JP2022002278A - トラップ装置及び半導体製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】排気ガス中の副生成物の捕集効率を高める。【解決手段】排気ガスを流し、導出口から導出する排気ガス導入管と、前記導出口に対向し、前記導出口から導出された排気ガスが当たる位置に配置されるフィン部材と、前記排気ガス導入管を覆い、前記フィン部材を介して前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向に折り返しながら前記排気ガスを排気する排気路を有する排気路形成部材と、前記フィン部材を冷却する冷却ジャケットと、を有し、前記フィン部材は、前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向へ延出するフィン部を有する、トラップ装置が提供される。【選択図】図２

Description

本開示は、トラップ装置及び半導体製造装置に関する。
例えば、特許文献１は、排気ガスの導入口及び導出口を有するトラップ容器の内部に導入口よりも大きい断面積を有する充填型フィルタを収容し、導入口と充填型フィルタとの間に空間が設けられた排気トラップを提案する。導入口と充填型フィルタとの間の空間により、導入口から導入した排気ガスは、空間において広がった後に充填型フィルタに到達する。これにより、充填型フィルタの目詰まりを低減でき、排気トラップの長寿命化を図ることができる。
例えば、特許文献２は、排気系に設置されたトラップ内を冷却して排気ガスの温度を下げることにより、副生成物を含まない排気ガスを排気することができる排気系を備えた基板処理装置を提案する。
特開２００４−３０５９５０号公報 特開２００９−１６６３５号公報
本開示は、排気ガス中の副生成物の捕集効率を高めることができるトラップ装置及び半導体製造装置を提供する。
本開示の一の態様によれば、排気ガスを流し、導出口から導出する排気ガス導入管と、前記導出口に対向し、前記導出口から導出された排気ガスが当たる位置に配置されるフィン部材と、前記排気ガス導入管を覆い、前記フィン部材を介して前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向に折り返しながら前記排気ガスを排気する排気路を有する排気路形成部材と、前記フィン部材を冷却する冷却ジャケットと、を有し、前記フィン部材は、前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向へ延出するフィン部を有する、トラップ装置が提供される。
一の側面によれば、排気ガス中の副生成物の捕集効率を高めることができる。
第１及び第２実施形態に係る半導体製造装置の一例を示す断面模式図である。 第１実施形態に係るトラップ装置の縦断面図である。 第１実施形態に係るトラップ装置内のフィン部材を示す図である。 図２のＢ−Ｂ面からみたトラップ装置内の排気路を示す図である。 第２実施形態に係るトラップ装置の縦断面図である。 第２実施形態に係るトラップ装置内のフィン部材を示す図である。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［半導体製造装置］
最初に、第１及び第２実施形態に係る半導体製造装置１０について、図１を用いて説明する。図１は、第１及び第２実施形態に係る半導体製造装置１０の一例を示す断面模式図である。図１は、容量結合プラズマのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を示している。
半導体製造装置１０は、チャンバ１を有し、チャンバ１内に成膜処理やエッチング処理が行われる処理空間１ｓを提供する。チャンバ１内の上部電極３と載置台ＳＴとの間にプラズマを形成し、プラズマの作用により基板Ｗを処理する。載置台ＳＴは、下部電極４及び静電チャック５を有する。載置台ＳＴは、ヒータを有してもよい。下部電極４上に基板Ｗが保持される。ＲＦ電源６とＲＦ電源７は、上部電極３及び下部電極４の双方に結合され、異なるＲＦ周波数が用いられ得る。他の例では、ＲＦ電源６とＲＦ電源７が同じ電極に結合されてもよい。更に、直流電流（ＤＣ）パワーが上部電極３に結合されてもよい。チャンバ１にはガス供給部８が接続され、処理空間１ｓに処理ガスを供給する。また、チャンバ１には排気装置９が接続され、チャンバ１内部を排気する。チャンバ１と排気装置９との間のガス排気ラインＬには、トラップ装置２０が設けられ、排気ガスに含まれる副生成物を捕集する。例えばトラップ装置２０は、排気装置９の一例であるターボ分子ポンプとドライポンプとの間に配置されてもよい。
半導体製造装置１０は、プロセッサ及びメモリを含む制御部４０を有し、半導体製造装置１０の各要素を制御して基板Ｗに成膜処理等のプラズマ処理を施す。
＜第１実施形態＞
［トラップ装置］
次に、第１実施形態に係るトラップ装置２０の構成について、図２〜図４を参照しながら説明する。図２は、第１実施形態に係るトラップ装置２０の縦断面図である。図３は、第１実施形態に係るトラップ装置２０内のフィン部材２３を示す図である。図３（ａ）は、図２のＡ−Ａ面から第１実施形態に係るフィン部材２３を平面視した図である。図３（ｂ）は、第１実施形態に係るフィン部材２３の斜視図である。図４は、図２のＢ−Ｂ面で切断した断面図であり、トラップ装置２０内の第２の排気路３３の周辺を示す図である。
トラップ装置２０は、チャンバ１内の処理空間１ｓにて処理ガスを用いて基板Ｗに成膜又はエッチング等を行ったときに排出される排気ガスに含まれる副生成物を再固化して、捕集する装置である。排気ガス中の副生成物には、成膜に使用されなかった原料等が含まれる。例えばＲｕ３（ＣＯ）１２の処理ガス（原料ガス）を用いて基板Ｗにルテニウム膜等を成膜した場合、排出される排気ガスの中にルテニウム等の副生成物が含まれる。この場合、トラップ装置２０は、排気ガスに含まれるルテニウム等を捕集する。
排気ガスに含まれる副生成物は、そのまま大気中に放出されると環境汚染の原因になる。また、排気ガスの種類によっては排気系の内部に堆積物を生じさせて、例えばガス排気ラインＬのコンダクタンスを低下させたり、排気装置９の故障を招いたりすることがある。
そこで、成膜に使われなかった処理ガスを排気する際に、ガス排気ラインＬ等の排気系にトラップ装置２０を設け、トラップ装置２０内を流れる排気ガスを冷却して副生成物を再固化させて捕集する。本実施形態に係るトラップ装置２０では、副生成物の捕集効率を上げるために、トラップ装置２０の内部の排気ガスの流れに着目し、効率よく副生成物を捕集するための排気ガスの流れを作ることができる構成を提案する。
具体的には、図２に示すように、トラップ装置２０は、排気ガス導入管２１、排気路形成部材２２、フィン部材２３、冷却ジャケット２４、及び筐体２５を有する。排気ガス導入管２１は、縦断面がＬ字状に形成され、配管２１ａと配管２１ｂと導入口３０と導出口３２とを有する。配管２１ａに排気ガスの導入口３０が設けられ、配管２１ｂに排気ガスの導出口３２が設けられている。
配管２１ａは垂直方向に延び、一端にて導入口３０が上向きに開口する。配管２１ａの他端は、配管２１ａに対して略直角に配置された配管２１ｂの一端に接続される。配管２１ｂは水平方向に延び、他端にて導出口３２が横向きに開口する。排気ガスは、ガス排気ラインＬを介して導入口３０から排気ガス導入管２１内に導入される。
配管２１ａ及び配管２１ｂは、円筒状であり、配管２１ｂの長さは、配管２１ａの長さよりも長くなっている。配管２１ｂの中心軸は、トラップ装置２０の中心軸Ａｘに一致する。
排気ガス導入管２１は、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼などの金属から形成されることが好ましい。排気ガス導入管２１にはヒータが内蔵されており、排気ガス導入管２１を通る排気ガスを加熱することができる。排気ガスは、導入口３０を介して排気ガス導入管２１内の第１の排気路３１を通り、導出口３２からトラップ装置２０内へ導出される。排気ガスは、第１の排気路３１を通る際に加熱される。
排気ガス導入管２１の他端（導出口３２）側は、筐体２５の内部に挿入され、排気ガス導入管２１の一端（導入口３０）側は、筐体２５から露出する。排気ガス導入管２１の露出部分には、リング状の突起部２１ｃが形成されている。筐体２５の一端に設けられ、排気ガス導入管２１の外周に沿って延在する係合部２５ａと突起部２１ｃとの間にはＯリング３８が設けられ、筐体２５内の気密を保持し、排気ガスや再固化された副生成物が排気ガス導入管２１と筐体２５との間からトラップ装置２０外に漏れることを防止する。筐体２５の他端には排気ガスの排出口３７が形成されている。
筐体２５は、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼などの金属から形成されていることが好ましい。冷却ジャケット２４は、筐体２５の外部であって排出口３７の周りに筐体２５に沿って設けられている。冷却ジャケット２４は、流路２４ａを有し、流路２４ａに冷却水等の冷媒を流すことで、筐体２５、排気路形成部材２２及びフィン部材２３を冷却する。
筐体２５は円筒状であり、内部に排気路形成部材２２を内蔵する。排気路形成部材２２は、筐体２５よりも直径の小さい円筒状である。排気路形成部材２２は、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼などの金属から形成されていることが好ましい。排気路形成部材２２は、筐体２５に固定されている。
排気路形成部材２２は、配管２１ｂの直径よりも大きい直径を有し、配管２１ｂの少なくとも一部を覆うように配置されている。配管２１ｂ、排気路形成部材２２及び筐体２５の中心軸は中心軸Ａｘに一致する。つまり、配管２１ｂ、排気路形成部材２２及び筐体２５は、中心軸Ａｘの回りに同心円状に配置されている。
排気路形成部材２２は、筐体２５内に挿入された導出口３２側から配管２１ｂを覆い、配管２１ｂと筐体２５との間に設けられる。これにより、配管２１ｂと排気路形成部材２２の間に、配管２１ｂの外周面と排気路形成部材２２の内周面から形成される第２の排気路３３が形成される。また、排気路形成部材２２と筐体２５との間に、排気路形成部材２２の外周面と筐体２５の内周面から形成される第３の排気路３４が形成される。内側から順に第１の排気路３１、第２の排気路３３及び第３の排気路３４の各流路が水平方向に形成されている。
排気路形成部材２２は、有底の円筒状であり、フィン部材２３は、排気路形成部材２２の底部に取り付けられている。排気路形成部材２２の底部に取り付けられたフィン部材２３は、配管２１ｂの導出口３２に対向して導出口３２から導出された排気ガスが当たるように配置される。例えばフィン部材２３は、導出口３２から導出された排気ガスが略垂直に当たる位置に配置される。
フィン部材２３は、排気ガス導入管２１を流れる排気ガスの方向に対して逆方向へ延出するフィン部２６を有する。図２のＡ−Ａ面から平面視したフィン部２６を図３（ａ）に示す。また、フィン部２６の斜視図を図３（ｂ）に示す。
フィン部２６は、３つのフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃから構成され、以下、これらのフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃを総称してフィン部２６と呼ぶ場合がある。フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれは、直径が異なるリング状の部材であり、中心軸Ａｘを中心として同心円状に複数設けられ、径方向に均等に離間して配置されている。フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの直径は、フィン部２６ａの直径が最も小さく、フィン部２６ｂの直径はフィン部２６ａの直径よりも大きく、フィン部２６ｃの直径が最も大きい。
フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、内周に向かってフィン部材２３の底部２３ａからの長さが長くなっている。つまり、最内周のフィン部２６ａ、中央のフィン部２６ｂ、最外周のフィン部２６ｃの順に配管２１ｂ側に延出する長さが長い。なお、フィン部２６は、図２及び図３では３つ示されているが、これに限られず、１つであってもよいし、２つ又は４つ以上であってもよい。
ただし、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、フィン部材２３の底部２３ａからの長さが同じであってもよいし、外周に向かって長さが長くなってもよい。また、中央のフィン部２６ｂが、最内周のフィン部２６ａ及び最外周のフィン部２６ｃよりも長さが長くなってもよいし、短くなってもよい。
係る構成によりフィン部材２３は、配管２１ｂの導出口３２から導出された排気ガスがフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃに当たるように、フィン部材２３の底部２３ａからの長さが適正な長さに設計されている。つまり、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、導出口３２から適正な距離だけ離隔して導出口３２に向かって延出している。このため、導出口３２から導出された排気ガスがフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃに略垂直に当たり、フィン部材２３の内部に排気ガスの流れを形成する。その流れは、フィン部材２３の内部にて、配管２１ｂ内の第１の排気路３１を流れる排気ガスの方向に対して逆方向に折り返されることにより形成される。これにより、導出口３２から導出された排気ガスは、フィン部材２３に当たり、フィン部材２３の内部にて第２の排気路３３の方向に折り返しながら、第２の排気路３３に流入される。
排気ガスは、排気ガス導入管２１を通る間にヒータにより加熱され、導出口３２から導出される。排出された排気ガスは、冷却ジャケットの流路２４ａを流れる冷却水等の冷媒により冷却されたフィン部材２３の内部及び第２の排気路３３を形成する排気路形成部材２２の内周面であるトラップ面２７等において冷やされる。この結果、排気ガスに含まれる副生成物が再固化し、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの表面及び排気路形成部材２２のトラップ面２７に付着し、堆積する。これにより、排気ガスに含まれる副生成物を再固化させて捕集する。図２では、トラップ装置２０にて捕集された副生成物を副生成物Ｒとして示す。ただし、図２に示す副生成物Ｒの捕集場所は一例である。
特に、本実施形態では、導出口３２から導出された排気ガスが流れる方向に対して逆方向へ延出するフィン部材２３に排気ガスが十分に当たり、フィン部材２３の内部に排気ガスの流れを形成する。これにより、複数のフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの表面に再固化された副生成物Ｒを付着させ易くし、排気ガスに含まれる副生成物Ｒの捕集効率を高めることができる。更に、排気ガスは、フィン部材２３の内部にて折り返しながら、第２の排気路３３に流入し、第２の排気路３３を流れる際にトラップ面２７に再固化された副生成物Ｒを堆積させる。この結果の一例を、図２のＢ−Ｂ面の断面図である図４に示す。図４に示したように、排気ガスに含まれる副生成物Ｒは、排気路形成部材２２のトラップ面２７に捕集される。
排気ガスに含まれる副生成物Ｒは再固化されて、第２の排気路３３を通る間にトラップ面２７に捕集されながら、フィン部材２３と対向する筐体２５の面２８（図２参照）に当たって更に折り返し、第３の排気路３４を流れる。面２８、第３の排気路３４を形成する筐体２５の内周面及び排気路形成部材２２の外周面には、突起３９が形成されてもよい。これにより、冷却ジャケット２４により冷却される筐体２５及び排気路形成部材２２の表面積を増やすことで排気ガスの冷却効率を高め、排気ガス中の副生成物Ｒの再固化を促進できる。
第３の排気路３４を流れた排気ガスは、スリット３６ａを通って、第３の排気路３４に垂直に形成された第４の排気路３５に流入される。排気ガスは、排出口３７が形成される側の筐体２５の面２９に沿って第３の排気路３４と垂直な方向に流れを変えて第４の排気路３５を面２９の内側（中央）に向かって流れる。面２９は、中央で円形状に開口し、その開口に設けられたスリット３６ｂを介して排出口３７に繋がる。第４の排気路３５を流れた排気ガスは、スリット３６ｂを介して排出口３７から排出される。
以上に説明した第１実施形態に係るトラップ装置２０によれば、第１の排気路３１を流れた排気ガスは、フィン部２６に略垂直に当たり、フィン部２６の内部で折り返し、第１の排気路３１の流れと逆向きになって第２の排気路３３に流入される。これにより、排気ガスが、フィン部２６の深部まで入り込み、フィン部２６内に排気ガスの流れを形成することができる。これにより、フィン部材２３が捕集する副生成物Ｒの量を増やすことができる。この結果、トラップ装置２０の副生成物Ｒの捕集効率を高めることができる。更に、フィン部材２３を通って折り返した排気ガスを第２の排気路３３に流す構成を有することで、トラップ面２７における捕集効率を高めることができる。これにより、トラップ装置２０の長寿命化を図ることができる。
＜第２実施形態＞
［トラップ装置］
次に、第２実施形態に係るトラップ装置２０の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。図５は、第２実施形態に係るトラップ装置２０の縦断面図である。図６は、第２実施形態に係るトラップ装置２０内のフィン部材２３を示す図である。図６（ａ）は、図５のＡ−Ａ面から第２実施形態に係るフィン部材２３を平面視した図である。図６（ｂ）は、第２実施形態に係るフィン部材２３の斜視図である。
第２実施形態に係るトラップ装置２０は、フィン部材２３のフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの構成のみ異なり、その他の構成は第１実施形態に係るトラップ装置２０と同一である。よって、以下では、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの構成について説明し、その他のトラップ装置２０の構成についての説明は省略する。
図５及び図６に示すように、第２実施形態に係るフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、中心軸Ａｘを中心として同心円状に複数設けられ、径方向に均等に離隔して配置されている。第２実施形態に係るフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれには、櫛歯状の切り欠き２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１が形成されている。切り欠き２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１は、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれに凹部の開口を形成する。
フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、外周に向かってフィン部材２３の底部２３ａからの長さが長くなっている。つまり、最内周のフィン部２６ａ、中央のフィン部２６ｂ、最外周のフィン部２６ｃの順に底部２３ａから延出する長さが長くなっている。
３つの切り欠き２６ａ１は、フィン部２６ａの円周方向に等間隔に３つ形成されている。３つの切り欠き２６ｂ１は、フィン部２６ｂの円周方向に等間隔に３つ形成されている。３つの切り欠き２６ｃ１は、フィン部２６ｃの円周方向に等間隔に３つ形成されている。
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、隣り合うフィン部２６ａ、２６ｂの切り欠き２６ａ１、２６ｂ１は、重ならないように互い違いに配置されている。また、隣り合うフィン部２６ｂ、２６ｃの切り欠き２６ｂ１、２６ｃ１は、重ならないように互い違いに配置されている。
係る構成により、導出口３２から導出された排気ガスが、略垂直にフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃに当たり、各フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの内部を流れたときに、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれの切り欠き２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１を通ることができる。これにより、フィン部材２３の深部に排気ガスがより流れ込みやすくなり、かつフィン部材２３の内部の排気ガスの流れを更に良くすることができる。
また、隣り合うフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれの切り欠きが重ならないように、各切り欠き２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１が互い違いに配置されている。これにより、各切り欠き２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１を通った排気ガスが、隣り合うフィン部２６の壁面に衝突しやすい。これにより、冷却されたフィン部２６に積極的に排気ガスを衝突させることで、排気ガスに含まれる副生成物Ｒの再固化が更に促進され易い構成にすることができる。この結果、フィン部材２３内にて捕集する副生成物Ｒの量を増加させることができ、トラップ装置２０の捕集効率を高めることができる。
更に、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、外周に向かってフィン部材２３の底部２３ａからの長さが長くなっている。つまり、最外周のフィン部２６ｃ、中央のフィン部２６ｂ、最内周のフィン部２６ａの順に配管２１ｂ側に延出する長さが長くなっている。これにより、各切り欠き２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１を通った排気ガスが、フィン部材２３内を流れるときに、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの全面により衝突し易くなり、トラップ装置２０の捕集効率を高めることができる。
よって、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、外周に向かって底部２３ａからの長さが長くなる方が好ましい。ただし、各フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの長さは、これに限られない。第１実施形態と同様に、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、長さが同じであってもよいし、内周に向かって長くなってもよい。また、中央のフィン部２６ｂが、最内周のフィン部２６ａ及び最外周のフィン部２６ｃよりも長くてもよいし、短くてもよい。
なお、複数のフィン部２６は、図５及び図６では３つ示されているが、これに限られず、１つであってもよいし、２つ又は４つ以上であってもよい。また、本実施形態のようにフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのすべてに切り欠きが形成されることが好ましいが、これに限られず、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの少なくとも１つに切り欠きが形成されていてもよい。また、本実施形態では、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれに３つの切り欠きが形成されているが、これに限られず、各フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれに設けられる切り欠きの個数は、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃにて同一であってもよく、異なっていてもよい。
以上に説明した第２実施形態に係るトラップ装置２０によれば、第１の排気路３１を流れた排気ガスがフィン部２６に略垂直に当たり、フィン部２６の内部で折り返し、第１の排気路３１の流れと逆向きになって第２の排気路３３に流入する。特に、第２実施形態では、フィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃのそれぞれに切り欠きが２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１が設けられることにより、フィン部材２３の内部で排気ガスの流れを更によくすることができる。
これにより、排気ガスを、フィン部２６の深部に流し、互い違いに配置された切り欠きが２６ａ１、２６ｂ１、２６ｃ１を通ってフィン部２６ａ、２６ｂ、２６ｃの壁面に衝突させることによりフィン部材２３にて捕集される副生成物Ｒの量を更に増やすことができる。この結果、トラップ装置２０の副生成物Ｒの捕集効率をより高めることができる。更に、第１の排気路３１からフィン部材２３を通って排気ガスを折り返し、第２の排気路３３に流す構成を有することで、トラップ捕集効率を更に高めることができる。これにより、トラップ装置２０の更なる長寿命化を図ることができる。
以上に説明したように、本実施形態に係るトラップ装置２０によれば、排気ガス導入管２１に対向する位置に配置されたフィン部材２３のフィン部２６の形状を適正化することで、排気ガス中の副生成物Ｒの捕集効率を高めることができる。
今回開示された実施形態に係るトラップ装置及び半導体製造装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示のトラップ装置が搭載される半導体製造装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
また、本開示のラップ装置が搭載される半導体製造装置の一例としてプラズマ処理装置を挙げて説明したが、半導体製造装置は、基板に所定の処理（例えば、成膜処理、エッチング処理等）を施す装置であれば、プラズマ処理装置に限定されるものではない。
１ チャンバ
２ プラズマ
４ 下部電極
１０ 半導体製造装置
２０ トラップ装置
２１ 排気ガス導入管
２２ 排気路形成部材
２３ フィン部材
２４ 冷却ジャケット
３１ 第１の排気路
３３ 第２の排気路
３４ 第３の排気路
３５ 第４の排気路
３７ 排出口
４０ 制御部
Ｌ 排気ライン
ＳＴ 載置台
Ｒ 副生成物
Ｗ 基板

Claims (9)

  1. 排気ガスを流し、導出口から導出する排気ガス導入管と、
    前記導出口に対向し、前記導出口から導出された排気ガスが当たる位置に配置されるフィン部材と、
    前記排気ガス導入管を覆い、前記フィン部材を介して前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向に折り返しながら前記排気ガスを排気する排気路を有する排気路形成部材と、
    前記フィン部材を冷却する冷却ジャケットと、を有し、
    前記フィン部材は、前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向へ延出するフィン部を有する、トラップ装置。
  2. 前記フィン部は、櫛歯状の切り欠きを有する、
    請求項１に記載のトラップ装置。
  3. 前記フィン部は、同心円状に複数設けられ、
    複数の前記フィン部は、外周に向かって前記フィン部材の底部からの長さが長くなる、
    請求項２に記載のトラップ装置。
  4. 隣り合う前記フィン部のそれぞれの切り欠きは互い違いに配置されている、
    請求項２又は３に記載のトラップ装置。
  5. 前記フィン部の切り欠きは、円周方向に等間隔に複数設けられている、
    請求項２〜４のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  6. 前記フィン部の切り欠きは、凹部を形成する、
    請求項２〜５のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  7. 前記フィン部は、同心円状に複数設けられ、
    複数の前記フィン部は、径方向に均等に離間して配置されている、
    請求項１〜６のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  8. 前記フィン部材は、前記排気ガス導入管を流れる排気ガスが略垂直に当たる位置に配置されている、
    請求項１〜７のいずれか一項に記載のトラップ装置。
  9. チャンバと前記チャンバに接続されるトラップ装置とを有する半導体製造装置であって、
    前記トラップ装置は、
    前記チャンバから排気された排気ガスを流し、導出口から導出する排気ガス導入管と、
    前記導出口に対向し、前記導出口から導出された排気ガスが当たる位置に配置されるフィン部材と、
    前記排気ガス導入管を覆い、前記フィン部材を介して前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向に折り返しながら前記排気ガスを排気する排気路を有する排気路形成部材と、
    前記フィン部材を冷却する冷却ジャケットと、を有し、
    前記フィン部材は、前記排気ガス導入管を流れる排気ガスの方向に対して逆方向へ延出するフィン部を有する、
    半導体製造装置。
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