JP2002134419A - 排気ガス処理方法及び排気ガス処理装置 - Google Patents
排気ガス処理方法及び排気ガス処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気ガス配管や排気ガス処理装置内の壁面へ
の固体状物質の堆積を抑制する排気ガス処理方法及び排
気ガス処理装置を提供する。 【解決手段】 排気ガス配管に接続された排気ガス導入
管を経由して、排気ガスを排気ガス導入口から除害塔内
に導入し、該除害塔内で前記排気ガスと洗浄液とを気液
接触させて排気ガスの除害処理を行う排気ガス処理方法
において、前記排気ガス導入管内における排気ガスの速
度を前記排気ガス配管内における速度よりも高める。
の固体状物質の堆積を抑制する排気ガス処理方法及び排
気ガス処理装置を提供する。 【解決手段】 排気ガス配管に接続された排気ガス導入
管を経由して、排気ガスを排気ガス導入口から除害塔内
に導入し、該除害塔内で前記排気ガスと洗浄液とを気液
接触させて排気ガスの除害処理を行う排気ガス処理方法
において、前記排気ガス導入管内における排気ガスの速
度を前記排気ガス配管内における速度よりも高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、排気ガス処理方法
及び排気ガス処理装置に関する。
及び排気ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程におけるシリコン薄膜の
気相成長工程では、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ
4）、ジクロロシラン(ＳｉＨ2Ｃｌ2)、トリクロロシラ
ン（ＳｉＨＣｌ3）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ4）等の珪素
化合物、キャリアガスとしてＨ 2ガスが通常使用され
る。前記原料ガスは、気相反応してシリコン薄膜を形成
すると伴に、水素化珪素（ＳｉnＨ2n+2）、ジクロロシ
ラン、トリクロロシラン、塩化水素（ＨＣｌ）等を生成
する。そして、前記気相成長工程から排出されるＨ2ガ
ス、ＨＣｌガス、珪素化合物等を含む排気ガスは、湿式
除害装置(以下、スクラバーという)を用いて無害化（除
害）された後、大気中に放出される。
気相成長工程では、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ
4）、ジクロロシラン(ＳｉＨ2Ｃｌ2)、トリクロロシラ
ン（ＳｉＨＣｌ3）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ4）等の珪素
化合物、キャリアガスとしてＨ 2ガスが通常使用され
る。前記原料ガスは、気相反応してシリコン薄膜を形成
すると伴に、水素化珪素（ＳｉnＨ2n+2）、ジクロロシ
ラン、トリクロロシラン、塩化水素（ＨＣｌ）等を生成
する。そして、前記気相成長工程から排出されるＨ2ガ
ス、ＨＣｌガス、珪素化合物等を含む排気ガスは、湿式
除害装置(以下、スクラバーという)を用いて無害化（除
害）された後、大気中に放出される。
【０００３】例えば、図５（ａ）に示す従来のスクラバ
ー２０は、洗浄液を噴射ノズル２１から高圧ジェット噴
射し、排気ガス導入管２２から除害塔２３へ導入される
珪素化合物を含む排気ガスと気液接触させることにより
洗浄液と反応させて、ＨＣｌガスや珪素化合物等を除去
している（特開昭６３−５９３３７号公報）。除害され
た排気ガスは、液受溜２４の上部を通ってミスト除去装
置２５に入り、邪魔板層２６を通過し、排気ガス中のミ
ストが分離された後、大気中へ放出される。液受溜２４
の洗浄液は循環ポンプ２７により噴射ノズル２１に供給
された後、再び噴射されて排気ガスと気液接触する。こ
の際、珪素化合物と洗浄液との反応により、粒子状の固
形物であるシリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン水酸
化物（ＳｉＨ（ＯＨ）3）等が生じ、噴射ノズル２１、
排気ガス導入管２２、邪魔板層２６等にこれら固形物が
堆積して、配管等を閉塞させる。特に図５（ｂ）に示す
ように、排気ガス導入管２２における排気ガス出口２８
に反応生成物である固体物質が堆積しやすい。
ー２０は、洗浄液を噴射ノズル２１から高圧ジェット噴
射し、排気ガス導入管２２から除害塔２３へ導入される
珪素化合物を含む排気ガスと気液接触させることにより
洗浄液と反応させて、ＨＣｌガスや珪素化合物等を除去
している（特開昭６３−５９３３７号公報）。除害され
た排気ガスは、液受溜２４の上部を通ってミスト除去装
置２５に入り、邪魔板層２６を通過し、排気ガス中のミ
ストが分離された後、大気中へ放出される。液受溜２４
の洗浄液は循環ポンプ２７により噴射ノズル２１に供給
された後、再び噴射されて排気ガスと気液接触する。こ
の際、珪素化合物と洗浄液との反応により、粒子状の固
形物であるシリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン水酸
化物（ＳｉＨ（ＯＨ）3）等が生じ、噴射ノズル２１、
排気ガス導入管２２、邪魔板層２６等にこれら固形物が
堆積して、配管等を閉塞させる。特に図５（ｂ）に示す
ように、排気ガス導入管２２における排気ガス出口２８
に反応生成物である固体物質が堆積しやすい。
【０００４】そこで、特開昭６３−５９３３７号公報記
載のスクラバー２０では、図５（ｂ）に拡大して示すよ
うに、洗浄ノズル２９から洗浄液を噴射して排気ガス出
口２８に堆積した堆積物を除去する。また、洗浄装置３
０から洗浄液を噴射して邪魔板層２６に付着した堆積物
を除去している。排気ガス出口に堆積した堆積物を除去
する手段としては、棒などで堆積物を掻き出す方法も知
られている(特開平９−１８６０９３号公報)。
載のスクラバー２０では、図５（ｂ）に拡大して示すよ
うに、洗浄ノズル２９から洗浄液を噴射して排気ガス出
口２８に堆積した堆積物を除去する。また、洗浄装置３
０から洗浄液を噴射して邪魔板層２６に付着した堆積物
を除去している。排気ガス出口に堆積した堆積物を除去
する手段としては、棒などで堆積物を掻き出す方法も知
られている(特開平９−１８６０９３号公報)。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、珪素化
合物は水蒸気とも反応するため、例えば排気ガス導入管
２２に水蒸気成分が逆流すると、洗浄液が供給されない
配管途中に堆積物が生成して、配管を閉塞させることが
ある。また、排気ガス中に水素などの質量の軽い成分が
多く含まれると、除害塔２３の上部へも排気ガスが流
れ、そこで排気ガス中の珪素化合物と水とが反応して固
体物質が生成し、除害塔２３の上部の洗浄液が供給され
ない箇所に堆積物が蓄積される。すると、堆積物を除去
するために定期的にスクラバー２０を停止して、スクラ
バー２０や半導体製造装置までの配管を掃除する必要が
ある。
合物は水蒸気とも反応するため、例えば排気ガス導入管
２２に水蒸気成分が逆流すると、洗浄液が供給されない
配管途中に堆積物が生成して、配管を閉塞させることが
ある。また、排気ガス中に水素などの質量の軽い成分が
多く含まれると、除害塔２３の上部へも排気ガスが流
れ、そこで排気ガス中の珪素化合物と水とが反応して固
体物質が生成し、除害塔２３の上部の洗浄液が供給され
ない箇所に堆積物が蓄積される。すると、堆積物を除去
するために定期的にスクラバー２０を停止して、スクラ
バー２０や半導体製造装置までの配管を掃除する必要が
ある。
【０００６】本発明の課題は、排気ガス配管や排気ガス
処理装置内の壁への固体状物質の堆積を抑制する排気ガ
ス処理方法及び排気ガス処理装置を提供することであ
る。
処理装置内の壁への固体状物質の堆積を抑制する排気ガ
ス処理方法及び排気ガス処理装置を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の排気ガス処理方法は、排気ガス配管に接続
された排気ガス導入管を経由して、排気ガスを排気ガス
導入口から除害塔内に導入し、該除害塔内で前記排気ガ
スと洗浄液とを気液接触させて排気ガスの除害処理を行
う排気ガス処理方法において、前記排気ガス導入管内に
おける排気ガスの速度を前記排気ガス配管内における速
度よりも高めることを特徴としている。
め、本発明の排気ガス処理方法は、排気ガス配管に接続
された排気ガス導入管を経由して、排気ガスを排気ガス
導入口から除害塔内に導入し、該除害塔内で前記排気ガ
スと洗浄液とを気液接触させて排気ガスの除害処理を行
う排気ガス処理方法において、前記排気ガス導入管内に
おける排気ガスの速度を前記排気ガス配管内における速
度よりも高めることを特徴としている。
【０００８】本発明の排気ガス処理方法によれば、排気
ガス導入管内における排気ガスの速度を排気ガス配管内
における速度よりも高めるため、除害塔内に拡散して水
分を含んでいる排気ガスが排気ガス導入管内及び排気ガ
ス配管内へ逆流することが抑制されるので、排気ガス中
の珪素化合物と水分とが反応して生成する固形反応生成
物の排気ガス導入管及び排気ガス配管への堆積を抑制す
ることができる。また、排気ガス導入管内における排気
ガスの速度を高めることにより排気ガスの除害塔内への
導入速度が高まるので、排気ガスと除害塔内の洗浄液と
の接触頻度が高まり、排気ガス中の珪素化合物と洗浄液
との反応性を高めることができる。すると、固形反応生
成物の大きさが小さくなり、除害塔内の壁面への反応生
成物の堆積や、循環ポンプあるいは充填材の目詰まりを
抑制できる。従って、排気ガスの除害処理を長期間連続
して行うことができる。
ガス導入管内における排気ガスの速度を排気ガス配管内
における速度よりも高めるため、除害塔内に拡散して水
分を含んでいる排気ガスが排気ガス導入管内及び排気ガ
ス配管内へ逆流することが抑制されるので、排気ガス中
の珪素化合物と水分とが反応して生成する固形反応生成
物の排気ガス導入管及び排気ガス配管への堆積を抑制す
ることができる。また、排気ガス導入管内における排気
ガスの速度を高めることにより排気ガスの除害塔内への
導入速度が高まるので、排気ガスと除害塔内の洗浄液と
の接触頻度が高まり、排気ガス中の珪素化合物と洗浄液
との反応性を高めることができる。すると、固形反応生
成物の大きさが小さくなり、除害塔内の壁面への反応生
成物の堆積や、循環ポンプあるいは充填材の目詰まりを
抑制できる。従って、排気ガスの除害処理を長期間連続
して行うことができる。
【０００９】本発明の排気ガス処理方法において、前記
排気ガス導入管内における排気ガスの速度は、２．７ｍ
／秒より速いことが好ましく、より好ましくは５ｍ／秒
以上１５ｍ／秒以下である。本発明の排気ガス処理方法
によると、前記排気ガスが珪素化合物を含んでいる場
合、前記排気ガスと洗浄液とが気液接触して生成する珪
素含有粒子の直径が１ｍｍ以下になる。
排気ガス導入管内における排気ガスの速度は、２．７ｍ
／秒より速いことが好ましく、より好ましくは５ｍ／秒
以上１５ｍ／秒以下である。本発明の排気ガス処理方法
によると、前記排気ガスが珪素化合物を含んでいる場
合、前記排気ガスと洗浄液とが気液接触して生成する珪
素含有粒子の直径が１ｍｍ以下になる。
【００１０】本発明の排気ガス処理方法において、前記
排気ガス導入口から前記除害塔内に導入された排気ガス
を取り囲んで、不活性ガスを排気ガスの流れ方向と同一
方向に流すとともに、不活性ガスの周囲に洗浄液を供給
すると、除害塔内に導入された直後に排気ガスが除害塔
内の水分と接触することを防止できるので、排気ガス導
入管内への固形反応生成物の堆積を抑制できる。
排気ガス導入口から前記除害塔内に導入された排気ガス
を取り囲んで、不活性ガスを排気ガスの流れ方向と同一
方向に流すとともに、不活性ガスの周囲に洗浄液を供給
すると、除害塔内に導入された直後に排気ガスが除害塔
内の水分と接触することを防止できるので、排気ガス導
入管内への固形反応生成物の堆積を抑制できる。
【００１１】本発明の排気ガス処理方法において、前記
除害塔の内壁面に刻みを付けることにより、前記除害塔
の内壁表面全体に洗浄液を流すと、除害塔に、例えば、
ＰＶＣ（polyvinyl chloride：ポリ塩化ビニル）、ＦＲ
Ｐ（fiber-reinforced plastics：繊維強化プラスチッ
ク）等の撥水性の材料が用いられても、洗浄液が刻みに
沿って流れて除害塔の内壁表面全体に絶え間なく流れる
ので、固形反応生成物が内壁表面に付着すると同時に洗
浄液で洗い流すことができ、除害塔内の内壁表面全体へ
の反応生成物の堆積を抑制できる。また、洗浄液が刻み
に沿って除害塔の内壁表面全体に流れることにより、大
量の洗浄液を用いて内壁表面全体にくまなく噴射する必
要がないので、洗浄液の量を節約できる。
除害塔の内壁面に刻みを付けることにより、前記除害塔
の内壁表面全体に洗浄液を流すと、除害塔に、例えば、
ＰＶＣ（polyvinyl chloride：ポリ塩化ビニル）、ＦＲ
Ｐ（fiber-reinforced plastics：繊維強化プラスチッ
ク）等の撥水性の材料が用いられても、洗浄液が刻みに
沿って流れて除害塔の内壁表面全体に絶え間なく流れる
ので、固形反応生成物が内壁表面に付着すると同時に洗
浄液で洗い流すことができ、除害塔内の内壁表面全体へ
の反応生成物の堆積を抑制できる。また、洗浄液が刻み
に沿って除害塔の内壁表面全体に流れることにより、大
量の洗浄液を用いて内壁表面全体にくまなく噴射する必
要がないので、洗浄液の量を節約できる。
【００１２】前記洗浄液を複数の噴射口を有する噴射管
から噴射する場合、噴射管から噴射された洗浄液の一部
で噴射管自体を洗浄すると、噴射管への反応生成物の堆
積を抑制できる。
から噴射する場合、噴射管から噴射された洗浄液の一部
で噴射管自体を洗浄すると、噴射管への反応生成物の堆
積を抑制できる。
【００１３】本発明の排気ガス処理装置は、排気ガス配
管に接続された排気ガス導入管を経由して、排気ガスを
排気ガス導入口から除害塔内に導入し、該除害塔内で前
記排気ガスと洗浄液とを気液接触させて排気ガスの除害
処理を行う排気ガス処理装置において、前記排気ガス導
入管を取り囲んで不活性ガスを除害塔内に導入する不活
性ガス導入管と、前記不活性ガス導入管のガス出口の周
囲で該ガス出口を取り囲む庇板と、前記不活性ガス導入
管の周囲に洗浄液を供給する噴射管とを備え、前記排気
ガス導入管の内径は前記排気ガス配管の内径よりも狭い
ことを特徴としている。
管に接続された排気ガス導入管を経由して、排気ガスを
排気ガス導入口から除害塔内に導入し、該除害塔内で前
記排気ガスと洗浄液とを気液接触させて排気ガスの除害
処理を行う排気ガス処理装置において、前記排気ガス導
入管を取り囲んで不活性ガスを除害塔内に導入する不活
性ガス導入管と、前記不活性ガス導入管のガス出口の周
囲で該ガス出口を取り囲む庇板と、前記不活性ガス導入
管の周囲に洗浄液を供給する噴射管とを備え、前記排気
ガス導入管の内径は前記排気ガス配管の内径よりも狭い
ことを特徴としている。
【００１４】本発明の排気ガス処理装置において、前記
除害塔内の内壁面に刻みを付けることが好ましい。前記
噴射管は、噴射した洗浄液が前記除害塔の内壁表面を洗
浄する第１の噴射口と、噴射した洗浄液が噴射管自体を
洗浄する第２の噴射口とを有してもよい。
除害塔内の内壁面に刻みを付けることが好ましい。前記
噴射管は、噴射した洗浄液が前記除害塔の内壁表面を洗
浄する第１の噴射口と、噴射した洗浄液が噴射管自体を
洗浄する第２の噴射口とを有してもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、本発明に係
る排気ガス処理装置について説明する。図１は、本発明
に係る排気ガス処理装置（以下、スクラバーという）１
の概略構成を示す縦断面図、図２は、図１の矢印Ａ−Ａ
線に沿った除害塔２の断面図、図３は、除害塔２に導入
された排気ガスの流れを模式的に示す図、図４は、図１
の除害塔２の上部を拡大して示す部分縦断面図であり、
庇板の下側に固形物が堆積している様子を示す。本発明
のスクラバー１は、シリコン薄膜の気相成長工程あるい
はトリクロロシラン等の珪素化合物を製造する製造工程
等から排出される排気ガスに含まれる珪素化合物を、洗
浄液との気液接触により除去した後、除害された排気ガ
スを大気中に放出する装置である。本実施の形態におい
ては、シリコン薄膜の気相成長工程から排出される排気
ガスを除害処理する場合について説明する。
る排気ガス処理装置について説明する。図１は、本発明
に係る排気ガス処理装置（以下、スクラバーという）１
の概略構成を示す縦断面図、図２は、図１の矢印Ａ−Ａ
線に沿った除害塔２の断面図、図３は、除害塔２に導入
された排気ガスの流れを模式的に示す図、図４は、図１
の除害塔２の上部を拡大して示す部分縦断面図であり、
庇板の下側に固形物が堆積している様子を示す。本発明
のスクラバー１は、シリコン薄膜の気相成長工程あるい
はトリクロロシラン等の珪素化合物を製造する製造工程
等から排出される排気ガスに含まれる珪素化合物を、洗
浄液との気液接触により除去した後、除害された排気ガ
スを大気中に放出する装置である。本実施の形態におい
ては、シリコン薄膜の気相成長工程から排出される排気
ガスを除害処理する場合について説明する。
【００１６】シリコン薄膜の気相成長工程においては、
原料ガスとしてモノシラン、ジクロロシラン、トリクロ
ロシラン、四塩化珪素等の珪素化合物、キャリアガスと
してＨ2ガス、ドーパントガスとしてジボラン(Ｂ
2Ｈ6)、ホスフィン(ＰＨ3)等が通常用いられる。また、
上記工程に用いられる反応装置の内部を清浄にする為、
ＨＣｌガスが用いられる。そして、原料ガスの反応生成
物である四塩化珪素、トリクロロシラン、ジクロロシラ
ンや、未反応の上記原料ガス、Ｈ2ガス、ドーパントガ
ス、ＨＣｌガス等を含む排気ガスがスクラバー１へ導入
される。
原料ガスとしてモノシラン、ジクロロシラン、トリクロ
ロシラン、四塩化珪素等の珪素化合物、キャリアガスと
してＨ2ガス、ドーパントガスとしてジボラン(Ｂ
2Ｈ6)、ホスフィン(ＰＨ3)等が通常用いられる。また、
上記工程に用いられる反応装置の内部を清浄にする為、
ＨＣｌガスが用いられる。そして、原料ガスの反応生成
物である四塩化珪素、トリクロロシラン、ジクロロシラ
ンや、未反応の上記原料ガス、Ｈ2ガス、ドーパントガ
ス、ＨＣｌガス等を含む排気ガスがスクラバー１へ導入
される。
【００１７】スクラバー１は、除害塔２、排気ガス導入
管３、不活性ガス導入管４、庇板５、洗浄液噴射管６、
充填材７、高圧ジェット流供給管８、処理ガス排出部
９、液受溜１０、循環ポンプ１１、水位計１２、開閉弁
１３、排水管１４等を備えている。除害塔２は、ＰＶＣ
により形成されている。除害塔２の内壁表面の全体に
は、洗浄液の下方向への流れに対して垂直に、例えばキ
ズ状の刻みが紙ヤスリ等で細かなピッチの凹凸状に付さ
れている。この結果、ＰＶＣは撥水性であるが、除害塔
２の側壁では、洗浄液が刻みを伝いながら側壁全体に流
れることができる。排気ガス導入管３は除害塔２の上端
に備えられ、シリコン薄膜の気相成長工程から排出され
た排気ガスを流す排気ガス配管１５と接続されており、
この排気ガスを排気ガス導入口３ａから除害塔２内へ図
１の下方向に導入する。排気ガス導入管３及び排気ガス
配管１５は円筒形状を有し、排気ガス導入管３の内径は
排気ガス配管１５の内径の1/１2〜2/3である。つまり、
排気ガス導入管３の内径は、排気ガス配管１５の内径よ
りも小さく形成され、排気ガスの除害塔２への導入速度
を高めている。
管３、不活性ガス導入管４、庇板５、洗浄液噴射管６、
充填材７、高圧ジェット流供給管８、処理ガス排出部
９、液受溜１０、循環ポンプ１１、水位計１２、開閉弁
１３、排水管１４等を備えている。除害塔２は、ＰＶＣ
により形成されている。除害塔２の内壁表面の全体に
は、洗浄液の下方向への流れに対して垂直に、例えばキ
ズ状の刻みが紙ヤスリ等で細かなピッチの凹凸状に付さ
れている。この結果、ＰＶＣは撥水性であるが、除害塔
２の側壁では、洗浄液が刻みを伝いながら側壁全体に流
れることができる。排気ガス導入管３は除害塔２の上端
に備えられ、シリコン薄膜の気相成長工程から排出され
た排気ガスを流す排気ガス配管１５と接続されており、
この排気ガスを排気ガス導入口３ａから除害塔２内へ図
１の下方向に導入する。排気ガス導入管３及び排気ガス
配管１５は円筒形状を有し、排気ガス導入管３の内径は
排気ガス配管１５の内径の1/１2〜2/3である。つまり、
排気ガス導入管３の内径は、排気ガス配管１５の内径よ
りも小さく形成され、排気ガスの除害塔２への導入速度
を高めている。
【００１８】排気ガス導入管３内における排気ガスの速
度は、２．７ｍ／秒より速くなるように排気ガス導入管
３の内径が設計されている。これは、排気ガスの導入速
度が２．７ｍ／秒より遅いと、除害塔２内に拡散して水
分を含んだ排気ガスが排気ガス導入管３や排気ガス配管
１５へ逆流して堆積物を生じ、これらを閉塞させるため
である。本実施の形態では、５ｍ／秒以上１５ｍ／秒以
下の速度で排気ガスを除害塔２内へ導入する。すると、
排気ガスと洗浄液とが気液接触して生成する珪素含有粒
子の直径が１ｍｍ以下になる。ただし、排気ガスの逆流
をより効果的に抑制するためには排気ガスの導入速度は
速い方が良いが、排気ガスの速度を１５ｍ／秒より高く
すると、除害塔２がＰＶＣにより形成されているため、
静電気が発生しやすくなってしまう。
度は、２．７ｍ／秒より速くなるように排気ガス導入管
３の内径が設計されている。これは、排気ガスの導入速
度が２．７ｍ／秒より遅いと、除害塔２内に拡散して水
分を含んだ排気ガスが排気ガス導入管３や排気ガス配管
１５へ逆流して堆積物を生じ、これらを閉塞させるため
である。本実施の形態では、５ｍ／秒以上１５ｍ／秒以
下の速度で排気ガスを除害塔２内へ導入する。すると、
排気ガスと洗浄液とが気液接触して生成する珪素含有粒
子の直径が１ｍｍ以下になる。ただし、排気ガスの逆流
をより効果的に抑制するためには排気ガスの導入速度は
速い方が良いが、排気ガスの速度を１５ｍ／秒より高く
すると、除害塔２がＰＶＣにより形成されているため、
静電気が発生しやすくなってしまう。
【００１９】不活性ガス導入管４は、排気ガス導入管３
の周囲を取り囲むように設置され、窒素(Ｎ2)、ヘリウ
ム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の乾燥した不活性ガス
をガス導入口４ａ(図３)から除害塔２へ導入する。不活
性ガスは、ガス導入口４ａ付近で排気ガスを取り囲んで
流れる。これにより、除害塔２内に導入された直後に排
気ガスが除害塔２内の水分と反応して、シリコン酸化物
あるいはシリコン水酸化物等の固形反応生成物が排気ガ
ス導入管３の内壁に堆積することを防止する。
の周囲を取り囲むように設置され、窒素(Ｎ2)、ヘリウ
ム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の乾燥した不活性ガス
をガス導入口４ａ(図３)から除害塔２へ導入する。不活
性ガスは、ガス導入口４ａ付近で排気ガスを取り囲んで
流れる。これにより、除害塔２内に導入された直後に排
気ガスが除害塔２内の水分と反応して、シリコン酸化物
あるいはシリコン水酸化物等の固形反応生成物が排気ガ
ス導入管３の内壁に堆積することを防止する。
【００２０】庇板５は、不活性ガス導入管４の下部の周
囲に取り付けられ、図１、図２に示すように下方向に広
がり、排気ガス導入口３ａを取り囲む庇状又は傘状の形
状を有している。これは、除害塔２内に導入された直後
の排気ガスが洗浄液に接触することを防止するととも
に、排気ガスの流れを規制して、図３に示すように、排
気ガス導入管３から導入された排気ガスが渦を形成して
上昇した後、再び排気ガス導入管３のガス出口である排
気ガス導入口３ａや不活性ガス導入管４のガス導入口４
ａ付近へ流れることを抑制するためである。これによ
り、排気ガス導入口３ａや不活性ガス導入管４のガス導
入口４ａに固形の反応生成物が堆積することを抑制す
る。排気ガスの流れの規制は、不活性ガス導入管４内に
流す不活性ガスの流速を速くする（例えば、窒素を毎秒
１０ｍの速度で流す）ことによっても達成することがで
きる。
囲に取り付けられ、図１、図２に示すように下方向に広
がり、排気ガス導入口３ａを取り囲む庇状又は傘状の形
状を有している。これは、除害塔２内に導入された直後
の排気ガスが洗浄液に接触することを防止するととも
に、排気ガスの流れを規制して、図３に示すように、排
気ガス導入管３から導入された排気ガスが渦を形成して
上昇した後、再び排気ガス導入管３のガス出口である排
気ガス導入口３ａや不活性ガス導入管４のガス導入口４
ａ付近へ流れることを抑制するためである。これによ
り、排気ガス導入口３ａや不活性ガス導入管４のガス導
入口４ａに固形の反応生成物が堆積することを抑制す
る。排気ガスの流れの規制は、不活性ガス導入管４内に
流す不活性ガスの流速を速くする（例えば、窒素を毎秒
１０ｍの速度で流す）ことによっても達成することがで
きる。
【００２１】図３は導入された排気ガスの流れを模式的
に示す図であり、図３の点線の矢印は庇板５がない場合
の排気ガスの流れを示し、実線の矢印は、本実施の形態
における排気ガスの流れを示す。庇板５により、排気ガ
スが排気ガス導入口３ａや不活性ガス導入管４のガス導
入口４ａ付近へ流れることをほぼ防いでいるが、排気ガ
スの一部は庇板５と不活性ガス導入管４との間に流れて
いるのがわかる。このため、図４に示すように庇板５の
下側に固形物が堆積するが、後述の高圧ジェット流供給
管８から噴射される高圧ジェット流状の水により固形物
は除去できる。
に示す図であり、図３の点線の矢印は庇板５がない場合
の排気ガスの流れを示し、実線の矢印は、本実施の形態
における排気ガスの流れを示す。庇板５により、排気ガ
スが排気ガス導入口３ａや不活性ガス導入管４のガス導
入口４ａ付近へ流れることをほぼ防いでいるが、排気ガ
スの一部は庇板５と不活性ガス導入管４との間に流れて
いるのがわかる。このため、図４に示すように庇板５の
下側に固形物が堆積するが、後述の高圧ジェット流供給
管８から噴射される高圧ジェット流状の水により固形物
は除去できる。
【００２２】洗浄液噴射管６は、庇板５の上方であっ
て、不活性ガス導入管４の周囲に位置している。洗浄液
は、ＨＣｌ等の酸成分を含む水溶液でも良いし、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ成分を含む水
溶液でも良い。あるいは水道水でも良い。洗浄液噴射管
６には、除害塔の下方向及び側壁に対して洗浄液を噴射
する第１の噴射口６ａと、除害塔の上壁に対して洗浄液
を噴射する第２の噴射口６ｂがそれぞれ複数形成され、
洗浄液噴射管６は、除害塔２内に拡散した排気ガスに対
して洗浄液を噴射するとともに、除害塔２の上壁と側壁
に洗浄液が流れるように洗浄液を噴射する。除害塔２の
上壁及び側壁を含む内壁面に付着した固形の反応生成物
は、特にその直径が１ｍｍ以下の場合、内壁面を流れる
洗浄液により容易に洗い流される。
て、不活性ガス導入管４の周囲に位置している。洗浄液
は、ＨＣｌ等の酸成分を含む水溶液でも良いし、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ成分を含む水
溶液でも良い。あるいは水道水でも良い。洗浄液噴射管
６には、除害塔の下方向及び側壁に対して洗浄液を噴射
する第１の噴射口６ａと、除害塔の上壁に対して洗浄液
を噴射する第２の噴射口６ｂがそれぞれ複数形成され、
洗浄液噴射管６は、除害塔２内に拡散した排気ガスに対
して洗浄液を噴射するとともに、除害塔２の上壁と側壁
に洗浄液が流れるように洗浄液を噴射する。除害塔２の
上壁及び側壁を含む内壁面に付着した固形の反応生成物
は、特にその直径が１ｍｍ以下の場合、内壁面を流れる
洗浄液により容易に洗い流される。
【００２３】洗浄液噴射管６から噴射された洗浄液は、
排気ガス導入管３から導入された排気ガスと充填材７の
表面で効率的に気液接触する。第２の噴射口６ｂから除
害塔２の上壁方向へ噴射された洗浄液の一部は、洗浄液
噴射管６上へ落ちるため、洗浄液噴射管６自体も洗浄さ
れる。これは、洗浄液噴射管６へシリコン水酸化物等の
固体状物質が堆積することを防止する。高圧ジェット流
供給管８は、庇板５の下方に設けられ、図４に示すよう
な庇板５の下側に堆積するシリコン水酸化物等の固体状
物質に対して、高圧ジェット流の水を噴射して堆積物を
除去する。
排気ガス導入管３から導入された排気ガスと充填材７の
表面で効率的に気液接触する。第２の噴射口６ｂから除
害塔２の上壁方向へ噴射された洗浄液の一部は、洗浄液
噴射管６上へ落ちるため、洗浄液噴射管６自体も洗浄さ
れる。これは、洗浄液噴射管６へシリコン水酸化物等の
固体状物質が堆積することを防止する。高圧ジェット流
供給管８は、庇板５の下方に設けられ、図４に示すよう
な庇板５の下側に堆積するシリコン水酸化物等の固体状
物質に対して、高圧ジェット流の水を噴射して堆積物を
除去する。
【００２４】処理ガス排出部９は除害塔２の横に並列に
設置され、液受溜１０を介して除害塔２に接続されてい
る。排気ガスと洗浄液とが気液接触することにより、珪
素化合物とＨＣｌガス成分が除去されて大気中に放出可
能な濃度まで除害された排気ガスは、処理ガス排出部９
を通り、大気中へ放出される。
設置され、液受溜１０を介して除害塔２に接続されてい
る。排気ガスと洗浄液とが気液接触することにより、珪
素化合物とＨＣｌガス成分が除去されて大気中に放出可
能な濃度まで除害された排気ガスは、処理ガス排出部９
を通り、大気中へ放出される。
【００２５】液受溜１０は除害塔２と処理ガス排出部９
の下部に設置され、洗浄液噴射管６及び高圧ジェット流
供給管８から噴射された洗浄液等を受ける。液受溜１０
の洗浄液は、循環ポンプ１１で汲み上げられて洗浄液噴
射管６へ供給され、再び洗浄液として噴射されて排気ガ
スと気液接触する。水位計１２は、液受溜１０の水位を
検出するためのもので、液受溜１０の液面が設定された
水位より低下すると水位計１２に連動する開閉弁１３が
開き、洗浄液が補給される。また、水位が上昇し過ぎる
と強制的に排水管１４から排水される。
の下部に設置され、洗浄液噴射管６及び高圧ジェット流
供給管８から噴射された洗浄液等を受ける。液受溜１０
の洗浄液は、循環ポンプ１１で汲み上げられて洗浄液噴
射管６へ供給され、再び洗浄液として噴射されて排気ガ
スと気液接触する。水位計１２は、液受溜１０の水位を
検出するためのもので、液受溜１０の液面が設定された
水位より低下すると水位計１２に連動する開閉弁１３が
開き、洗浄液が補給される。また、水位が上昇し過ぎる
と強制的に排水管１４から排水される。
【００２６】次に、上記スクラバー１における排気ガス
処理方法について説明する。まず、シリコン薄膜の気相
成長工程から排出される珪素化合物、ＨＣｌガス、Ｈ2
ガス等を含む排気ガスは、排気ガス配管１５内を毎秒
０．１ｍ〜１．３ｍの速度で流れるが、排気ガス導入管
３内に流れ込んだ時に加速され、排気ガス導入管３の内
部を毎秒５ｍ〜１５ｍの速度で流れる。そして、排気ガ
スは速度が毎秒５ｍ〜１５ｍの状態で、排気ガス導入口
３ａから除害塔２の内部へ下方向に導入される。この
時、この排気ガスはＨ2ガスを９９％程度含むので質量
が軽く、図３に示すように、除害塔２に導入されると排
気ガスの一部は除害塔２の上部へ流れる。
処理方法について説明する。まず、シリコン薄膜の気相
成長工程から排出される珪素化合物、ＨＣｌガス、Ｈ2
ガス等を含む排気ガスは、排気ガス配管１５内を毎秒
０．１ｍ〜１．３ｍの速度で流れるが、排気ガス導入管
３内に流れ込んだ時に加速され、排気ガス導入管３の内
部を毎秒５ｍ〜１５ｍの速度で流れる。そして、排気ガ
スは速度が毎秒５ｍ〜１５ｍの状態で、排気ガス導入口
３ａから除害塔２の内部へ下方向に導入される。この
時、この排気ガスはＨ2ガスを９９％程度含むので質量
が軽く、図３に示すように、除害塔２に導入されると排
気ガスの一部は除害塔２の上部へ流れる。
【００２７】不活性ガス導入管４からは、排気ガスの導
入される方向と同一の方向へ排気ガスを取り囲んで窒素
ガスが毎秒１ｍの速度で導入される。窒素ガスの導入及
び庇板５による排気ガスの流れ方向の規制にもかかわら
ず、庇板５の不活性ガス導入管４側に堆積物が付着した
時は、高圧ジェット流供給管８から高圧ジェット流状の
水を堆積物に対して噴射して堆積物を除去する。
入される方向と同一の方向へ排気ガスを取り囲んで窒素
ガスが毎秒１ｍの速度で導入される。窒素ガスの導入及
び庇板５による排気ガスの流れ方向の規制にもかかわら
ず、庇板５の不活性ガス導入管４側に堆積物が付着した
時は、高圧ジェット流供給管８から高圧ジェット流状の
水を堆積物に対して噴射して堆積物を除去する。
【００２８】除害塔２の内部では、洗浄液噴射管６が除
害塔２の上下方向に対して洗浄液を噴射しており、この
洗浄液と導入された排気ガスとが気液接触する。噴射さ
れた洗浄液は、除害塔２の上壁全体や側壁全体に付され
た刻みを伝いながら、除害塔２内の内壁面全体を絶え間
なく流れる。上壁方向へ噴射された洗浄液の一部は、洗
浄液噴射管６自体に付着した固形物も洗い流す。毎秒５
ｍ〜１５ｍの速度で除害塔２内に導入された排気ガスと
洗浄液噴射管６から噴射された洗浄液とが気液接触する
と、排気ガス中の珪素化合物と洗浄液とが反応してシリ
コン酸化物、シリコン水酸化物等の固形物とＨＣｌとが
生成し、排気ガスから珪素化合物が除去される。その際
に生成する珪素含有粒子は、直径１ｍｍ以下である。こ
の粒子の直径が１ｍｍ以下の場合、洗浄液で容易に洗い
流すことができるので、除害塔２の内壁面への堆積を抑
制できる。また粒径が小さいので、洗浄液噴射管６や充
填材７あるいは循環ポンプ１１の目詰まりを抑制するこ
とができる。
害塔２の上下方向に対して洗浄液を噴射しており、この
洗浄液と導入された排気ガスとが気液接触する。噴射さ
れた洗浄液は、除害塔２の上壁全体や側壁全体に付され
た刻みを伝いながら、除害塔２内の内壁面全体を絶え間
なく流れる。上壁方向へ噴射された洗浄液の一部は、洗
浄液噴射管６自体に付着した固形物も洗い流す。毎秒５
ｍ〜１５ｍの速度で除害塔２内に導入された排気ガスと
洗浄液噴射管６から噴射された洗浄液とが気液接触する
と、排気ガス中の珪素化合物と洗浄液とが反応してシリ
コン酸化物、シリコン水酸化物等の固形物とＨＣｌとが
生成し、排気ガスから珪素化合物が除去される。その際
に生成する珪素含有粒子は、直径１ｍｍ以下である。こ
の粒子の直径が１ｍｍ以下の場合、洗浄液で容易に洗い
流すことができるので、除害塔２の内壁面への堆積を抑
制できる。また粒径が小さいので、洗浄液噴射管６や充
填材７あるいは循環ポンプ１１の目詰まりを抑制するこ
とができる。
【００２９】排気ガスは、さらに除害塔２の下方向へ流
れ、充填材７を通る。この時排気ガスは、洗浄液噴射管
６から噴射された洗浄液と効率的に気液接触する。この
排気ガスは、シリコン薄膜の気相成長工程から排出され
るＨＣｌガス、及び、除害塔２の内部における珪素化合
物と洗浄液との反応により生成したＨＣｌガスを含んで
いる。排気ガスと洗浄液との気液接触により、排気ガス
中のＨＣｌガスが洗浄液に溶解して、排気ガスは除害さ
れる。
れ、充填材７を通る。この時排気ガスは、洗浄液噴射管
６から噴射された洗浄液と効率的に気液接触する。この
排気ガスは、シリコン薄膜の気相成長工程から排出され
るＨＣｌガス、及び、除害塔２の内部における珪素化合
物と洗浄液との反応により生成したＨＣｌガスを含んで
いる。排気ガスと洗浄液との気液接触により、排気ガス
中のＨＣｌガスが洗浄液に溶解して、排気ガスは除害さ
れる。
【００３０】そして、ＨＣｌガス成分が放出基準値以下
の濃度に除害処理された排気ガスは液受溜１０の上部を
通り、処理ガス排出部９から大気中へ放出される。気液
接触した洗浄液及び高圧ジェット流供給管８から噴射さ
れた水は液受溜１０で回収された後、循環ポンプ１１に
より再び洗浄液噴射管６へ供給され、洗浄液として噴射
される。
の濃度に除害処理された排気ガスは液受溜１０の上部を
通り、処理ガス排出部９から大気中へ放出される。気液
接触した洗浄液及び高圧ジェット流供給管８から噴射さ
れた水は液受溜１０で回収された後、循環ポンプ１１に
より再び洗浄液噴射管６へ供給され、洗浄液として噴射
される。
【００３１】上記のようにして除害塔２内の内壁表面全
体及び各部への反応生成物の堆積を抑制することで、排
気ガスの除害処理を長期間連続的に行うことができ、本
実施の形態の場合、スクラバー１の清掃は半年以上不要
となる。
体及び各部への反応生成物の堆積を抑制することで、排
気ガスの除害処理を長期間連続的に行うことができ、本
実施の形態の場合、スクラバー１の清掃は半年以上不要
となる。
【００３２】なお、上記実施の形態では、除害塔２へ導
入される排気ガスがシリコン薄膜の気相成長工程から排
出される排気ガスである場合について説明したが、これ
に限らず、前述のトリクロロシラン等の珪素化合物を製
造する製造工程から排出される排気ガスについても本発
明は適用できる。また、不活性ガスとして窒素ガスを例
に挙げたが、アルゴンガス等他の不活性ガスを用いても
良い。また、洗浄液噴射管６は棒状の形状を例示した
が、これに限らず、例えば不活性ガス導入管を取り囲む
リング状であってもよい。さらに、洗浄液噴射管６の本
数は複数であってもよい。
入される排気ガスがシリコン薄膜の気相成長工程から排
出される排気ガスである場合について説明したが、これ
に限らず、前述のトリクロロシラン等の珪素化合物を製
造する製造工程から排出される排気ガスについても本発
明は適用できる。また、不活性ガスとして窒素ガスを例
に挙げたが、アルゴンガス等他の不活性ガスを用いても
良い。また、洗浄液噴射管６は棒状の形状を例示した
が、これに限らず、例えば不活性ガス導入管を取り囲む
リング状であってもよい。さらに、洗浄液噴射管６の本
数は複数であってもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明による代表的なものによって得ら
れる効果を説明すれば、排気ガス導入管内における排気
ガスの速度を排気ガス配管内における速度よりも高める
ため、排気ガスの速度は排気ガス配管内の排気速度より
も除害塔内への導入速度が高くなり、排気ガス導入管及
び排気ガス配管への水分の逆流を抑制し、排気ガスと洗
浄液とが気液接触して生成する固形反応生成物の排気ガ
ス導入管及び排気ガス配管への堆積を抑制できる。ま
た、排気ガスの除害塔内への導入速度が高まるので、排
気ガスと除害塔内の洗浄液との接触頻度が高まり、排気
ガス中の珪素化合物と洗浄液との反応性を高めることが
できる。その結果、反応生成物の大きさを小さくでき、
除害塔内の壁面への反応生成物の堆積や、洗浄液噴射
管、循環ポンプあるいは充填材の目詰まりを抑制でき
る。従って、排気ガスの除害処理を長期間連続して行う
ことができる。
れる効果を説明すれば、排気ガス導入管内における排気
ガスの速度を排気ガス配管内における速度よりも高める
ため、排気ガスの速度は排気ガス配管内の排気速度より
も除害塔内への導入速度が高くなり、排気ガス導入管及
び排気ガス配管への水分の逆流を抑制し、排気ガスと洗
浄液とが気液接触して生成する固形反応生成物の排気ガ
ス導入管及び排気ガス配管への堆積を抑制できる。ま
た、排気ガスの除害塔内への導入速度が高まるので、排
気ガスと除害塔内の洗浄液との接触頻度が高まり、排気
ガス中の珪素化合物と洗浄液との反応性を高めることが
できる。その結果、反応生成物の大きさを小さくでき、
除害塔内の壁面への反応生成物の堆積や、洗浄液噴射
管、循環ポンプあるいは充填材の目詰まりを抑制でき
る。従って、排気ガスの除害処理を長期間連続して行う
ことができる。
【図１】本発明に係る排気ガス処理装置の概略構成を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】図１の矢印Ａ−Ａ線に沿った除害塔の断面図で
ある。
ある。
【図３】除害塔に導入された排気ガスの流れを模式的に
示す図である。
示す図である。
【図４】図１の除害塔の上部を拡大して示す部分縦断面
図であり、庇板に反応生成物が堆積している様子を示
す。
図であり、庇板に反応生成物が堆積している様子を示
す。
【図５】従来の排気ガス処理装置を示すもので、（ａ）
は排気ガス処理装置の概略構成を示す縦断面図、（ｂ）
は排気ガス導入部の拡大断面図である。
は排気ガス処理装置の概略構成を示す縦断面図、（ｂ）
は排気ガス導入部の拡大断面図である。
１ 排気ガス処理装置（スクラバー） ２ 除害塔 ３ 排気ガス導入管 ３ａ 排気ガス導入口 ４ 不活性ガス導入管 ５ 庇板 ６ 洗浄液噴射管 ６ａ 第１の噴射口 ６ｂ 第２の噴射口 ８ 高圧ジェット流供給管 ９ 処理ガス排出部 １０ 液受溜 １１ 循環ポンプ １５ 排気ガス配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｄ 53/46 53/68 (72)発明者 寺嶋 誠一 群馬県安中市磯部二丁目13番１号 信越半 導体株式会社磯部工場内 Ｆターム(参考） 4D002 AA19 AA26 AC10 BA02 CA01 CA07 DA02 DA03 DA12 DA35 DA70 GA01 GB20 HA06 5F045 AB02 AC03 AC05 AC15 AC19 BB15 EG06 EG07 EG10
Claims (10)
- 【請求項１】 排気ガス配管に接続された排気ガス導入
管を経由して、排気ガスを排気ガス導入口から除害塔内
に導入し、該除害塔内で前記排気ガスと洗浄液とを気液
接触させて排気ガスの除害処理を行う排気ガス処理方法
において、 前記排気ガス導入管内における排気ガスの速度を前記排
気ガス配管内における速度よりも高めることを特徴とす
る排気ガス処理方法。 - 【請求項２】 前記排気ガス導入管内における排気ガス
の速度は、２．７ｍ／秒より速いことを特徴とする請求
項１記載の排気ガス処理方法。 - 【請求項３】 前記排気ガス導入管内における排気ガス
の速度は、５ｍ／秒以上１５ｍ／秒以下であることを特
徴とする請求項１記載の排気ガス処理方法。 - 【請求項４】 前記排気ガスは珪素化合物を含み、前記
排気ガスと洗浄液とが気液接触して生成する珪素含有粒
子の直径が、１ｍｍ以下となるようにすることを特徴と
する請求項３に記載の排気ガス処理方法。 - 【請求項５】 前記排気ガス導入口から前記除害塔内に
導入された排気ガスを取り囲んで、不活性ガスを排気ガ
スの流れ方向と同一方向に流すとともに、該不活性ガス
の周囲に洗浄液を供給することを特徴とする請求項１か
ら３のいずれかに記載の排気ガス処理方法。 - 【請求項６】 前記除害塔の内壁面に刻みを付けること
により、前記除害塔の内壁表面全体に洗浄液を流すこと
を特徴とする請求項１記載の排気ガス処理方法。 - 【請求項７】 前記洗浄液は複数の噴射口を有する噴射
管から噴射され、該噴射管から噴射された洗浄液の一部
は、前記噴射管自体を洗浄することを特徴とする請求項
１、４、５のいずれかに記載の排気ガス処理方法。 - 【請求項８】 排気ガス配管に接続された排気ガス導入
管を経由して、排気ガスを排気ガス導入口から除害塔内
に導入し、該除害塔内で前記排気ガスと洗浄液とを気液
接触させて排気ガスの除害処理を行う排気ガス処理装置
において、 前記排気ガス導入管を取り囲んで不活性ガスを除害塔内
に導入する不活性ガス導入管と、 前記不活性ガス導入管のガス出口の周囲で該ガス出口を
取り囲む庇板と、 前記不活性ガス導入管の周囲に洗浄液を供給する噴射管
と、を備え、 前記排気ガス導入管の内径は前記排気ガス配管の内径よ
りも狭いことを特徴とする排気ガス処理装置。 - 【請求項９】 前記除害塔内の内壁面に、刻みを付けた
ことを特徴とする請求項８記載の排気ガス処理装置。 - 【請求項１０】 前記噴射管は、噴射した洗浄液が前記
除害塔の内壁表面を洗浄する第１の噴射口と、噴射した
洗浄液が噴射管自体を洗浄する第２の噴射口とを有する
ことを特徴とする請求項８記載の排気ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000324167A JP2002134419A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 排気ガス処理方法及び排気ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000324167A JP2002134419A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 排気ガス処理方法及び排気ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134419A true JP2002134419A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18801741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000324167A Pending JP2002134419A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 排気ガス処理方法及び排気ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134419A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006167664A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Rohm Co Ltd | 排ガスの水洗浄装置 |
| JP2011168430A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Materials Corp | ポリマー処理装置および処理方法 |
| KR101176517B1 (ko) | 2011-03-17 | 2012-08-23 | 신도이앤씨 (주) | 반응액 분사 장치를 개량한 규소화합물 함유 배가스 정화 장치 |
| KR101972934B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2019-04-26 | 장영선 | 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치 |
| WO2020261518A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | カンケンテクノ株式会社 | 排ガス除害ユニット |
| JP7331685B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-08-23 | 株式会社レゾナック | スクラバー |
-
2000
- 2000-10-24 JP JP2000324167A patent/JP2002134419A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006167664A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Rohm Co Ltd | 排ガスの水洗浄装置 |
| JP4518556B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2010-08-04 | ローム株式会社 | 排ガスの水洗浄装置 |
| JP2011168430A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Materials Corp | ポリマー処理装置および処理方法 |
| KR101176517B1 (ko) | 2011-03-17 | 2012-08-23 | 신도이앤씨 (주) | 반응액 분사 장치를 개량한 규소화합물 함유 배가스 정화 장치 |
| KR101972934B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2019-04-26 | 장영선 | 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치 |
| WO2020261518A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | カンケンテクノ株式会社 | 排ガス除害ユニット |
| JP7331685B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-08-23 | 株式会社レゾナック | スクラバー |
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