JPH11300153A - 昇華成分除去ユニットおよびそれを備えた熱処理装置 - Google Patents

昇華成分除去ユニットおよびそれを備えた熱処理装置

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JPH11300153A
JPH11300153A JP10115334A JP11533498A JPH11300153A JP H11300153 A JPH11300153 A JP H11300153A JP 10115334 A JP10115334 A JP 10115334A JP 11533498 A JP11533498 A JP 11533498A JP H11300153 A JPH11300153 A JP H11300153A
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JP
Japan
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gas
heat treatment
cooling
sublimation component
sublimation
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Application number
JP10115334A
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English (en)
Inventor
Takeo Okamoto
建男 岡本
Yoshihisa Yamada
芳久 山田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 昇華成分を取り除いた気体を装置外に排出す
る昇華成分除去ユニットおよびそれを備えた熱処理装置
を提供する。 【解決手段】 熱処理ユニット1の載置台3に載置され
た基板Wは、ヒータ3aによって加熱される。この加熱
によって、基板W上の塗布剤に含まれる揮発成分ととも
に昇華成分が気化する。昇華成分を含む気体は、昇華成
分除去ユニット5の筐体51内に導入される。導入され
た気体は、冷却バッド53の冷却面53aで冷却され
る。この冷却によって、気体中の昇華成分は、冷却面5
3a上で固化堆積して取り除かれる。昇華成分が取り除
かれた気体は、排気口56から排気される。したがっ
て、排気ダクト8内で昇華成分が固化するのを防止する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、塗布剤が塗布され
た半導体ウエハやガラス基板などの基板に熱処理を行な
うことで、塗布剤に含まれる低分子量成分が昇華して、
この昇華成分を含む気体を装置外に排出する際に、その
気体中に含まれる昇華成分を取り除く昇華成分除去ユニ
ットおよびそれを備えた熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の熱処理装置は、塗布剤が塗布され
た基板を加熱された載置台に載置して熱処理を行なう熱
処理部を備えている。載置台の上方空間はカバーで覆わ
れており、このカバーには熱処理によって塗布剤から揮
発した溶剤成分を外部へ排出する排気口が形成されてい
る。この熱処理装置の排気口は、熱処理装置が配備され
る工場の排気ダクトに接続されていて、排気ダクトは工
場に設置された排気処理装置に接続されている。
【0003】基板に塗布される塗布剤は、例えば、基板
の塗布面に所定の膜を生成するための膜生成成分が溶剤
成分に溶解した状態である。前工程においてこの塗布剤
が塗布された基板は、熱処理装置の熱処理部内に搬入さ
れた後、熱処理部内で加熱処理される。熱処理部内で加
熱されると、基板に塗布された塗布剤の溶剤成分が揮発
して、基板上には膜生成成分が残り、さらに加熱するこ
とで、基板上に所定の膜を生成する。このとき、揮発し
た溶剤成分を含む熱処理部内の気体は、熱処理装置の排
気口から工場の排気ダクトに排出される。排気ダクトに
排出された溶剤成分を含む気体は排気処理装置にまで送
られ、その処理装置によって気体中の溶剤成分が除去さ
れて、その気体は大気中に放出される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。所定の膜を生成するための塗布剤が塗布された基
板が加熱されると、その加熱によって塗布剤に含まれる
溶剤成分が揮発する。一方、膜生成成分に低分子量成分
が含まれる場合、溶剤成分の揮発に伴い前記低分子量成
分が昇華する場合がある。この昇華成分と、揮発した溶
剤成分とが混合した気体は、その熱処理部に設けられた
排気口から工場の排気ダクトに排出される。その気体
は、排気ダクトから排気処理装置にまで送られる途中で
冷えて、その気体に含まれる昇華成分が固化して排気ダ
クトに付着し堆積していく。その結果、工場の排気ダク
ト内に目詰まりが生じて排気圧が低下したり、排気ダク
ト自身やこの排気ダクトに接続された排気処理装置など
を汚染したりするという問題が生じている。
【0005】具体的には、基板上に層間絶縁膜を生成し
たり、基板上の平坦化を行なうためのSOG(Spin-on-G
lass) 塗布剤が塗布された基板に熱処理を行なう場合が
想定される。SOG塗布剤は、SiOxをアルコールに
溶解したソースと呼ばれる薬液である。SOG塗布剤が
塗布された基板は、熱処理(ベーク)によってアルコー
ルが揮発して、膜生成成分であるSiOxが基板上に残
り、さらに熱処理(キュア)を行なうことで、SiOx
膜が基板上に生成される。このとき、熱処理(ベーク、
キュア)に伴って少量のSiOxが昇華し、揮発したア
ルコールとともに、排気ダクトに排気される。昇華した
SiOxが含まれた気体は、排気ダクトを流通する間に
冷却される。この冷却によって、昇華していたSiOx
は固化して、排気ダクト内に付着し堆積していく。
【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、昇華した成分が含まれる気体中から昇
華成分を除去する昇華成分除去ユニットおよびそれを備
えた熱処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。請求項1
に記載の発明は、昇華した成分を含む気体中から昇華成
分を除去する昇華成分除去ユニットであって、昇華成分
を含む気体を導入する導入口と、前記導入口から導入し
た気体を排気する排気口とが形成された筐体と、前記筐
体の導入口から筐体内に導入された気体を冷却すること
で昇華成分を捕捉する捕捉部材と、前記捕捉部材を冷却
する冷却手段とを備えたことを特徴とするものである。
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の昇華成分除去ユニットにおいて、前記ユニットは、さ
らに、前記筐体の排気口よりも下手側流路にフィルタを
設けたものである。
【0009】請求項3に記載の発明は、請求項1または
請求項2に記載の昇華成分除去ユニットにおいて、前記
捕捉部材は、前記筐体に着脱自在に取付けられているも
のである。
【0010】請求項4に記載の発明は、塗布剤が塗布さ
れた基板に熱処理を行なう熱処理装置であって、前記塗
布剤が塗布された基板に熱処理を行なう熱処理部と、前
記熱処理部で基板に熱処理が行なわれることにより発生
した気体を前記熱処理部外に排気する排気部と、前記排
気部から排気された気体中に含まれる昇華成分を除去す
る昇華成分除去ユニットとを備え、前記昇華成分除去ユ
ニットは、前記排気部から排気された昇華成分を含む気
体を導入する導入口と、前記導入口から導入した気体を
排出する排気口とが形成された筐体と、前記筐体の導入
口から筐体内に導入された気体を冷却することで昇華成
分を捕捉する捕捉部材と、前記捕捉部材を冷却する冷却
手段とを備えていることを特徴とするものである。
【0011】
【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。昇華成分を含む気体は、筐体に形成された導入口か
ら筐体内に導入され、この導入された気体が筐体内に取
付けられた捕捉部材によって冷却される。捕捉部材は、
冷却手段によって冷却されているので、その捕捉部材自
身の温度が上昇することなく、筐体内に導入された気体
を冷却し続ける。昇華成分は、捕捉部材上で冷却され固
化する。その結果、導入された気体から昇華成分が取り
除かれる。昇華成分が取り除かれた気体は、筐体の排気
口から排出される。
【0012】請求項2に記載の発明によれば、筐体内で
冷却されて固化した昇華成分の微細な粒子の一部は、捕
捉部材上に堆積することなく、筐体内の気体の流れに乗
って排気口まで搬送される。排気口よりも下手側に設け
られたフィルタは、排気口から排出された気体に含まれ
る微細な粒子を取り除く。そのフィルタが設けられた排
気口は、昇華成分が含まれていない気体を排出する。
【0013】請求項3に記載の発明によれば、捕捉部材
上で固化した昇華成分が徐々に堆積することで、捕捉部
材の捕捉能力が徐々に低下したり、その固化した昇華成
分が捕捉部材から飛散し易くなる前に、捕捉部材を筐体
内から取り外して、固化した昇華成分を取り除く。固化
した昇華成分が取り除かれた捕捉部材を再び筐体に取付
けることで、その捕捉部材は、筐体内に導入された昇華
成分を含む気体を最適な状態で冷却する。
【0014】請求項4に記載の発明によれば、熱処理部
は、塗布剤が塗布された基板に熱処理を行なう。この熱
処理によって塗布剤に含まれる昇華成分が気化した気体
が発生する。熱処理部内で発生した昇華成分を含む気体
は、熱処理部の排気部から昇華成分除去ユニットの導入
口へ送られる。昇華成分除去ユニットの導入口に送られ
てきた気体は、導入口から筐体内に導入される。冷却手
段によって冷却される捕捉部材は、筐体内に導入される
気体を冷却して、気体に含まれる昇華成分を固化させ
る。これにより、昇華成分が気体中から取り除かれる。
昇華成分が取り除かれた気体は、筐体に形成された排気
口から筐体外に排出される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。 <第1実施例>図1は、第1実施例に係る熱処理装置を
示す概略縦断面図である。図2は、第1実施例の熱処理
装置の昇華成分除去ユニットの概略斜視図である。
【0016】第1実施例に係る熱処理装置は、半導体ウ
エハなどの基板Wに熱処理を行なうための熱処理ユニッ
ト1と、熱処理ユニット1内に発生する気体に含まれる
昇華成分を取り除く昇華成分除去ユニット5とが、排気
管4によって連通接続されて構成されている。また、昇
華成分除去ユニット5に備える排気口56には、熱処理
装置が設置される工場内の排気ダクト8が接続されてい
る。熱処理ユニット1で発生した気体は、昇華成分除去
ユニット5を介して排気ダクト8に送られ、この排気ダ
クト8を通じて、装置内に発生した気体を処理する排気
処理装置(図示せず)に送られる。
【0017】熱処理ユニット1は、基板Wが載置される
載置台3と、載置台3に載置された基板Wを囲んだ空間
である処理空間1aを形成するためのカバー2とから構
成される。このカバー2または載置台3には、図示しな
い昇降開閉機構が設けられている。この載置台3の上面
と、カバー2の内壁面とで形成される処理空間1aに基
板Wを搬入する際には、カバー2または載置台3を昇降
駆動させて、処理空間1aを開放して載置台3の載置面
上に基板Wを載置する。また、載置台3には、載置台3
の載置面に載置された基板Wを加熱するためのヒータ3
aが埋設されている。このヒータ3aは図示しない温度
調節機構によって制御されて載置台3の載置面を所定の
温度に加熱する。カバー2には、熱処理によって基板W
から発生した気体を処理空間1a外へ送るための排気部
2aが設けられていて、この排気部2aには排気管4の
一端側が連通接続されている。この排気管4の他端側に
は、昇華成分除去ユニット5内に気体を導入するための
導入管6が連通接続されている。なお、排気部2aは本
発明における排気部に相当する。
【0018】昇華成分除去ユニット5は、熱処理ユニッ
ト1で発生した気体を導入する導入口52および導入さ
れた気体を排出する排気口56が形成された筐体51
と、筐体51内に導入された気体を冷却する冷却バッド
53と、冷却バッド53を冷却する冷却機構54と、排
気口56の下手側流路に取付けられたフィルタ7とを備
えている。なお、冷却バッド53は本発明における捕捉
部材に、冷却機構54は本発明における冷却手段に、そ
れぞれ相当する。
【0019】筐体51には、導入口52から導入した気
体を排出口56にまで導く流路空間51aが形成されて
いる。筐体51の導入口52には、排気管4に連通接続
された導入管6が取付けられている。排気口56はフィ
ルタを介して、工場内に配設された排気ダクト8に連通
接続されている。導入口52に取付けられた導入管6
は、筐体51の底面近くにまで延びており、その端面に
フランジ付きの開口部6aが形成されている。
【0020】冷却バッド53は、受け皿状の冷却面53
aを備えた引き出し形状で構成されている。この冷却バ
ッド53は、図2に示すように、ネジMによって筐体5
1に着脱自在に取付けられている。冷却バッド53の冷
却面53aは、筐体51の導入口52に取付けられた導
入管6の開口部6aに近接する位置に配置されている。
この構成により、導入管6の開口部6aから流路空間5
1aに導入された気体は、冷却バッド53の冷却面53
a上を広がった後、排出口7に導かれる。後述する動作
説明で明らかになるように、冷却面53a上を広がった
気体に含まれる昇華成分は、冷却面53a上で冷却され
て固化する。この固化した昇華成分が冷却面53a上に
徐々に堆積すると、冷却効率が徐々に低下したり、堆積
した昇華成分が飛散し易くなるので、固化した昇華成分
を取り除くか、冷却バッド53を新たなものと交換する
ことによって、筐体51内に導入された気体を効率良く
冷却することができる。この冷却バッド53は、その冷
却バッド53の冷却面53aの下方に取付けられた冷却
機構54によって冷却される。
【0021】冷却機構54は、図示しない冷水供給源に
繋がれていて、冷水供給源から供給された冷却水(図1
中の鎖線矢印)を冷却機構54内で循環させることで、
その冷却機構54の上方に配置された冷却バッド53を
冷却する。なお、図1において、冷却機構54は筐体5
1の隔壁を挟んだ状態で冷却バッド53を冷却するよう
に図示したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、冷却機構54を筐体51と一体的に構成して、冷却
バッド53を直接的に冷却する構造にすることもでき
る。
【0022】フィルタ7は、図2に示すように、筐体5
1の排気口56よりも下手側流路に取付けられている。
この下手側流路の天井面には、フィルタ挿入扉55が開
閉自在に形成されている。フィルタ7は、フィルタ挿入
扉55を介して着脱することができる。この構成によっ
て、フィルタ7の交換を容易にしている。
【0023】図3に示すように、フィルタ7は、フィル
タ部材7bを各々開口した上部部材7aと下部部材7c
とで挟んで構成されている。フィルタ部材7bは、後述
する固化した昇華成分の粒子の大きさによって任意に選
択すればよく、そのフィルタ部材7bの素材は、一般的
な除塵フィルタの他に、例えば、綿、紙、化学繊維など
の布状の素材を利用することもできる。上部部材7aの
開口部には短い筒状体7dが取付けられて、フィルタ部
材7bに捕捉された昇華成分の粒子が飛散しないように
なっている。
【0024】以下、図1を参照しながら第1実施例に係
る熱処理装置の動作を説明する。図1中に記載した矢印
は気体の流れを示す。なお、この熱処理装置で行なわれ
る処理として、例えば、アルコール等の溶剤成分にSi
Ox等の膜生成成分が溶解した塗布剤を塗布した基板に
対して熱処理を行なうことで、基板上に膜生成成分に基
づく層間絶縁膜などの膜を生成する処理であるSOG(S
pin-On-Glass) 処理等がある。
【0025】前工程において、アルコール等の溶剤成分
にSiOx等の膜生成成分が溶解した塗布剤(以下、
「ソース」と呼ぶ)が塗布された基板Wが熱処理ユニッ
ト1の載置台3に載置される。ソースが塗布された基板
Wが載置台3に載置されると、カバー2が載置台3上に
当接して処理空間1aを形成する。処理空間1aが形成
されると、載置台3に載置された基板Wは、所定の温度
に加熱される。
【0026】基板Wの加熱(ベーク)とともに、基板W
に塗布されたソースの溶剤成分が揮発する。ソースから
溶剤成分が揮発すると基板W上には膜生成成分が残る。
さらに、基板Wを加熱(キュア)することで、膜生成成
分に基づいた膜(例えば、層間絶縁膜)を基板W上に生
成する。この加熱(ベーク、キュア)の際に、溶剤成分
の揮発とともに、少量の膜生成成分等(以下、「昇華成
分」と呼ぶ)が昇華(気化)する。
【0027】熱処理ユニット1の処理空間1a内は、カ
バー2の排気部2aを介して常に排気されているので、
揮発した溶剤成分および昇華成分を含む気体は、排気部
2aから排気管4に送られる。排気管4に送られた気体
は、昇華成分除去ユニット5に導入される。
【0028】排気管4を通じて送られてきた気体は、筐
体51の導入口52に取付けられた導入管6の開口部6
aから筐体51内の流路空間51aに導入される。導入
管6の開口部6aから導入された気体は、その開口部6
aのフランジによって、直ちに上昇することなく、冷却
バッド53の冷却面53a上を広がる。この時、冷却バ
ッド53は、冷却機構54によって冷却されているの
で、その冷却バッド53の冷却面53a上を広がる気体
を冷却し続ける。
【0029】冷却面53a上を広がる気体に含まれる昇
華成分は、冷却バッド53の冷却面53a上で冷却され
固化して、冷却面53a上に堆積していく。これによ
り、気体に含まれる昇華成分が取り除かれる。昇華成分
が取り除かれた気体は、流路空間51a内を排気口56
に向かって流れる。一方、冷却バッド53の冷却面53
a上で固化して堆積する昇華成分以外に、筐体51内に
導入された気体に含まれる一部の昇華成分は、筐体51
内の冷却された雰囲気によって冷却されて微細な粒子状
に固化する。この固化した微細な粒子の一部は、冷却面
53a上に堆積することなく、流路空間51a内を排気
口56に向かって流れる。
【0030】排気口56の下手側流路を流れる気体は、
フィルタ7を介して排気ダクト8に排気される。フィル
タ7は、フィルタ7を通過する気体から昇華成分が固化
した微細な粒子を取り除く。昇華成分の全てが除去され
た気体は、排気ダクト8に排気される。
【0031】その気体は、排気ダクト8内に固化した昇
華成分を付着または堆積させることなく、工場に設置さ
れた排気処理装置にまで送られ、その排気処理装置によ
ってその気体に含まれる溶剤成分が除去された後、大気
中に放出される。
【0032】上述したように、第1実施例の熱処理装置
は、筐体51内に導入した気体を冷却バッド53で冷却
して、昇華成分を直ちに固化させているので、筐体51
の内壁面に固化した昇華成分が付着するのを防止するこ
とができる。また、固化した昇華成分が堆積した冷却バ
ッド53は、固化した昇華成分を取り除くか、容易に取
り替えることができるので、常に最適な状態で気体を冷
却することができる。さらに、筐体51の排気口56の
下手側流路に取り付けたフィルタによって、筐体51内
で除去しきれなかった昇華成分の微細な粒子をも除去す
ることができる。その結果、第1実施例に係る熱処理装
置から排出された気体に起因する、工場に配設された排
気ダクト8や、排気ダクト8が繋がれた排気処理装置な
どの汚染を防止することができる。
【0033】なお、上述した第1実施例の冷却バッド5
3の冷却面53aは、ほぼ平面で形成したが、例えば、
図4に示すように、各冷却面に複数本のヒダ13を形成
することもできる。このように冷却面に複数本のヒダ1
3を形成することで、導入された気体を冷却するための
総面積をより大きくすることができ、より効率良く冷却
することができる。
【0034】<第2実施例>次に、第2実施例に係る熱
処理装置について説明する。図5は、第2実施例に係る
熱処理装置を示す概略縦断面図である。図6は、第2実
施例の熱処理装置の昇華成分除去ユニットの概略斜視図
である。上述した第1実施例と共通する部分について
は、同一符号を付し、その説明を省略する。なお、第2
実施例に係る熱処理装置は、第1実施例に係る熱処理装
置と比べて昇華成分除去ユニット5の内部構造が異なる
ものである。
【0035】第2実施例に係る熱処理装置は、半導体ウ
エハなどの基板Wに熱処理を行なうための熱処理ユニッ
ト1と、熱処理ユニット1内に発生する気体に含まれる
昇華成分を取り除く昇華成分除去ユニット5とが、排気
管4によって連通接続されて構成されている。熱処理ユ
ニット1は、第1実施例と同様であるのでその説明を省
略する。
【0036】昇華成分除去ユニット5は、熱処理ユニッ
ト1で発生した気体を導入する導入口52および導入さ
れた気体を排出する排気口56が形成された筐体61
と、筐体61内に導入された気体を冷却する第1冷却バ
ッド62と、第1冷却バッド62で冷却された気体をさ
らに冷却する第2冷却バッド63と、第1冷却バッド6
2および第2冷却バッド63を冷却する冷却機構54
と、筐体61の排気口56の下手側流路に取付けられた
フィルタ7とから構成されている。なお、第1冷却バッ
ド62および第2冷却バッド63は本発明における捕捉
部材に相当するものである。
【0037】筐体61には、熱処理ユニット1で発生し
た気体を導入する導入口52と、導入した気体を排出す
る排気口56と、導入口52から導入された気体を排気
口56にまで導く流路空間61aとが形成されている。
筐体51の導入口52には、排気管4に連通接続された
導入管6が取付けられている。排気口56はフィルタ7
を介して、工場内に配設された排気ダクト8に連通接続
されている。導入管6の下端部から筐体61内の下方の
第1冷却バッド62に向けて導入された気体を上方に導
く第1隔壁61bと、筐体61内の天井面まで導かれた
気体をさらに下方の第2冷却バッド63にまで導く第2
隔壁61cとによって、流路空間61aは蛇行した形状
に構成されている。
【0038】第1冷却バッド62は受け皿状の冷却面6
2aを備え、第2冷却バッド63は受け皿状の冷却面6
3aを備えた引き出し形状でそれぞれ構成されている。
これら第1冷却バッド62および第2冷却バッド63
は、図6に示すように、ネジMによって筐体61に着脱
自在に取り付けられている。第1冷却バッド62は、そ
の冷却面62aが筐体61の導入口52に取付けられた
導入管6の下端部に近接する位置に配置される。その構
成により、導入管6の下端部から流路空間61aに導入
された気体は、第1冷却バッド62の冷却面62aで冷
却された後に上昇して、筐体61内の天井面にまで導か
れ、さらに下降して、第2冷却バッド63の冷却面63
aで冷却された後、排出口56に導かれる。
【0039】冷却機構54は、第1実施例と同様に図示
しない冷水供給源に繋がれて構成されている。この冷却
機構54の上方に配置された第1冷却バッド62および
第2冷却バッド63を冷却する。
【0040】以下、図5を参照しながら第2実施例に係
る熱処理装置の動作および熱処理ユニット1内で発生し
た気体について説明する。なお、図5中に記載した矢印
は気体の流れを示す。また、熱処理ユニット1で行なわ
れる処理は、第1実施例と同様であるのでその説明を省
略する。
【0041】排気管4を通じて送られてきた気体は、筐
体61の導入口52に取付けられた導入管6の下端部か
ら下方の第1冷却バッド62に向けてに導入される。導
入された気体は、第1冷却バッド62で直ちに冷却され
て、その気体に含まれる昇華成分が固化する。この第1
冷却バッド62の冷却によって固化しなかった昇華成分
を含む気体は、第1隔壁61bよって筐体61内の天井
面にまで導かれる。さらに、天井面にまで導かれた気体
は、第2隔壁61cによって下方に導かれ、その下方に
配置された第2冷却バッド63の冷却面63aでさらに
冷却される。この第2冷却バッド63によってさらに冷
却することで、第1冷却バッド62の冷却によって固化
しなかった昇華成分を固化させて、気体に含まれる昇華
成分を取り除く。第2冷却バッド63で昇華成分が取り
除かれた気体は、筐体61の排気口56にまで導かれ、
排気口56からフィルタ7を介して排気ダクト8へ排気
される。
【0042】第2実施例の熱処理装置によれば、筐体6
1内での気体の流路が長くなるので、気体の冷却効果が
向上し、昇華成分を一層効率よく除去することができ
る。
【0043】なお、上述した第2実施例の冷却バッド6
2の冷却面62a、および冷却バッド63の冷却面62
aは、ほぼ平面で形成したが、例えば、図4に示すよう
に、各冷却面に複数本のヒダ13を形成することもでき
る。このように冷却面に複数本のヒダ13を形成するこ
とで、導入された気体を冷却するための総面積をより大
きくすることができ、より効率良く冷却することができ
る。
【0044】<第3実施例>次に、第3実施例に係る熱
処理装置について説明する。図7(a)は、第3実施例
に係る熱処理装置の昇華成分除去ユニットを示す概略横
断面図である。図7(b)は、その昇華成分除去ユニッ
トの概略縦断面図である。なお、本実施例の昇華成分除
去ユニットの上手側に連通接続される熱処理ユニット、
および下手側に設けられるフィルタの各構成は第1及び
第2実施例のものと同様であるので、ここでの説明は省
略する。
【0045】昇華成分除去ユニット5は、図7に示すよ
うに、熱処理ユニットで発生した気体を導入する導入口
73および導入された気体を排出する排気口74が形成
された筐体70と、その筐体70内に形成された複数枚
の羽根板72と、複数枚の羽根板72を冷却する冷却機
構75とから構成されている。なお、複数枚の羽根板7
2は、本発明における捕捉部材に相当する。
【0046】筐体70内に形成された複数枚の羽根板7
2は、筐体70内で対向する内壁面に互い違いに並べら
れ、各々の羽根板72の先端部が、導入口73に向かっ
て片上がりした状態で形成されている(図7(b) 参
照)。
【0047】冷却機構75は、筐体70の周面を取り囲
むように冷却パイプ76が配備されて構成されていて、
図示しない冷却水供給源から送られてきた冷却水が冷却
パイプ76を循環することで、筐体70の周面から複数
枚の羽根板72を冷却する構造になっている。
【0048】以下、図7を参照しながら第3実施例に係
る熱処理装置の動作を説明する。なお、図7中に記載し
た矢印は気体の流れを示す。また、熱処理ユニットで行
なわれる処理は、第1実施例と同様であるのでその説明
を省略する。
【0049】熱処理ユニットから送られてきた気体は、
筐体70の導入口73から導入される。導入された気体
は、各羽根板72で冷却されながら、排気口74にまで
導かれる。各羽根板72は、気体に含まれる昇華成分を
冷却するので、その羽根板72上には、固化した昇華成
分が堆積していく。このとき、各羽根板72は、先端部
が持ち上がった状態で形成されているので、固化した昇
華成分は、その自重により羽根板72の基端部に集ま
る。
【0050】筐体70内に形成された複数枚の羽根板7
2によって冷却されて、昇華成分が取り除かれた気体
は、排出口74からフィルタを介して排気ダクトへ排気
される。
【0051】上述したように、第3実施例の熱処理装置
は、昇華成分を含む気体を昇華成分除去ユニット5の筐
体70内に形成された複数枚の羽根板72によって冷却
することで、昇華成分を取り除いている。また、各羽根
板72の先端部は、筐体70の導入口73に向いて片上
がりの状態に形成されているので、各羽根板72上に堆
積する固化した昇華成分を各羽根板72の基端部に集め
ることができる。その結果、固化した昇華成分が、工場
に配設された排気ダクトや、排気ダクトに繋がれた排気
処理装置などを汚染することを防止することができる。
【0052】<第4実施例>次に、第4実施例に係る熱
処理装置について説明する。図8(a)は、第4実施例
に係る熱処理装置の昇華成分除去ユニットを示す概略横
断面図である。図8(b)は、その昇華成分除去ユニッ
トの概略縦断面図である。なお、本実施例の昇華成分除
去ユニットの上手側に連通接続される熱処理ユニット、
および下手側に設けられるフィルタの各構成は第1及び
第2実施例のものと同様であるので、ここでの説明は省
略する。
【0053】昇華成分除去ユニット5は、熱処理ユニッ
トで発生した気体を導入する導入口83および導入され
た気体を排出する排気口84が形成された筐体80と、
その筐体80内に形成されたハニカム流路部82と、ハ
ニカム流路部82を冷却する冷却機構85とから構成さ
れている。なお、ハニカム流路部82は、本発明におけ
る捕捉部材に相当するものである。
【0054】筐体80内に形成されたハニカム流路部8
2は、導入口83から排出口84の方向に多数個の細長
い流通路が形成されている。
【0055】冷却機構85は、筐体80の周面を取り囲
むように冷却パイプ86が配備されて構成されていて、
図示しない冷却水供給源から送られてきた冷却水が冷却
パイプ86を循環することで、筐体80の周面からハニ
カム流路部82を冷却する構造になっている。
【0056】以下、図8を参照しながら第4実施例に係
る熱処理装置の動作を説明する。なお、図8中に記載し
た矢印は気体の流れを示す。また、熱処理ユニットで行
なわれる処理は、第1実施例と同様であるのでその説明
を省略する。
【0057】熱処理ユニットから送られてきた気体は、
筐体80の導入口83から導入される。導入された気体
は、ハニカム流路部82を通過することで冷却されなが
ら、排気口84にまで導かれる。ハニカム流路部82の
各流通路内での冷却によって、気体に含まれる昇華成分
は、固化してその各流通路の内壁面に付着する。
【0058】筐体80内に形成されたハニカム流路部8
2での冷却によって、昇華成分が取り除かれた気体は、
排気口84からフィルタを介して排気ダクトへ排気され
る。なお、上述した第4実施例に係る昇華成分除去ユニ
ット5は、導入口83と、排気口84との位置関係が鉛
直になるようにしたが、例えば、導入口83と、排気口
84との位置関係が水平になるように昇華成分除去ユニ
ット5を取付けることにより、固化した昇華成分をハニ
カム流路部82に堆積させるようにしてもよい。
【0059】上述したように、第4実施例の熱処理装置
は、昇華成分を含む気体を、その気体の流通方向に開け
られた多数の流通路が形成されたハニカム流路部82に
よって冷却しているので、排気圧を減衰させることな
く、昇華成分を取り除くことができる。その結果、工場
に配備された排気処理装置に負担をかけることなく、固
化した昇華成分に起因する汚染を防止することができ
る。
【0060】本発明は、次のように変形実施することも
可能である。 (1)上述した各実施例の昇華成分除去ユニット5の排
気口の下手側流路にフィルタ7を取り付けたが、このフ
ィルタ7は必ずしも装着する必要はない。
【0061】(2)上述した第1〜第4実施例の熱処理
装置では、熱処理ユニット1と昇華成分除去ユニット5
と排気管4で連通接続して、この排気管4を通じて気体
を流通させた。その排気管4内で昇華成分が固化する場
合には、この固化を防止するために、この排気管4の周
面にヒータを取り付けてもよい。
【0062】(3)上述した第1〜第4実施例の熱処理
装置では、工場内に設置された排気処理装置によって熱
処理ユニット1内に発生した気体を排気するものについ
て説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、
熱処理ユニット1に積極的に搬送ガス(窒素や空気な
ど)などを導入して、その導入圧力によって熱処理ユニ
ット1内に発生した気体を排気ダクト8にまで送るよう
に構成することもできる。
【0063】(4)上述した第1〜第4実施例の昇華成
分除去ユニット5の冷却機構では、冷却水を利用した冷
却機構について説明したが、本実施例はこれに限定され
るものではなく、例えば、放熱板やファンなどで構成さ
れる空冷機構や、ペルチェ素子を用いた電子冷却機構で
構成することもできる。
【0064】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、次の効果を奏する。すなわち、請求項1に記
載の発明によれば、昇華成分が含まれた気体を筐体に取
付けられた捕捉部材によって冷却し、昇華成分を捕捉部
材上で固化させて、筐体内に導入された気体から昇華成
分を取り除いているので、筐体内から排出された気体
が、筐体の排気口よりも下手側流路で固化することを防
止することができる。その結果、工場内の排気ダクト内
で昇華成分が固化するという不都合を回避することがで
きる。
【0065】請求項2に記載の発明によれば、筐体に形
成された排気口の下手側流路にフィルタを設けたので、
筐体内で冷却されて固化した昇華成分の微細な粒子の一
部が、捕捉部材上に堆積することなく、排気口から流出
しても、その下手側のフィルタによって捕捉される。そ
の結果、工場内の排気ダクト内で昇華成分が固化するの
をより確実に防止することができる。
【0066】請求項3に記載の発明によれば、捕捉部材
は筐体に着脱自在に取付けられているので、例えば捕捉
部材上に固化した昇華成分が堆積することに起因して捕
捉部材の冷却能力が低下したり、堆積した昇華成分が飛
散し易くなる前に、その固化した昇華成分が堆積した捕
捉部材を取り替えたり、固化した昇華成分を取り除くこ
とができる。その結果、筐体内に導入された気体を常に
最適な状態で冷却することができるので、筐体内に導入
された気体に含まれる昇華成分を効率良く取り除くこと
ができる。
【0067】請求項4に記載の発明によれば、熱処理時
に昇華成分を含む気体が発生しても、その気体中から昇
華成分を取り除いて、装置外に排出しているので、工場
内の排気ダクトなどが昇華成分で汚染されることがな
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の熱処理装置を示す概略縦断面図で
ある。
【図2】第1実施例装置の昇華成分除去ユニットの概略
斜視図である。
【図3】実施例装置で利用されるフィルタの分解斜視図
である。
【図4】冷却バッドの変形例を示す概略斜視図である。
【図5】第2実施例の熱処理装置を示す概略縦断面図で
ある。
【図6】第2実施例装置の昇華成分除去ユニットの概略
斜視図である。
【図7】第3実施例装置の昇華成分除去ユニットを示す
図である。
【図8】第4実施例装置の昇華成分除去ユニットを示す
図である。
【符号の説明】
1 … 熱処理ユニット 2 … カバー 3 … 載置台 4 … 排気管 5 … 昇華成分除去ユニット 6 … 導入管 7 … フィルタ 8 … 排気ダクト 51 … 第1実施例に係る筐体 52 … 導入口 53 … 冷却バッド 54 … 冷却機構 56 … 排気口 61 … 第2実施例に係る筐体 62 … 第1冷却バッド 63 … 第2冷却バッド 70 … 第3実施例に係る筐体 72 … 羽根板 73 … 第3実施例に係る導入口 74 … 第3実施例に係る排気口 75 … 第3実施例に係る冷却機構 80 … 第4実施例に係る筐体 82 … ハニカム流路部 83 … 第4実施例に係る導入口 84 … 第4実施例に係る排気口 85 … 第4実施例に係る冷却機構 W … 基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 昇華した成分を含む気体中から昇華成分
    を除去する昇華成分除去ユニットであって、 昇華成分を含む気体を導入する導入口と、前記導入口か
    ら導入した気体を排気する排気口とが形成された筐体
    と、 前記筐体の導入口から筐体内に導入された気体を冷却す
    ることで昇華成分を捕捉する捕捉部材と、 前記捕捉部材を冷却する冷却手段とを備えたことを特徴
    とする昇華成分除去ユニット。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の昇華成分除去ユニット
    において、前記ユニットは、さらに、 前記筐体の排気口よりも下手側流路にフィルタを設けた
    昇華成分除去ユニット。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の昇華成
    分除去ユニットにおいて、 前記捕捉部材は、前記筐体に着脱自在に取付けられてい
    る昇華成分除去ユニット。
  4. 【請求項4】 塗布剤が塗布された基板に熱処理を行な
    う熱処理装置であって、 前記塗布剤が塗布された基板に熱処理を行なう熱処理部
    と、 前記熱処理部で基板に熱処理が行なわれることにより発
    生した気体を前記熱処理部外に排気する排気部と、 前記排気部から排気された気体中に含まれる昇華成分を
    除去する昇華成分除去ユニットとを備え、 前記昇華成分除去ユニットは、 前記排気部から排気された昇華成分を含む気体を導入す
    る導入口と、前記導入口から導入した気体を排出する排
    気口とが形成された筐体と、 前記筐体の導入口から筐体内に導入された気体を冷却す
    ることで昇華成分を捕捉する捕捉部材と、 前記捕捉部材を冷却する冷却手段とを備えていることを
    特徴とする熱処理装置。
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