有する一又は複数の第1の開口部、及び前記第1の開口寸法よりも小さい第2の開口寸法を有する複数の第2の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において、前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板と
を備え、
前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第1の開口部と、隣のバッフル板の前記第1の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、
前記複数のバッフル板における前記複数の第2の開口部が、前記第2の開口寸法以下の間隔で配置され、
前記複数のバッフル板のうちの隣り合う2つのバッフル板の間隔が、前記第2の開口寸法の0.5から2倍の範囲にある排気トラップ。 - 前記複数のバッフル板の間隔を調整する調整部材を更に備える、請求項1に記載の排気トラップ。
- 所定の目開きを有するメッシュ部を有し、互いに間隔をあけて配置されるメッシュプレートを含み、前記流出口と連通するフィルターユニットを更に備える、請求項1又は2に記載の排気トラップ。
- 前記複数のバッフル板のうちの隣り合う2つのバッフル板の間隔が、前記第2の開口寸法の0.5から1倍の範囲にある、請求項1から3のいずれか一項に記載の排気トラップ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011199622A JP5728341B2 (ja) | 2011-09-13 | 2011-09-13 | 排気トラップ |
KR1020120097249A KR101538830B1 (ko) | 2011-09-13 | 2012-09-03 | 배기 트랩 |
US13/608,695 US20130061969A1 (en) | 2011-09-13 | 2012-09-10 | Exhaust trap |
CN201210335345.3A CN102989238B (zh) | 2011-09-13 | 2012-09-11 | 排气捕集器 |
TW101133232A TWI551721B (zh) | 2011-09-13 | 2012-09-12 | 排氣阱 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011199622A JP5728341B2 (ja) | 2011-09-13 | 2011-09-13 | 排気トラップ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013062362A JP2013062362A (ja) | 2013-04-04 |
JP2013062362A5 JP2013062362A5 (ja) | 2014-04-17 |
JP5728341B2 true JP5728341B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=47828749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011199622A Active JP5728341B2 (ja) | 2011-09-13 | 2011-09-13 | 排気トラップ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130061969A1 (ja) |
JP (1) | JP5728341B2 (ja) |
KR (1) | KR101538830B1 (ja) |
CN (1) | CN102989238B (ja) |
TW (1) | TWI551721B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103752122B (zh) * | 2014-02-11 | 2015-11-11 | 江苏佳有环保科技有限公司 | 漆气氧化洗涤塔装置 |
JP6468884B2 (ja) | 2014-04-21 | 2019-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気システム |
US10927457B2 (en) * | 2015-03-04 | 2021-02-23 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
TWI624554B (zh) * | 2015-08-21 | 2018-05-21 | 弗里松股份有限公司 | 蒸發源 |
WO2017033053A1 (en) | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Flisom Ag | Homogeneous linear evaporation source |
RU2724260C1 (ru) | 2016-10-14 | 2020-06-22 | АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН | Устройство для отбора повторным нагреванием для газофазного процесса |
TWI665019B (zh) * | 2017-02-15 | 2019-07-11 | 辛耘企業股份有限公司 | 基板處理裝置 |
KR102330646B1 (ko) * | 2017-03-22 | 2021-11-23 | 스미스 아날리티컬 엘엘씨 | 증류 프로브 및 유체를 샘플링하고 조절하기 위한 방법 |
JP7258274B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2023-04-17 | 株式会社レゾナック | フィルタ装置、化学気相成長装置およびSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
KR102209205B1 (ko) * | 2019-08-21 | 2021-02-01 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정용 유로방향 전환식 반응부산물 포집장치 |
US11562726B2 (en) | 2019-12-17 | 2023-01-24 | Emerson Process Management Regulator Technologies, Inc. | Plates and plate assemblies for noise attenuators and other devices and methods making the same |
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TW202131985A (zh) * | 2020-01-29 | 2021-09-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 汙染物捕集系統、及擋板堆疊 |
JP2021186785A (ja) * | 2020-06-03 | 2021-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置及び基板処理装置 |
US11992835B2 (en) | 2020-08-04 | 2024-05-28 | Universal Analyzers Inc. | Distillation probes and methods for sampling and conditioning a fluid |
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CN201470229U (zh) * | 2009-09-01 | 2010-05-19 | 中国石油集团西部钻探工程有限公司吐哈钻井工艺研究院 | 环保抑尘器 |
CN201589723U (zh) * | 2009-12-15 | 2010-09-22 | 东莞市环境保护监测站 | 粒子采样用分级冲撞器 |
-
2011
- 2011-09-13 JP JP2011199622A patent/JP5728341B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-03 KR KR1020120097249A patent/KR101538830B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-10 US US13/608,695 patent/US20130061969A1/en not_active Abandoned
- 2012-09-11 CN CN201210335345.3A patent/CN102989238B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-12 TW TW101133232A patent/TWI551721B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130061969A1 (en) | 2013-03-14 |
KR101538830B1 (ko) | 2015-07-22 |
KR20130029011A (ko) | 2013-03-21 |
TW201329282A (zh) | 2013-07-16 |
TWI551721B (zh) | 2016-10-01 |
JP2013062362A (ja) | 2013-04-04 |
CN102989238B (zh) | 2015-06-03 |
CN102989238A (zh) | 2013-03-27 |
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