TW202131985A - 汙染物捕集系統、及擋板堆疊 - Google Patents

汙染物捕集系統、及擋板堆疊 Download PDF

Info

Publication number
TW202131985A
TW202131985A TW110102086A TW110102086A TW202131985A TW 202131985 A TW202131985 A TW 202131985A TW 110102086 A TW110102086 A TW 110102086A TW 110102086 A TW110102086 A TW 110102086A TW 202131985 A TW202131985 A TW 202131985A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
baffle
complementary
baffles
cover
opening
Prior art date
Application number
TW110102086A
Other languages
English (en)
Inventor
安基特 金堤
羅漢 雷恩
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司
Publication of TW202131985A publication Critical patent/TW202131985A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D45/00—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces
    • B01D45/04—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by utilising inertia
    • B01D45/08—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by utilising inertia by impingement against baffle separators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/10—Particle separators, e.g. dust precipitators, using filter plates, sheets or pads having plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/56—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • B01D46/62—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in series
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2221/00—Applications of separation devices
    • B01D2221/14—Separation devices for workshops, car or semiconductor industry, e.g. for separating chips and other machining residues

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Separating Particles In Gases By Inertia (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一反應器系統的一污染物捕集系統可包括一擋板堆疊，其包括至少一擋板，其包括穿過擋板的一擋板體之一開口及一實體部；以及至少一互補擋板，其包括穿過互補擋板的一互補擋板體之一互補開口及一互補實體部。至少一擋板及至少一互補擋板係可在擋板與互補擋板交替的擋板堆疊的一第一端及一第二端之間以一擋板順序設置，使得在擋板順序中沒有兩個擋板係相鄰的或沒有兩個互補擋板係相鄰的。

Description

汙染物捕集系統、及擋板堆疊
本揭露大致上係關於一半導體處理或反應器系統及其中所包含的組件，且具體係關於防止其他組件之污染的反應器系統組件。
反應室可用來沉積各種材料層至半導體基板上。可將一半導體置於一反應室內部的一基座上。基板及基座皆可經加熱至一所期望之基板溫度設定點。在一範例基板處理程序中，一或多個反應氣體可通過一已加熱之基板，使得材料薄膜沉積在基板表面上。在後續的沉積、摻雜、微影、蝕刻及其他製程的整個過程中，這些層係製作成積體電路。
對任何給定製程而言，反應物氣體及/或任何副產物氣體接著可從反應室經由一真空抽空及/或吹掃。來自反應室的反應氣體及其他氣體或材料可穿過一過濾器或一污染物捕集(trap)系統，其中反應氣體或其他材料（例如反應副產物及/或副產物）係經捕集，以防止污染物捕集系統的下游之反應器系統組件的污染。然而，來自污染物捕集系統的材料在某些條件下可能會釋氣(outgas)，其可能導致反應室或設置於其中的一基板之污染。
提供本揭露內容來以簡化形式介紹精選的概念。這些概念在下面之揭示的實例實施例之實施方式中係進一步地詳述。本揭露內容並非意欲必然地鑑別所主張標的事項之關鍵特徵或基本特徵，亦非意欲用以限制所主張標的事項的範疇。
在一些實施例中，提供一種用於一反應器系統之污染物捕集系統。本文所揭示之污染物捕集系統可允許從反應器系統之一反應室收集材料，以減少或防止污染物捕集系統的下游之反應器系統組件的污染。本文所揭示之污染物捕集系統亦可減少或防止可能的污染物行進至並污染反應室或設置於其中之一基板。
在各種實施例中，用於一污染物捕集系統的一擋板堆疊可包括複數個擋板，各包括穿過複數個擋板的各個擋板的一擋板體之一開口及一實體部；以及複數個互補擋板，各包括穿過複數個互補擋板之各個互補擋板的一互補擋板體之一互補開口及一互補實體部。複數個擋板及複數個互補擋板係在複數個擋板與複數個互補擋板交替的擋板堆疊的一第一端及一第二端之間以一擋板順序設置，使得在擋板順序中複數個擋板中沒有兩個係相鄰的，且複數個互補擋板中沒有兩個係相鄰的。複數個擋板及複數個互補擋板可以一擋板定向設置，其中複數個擋板的開口的至少一部分與複數個互補擋板的互補實體部的至少一部分可沿著橫跨擋板堆疊的第一端與第二端之間的一第一軸對齊，並使得複數個擋板的實體部的至少一部分與複數個互補擋板的互補開口的至少一部分可沿著橫跨擋板堆疊的第一端及第二端的一第二軸對齊。
在各種實施例中，一擋板堆疊可更包括一耦接桿，其耦接至複數個擋板的每一者及/或複數個互補擋板的每一者，其中耦接桿可橫跨擋板堆疊的第一端及第二端，其中耦接桿包括一剖面。複數個擋板的每一者可包括一耦接孔，且複數個互補擋板的每一者可包括一互補耦接孔，其中耦接孔及互補耦接孔各可包括與耦接桿的剖面互補的一形狀。在各種實施例中，耦接桿的剖面可為非圓形，其中複數個擋板的每一者的耦接孔可以一第一定向設置，且複數個互補擋板的每一者的互補耦接孔可以一第二定向設置。第一定向及第二定向可配置複數個擋板及複數個互補擋板圍繞耦接桿，以實現擋板定向。
在各種實施例中，一擋板堆疊可更包括耦接至耦接桿的複數個間隔件，其中複數個間隔件的至少一者可設置在擋板順序中的複數個擋板及複數個互補擋板的各擋板及互補擋板之間。在各種實施例中，一擋板堆疊可更包括設置在擋板堆疊的第一端及第二端的至少一者之一端板，其中端板可包括一端板開口及一端板實體部。
在各種實施例中，複數個擋板可比複數個互補擋板多一個，使得從擋板堆疊的第一端及第二端，擋板堆疊包括相同順序的複數個擋板及複數個互補擋板。在各種實施例中，複數個擋板及複數個互補擋板的至少一者可包括一有紋理的表面。
在各種實施例中，一反應器系統的一污染物捕集系統可包括一包括一罩外壁的捕集罩；設置在捕集罩中的一第一擋板，其中第一擋板可包括穿過在第一擋板的一第一頂擋板表面與一第一底擋板表面之間的一第一擋板體的一第一開口以及一第一實體部；設置在捕集罩中在捕集罩的一第一端與一第二端之間與第一擋板串聯的一第一互補擋板，其中第一互補擋板可包括穿過在第一互補擋板的一第一頂互補擋板表面與一第一底互補擋板表面之間的一第一互補擋板體的一第一互補開口以及一第一互補實體部。第一擋板及第一互補擋板可包括在一擋板堆疊中。第一擋板及第一互補擋板可以一擋板定向設置在捕集罩中，其中第一擋板的第一開口的至少一部分與第一互補擋板的第一互補實體部的至少一部分可沿著橫跨捕集罩的第一端及第二端的一第一軸對齊，並使得第一擋板的第一實體部的至少一部分與第一互補擋板的第一互補開口的至少一部分可沿著橫跨捕集罩的第一端及第二端的一第二軸對齊。在各種實施例中，第一擋板的第一開口可包括在第一擋板的一徑向向內部分中，及/或第一互補擋板的第一互補開口可包括在第一互補擋板的一徑向向外部分中。在各種實施例中，污染物捕集系統可更包括耦接至捕集罩的一加熱套。
在各種實施例中，污染物捕集系統可更包括設置在捕集罩中並橫跨捕集罩的第一端及第二端的一耦接桿。第一擋板可包括穿過第一擋板體而設的一第一耦接孔，其中耦接桿可穿過第一耦接孔而設。第一互補擋板可包括穿過第一互補擋板體而設的一第一互補耦接孔，其中耦接桿可穿過第一互補耦接孔而設。在各種實施例中，耦接桿可包括一非圓形剖面，其中第一擋板的第一耦接孔及第一互補擋板的第一互補耦接孔各可包括與耦接桿的非圓形剖面互補的一形狀。在各種實施例中，第一耦接孔的一參考點可以一第一定向設置，且第一互補耦接孔的一互補參考點可以一第一互補定向設置，其中第一定向與第一互補定向可配置第一擋板及第一互補擋板圍繞耦接桿以實現擋板定向。
在各種實施例中，污染物捕集系統可更包括在第一擋板與第一互補擋板之間的一間隔件以於其之間提供一空間。
在各種實施例中，污染物捕集系統可更包括設置在捕集罩中的一第二擋板，其中第二擋板可包括穿過在第二擋板的一第二頂擋板表面與一第二底擋板表面之間的一第二擋板體而設的一第二開口以及一第二實體部。第二擋板可設置在捕集罩中，使得第一互補擋板可在第一擋板與第二擋板之間，且其中擋板定向可更包括第二擋板的第二開口之至少一部分與第一互補擋板的第一互補實體部的至少一部分沿第一軸對齊，並使得第二擋板的第二實體部之至少一部分與第一互補擋板的第一互補開口的至少一部分可沿第二軸對齊。在各種實施例中，第一擋板及第二擋板可包括一全同的設計(identical design)。
在各種實施例中，擋板堆疊可更包括一端板，設置使得第一擋板係在端板與第一互補擋板之間，或第一互補擋板係在端板與第一擋板之間。端板可包括一端板開口及一端板實體部。
在各種實施例中，捕集罩的罩外壁可包括一內壁表面。第一擋板及第一互補擋板的至少一者的一外緣可設置與內壁表面相鄰使得在第一擋板及/或第一互補擋板的外緣和內壁表面之間形成至少一部分密封。
在各種實施例中，第一頂擋板表面、第一底擋板表面、第一頂互補擋板表面、第一底互補擋板表面、第一擋板及第一互補擋板的至少一者的外緣及/或內壁表面係具有紋理(textured)。
在各種實施例中，一種方法可包括使一流體從一反應室流入一污染物捕集系統的一捕集罩內；使流體流經設置在捕集罩中並包括複數個擋板和複數個互補擋板的一擋板堆疊；使流體流經複數個擋板的一第一擋板的一開口；回應於流體流經第一擋板的開口，使流體流入複數個互補擋板的一第一互補擋板的互補實體部； 回應於流體流入第一互補擋板的互補實體部，沉積污染物在第一互補擋板的互補實體部上；回應於流體流入第一互補擋板的互補實體部，使流體流經第一互補擋板的一互補開口；回應於流體流經第一互補擋板的互補開口，使流體流入複數個擋板的一第二擋板的實體部；及/或回應於流體流入第二擋板的實體部，沉積污染物在第二擋板的實體部上。複數個擋板的每一者可包括一實體部及穿過複數個擋板的每個擋板的一擋板體的一開口。複數個互補擋板的每一者可包括一互補實體部及穿過複數個互補擋板的每個擋板的一互補擋板體的一互補開口。複數個擋板及複數個互補擋板可以一擋板順序設置在擋板堆疊的一第一端及一第二端之間，其中複數個擋板可與複數個互補擋板交替，使得複數個擋板中沒有兩個中係相鄰的，以及複數個互補擋板中沒有兩個在擋板順序中係相鄰的。複數個擋板及複數個互補擋板可以一擋板定向設置，其中複數個擋板的開口的至少一部分與複數個互補擋板的互補實體部的至少一部分可沿著橫跨擋板堆疊的第一端及第二端的一第一軸對齊，並使得複數個擋板的實體部的至少一部分與複數個互補擋板的互補開口的至少一部分可沿著橫跨擋板堆疊的第一端及第二端的一第二軸對齊。
在各種實施例中，一反應器系統的一污染物捕集系統可包括一捕集罩；以及設置在捕集罩中的一捕集結構。捕集結構可包括一擋板、一座板(base plate)及橫跨於並耦接到擋板和底板的複數個桿子。桿子可圍繞穿過座板而設的一流孔設置。
在各種實施例中，一反應器系統的一污染物捕集系統可包括一捕集罩，其包括一罩底表面及一罩頂表面；以及設置在捕集罩中的一捕集結構。捕集結構可包括以具有與捕集罩的一形狀呈互補的一外形之一配置設置的複數個管子；設置在複數個管子的配置內並從複數個管子的一端向外突出的一支座，其中支座接觸罩底表面，在複數個管子的此端與罩底表面之間產生一空間；以及圍繞複數個管子耦接並配置以將複數個管子固持在一起的一張力裝置。複數個管子可以六邊形包裝，其中複數個管子的每個管子包括一孔徑，並可至少部分橫跨罩底表面與罩頂表面。
在各種實施例中，一反應器系統的一污染物捕集可包括一捕集罩；以及設置在捕集罩中的一捕集結構。捕集結構可包括一波形板(corrugated sheet)，波形板耦接至一非波形板(noncorrugated sheet)。波形及非波形板可呈螺旋狀，使得波形板的部分設置在非波形板的部分之間，並使得非波形板的部分設置在波形板的部分之間。
出於概述本揭露及所達成之優於先前技術之優點的目的，已在上文中描述本揭露之某些目標及優點。當然，應瞭解的是，根據本揭露之任何具體實施例並不一定可達成所有此類目標或優點。因此，例如，所屬技術領域中具有通常知識者將認知到，可以達成或最佳化如本文中所教示或建議之一個優點或一組優點，而未必達成本文中可能教示或建議之其他目標或優點的方式，來實行本文所揭示之實施例。
這些實施例之全部者係意欲屬於本揭露的範疇。所屬技術領域中具有通常知識者將從已參照隨附圖式之某些實施例的下列詳細描述輕易明白這些及其他實施例，本揭示並未受限於任何所論述的特定實施例。
雖然在下文揭示某些實施例及實例，所屬技術領域中具有通常知識者將了解本揭露延伸超出本揭露之具體揭示的實施例及/或用途及其明顯的修改與均等物。因此，期望本揭露之範疇不應受限於文中所描述之特定實施例。
本文呈現的圖示並不意欲為任何特定材料、設備、結構或裝置的實際視圖，而僅係用於描述本揭示之實施例的呈現。
如本文中所使用，用語「基板（substrate）」可指可使用或在其上可形成一裝置、一電路或一膜之任何下伏材料(underlying material)。
如本文中所使用，用語「原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）」可指一氣相沉積製程，其中沉積循環（較佳的係複數個接續的沉積循環）係在一製程室中實施。一般而言，在各循環期間，前驅物係化學吸附(chemisorbed)至一沉積表面（例如一基板表面或一先前沉積的下伏表面，諸如來自一先前原子層沉積循環的材料），形成不易與額外前驅物起反應的一單層(monolayer)或次單層(sub-monolayer)（亦即，一自限制反應(self-limiting reaction)）。其後，若有必要，可隨後將一反應物（例如，另一前驅物或反應氣體）引入至製程室中，以用於在沉積表面上將經化學吸附之前驅物轉化成想要的材料。一般而言，此反應物能夠進一步與前驅物起反應。進一步地，亦可在各循環期間，利用吹掃步驟以從製程室移除過量前驅物及/或在轉化經化學吸附之前驅物之後，從製程室移除過量反應物及/或反應副產物。進一步地，當使用前驅物組成物、反應性氣體、及吹掃（例如惰性載體）氣體的交替脈衝執行時，如本文中所使用之術語「原子層沉積」亦意欲包括由相關術語指定的製程，諸如「化學氣相原子層沉積(chemical vapor atomic layer deposition)」、「原子層磊晶(atomic layer epitaxy，ALE)」、分子束磊晶（molecular beam epitaxy，MBE）、氣體源分子束磊晶(gas source MBE)、或有機金屬分子束磊晶(organometallic MBE)、及化學束磊晶(chemical beam epitaxy)。
如本文所使用，術語「化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）」可指其中一基板暴露於一或多種揮發性前驅物之任何製程，前驅物在一基板表面上反應及/或分解以產生一所需沉積物。
如本文中所使用，用語「膜（film）」及「薄膜（thin film）」可指藉由本文所揭示之方法沉積之任何連續或不連續的結構及材料。例如，「膜」及「薄膜」可包括二維材料(2D materials)、奈米棒(nanorods)、奈米管(nanotubes)、或奈米粒子(nanoparticles)、或甚至部分或完整分子層(molecular layers)、或部分或完整原子層(atomic layers)、或原子及/或分子團簇(clusters)。「膜」及「薄膜」可包含具有針孔(pinholes)，但仍係至少部分連續的材料或一層。
如本文中所使用，用語「污染物（contaminant）」可指可影響經設置在反應室中之一基板的純度之任何經設置在反應室內之非所要的材料，或者可指一反應系統之任何組件中之任何非所要的材料。用語「污染物（contaminant）」可指，但不限於，經設置在反應室或反應器系統之其他組件內之非所要的沉積物、金屬與非金屬粒子、雜質(impurities)及廢物(waste products)。
用於原子層沉積、化學氣相沉積及/或類似者之反應器系統可用於各種應用，包括在一基板表面上沉積及蝕刻材料。在各種實施例中，一反應器系統50可包含一反應室4；一基座6，其用以在處理期間固持一基板30；一流體分配系統8（例如一噴淋頭），其用以分配一或多個反應物至基板30的一表面；一或多個反應物源10、12及/或一載體及/或吹掃氣體源14，其經由管線16至20流體耦接至反應室4；及閥或控制器22至26。來自反應物源10、12之反應物氣體或其他材料可在反應室4中施加至基板30。來自吹掃氣體源14之一吹掃氣體可流至並通過反應室4，以從反應室4移除任何過量反應物或其他不想要的材料。系統50亦可包含一真空源28，其流體耦接至反應室4，可配置以從反應室4吸出反應物、一吹掃氣體或其他材料。系統50可包括一污染物捕集系統40，其經設置在反應室4與真空源28之間以捕集(trap)（亦即，積聚(accumulate)）來自反應室4的材料（例如污染物），減少或防止在污染物捕集系統40的下游之反應器系統50組件的污染。
參照第2圖，根據各種實施例繪示一污染物捕集系統100（及其一分解圖）（第1圖中之污染物捕集系統40的一範例）。在各種實施例中，污染物捕集系統100可包括一捕集罩103，其可包括多個組件（例如，上罩103A及下罩103B）。在各種實施例中，上罩103A及下罩103B可耦接以圍封污染物捕集系統100的其他組件。上罩103A可包括一流體入口101A，捕集罩103的內部可藉由流體入口流體耦接至一反應室（例如反應室4）。氣體及其他材料可藉由流體入口101A從反應室流入污染物捕集系統100中，並可經由流體出口101B排出污染物捕集系統100。
在各種實施例中，捕集罩103可包括一外壁105，其包括一內壁表面。內壁表面可界定圍封在捕集罩103內的內部空間（例如當上罩103A及下罩103B耦接時）。捕集罩103的內部空間可與流體入口101A及流體出口101B流體流通。
在各種實施例中，污染物捕集系統100可包括一捕集結構（例如安置在捕集罩內），其係配置以捕集通過其之污染物。污染物可在當流體通過捕集系統時，沉積在捕集結構的表面上。在各種實施例中，捕集結構可包括一擋板堆疊（如擋板堆疊130）。擋板堆疊130可包括至少兩個板子，其可引流體流入捕集罩103的內部空間，以採取一特定路徑（例如將會增加或最大化流經捕集罩103的內部空間之流體的一路徑、及/或允許增加或最大化由流經污染物捕集系統及其組件之流體中移除污染物）。流經捕集罩103的內部空間的流體流通路徑可增加流體路徑，以增加與污染物捕集系統100的組件（例如，捕集罩103中的擋板的表面）之接觸，因此當流體流經污染物捕集系統100時，允許污染物有更多機會沉積在這種表面上。
在各種實施例中，擋板堆疊130可包括至少一擋板132及至少一互補擋板134。每個擋板132可有實質上相同的設計（例如包括穿過其之開口），且每個互補擋板134可有實質上相同的設計（例如包括穿過其之互補開口）。擋板132及互補擋板134係可在捕集罩103的一第一端（接近流體入口101A）及捕集罩103的一第二端（接近流體出口101B）之間的擋板堆疊130中，以一擋板順序設置。擋板堆疊130的一第一端係可接近捕集罩103的第一端，且擋板堆疊130的一第二端係可接近捕集罩103的第二端。擋板順序可包括擋板132與互補擋板134交替位置，使得沒有兩個擋板132以及沒有兩個互補擋板134在擋板順序中係相鄰的。
擋板堆疊130可包括任何設計、順序及/或組成的任何合適數量之擋板。例如，在各種實施例中，擋板堆疊130可包括全部都是同一種的擋板（例如全部的擋板132或全部的互補擋板134）。在各種實施例中，擋板堆疊130可包括任何合適擋板設計的混合。例如，擋板堆疊130可包括擋板，其包括有兩種或更多種設計。再舉一例，擋板堆疊130可包括一第一數量的擋板132及一第二數量的互補擋板134。在各種實施例中，擋板堆疊130可包括一相等數量的擋板132及互補擋板134（例如在擋板堆疊130的第一及第二端之間以擋板順序交替）。在各種實施例中，擋板堆疊130可包括比互補擋板134多一個的擋板132，使得擋板順序以一擋板132開始以及結束（亦即，一擋板132係最接近捕集罩103的第一及第二端的擋板）。
在各種實施例中，擋板堆疊可包括耦接到擋板堆疊的各端之至少一端板(end plate)。例如，一第一端板136A係可包括在擋板堆疊130之中作為在擋板堆疊130的一第一端的端板，且一第二端板136B係可包括在擋板堆疊130之中作為在擋板堆疊130的一第二端的端板。擋板堆疊130的第一端係可設置在捕集罩103的內部空間中接近捕集罩103的第一端，且擋板堆疊130的第二端係可設置在捕集罩103的內部空間中接近捕集罩103的第二端。包括在一擋板堆疊中的端板係可包括任何合適的設計，包含不同於包括在擋板堆疊中的擋板及/或互補擋板的一設計。
擋板堆疊130中擋板的配置可包括任何合適的配置，包含任何合適的間隔配置。擋板可各由一間隔件133隔開。亦即，一間隔件133係可設置在擋板堆疊中每兩個板子之間。例如，擋板堆疊中的板子係可被間隔成任何合適的距離，以達成通過捕集罩103之流體流之一所期望的壓降。在擋板堆疊中可有較少的擋板及/或較大的擋板之間的空間，以減少通過捕集罩103之壓降量。相反地，在擋板堆疊中可有較多的擋板及/或較小的擋板之間的空間，以增加通過捕集罩103之壓降量。
每個擋板（如擋板堆疊130中的擋板132及互補擋板134）可包括與捕集罩103的內部空間呈互補的一形狀，使得擋板堆疊130及包括於其中的擋板係可設置在捕集罩103的內部空間中。在各種實施例中，設置在捕集罩103的內部空間中包括在擋板堆疊中的一或更多擋板的一外緣，此外緣係可設置在與捕集罩103的內壁相鄰及/或與之接觸。一或更多擋板的外緣可在個別的擋板及捕集罩103的內壁之間形成至少一部分密封。因此，流體流的一有限流量（或無流體流）可在一擋板堆疊中的擋板的外緣及捕集罩103的內壁之間通過。
參照第3A圖、第3B圖及第4A圖，在各種實施例中，一擋板（如擋板300A，其係第2圖的擋板132的一範例）可包括一頂表面322、一底表面324、介於兩者間的一擋板體及一擋板外緣326。一擋板可包括穿過頂表面322及底表面324之間的擋板體而設的至少一開口，其係由一開口邊緣所界定。例如，擋板300A可包括第一開口331及第二開口333。包括在一擋板中的開口係可有任何合適的開口配置，例如第3A圖中所示的擋板300A的開口配置。作為一擋板的一開口配置之一範例，開口可圍繞擋板形狀的一中心（例如一圓形的中心）與其他相似的開口等距間隔。在各種實施例中，一擋板的開口係可包括在擋板的一開口部中。例如，擋板300A的開口部325可設置在擋板的一徑向向內部分上，其中擋板300A的徑向向外部分可不包括一開口。一擋板不具有一開口的部分可以係一實體部（例如擋板300A的實體部335）。
繼續參照第3A圖、第3B圖及第4A圖，在各種實施例中，一互補擋板（例如互補擋板300B，其係第2圖中互補擋板134的一範例）可包括一互補頂表面352、一互補底表面354、介於兩者間的一互補擋板體及一互補擋板外緣356。一互補擋板可包括穿過互補頂表面352及互補底表面354之間的互補擋板體而設的至少一互補開口，其係由一互補開口邊緣所界定。例如，互補擋板300B可包括第一互補開口361及第二互補開口363。包括在一互補擋板中的互補開口可有任何合適的互補開口配置，例如第3B圖中所示的互補擋板300B的開口配置。作為一互補擋板的一互補開口配置之一範例，互補開口可圍繞互補擋板形狀的一中心（例如一圓形的中心）與其他相似的互補開口等距間隔。在各種實施例中，一互補擋板的互補開口可包括在互補擋板的一互補開口部中。例如，互補擋板300B的開口部355可設置在互補擋板的一徑向向外部分上，其中互補擋板300B的徑向向內部分可不包括一互補開口。一互補擋板不具有一互補開口的部分可以係一互補實體部（例如互補擋板300B的互補實體部365）。
互補擋板（如互補擋板300B）可與擋板（如擋板300A）呈互補，因為互補擋板可包括互補開口在擋板不包括開口的板子部分中。舉例而言，如上述，互補擋板300B包括在其一徑向向外部分中的互補開口361及363，而擋板300A在其一徑向向外部分中則不包括開口。
在各種實施例中，一擋板堆疊可包括一耦接桿，擋板及/或互補擋板可耦接至耦接桿。例如，第4B圖中的擋板堆疊400B可包括耦接桿450。耦接桿可包括任何合適的形狀、長度及/或剖面形狀。在各種實施例中，耦接桿可配置以橫跨捕集罩103的第一及第二端之間。耦接桿可配置以與一擋板堆疊的其他組件接合及/或耦接，諸如擋板、互補擋板、端板、間隔件及/或諸如此類。在各種實施例中，一耦接桿的至少一部分可包括螺紋，例如一或更多的耦接桿450的末端與一緊固件接合以將擋板、互補擋板、端板及/或間隔件固定在一起。
出於空間及清楚的目的，第4A圖及第4B圖中的特定擋板組件及互補擋板組件之參考符號及導引線係包含在本文所圖解之一或更多示範擋板或互補擋板中。然而，如此標示的組件適當時可適用於每個類似標示的擋板或互補擋板。
在各種實施例中，每個擋板可包括一耦接孔，其配置以容納及/或接合耦接桿。例如，擋板300A可包括一耦接孔347，其具有與耦接桿450的一剖面形狀互補的一形狀。因此，耦接桿450可插入藉由耦接孔347，且耦接孔347可與耦接桿450接合。
在各種實施例中，一擋板的耦接孔可包括一非圓形形狀，使耦接桿可與耦接孔接合並將擋板保持在一所期望的位置（例如使擋板300A不會在捕集罩103內繞著耦接桿450旋轉）。在各種實施例中，一擋板的耦接孔可包括一形狀，其僅相對於藉由耦接孔（例如藉由耦接孔的一中心）的一條線對稱。如此，耦接孔可僅以一種將擋板設置在一所期望的定向之方式與耦接桿接合（一自對齊特徵(self-aligning feature)）。在各種實施例中，為了幫助將一擋板以一所期望的定向圍繞耦接桿設置，耦接孔可包括一參考點，其係以一特定定向或在一特定角度及/或相對於擋板的開口之一特定位置設置。例如，耦接孔347可包括參考點348，其可以定向在一特定角度（例如，使得參考點348對齊一第一開口331及/或介於兩個第二開口333之間）。
在各種實施例中，每個互補擋板可包括一互補耦接孔，其配置以容納及/或接合耦接桿。例如，互補擋板300B可包括一互補耦接孔367，其具有與耦接桿450的一剖面形狀互補的一互補形狀。因此，耦接桿450可插入藉由互補耦接孔367，且互補耦接孔367可接合耦接桿450。
在各種實施例中，一互補擋板的互補耦接孔可包括一非圓形形狀，使耦接桿可與互補耦接孔接合並將互補擋板保持在一所期望的位置（例如使互補擋板300B不會在捕集罩103內繞著耦接桿450旋轉）。在各種實施例中，一互補擋板的互補耦接孔可包括一互補形狀，其僅相對於藉由耦接孔（例如藉由耦接孔的一中心）的一條線對稱。如此，互補耦接孔可僅以一種將互補擋板設置在一所期望的定向之方式與耦接桿接合（一自對齊特徵）。在各種實施例中，為了幫助將一互補擋板以一所期望的定向圍繞耦接桿設置，互補耦接孔可包括一互補參考點，其定向在一特定互補角度及/或相對於互補擋板的開口之一特定位置設置。例如，互補耦接孔367可包括互補參考點368，其可定向在一特定互補角度（例如，使得互補參考點368對齊一互補第二開口363及/或介於兩個互補第一開口361之間）。
在各種實施例中，一耦接孔的參考點及一互補耦接孔的互補參考點可配置擋板及互補擋板在一定向，使得一擋板的一開口可沿著一軸與擋板順序中的一相鄰互補擋板的一互補實體部對齊（或與互補開口之間的空間徑向接近），其中軸沿著擋板順序橫跨。在各種實施例中，參考點及一互補耦接孔的互補參考點可配置擋板及互補擋板在一定向，使得一互補擋板的一互補開口可沿著一軸與擋板順序中的一相鄰擋板的一實體部對齊（或與開口之間的一空間徑向接近），其中軸沿著擋板順序橫跨。例如，耦接孔347及參考點348可配置擋板300A，且互補耦接孔367及互補參考點368可配置互補擋板300B，使得開口333沿一軸與互補開口363之間的空間對齊，且使得互補開口363沿一軸與開口333之間的空間對齊。
在各種實施例中，擋板及互補擋板可以一特定擋板定向設置，以在污染物捕集系統100操作期間實現所期望的流體流動藉由擋板以及污染物沉積於擋板上。在各種實施例中，在一擋板堆疊中擋板及互補擋板圍繞一耦接桿的旋轉位置可相對於彼此偏移（例如，藉由耦接孔及參考點的定向，以及互補耦接孔及互補參考點的定向），使一擋板的開口沿著橫跨擋板堆疊的一軸不與一互補擋板的互補開口串聯及/或對齊。此外，沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，一擋板的開口可與擋板堆疊中一相鄰互補擋板的互補實體部的至少一部分（或互補擋板體的部分，例如，在互補開口之間）串聯及/或對齊。此外，沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，一互補擋板的互補開口可與擋板堆疊中一相鄰擋板的實體部的至少一部分（或擋板體的部分，例如，在開口之間）串聯及/或對齊。換言之，在各種實施例中，一耦接孔的參考點可與擋板的一開口對齊，且一互補耦接孔的互補參考點可與一互補擋板的一互補實體部或互補開口之間的一空間對齊；及/或一耦接孔的參考點可與一擋板的一實體部或開口之間的空間對齊，且一互補耦接孔的互補參考點可與一互補擋板的一互補開口對齊。例如，參考點348可與擋板300A的一開口對齊，且互補參考點368可與互補擋板300B的一互補實體部365對齊。依此，擋板300A的開口331及333可與互補擋板300B的互補實體部365及/或互補開口361及/或363之間的空間串聯及/或對齊，且互補擋板300B的互補開口361及/或363可與擋板300A的實體部335及/或開口331及/或333之間的空間串聯及/或對齊。
第5A圖及第5B圖繪示，根據額外的實施例，一擋板500A及一互補擋板500B。擋板500A可包括開口533及實體部535。擋板500A可更包括具有一參考點548的耦接孔547。參考點548可定向朝向一開口533。開口533可等距圍繞擋板500A的中心。
互補擋板500B可包括互補開口563及互補實體部565。互補擋板500B可更包括具有一互補參考點568的互補耦接孔567。互補參考點568可定向朝向一互補實體部565。互補實體部565可等距圍繞互補擋板500B的中心。
可與擋板500A及互補擋板500B耦接的耦接桿可包括與耦接孔547及互補耦接孔567呈互補的一剖面形狀。亦即，耦接桿可包括一本體及與參考點548及互補參考點568呈互補的一凸部。耦接孔547及互補耦接孔567和參考點548及互補參考點568的形狀及定向可分別使一擋板堆疊中的擋板及互補擋板圍繞一耦接桿的旋轉位置相對於彼此偏移。依此，沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，擋板500A的開口533可與互補擋板500B的互補實體部565及/或互補開口563之間的空間串聯及/或對齊，且沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，互補擋板500B的互補開口563可與擋板500A的實體部535及/或開口533之間的空間串聯及/或對齊。
第6A圖及第6B圖繪示，根據又額外的實施例，一擋板600A及一互補擋板600B。擋板600A可包括開口633及實體部635。擋板600A可更包括具有一參考點648的耦接孔647。參考點648可定向朝向一實體部635及/或開口633之間的空間。開口633可等距圍繞擋板600A的中心。
互補擋板600B可包括互補開口663及互補實體部665。互補擋板600B可更包括具有一互補參考點668的互補耦接孔667。互補參考點668可定向朝向一互補開口663。互補開口663可等距圍繞互補擋板600B的中心。
可與擋板600A及互補擋板600B耦接的耦接桿可包括與耦接孔647及互補耦接孔667呈互補的一剖面形狀。亦即，耦接桿可包括一本體及與參考點648及互補參考點668呈互補的一凸部。耦接孔647及互補耦接孔667和參考點648及互補參考點668的形狀及定向可分別使一擋板堆疊中的擋板及互補擋板圍繞一耦接桿的旋轉位置相對於彼此偏移。參考點648可與擋板600A的一實體部635及/或開口633之間的空間對齊，且互補參考點668可與互補擋板600B的一互補開口663對齊。依此，沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，擋板600A的開口633可與互補擋板600B的互補實體部665及/或互補開口663之間的空間串聯及/或對齊，且沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，互補擋板600B的互補開口663可與擋板600A的實體部635及/或開口633之間的空間串聯及/或對齊。
第7A圖及第7B圖繪示，根據各種實施例，一擋板700A及一互補擋板700B。擋板700A可包括開口733及實體部735。擋板700A可更包括具有一參考點748的耦接孔747。參考點748可定向朝向一實體部735及/或開口733之間的空間。開口733可等距圍繞擋板700A的中心。
互補擋板700B可包括互補開口763及互補實體部765。互補擋板700B可更包括具有一互補參考點768的互補耦接孔767。互補參考點768可定向朝向一互補開口763。互補開口763可等距圍繞互補擋板700B的中心。
可與擋板700A及互補擋板700B耦接的耦接桿可包括與耦接孔747及互補耦接孔767呈互補的一剖面形狀。亦即，耦接桿可包括一本體及與參考點748及互補參考點768呈互補的一凸部。耦接孔747及互補耦接孔767和參考點748及互補參考點768的形狀及定向可分別使一擋板堆疊中的擋板及互補擋板圍繞一耦接桿的旋轉位置相對於彼此偏移。參考點748可與擋板700A的一實體部735或開口733之間的空間對齊，且互補參考點768可與互補擋板700B的一互補開口763對齊。依此，沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，擋板700A的開口733可與互補擋板700B的互補實體部765及/或互補開口763之間的空間串聯及/或對齊，且沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，互補擋板700B的互補開口763可與擋板700A的實體部735及/或開口733之間的空間串聯及/或對齊。
本文討論之擋板及互補擋板的任何一對（或個別的板子）可置入一擋板堆疊中（例如，取代擋板堆疊400B中的擋板300A及互補擋板300B）。
在各種實施例中，於一擋板堆疊中的各個擋板及互補擋板之間，可有一間隔件，其配置以將相鄰的擋板及互補擋板間隔開來。例如，參考第4B圖，擋板300A及互補擋板300B可藉由間隔件303（第2圖中之間隔件133的一範例）分開。一間隔件可設置在一擋板堆疊中的每個板子之間（例如在擋板與互補擋板之間，在端板與擋板及/或互補擋板之間或諸如此類），以實現在兩個板子之間的任何期望的間隔。這種間隔可實現流經捕集罩103以及其中所包括的擋板及互補擋板中的開口及互補開口之流體氣流的一所期望的壓降。
在各種實施例中，一擋板堆疊可包括設置在擋板順序中與一第一及/或最後一個擋板（或互補擋板）相鄰的至少一端板。一端板可具有與一擋板的耦接孔和一互補擋板的互補耦接孔類似的一端板耦接孔，其配置以與耦接桿接合。一端板可更包括至少一端板開口，其係穿過端板的一第一及第二表面之間的一端板體設置。例如，如第4A圖中所示，端板410可包括端板開口412。每個板開口可以任何合適的設計或配置穿過一端板而設。在各種實施例中，端板不包括一開口的一部分可以係一端板實體部（如端板實體部414）。
在各種實施例中，一端板（如第4A圖中的端板410）可配置以與捕集罩103之第一端或第二端的內表面相鄰而設，使端板的外表面可與捕集罩103的內表面相鄰及/或與之接觸。這樣的配置可允許例如從一外界熱源，諸如一加熱套（例如，第8圖中所示的加熱套800），傳導更大的熱到擋板堆疊中，加熱套配置以圍繞污染物捕集系統100及/或捕集罩103耦接。在各種實施例中，一端板（如第4B圖中的端板420）可配置以與捕集罩103之第一端或第二端的內表面間隔開來，使得端板的外表面與捕集罩103的內表面之間有一空間。捕集罩103的內表面與一端板之間的空間可藉由包括凸緣（如凸緣424）的一端板或設置在兩者間的一間隔件達成。這樣的配置可實現經過捕集罩103的流體流之一所期望的壓降，及/或提供較大的面積供污染物沉積於捕集罩103及擋板堆疊（如擋板堆疊400B）內。
在各種實施例中，一端板可包括一端板開口及/或端板開口配置，其導致一端板開口（例如沿著橫跨一擋板堆疊的一軸）與穿過擋板堆疊中的下一個相鄰板子之一開口串聯及/或對齊。例如，沿著橫跨一擋板堆疊的一軸，端板420的端板開口422可與擋板300A的開口331及/或333串聯及/或對齊。如此一來，進入並流經捕集罩103及擋板堆疊400B的流體將會沉積較少污染物在較接近流體入口101A的板子上，因而減少污染物從污染物捕集系統100釋氣到如一反應室的上游組件的危險。
在各種實施例中，一擋板堆疊中的板子，包含擋板、互補擋板及端板可耦接至耦接桿，並藉由一緊固件固定。例如，緊固件402（如一螺絲、釘子、夾鉗或諸如此類）可接合耦接桿450（例如，經由螺合、用力及/或諸如此類）並固定擋板300A、互補擋板300B、端板420及/或間隔件303。
在各種實施例中，緊固件402可設置在可設置在耦接桿450的一端中的一套筒407中及/或與之耦接。套筒407可配置以在緊固件402與耦接桿450的相鄰表面之間提供一緩衝以避免咬死(galling)。
在各種實施例中，擋板堆疊中的一或多個板子可包括一指標，以迅速向擋板堆疊的一使用者或組裝人員傳達哪個板子係設置在哪個擋板堆疊位置。因此，在各種實施例中，例如，擋板300A可包括指標304（例如，一缺口(notch)）以隨時指示帶缺口或有其他標記的板子係一擋板300A。依此，擋板堆疊的一使用者或組裝人員能夠輕易辨別是否達成正確的擋板及互補擋板順序。本文所討論的擋板堆疊的任何擋板可包括一指標。
在各種實施例中，一擋板堆疊可以係迴文式（palindromic），使得組件的順序自擋板堆疊的任一端皆相同。如第4B圖中所示，擋板堆疊400B以一端板420作為開始及結束，在其之間，一奇數的擋板300A以一擋板順序與一偶數的互補擋板300B交替，使得擋板順序以一擋板300A作為開始及結束。依此，組裝一污染物捕集系統的人員可將擋板堆疊400B插入捕集罩103中，而無須擔憂擋板堆疊400B係正面朝上或顛倒過來。
在各種實施例中，會與流經一污染物捕集系統的流體交互作用的一擋板堆疊、或其他污染物捕集系統組件的任何表面可接收污染物沉積（此即為本文討論之方法及系統的目的，以從流體移除污染物，以避免下游反應器系統組件的污染）。因此，表面可具有紋理（例如藉由噴珠處理（bead blasting）），以增加組件的可用表面積。例如，擋板及互補擋板的表面（包含其外緣）、間隔件、捕集罩的內壁、開口及互補開口的邊緣及/或任何其他表面可有紋理。
在各種實施例中，污染物捕集系統100的組件可經由夾緊環144來夾鉗及/或密封在一起。一夾緊環144可繞著上罩103A及/或下罩103B設置，並可配置以加以束緊以將污染物捕集系統100的組件固持在一起。
在各種實施例中，一污染物捕集系統中所包括的一捕集結構可包括除了如上所述的一擋板堆疊之外的用於捕集污染物的結構。例如，參考第10A圖及第10B圖，一污染物捕集系統可包括設置在捕集罩（例如第2圖中所示的捕集罩103）中的一捕集結構1000，其包括複數個桿子1055。桿子1055可被配置成一配置1050，以引導流體沿著一所期望的路徑在桿子1055之間流動。桿子1055可橫跨在可為桿子1055在捕集結構1000內提供穩定性的組件之間。例如，桿子1055可耦接到及/或橫跨在一擋板1010及一座板1020。桿子1055可與擋板1010及/或座板1020實質上垂直，及/或與橫跨捕集罩103（如第2圖中所示）的流體入口101A及流體出口101B之間的一軸實質上平行（如本上下文所用，「實質上」一詞意指意指分別垂直或平行的加或減20度）。在各種實施例中，捕集結構中的桿子可與擋板及/或座板一體成形或為一整體。
在各種實施例中，如第10A圖及第10B圖中所繪示，擋板1010可包括設置在擋板1010的一內側1011中的凹部1014。凹部1014可包括與一個別桿子1055的剖面形狀互補的一形狀。每根桿子1055的一第一端1052可設置在一個別的凹部1014中，因而將桿子1055耦接到擋板1010。類似地，在各種實施例中，座板1020可包括設置在座板1020的一內側1021中的凹部1024（座板1020的內側1021可面向擋板1010）。凹部1024可包括與一個別桿子1055的剖面形狀互補的一形狀。每根桿子1055的一第二端1054可設置在一個別的凹部1024中，因而將桿子1055耦接到座板1020。捕集結構的桿子可藉由使桿子座落在擋板及/或座板的個別凹部中來耦接到一擋板及/或座板，這可藉由在個別凹部內的緊配合、座板、擋板及桿子端上的螺紋來允許桿子擰入擋板及/或座板中或諸如此類。
在各種實施例中，無論擋板及/或座板是否有用來容納桿子的凹部，桿子可以任何合適的方式耦接到一擋板及/或一座板，例如，經由焊接、在擋板及座板之間的束緊、黏著劑或諸如此類。
在各種實施例中，捕集結構可包括一中心支座（例如中心支座1025），其可配置以耦接捕集結構的兩或多個組件。例如，捕集結構1000的中心支座1025可將擋板1010耦接到座板1020，其間設有桿子1055。中心支座1025可穿過擋板1010中的一支撐孔1016而設，支撐孔配置以容納中心支座1025穿過其中。支撐孔1016的形狀可與中心支座1025的剖面形狀互補。中心支座1025可藉由圍繞中心支座1025而設並與擋板1010接觸的一緊固件（如螺母1002及/或密封1004）耦接及/或固定到擋板1010。在各種實施例中，緊固件可包括與中心支座上的螺紋互補的螺紋，使緊固件得以螺合到中心支座上，並接著可朝座板束緊以將擋板及座板推在一起。因此，在各種實施例中，設置在擋板1010與座板1020之間的桿子1055可被來自中心支座1025及緊固件1002在擋板1010與座板1020之間的力量固定不動。中心支座可以係一分離的組件，或可與捕集結構的擋板及/或座板一體成形或為一整體。
在各種實施例中，桿子1055可圍繞（即，繞著）座板的一中心區域（例如，在座板1020的中心支座1025或接近其之部分）而設。中心區域可不包括任何桿子。中心區域可包括穿過座板而設的一或多個流孔（如流孔1027），流經污染物捕集系統及捕集結構的流體通過其得以流動。因此，在氣流通過捕集罩的情況下（例如，由第1圖中所示的真空泵28的真空壓力所致），流經捕集罩（包含下罩103B）的流體在由流孔1027排出捕集結構1000之前可能會需要流經桿子1055的配置1050，於此同時接觸桿子1055，並經由捕集罩的流體出口101B排出捕集罩。流孔可與流體出口101B對齊及/或不對齊。
在各種實施例中，捕集結構中的桿子可以任何合適的配置設置。例如，桿子1055可間隔開設置（亦即互不接觸），或可互相接觸，使流體可流動於桿子1055之間。桿子的間距可提供流經捕集結構之流體一曲折的路徑，因此增加流體將會接觸更多表面的機會，且流體中的污染物將沉積在捕集器內這樣的表面上。桿子可包括任何合適的形狀或長度。例如，桿子可包括一圓形剖面形狀（如第10A圖及第10B圖中所示的那些），或者桿子可包括，例如，一六邊形、八邊形、三角形或正方形剖面形狀，或任何其他適當的剖面形狀。舉另一例而言，桿子可具有大約2毫米（mm）的一剖面長度（如一圓形的直徑）（「大約」一詞在本上下文中所用意指加或減0.5毫米）。舉另一例而言，桿子可具有大約20公分（cm）的一長度（如橫跨擋板與座板之間的距離）（「大約」一詞在本上下文中所用意指加或減5公分）。桿子可包括一高表面面積對體積比，例如，至少50:1、至少100:1、至少150:1或至少200:1的一表面積對體積比。在各種實施例中，桿子可包括一有紋理的外表面、沿著桿子的螺紋或配置以增加桿子的外表面積，以供污染物沉積於上之任何其他結構。
一捕集結構中的桿子可包括任何合適的材料，如鋼、鋁或任何其他金屬或其合金、陶瓷材料或諸如此類。
在各種實施例中，一捕集結構的座板（如座板1020）可設置在捕集罩中並支撐捕集結構的其他組件。在各種實施例中，座板1020的一外側（相對於內側1021）可與捕集罩的一罩底表面（罩底表面102）間隔而設。為了支撐與捕集罩底表面間隔開來的座板，捕集罩可包括從捕集罩突出的一支座（如支座1006）以將座板固定不動。例如，支座1006可從捕集罩的內壁突出，以支持座板1020在適當位置，並與捕集罩的底表面102間隔開來。在各種實施例中，一支座可從捕集罩的另一表面突出(例如，從底表面)，以將座板支持在適當位置。在各種實施例中，座板外表面可設置成抵靠捕集罩底表面或與之相鄰。
在各種實施例中，一捕集結構的擋板（例如擋板1010）可引流體流入捕集罩，以採取一特定路徑（例如，將會增加流體在桿子1055周圍並與其接觸的一路徑及/或增加污染物自流體的移除）。擋板1010可減少或防止流體在桿子1055的第一端1052周圍流動。亦即，擋板1010可在擋板1010以及桿子1055的第一端1052之間形成至少一部分密封。在各種實施例中，擋板1010的形狀可以小於捕集罩的一剖面形狀，使得擋板邊緣1012不接觸捕集罩的內壁。因此，在擋板邊緣與捕集罩的內壁之間，及/或桿子1055與捕集罩的內壁之間可有一空間（例如，下罩103B的內壁與擋板邊緣1012及/或桿子1055之間的空間1075）。擋板1010可配置以令捕集罩內流體流的至少一部分流繞著擋板邊緣1012朝向，並通過桿子1055的配置1050（例如經由空間1075），並朝向流孔1027流動。
在各種實施例中，座板可與捕集罩的內壁形成至少一部分密封。例如，座板1020的外緣可設置成抵靠著下罩103B的內壁或與其相鄰，使得很少或沒有流體可以通過其之間。因此，流經捕集結構1000的流體可被引導繞著擋板1010（及/或通過包括穿設於其中的孔之一擋板），以流經桿子1055的配置1050，並經由流孔1027排出捕集結構1000。因而，流體中的污染物可沉積在捕集結構（如桿子1055的外表面1053、擋板1010、座板1020等等）的表面上，而只有很少或沒有流體流動於座板1020與捕集罩的內壁之間。
捕集結構1000的組件之配置可允許更大的熱傳導通過其中。加熱一捕集結構可允許增加捕集系統組件上污染物薄膜的生長率，並改善捕集到之污染物薄膜的性質，諸如增加的密度和減少的剝落(flaking)。熱能可輕易通過座板、桿子及/或擋板，無論係外部及/或內部式地提供熱能。在各種實施例中，捕集結構1000可外部加熱，例如藉由耦接在包括捕集結構1000的污染物捕集系統及/或捕集罩的周圍的一加熱套（如第8圖中所示的加熱套800）。在各種實施例中，捕集結構1000可內部加熱，例如藉由設置在或耦接至捕集結構1000的一組件中的一加熱器（如第10B圖中所繪示之加熱器1026）（例如，在座板1020中及/或包括一加熱器1026的中心支座1025）。尤其在其中桿子1055包括一金屬材料（例如鋼或鋁或其合金）的實施例中，熱能可輕易地傳播於座板1020（從加熱器1026及/或經由捕集罩從一加熱套接收熱能）、桿子1055及擋板1010之間。
在各種實施例中，諸如包括設置在一擋板1010與一座板1020之間的桿子1055之捕集結構1000的一捕集結構，除了提供污染物可沉積於上的豐裕的(plentiful)表面積外，亦可具有可重用性(reusability)及容易維修的優點。當捕集結構1000已使用及/或已充滿污染物時，捕集結構1000的組件（如桿子1055、擋板1010及座板1020）可拆解（及/或從捕集罩中移除）、輕易地清理、並然後重新組裝以供後續使用。捕集結構可被拆解，例如藉由將緊固件1002自中心支座1025卸下。若組件之一或多者有損壞或需要替換，則可輕易完成此類替換。捕集結構的其他既有組件係一次性使用品項及/或難以清理。
在各種實施例中，一污染物捕集系統中所包括的一捕集結構可包括一流體可流動於其中之複數個管子。每個管子可包括貫穿管子的長度而設之一孔徑（例如，孔徑1157），允許污染物沉積於管子的內及外表面上。例如，參考第11圖，捕集結構1100可包括管子1155的一配置1150。捕集結構1100可設置在一捕集罩中（如第2圖中所示的捕集罩103），使管子1155至少部分橫跨在一捕集罩頂表面與底表面之間（如沿著流體流經捕集罩的方向，及/或與橫跨捕集罩103的流體入口101A與流體出口101B之間（如第2圖中所示）的一軸實質上平行）（如本上下文中所用，「實質上」一詞意指自平行加或減20度）。一捕集結構中管子的配置可與捕集罩的形狀互補，使得在管子配置之外圍的管子可抵靠捕集罩內壁或與其相鄰設置。例如，管子1155的配置1150可配置以設置在一六邊形的捕集罩中。在各種實施例中，用於一捕集結構之一管子配置的管子可包括一圓形配置，其配置以設置於一圓形的捕集罩中（例如，在第10A圖中所示的下捕集罩103B之中）。
管子彼此可以任何合適方式配置。管子配置可配置以限制或最小化管子之間的空間。例如，如第11圖中所示，根據各種實施例，管子1155可以六邊形包裝，使每個管子1155（除了外圍的管子）可被六個管子1155圍繞。因此，每個管子1155（除了外圍的管子）可抵靠或接觸六個其他的管子1155。此六邊形包裝允許管子1155的均勻包裝，並限制其之間的空間，提供圓形管子的緊密包裝。這種緊密包裝防止管子相對於彼此移動。並且，管子的六邊形包裝形成在接觸管子之間具有凹面的三角形的空間（如空間1159）。管子之間的這些空間提供流體可流經之額外的空間及污染物可沉積於其上之額外的表面積（在管子外面）。管子的六邊形包裝未必應用於管子配置的外形，並可在具有一圓形外形的一管子配置中實施。
一捕集結構中的管子可包括任何合適的形狀或尺寸。在各種實施例中，管子可包括一圓形剖面外形（如管子1155）或配置以允許管子的一所期望的配置之任何其他適當的剖面形狀。在各種實施例中，管子孔徑可包括一圓形剖面形狀（如孔徑1157），或任何其他適當的剖面孔徑形狀。在各種實施例中，管子可具有大約2毫米（mm）的一剖面長度（如管子1155的一外徑）。在各種實施例中，管子可具有大約1毫米的一內徑（例如跨孔徑的長度，諸如孔徑1157的直徑）（「大約」一詞在本上下文中所用意指加或減0.5毫米）。在各種實施例中，管子可具有大約20公分（cm）的一長度（「大約」一詞在本上下文中所用意指加或減5公分）。管子可包括一高表面積對體積比，例如至少50:1、至少100:1、至少150:1或至少200:1的一表面積對體積比。例如，在長度大約20公分、具有約2毫米的一外徑及1毫米的一內徑、填充具有約19公分的一直徑之一捕集罩之一六邊形包裝配置中的管子提供顯著的表面積，來接收污染物沉積。在這樣的一個範例中管子孔徑的表面積，針對約十二平方公尺的一總表面積，可提供大約六平方公尺的捕集表面，且管子之間的間隙（如空間1159）可提供稍小於六平方公尺。假設一反應器中的一典型的沉積製程在一捕集器內產生三平方微米的污染物沉積，包括所述配置及尺寸的管子之捕集結構所提供的表面積在需要維修或替換之前可允許將相同的捕集結構用於多個沉積循環。
在各種實施例中，管子的外及/或內表面可包括一具有紋理的外表面、沿著外及/或內表面的螺紋、或配置以增加管子的外表面積，以供污染物沉積於其上的任何其他結構。
在各種實施例中，管子可以任何合適的方式耦接，諸如黏著劑、焊接及/或在捕集罩內的緊配合。如第11圖中所示，藉由張力裝置1188將管子1155耦接在一起，以維持配置1150，張力裝置可以係一夾緊環（與夾緊環144類似）、一帶子、一鬆緊帶或諸如此類。
在各種實施例中，管子1155的一配置1150可包括至少一支座1125。一支座1125可以係一桿子或其他結構，其自配置1150的底部至少往外突出（亦即，一支座1125比管子1155延伸更接近一捕集罩的一底表面）。在各種實施例中，管子的一配置可包括超過一個的支座（例如，如第11圖中所示般，三個支座1125）。支座1125可配置以支撐管子1155的配置1150，使得管子1155的底部與捕集罩的一底表面之間有一空間（例如，底表面102，若捕集結構1100係設置在下捕集罩103B中的話，如第10A圖中所示）。類似地，當設置在一捕集罩中時，在管子1155的頂部與捕集罩的一頂表面之間可有一空間。例如，管子配置1150可簡單地座落在捕集罩內的一位置，其導致管子1155的頂部與捕集罩的一頂表面之間有一空間（例如，因捕集罩的上及下罩配合在一起的方式所致）。舉另一例而言，支座1125亦可自配置1150的頂部向外突出（亦即，支座1125比管子1155延伸更接近一捕集罩的一頂表面）。因此，若一捕集罩的一蓋子或上罩放在捕集結構上的話，蓋子或上罩會靠在支座1125的末端，故允許捕集罩的頂表面與管子1155的頂部之間有一空間。這樣的空間可讓流體流入一捕集罩（如經由第2圖中所示的流體入口101A），以分散並利用更多管子1155來捕集污染物。
在各種實施例中，諸如具有孔的一擋板、噴淋頭或諸如此類的一結構可設置在一捕集罩中的管子配置上方，以一所期望的方式分散流向其中的流體以增加由管子所提供的表面積之利用。
捕集結構1100的組件之配置可允許更大的熱傳導藉由其中。加熱一捕集結構可允許增加捕集系統組件上污染物薄膜的生長率，並改善捕集到之污染物薄膜的性質，諸如增加的密度和減少的剝落。熱能可輕易傳播通過捕集罩、支座1125及/或管子，無論係外部及/或內部提供熱能。在各種實施例中，捕集結構1100可外部加熱，例如藉由耦接在包括捕集結構1100的污染物捕集系統及/或捕集罩的周圍的一加熱套（如第8圖中所示的加熱套800）。在各種實施例中，捕集結構1100可內部加熱，例如藉由設置在管子1155的配置1150中之一加熱器。例如，可以一加熱器取代管子配置內的一管子（例如，在配置的中心或接近配置的中心的一管子），及/或一支座125可以係或可包括一加熱器。尤其在其中管子1155包括例如鋼或鋁（或其合金）的一金屬材料的實施例中，熱能可輕易地傳播通過管子1155及/或支座1125（例如，若經由捕集罩從一加熱套或從一內部加熱器接收熱能的話）。
在各種實施例中，諸如包括管子1155之捕集結構1100的一捕集結構，除了提供污染物可沉積於上的豐裕的表面積外，亦可具有可重用性及容易維修的優點。當捕集結構1100已使用及/或已充滿污染物時，捕集結構1000的組件（如管子1155、支座1125、張力裝置1188）可輕易地從一捕集罩中移除及/或拆解、清理、並然後重新組裝以供後續使用。捕集結構可被拆解，例如藉由將張力裝置1188自管子1155解開。若組件之一或多者有損壞或需要替換，則可輕易完成此類替換。
在各種實施例中，一污染物捕集系統所包括的一捕集結構可包括流體可流經並沉積污染物於其上之一波形板。參照第12圖，根據各種實施例，一波形捕集結構1200可包括耦接到一非波形板1280之一波形板1250。波形板1250與非波形板1280之間的空間1260可允許流體流穿其中並使污染物沉積在板子中所提供的表面積上。波形捕集結構1200可設置在一捕集罩中（例如第2圖中所示的捕集罩103），使空間1260至少部分橫跨一捕集罩頂表面及底表面（例如沿著流經捕集罩的流體流之方向）之間。板子1250及1280可螺旋成任何合適的形狀（例如，譬如第12圖中所示的一圓形，或一正方形、三角形、矩形、六邊形或八邊形）。螺旋板的外形可與其中設有捕集結構的捕集罩之形狀互補。例如，波形捕集結構1200可配置以設置在一圓形捕集罩中，譬如第2圖中所示的捕集罩103。因此，波形板或非波形板可抵靠捕集罩的內壁或與其相鄰設置。波形或非波形板可呈螺旋狀或經配置，使得一中間的空隙1205可減少或最小化，導致流穿其中的流體流過空間1260，而非通過波形捕集結構1200的其他路徑。
在各種實施例中，波形捕集結構1200可包括至少一支座（例如第11圖中所示的支座1125）。一支座可以係從波形捕集結構1200的底部及/或頂部往外突出的一桿子或其他結構。這樣的支座可配置以支撐波形捕集結構1200，使得在波形捕集結構1200的底部及/或頂部與捕集罩的一底及/或頂表面之間有一空間。因此，可在波形捕集結構1200的底部與捕集罩的一底表面之間及/或在波形捕集結構1200的頂部與捕集罩的一頂表面之間產生一空間。這樣的空間可允許流體流入一捕集罩（例如經由第2圖中所示的流體入口101A）以分散並利用更多（亦即流經）空間1260來捕集污染物。
在各種實施例中，諸如具有孔的一擋板、噴淋頭或諸如此類的一結構可設置在一捕集罩中的波形捕集結構上方，以一所期望的方式分散流向其中的流體以增加用於污染物沉積的表面積之利用。
波形捕集結構1200的組件之配置可允許更大的熱傳導藉由組件。加熱一捕集結構可允許增加捕集系統組件上污染物薄膜的生長率，並改善捕集到之污染物薄膜的性質，諸如增加的密度和減少的剝落。熱能可輕易傳播通過波形捕集結構1200，無論係外部及/或內部提供此熱能。在各種實施例中，波形捕集結構1200可外部加熱，例如藉由耦接在包括波形捕集結構1200的污染物捕集系統及/或捕集罩的周圍之一加熱套（如第8圖中所示的加熱套800）。在各種實施例中，波形捕集結構1200可內部加熱，例如藉由設置在通過空隙1205中的一加熱器或包括在設置於通過空隙1205中的一支座中的一加熱器。尤其在其中波形捕集結構1200包括例如鋼或鋁的一金屬材料（或其合金）的實施例中，熱能可輕易地傳播通過波形捕集結構1200（若經由捕集罩從一加熱套或從一內部加熱器接收熱能的話）。
在各種實施例中，污染物捕集系統及其中所包括的組件可不包括黏著劑或其他耦接材料來耦接任何組件。無黏著劑、環氧樹脂或其他耦接材料降低此一耦接材料出氣且行進至反應室充當其中之一污染物的風險。額外地，在無此一耦接材料的情況下，本文所述系統的組件在升高溫度（例如大於120°C）下可不易劣化。因此，一污染物捕集系統（例如第2圖之污染物捕集系統100）及其中所包括的捕集結構可比包括一耦接材料之一污染物捕集系統移到更靠近一反應器系統的一反應室（例如第1圖之反應器系統50的反應室4）。依此，根據本文所述的實施例之具有一污染物捕集系統的一反應器系統可更緊密及/或具有更多可行的配置和特別的配置。
本文所述的污染物捕集系統係配置以增加流經其之一流體可接觸的表面積，以允許污染物有更多機會沉積在這種表面積上。因此，例如，如本文所述，一擋板的開口可不與擋板堆疊中的一相鄰互補擋板的互補開口對齊及/或串聯。另舉一例，可配置桿子（如桿子1055），使得從桿子的配置之一外圍到讓流體排出捕集結構的流孔（如流孔1027）有一非線性的路徑。再舉一例，管子（如管子1155）及/或通過一波形捕集結構（如波形捕集結構1200）之空間（如空間1260）可讓一流體內的污染物沉積在管子或通過一波形捕集結構的路徑內的表面上。
根據各種實施例，第9圖繪示流體流過一反應系統中之一污染物捕集系統的一方法900。額外參照第2圖和第4B圖，一流體可從一反應室（例如第1圖的反應室4）流至一污染物捕集系統（例如第2圖的污染物捕集系統100（步驟902））。污染物捕集系統100可包括一捕集罩103的一流體入口101A及一流體出口101B。流體可經由流體入口101A流入污染物捕集系統100。流體可包括污染物捕集系統配置以從流體中移除的材料（例如污染物）。
在各種實施例中，流體可流經包括在污染物捕集系統中的污染物捕集結構（步驟904）。譬如本文所述的那些，捕集結構可包括任何合適的結構配置，藉以收集來自流體的污染物。在各種實施例中，污染捕集器中的捕集結構可包括在污染物捕集系統100中的一擋板堆疊400B（例如，第2圖中擋板堆疊130的一範例）。因此，流體可流經以一擋板順序與複數個互補擋板300B交替位置的複數個擋板300A。流體亦可流經包括在擋板堆疊中在擋板堆疊的任一端之至少一端板（如端板420）。如本文所述，在各種實施例中，流體可流經包括桿子、管子及/或波形和非波形板的捕集結構。
流體可經由端板開口422及/或繞著端板420的外緣流經一第一端板420，以流經擋板堆疊400B。在流經擋板堆疊400B的擋板順序時，流體可接觸擋板300A的頂表面322及底表面324、互補擋板300B的互補頂表面352及互補底表面354、並通過擋板300A的開口331和333及互補擋板300B的互補開口361和363。擋板300A的開口331和333可穿過擋板300A而設，並與互補擋板300B對齊，使得開口331和333與互補擋板300B的互補實體部365對齊。因此，當流經一擋板300A的開口331及333時，流體可接觸擋板堆疊400B中一接續的互補擋板300B之互補實體部365。當接觸到下一個互補擋板300B的互補實體部365時，流體可朝流體出口101B流去，並經過此互補擋板300B的互補開口361及363。互補擋板300B的互補開口361及363可穿過互補擋板300B而設，並與擋板300A對齊，使得互補開口361及363可與擋板300A的實體部335對齊。因此，當流經一互補擋板300B的互補開口361及363時，流體可接觸擋板堆疊400B中的一接續的擋板300A的實體部335。當接觸到下一個擋板300A的實體部335時，流體可朝流體出口101B流去並通過此一擋板300A的開口331及333。
流體流會依循此流動模式通過擋板300A及互補擋板300B的擋板順序，直到流體通過擋板順序的最後一個板子。流體可流經擋板堆疊400B的一第二端的一端板420，接觸此一端板420的表面，並流經端板開口422。當流經擋板堆疊400B時，流體可額外流動於擋板300A及互補擋板300B的外緣和外壁105的內壁表面之間，與那些表面相互作用和接觸。
在各種實施例中，流體可接觸並繞著擋板1010流動到空間1075中，以流經具有桿子的一捕集結構（如捕集結構1000）。接著，流體可流經桿子1055的配置1050，在經由流孔1027排出捕集結構1000之前接觸桿子1055。
在各種實施例中，在排出捕集結構1100之前流體可先流經管子1155，以流經具有管子的一捕集結構（如捕集結構1100）。
在各種實施例中，在排出波形捕集結構1200之前流體可先流經空間1260，以流經一波形捕集結構（如波形捕集結構1200）。
當流體接觸上述表面（例如，擋板、互補擋板、端板、外壁105的內壁表面、桿子1055、管子1155、波形及非波形板1250及1280等）時，流體中所包括的污染物可從在污染物捕集系統、及設於其中的個別捕集結構中的表面上的流體沉積或收集（步驟906）。在污染物捕集系統中的表面及其彼此間的相對位置提供增加的表面積 ，其上可發生這類污染物的沉積。此些表面的一些可包括紋理，以提供進一步的可用表面積。
在各種實施例中，流體可流經流體出口101B並排出污染物捕集系統（步驟908）。
本文所討論之系統組件可由任何合適材料（諸如金屬或金屬合金，例如鋼、鋁、鋁合金、或類似者）構成。
雖然本文提出本揭示之例示性實施例，但應理解本揭示並未因此受限。例如，雖然反應器及污染物捕集系統係結合各種特定配置來描述，本揭露不一定受限於這些實例。在不偏離本揭示之精神及範疇的情況下，可對本文提出的系統及方法作出各種修改、變化、及增強。
本揭示之標的包括本文中所揭示之各種系統、組件、及配置、以及其他特徵、功能、動作、及/或性質的所有新式及非顯而易見的組合及子組合以及其等之任何及所有均等物。
4:反應室 6:基座 8:流體分配系統 10:反應物源 12:反應物源 14:載體,吹掃氣體源 16:管線 18:管線 20:管線 22:閥,控制器 24:閥,控制器 26:閥,控制器 28:真空泵,真空源 30:基板 40:污染物捕集系統 50:反應器系統,系統 100:污染物捕集系統 101A:流體入口 101B:流體出口 102:罩底表面,底表面 103:捕集罩 103A:上罩 103B:下罩,下捕集罩 105:外壁 130:擋板堆疊 132:擋板 133:間隔件 134:互補擋板 136A:第一端板 136B:第二端板 144:夾緊環 300A:擋板 300B:互補擋板 303:間隔件 304:指標 322:頂表面 324:底表面 325:開口部 326:擋板外緣 331:第一開口 333:第二開口 335:實體部 347:耦接孔 348:參考點 352:互補頂表面 354:互補底表面 355:開口部 356:互補擋板外緣 361:第一互補開口,互補第一開口 363:第二互補開口,互補第二開口 365:互補實體部 367:互補耦接孔 368:互補參考點 400B:擋板堆疊 402:緊固件 407:套筒 410:端板 412:端板開口 414:端板實體部 420:端板 422:端板開口 424:凸緣 450:耦接桿 500A:擋板 500B:互補擋板 533:開口 535:實體部 547:耦接孔 548:參考點 563:互補開口 565:互補實體部 567:互補耦接孔 568:互補參考點 600A:擋板 600B:互補擋板 633:開口 635:實體部 647:耦接孔 648:參考點 663:互補開口 665:互補實體部 667:互補耦接孔 668:互補參考點 700A:擋板 700B:互補擋板 733:開口 735:實體部 747:耦接孔 748:參考點 763:互補開口 765:互補實體部 767:互補耦接孔 768:互補參考點 800:加熱套 900:方法 902:步驟 904:步驟 906:步驟 908:步驟 1000:捕集結構 1002:緊固件,螺母 1004:密封 1006:支座 1010:擋板 1011:內側 1012:擋板邊緣 1014:凹部 1016:支撐孔 1020:座板 1021:內側 1024:凹部 1025:中心支座 1026:加熱器 1027:流孔 1050:配置 1052:第一端 1053:外表面 1054:第二端 1055:桿子 1075:空間 1100:捕集結構 1125:支座 1150:配置 1155:管子 1157:孔徑 1159:空間 1188:張力裝置 1200:波形捕集結構 1205:空隙 1250:波形板 1260:空間 1280:非波形板
儘管本說明書以特別指出且明確主張被視為本揭示之實施例的申請專利範圍作結，但在結合附圖閱讀時可自本揭示之實施例之某些實例的描述更容易地確定本揭示之實施例的優點。各圖式中具有相似元件編號的元件係意欲相同。 第1圖繪示根據各種實施例的一示範反應器系統的示意圖； 第2圖繪示根據各種實施例的一示範污染物捕集系統的分解圖； 第3A圖繪示根據各種實施例的一示範擋板； 第3B圖繪示根據各種實施例的一示範互補擋板； 第4A圖繪示根據各種實施例的一污染物捕集系統之一示範過濾器擋板堆疊的立體圖； 第4B圖繪示根據各種實施例的一污染物捕集系統之一示範過濾器擋板堆疊的剖面立體圖； 第5A圖繪示根據各種實施例的另一示範擋板； 第5B圖繪示根據各種實施例的另一示範互補擋板； 第6A圖繪示根據各種實施例的再一示範擋板； 第6B圖繪示根據各種實施例的再一示範互補擋板； 第7A圖繪示根據各種實施例的再一示範擋板； 第7B圖繪示根據各種實施例的再一示範互補擋板； 第8圖繪示根據各種實施例的用於一污染物捕集系統的一加熱套的立體圖； 第9圖繪示根據各種實施例的使流體流過一反應器系統之一污染物捕集系統之一方法； 第10A圖繪示根據各種實施例的一示範捕集結構的剖視圖； 第10B圖繪示根據各種實施例的第10A圖之捕集結構的剖面的分解圖； 第11圖繪示根據各種實施例的一示範捕集結構；以及 第12圖繪示根據各種實施例的一示範捕集結構。
4:反應室
6:基座
8:流體分配系統
10:反應物源
12:反應物源
14:載體，吹掃氣體源
16:管線
18:管線
20:管線
22:閥，控制器
24:閥，控制器
26:閥，控制器
28:真空泵，真空源
30:基板
40:污染物捕集系統
50:反應器系統，系統

Claims (20)

  1. 一種一反應器系統的汙染物捕集系統，包括： 一捕集罩，包括一罩外壁； 一第一擋板，設置在該捕集罩中，其中該第一擋板包括： 一第一開口，橫跨穿過在該第一擋板的一第一頂擋板表面與一第一底擋板表面之間的一第一擋板體；以及 一第一實體部； 一第一互補擋板，在該捕集罩中於該捕集罩的一第一端與一第二端之間與該第一擋板串聯設置，其中該第一互補擋板包括： 一第一互補開口，橫跨穿過在該第一互補擋板的一第一頂互補擋板表面與一第一底互補擋板表面之間的一第一互補擋板體；以及 一第一互補實體部， 其中該第一擋板及該第一互補擋板係包括在一擋板堆疊中，且 其中該第一擋板及該第一互補擋板在該捕集罩中係以一擋板定向設置，其中該第一擋板的該第一開口的至少一部分和該第一互補擋板的該第一互補實體部的至少一部分係沿著橫跨該捕集罩的該第一端和該第二端之間的一第一軸對齊，且使得該第一擋板的該第一實體部的至少一部分和該第一互補擋板的該第一互補開口的至少一部分係沿著橫跨該捕集罩的該第一端和該第二端之間的一第二軸對齊。
  2. 如請求項1之污染物捕集系統，更包括一耦接桿，設置在該捕集罩中，並橫跨該捕集罩的該第一端和該第二端之間， 其中該第一擋板包括穿過該第一擋板體設置的一第一耦接孔，其中該耦接桿係穿過該第一耦接孔設置，且 其中該第一互補擋板包括穿過該第一互補擋板體設置的一第一互補耦接孔，其中該耦接桿係穿過該第一互補耦接孔設置。
  3. 如請求項2之污染物捕集系統，其中該耦接桿包括一非圓形剖面，其中該第一擋板的該第一耦接孔及該第一互補擋板的該第一互補耦接孔各自包括與該耦接桿的該非圓形剖面呈互補之一形狀。
  4. 如請求項3之污染物捕集系統，其中該第一耦接孔的一參考點係以一第一定向設置，且該第一互補耦接孔的一互補參考點係以一第一互補定向設置，其中該第一定向及該第一互補定向使該第一擋板及該第一互補擋板配置成圍繞該耦接桿，以實現該擋板定向。
  5. 如請求項4之污染物捕集系統，更包括一間隔件，該間隔件在該第一擋板及該第一互補擋板之間，以在其之間提供一空間。
  6. 如請求項1之污染物捕集系統，更包括設置在該捕集罩中的一第二擋板，其中該第二擋板包括： 一第二開口，橫跨穿過在該第二擋板的一第二頂擋板表面與一第二底擋板表面之間的一第二擋板體；以及 一第二實體部， 其中該第二擋板係設置在該捕集罩中，使得該第一互補擋板係介於該第一擋板與該第二擋板之間，且其中該擋板定向更包括該第二擋板的該第二開口之至少一部分及該第一互補擋板的該第一互補實體部之至少一部分係沿著該第一軸對齊，且該第二擋板的該第二實體部之至少一部分及該第一互補擋板的該第一互補開口之至少一部分係沿著該第二軸對齊。
  7. 如請求項6之污染物捕集系統，其中該第一擋板及該第二擋板包括一全同的設計。
  8. 如請求項7之污染物捕集系統，其中該擋板堆疊更包括一端板，設置而使得符合下列至少一者： 該第一擋板係介於該端板和該第一互補擋板之間，或者 該第一互補擋板係介於該端板和該第一擋板之間， 其中該端板包括一端板開口及一端板實體部。
  9. 如請求項1之污染物捕集系統，其中該捕集罩的該罩外壁包括一內壁表面，其中該第一擋板及該第一互補擋板的至少一者之一外緣係設置與該內壁表面相鄰，使得該第一擋板及該第一互補擋板的至少一者之該外緣與該內壁表面之間形成至少一部分密封。
  10. 如請求項9之污染物捕集系統，其中該第一頂擋板表面、該第一底擋板表面、該第一頂互補擋板表面、該第一底互補擋板表面、該第一擋板及該第一互補擋板的至少一者之該外緣、以及該內壁表面的至少一者係有紋理。
  11. 如請求項1之污染物捕集系統，更包括耦接到該捕集罩的一加熱套。
  12. 如請求項1之污染物捕集系統，其中該第一擋板的該第一開口係包括在該第一擋板的一徑向向內部分中，且其中該第一互補擋板的該第一互補開口係包括在該第一互補擋板的一徑向向外部分中。
  13. 一種用於一污染物捕集系統的擋板堆疊，包括： 複數個擋板，各自包括： 一開口，橫跨穿過該等擋板的各擋板的一擋板體的；以及 一實體部；以及 複數個互補擋板，各自包括： 一互補開口，橫跨穿過該等互補擋板的各互補擋板的一互補擋板體；以及 一互補實體部， 其中該等擋板及該等互補擋板係在該等擋板與該等互補擋板交替的該擋板堆疊的一第一端與一第二端之間以一擋板順序設置，使得在該擋板順序之中的該等擋板中沒有兩個係相鄰的，且該等互補擋板中沒有兩個係相鄰的， 其中該等擋板及該等互補擋板係以一擋板定向設置，其中該等擋板的該等開口的至少一部分及該等互補擋板的該等互補實體部的至少一部分係沿著橫跨該擋板堆疊的該第一端與該第二端之間的一第一軸對齊，並且使得該等擋板的該等實體部的至少一部分及該等互補擋板的該等互補開口的至少一部分係沿著橫跨該擋板堆疊的該第一端與該第二端之間的一第二軸對齊。
  14. 如請求項13之擋板堆疊，更包括一耦接桿，耦接到該等擋板的每一個以及該等互補擋板的每一個，其中該耦接桿橫跨該擋板堆疊的該第一端與該第二端之間， 其中該耦接桿包括一剖面， 其中該等擋板的每一個包括一耦接孔，且該等互補擋板的每一個包括一互補耦接孔，其中該等耦接孔及該等互補耦接孔各自包括與該耦接桿的該剖面呈互補的一形狀。
  15. 如請求項14之擋板堆疊，其中該耦接桿的該剖面係非圓形，其中該等擋板的每一個的該耦接孔係以一第一定向設置，且該等互補擋板的每一個的該互補耦接孔係以一第二定向設置，其中該第一定向及該第二定向使該等擋板及該等互補擋板配置成圍繞該耦接桿，以實現該擋板定向。
  16. 如請求項15之擋板堆疊，更包括耦接到該耦接桿的複數個間隔件，其中該等間隔件的至少一者係設置於在該擋板順序中的該等擋板及該等互補擋板的各擋板與各互補擋板之間。
  17. 如請求項16之擋板堆疊，更包括一端板，該端板設置在該擋板堆疊的該第一端或該第二端的至少一者，其中該端板包括一端板開口已及一端板實體部。
  18. 如請求項13之擋板堆疊，其中該等擋板比該等互補擋板多一個，使得從該擋板堆疊的該第一端及該第二端，該擋板堆疊包括相同順序的該等擋板及該等互補擋板。
  19. 一種一反應器系統的汙染物捕集系統，包括： 一捕集罩；以及 一捕集結構，設置在該捕集罩中，包括： 一擋板； 一座板；以及 複數個桿子，橫跨於並耦接到該擋板及該座板，其中該等桿子係設置成圍繞穿過該座板而設置的一流孔。
  20. 一種一反應器系統的汙染物捕集系統，包括： 一捕集罩，包括一罩底表面及一罩頂表面；以及 一捕集結構，設置在該捕集罩中，包括： 複數個管子，以具有與該捕集罩的一形狀呈互補的一外形之一配置而設置，其中該等管子係包裝成六邊形， 其中該等管子的每一個管子包括一孔徑，並至少部分地橫跨該罩底表面及該罩頂表面之間； 一支座，設置在該等管子的該配置內，並從該等管子的一端向外突出，其中該支座接觸該罩底表面，在該等管子的該端與該罩底表面之間產生一空間；以及 一張力裝置，耦接在該等管子周圍，配置以將該等管子固持在一起。
TW110102086A 2020-01-29 2021-01-20 汙染物捕集系統、及擋板堆疊 TW202131985A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062967320P 2020-01-29 2020-01-29
US62/967,320 2020-01-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202131985A true TW202131985A (zh) 2021-09-01

Family

ID=76969828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110102086A TW202131985A (zh) 2020-01-29 2021-01-20 汙染物捕集系統、及擋板堆疊

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210230744A1 (zh)
JP (1) JP2021115573A (zh)
KR (1) KR20210097628A (zh)
CN (1) CN113262569A (zh)
TW (1) TW202131985A (zh)

Families Citing this family (179)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1857348A (en) * 1928-05-14 1932-05-10 Bokenkroger William Filter for gaseous substances
US3137551A (en) * 1959-10-02 1964-06-16 John T Mark Ultra high vacuum device
US3606738A (en) * 1969-12-02 1971-09-21 Ben Kraus Jr Fluid separator
US4488887A (en) * 1983-10-17 1984-12-18 R. J. Reynolds Tobacco Company Cold trap
KR100688900B1 (ko) * 1999-12-15 2007-03-08 캐논 아네르바 가부시키가이샤 배출가스 여과장치, 보조여과장치 및 트랩장치
SE0801695L (sv) * 2008-07-16 2010-02-09 Alfa Laval Corp Ab Centrifugal separator
US8512452B2 (en) * 2008-08-19 2013-08-20 Tel Solar Ag Hot-trap assembly for trapping unreacted gas by-products
JP5728341B2 (ja) * 2011-09-13 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 排気トラップ

Also Published As

Publication number Publication date
CN113262569A (zh) 2021-08-17
JP2021115573A (ja) 2021-08-10
KR20210097628A (ko) 2021-08-09
US20210230744A1 (en) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202131985A (zh) 汙染物捕集系統、及擋板堆疊
US20210032754A1 (en) Showerhead assembly and components thereof
US20210205758A1 (en) Filter system for a reactor system
EP2959035B1 (fr) Dispositif de dépôt chimique en phase vapeur
JP4828024B2 (ja) 真空ポンプライン中の重合ｔｅｏｓ堆積抑制のための方法及びｔｅｏｓトラップ
EP2959034B1 (fr) Dispositif de dépôt chimique en phase vapeur
TW201734353A (zh) 用於原子層沉積及化學氣相沉積反應器之使用點閥箱
WO2004024296A1 (en) High conductivity particle filter
US9089800B2 (en) Method and apparatus for vapor and gas filtration
WO2013141084A1 (ja) トラップ装置及び成膜装置
US11306971B2 (en) Heat exchanger with multistaged cooling
US20140220244A1 (en) Ald reactor for coating porous substrates
TWI735075B (zh) 半導體製程用流路方向轉換式反應副產物收集裝置
TW202303865A (zh) 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202230830A (zh) 用於半導體製造前驅物的安瓿
US6821489B1 (en) System and method for abating the simultaneous flow of silane and arsine
JP5747647B2 (ja) バレル型気相成長装置
JP6628653B2 (ja) トラップ装置及びこれを用いた排気系、並びに基板処理装置
JP7258274B2 (ja) フィルタ装置、化学気相成長装置およびＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
US20240207838A1 (en) Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor
TW202315004A (zh) 反應室以及用於反應室的擋板
JP2009259907A (ja) 気相成長装置および半導体基板の製造方法
TW202113120A (zh) 採用ald技術在輸氣管道內壁產生抗腐蝕塗層的方法
JP4579847B2 (ja) 水素化物ガスの除去方法及び除去装置
KR20120001562U (ko) 노즐 교체형 진공 발생 장치