KR101972934B1 - 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치 - Google Patents

반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101972934B1
KR101972934B1 KR1020180089323A KR20180089323A KR101972934B1 KR 101972934 B1 KR101972934 B1 KR 101972934B1 KR 1020180089323 A KR1020180089323 A KR 1020180089323A KR 20180089323 A KR20180089323 A KR 20180089323A KR 101972934 B1 KR101972934 B1 KR 101972934B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
monosilane
pipe
chamber
tube
clogging
Prior art date
Application number
KR1020180089323A
Other languages
English (en)
Inventor
장영선
Original Assignee
장영선
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 장영선 filed Critical 장영선
Priority to KR1020180089323A priority Critical patent/KR101972934B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101972934B1 publication Critical patent/KR101972934B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D47/00Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/02Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77Liquid phase processes
    • B01D53/78Liquid phase processes with gas-liquid contact
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

본원 발명은 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치로서, 모노실란이 유입되는 제1관 및 질소 기체가 유입되는 제2관이 제1관과 인접하게 상부 측면에 위치하고, 상기 모노실란과 질소 기체를 배출하는 배출구가 하부에 형성된 구조에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치에 관한 것이다.

Description

반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치 {Apparatus for Preventing Tube Plugging and Fire Due to Monosilane Produced in Semiconductor or Silicon Manufacturing Process and Method for Preventing Tube Plugging and Fire Thereby}
본원 발명은 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치로서, 구체적으로 모노실란이 유입되는 제1관 및 질소 기체가 유입되는 제2관이 제1관과 인접하게 상부 측면에 위치하고, 상기 모노실란과 질소 기체를 배출하는 배출구가 하부에 형성된 구조에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치에 관한 것이다.
국내 주력산업의 한 분야를 차지하는 반도체 및 디스플레이 산업은 제조 공정시 다양한 종류의 유해가스 및 미세입자를 포함하는 분진을 배출한다. 통상적으로 이를 처리하기 위하여 스크러버, 전기 집진법 또는 이들의 혼합된 방식이 사용된다.
스크러버는 유해가스 및 미세입자를 정화하기 위한 환경 설비로서 세정액를 위에서 분사하고 아래 또는 측면에서 유해가스를 공급하여 기체상 물질은 세정액에 용해시켜 흡수, 제거하고 고체상 물질은 미세 액적과 충돌해 제거하는 원리다. 기체와 액체가 만나는 시간이 길어질수록 기체 중의 물질이 흡수, 혹은 충돌되는 양이 증가되어 처리 효율이 좋아진다.
세정액을 사용하여 반도체 공정에서 발생하는 미세입자를 포함하는 오염물질을 제거하기 위한 다양한 방법이 시도되고 있다. 특허문헌 1, 특허문헌 2, 특허문헌 3은 세정탑 내부로 공급되는 오염물질을 세정액의 내부에서 기포로 분사하여 세정액에 노출되는 면적을 증가시킴으로써 오염물질을 제거하는 장치를 개시하고 있다.
특허문헌 1은 기포를 생성하기 위해서 별도의 초음파를 사용하고 있다. 특허문헌 2는 계면활성제를 사용하였으나, 구체적인 계면활성제에 대해서는 언급하지 않고 있다. 특허문헌 3은 별도로 고안된 노즐을 사용하여 기포를 생성하고 있으나, 발생된 기포가 일정한 높이의 층을 이루지 못한다.
모노실란(SiH4)은 실리콘과 강산이 많이 사용되는 반도체 제조 공정에서 발생하는 대표적인 부산물이다. 모노실란은 물과 다양한 화학 경로로 반응할 수 있는데, 아래 화학식 (1)과 화학식 (2)가 대표적인 반응 경로로 알려져 있다.
SiH4 + 2H2O → SiO2 + 4H2 (1)
SiH4 + 3H2O → H2SiO3 + 4H2 (2)
화학식 (1)의 경우, 낮은 농도의 황산 또는 수산화나트륨이 촉매로 사용될 수 있다. 다량의 산을 중성화시키기 위해서 다량의 수산화나트륨이 사용되고 있는바, 반도체 공정에서 모노실란은 주로 화학식 (1)의 반응을 거쳐 이산화규소(SiO2)로 변환되며, 이 때 수소(H2)를 발생시킨다.
정상적인 스크러버에서 모노실란은 세정액과 화학적 반응을 하고, 이때 발생하는 불수용성의 이산화규소는 침전물로서 처리하고 발생하는 수소는 기체로서 처리하고 있다.
세정액에 포함된 물이 증발하여 모노실란이 이송되고 있는 배관까지 확산되어 배관 내부에서 화학식 (1)에 따른 반응이 발생하는 경우가 있다. 이 경우 모노실란이 이산화규소로 변환, 침전되어 좁은 배관을 막게 될 뿐만 아니라 화학식 (1)에 따라 동시에 생성되는 수소의 농도가 점점 더 올라가 폭발을 유발할 수 있다. 이러한 경우 단순한 공정의 중단 문제를 넘어서 오염물질이 직접적으로 외부로 배출되고, 반도체 제조 설비가 파손될 수 있는 매우 심각한 문제가 될 수 있다.
모노실란에 의한 폭발 사고 관련하여 미국 반도체 산업에서는 1982년부터 1997년까지 모두 36건의 사고가 발생했다. 일본에서는 두 건의 사고가 발생했는데, 한 번은 1989년 가스 캐비닛에서, 한 번은 오사카 대학의 연구소에서 1991년에 사고가 일어났다. 2005년 타이완에서 실린더 교환 중 실란 폭발사고가 있었다. 우리나라에서는 2003년 3월에 경기도 시흥에서 폭발 사고가 발생하였으며, 2013년에는 트리클로로실란 누출에 의한 폭발 사고가 있었다.
앞의 특허문헌에서 본 바와 같이 현재 제시되고 있는 세정기술은 미세입자를 포함하는 오염물질이 정상적으로 스크러버 내부에 운반된 경우 이를 제거하는 방법에 한정된 것이다. 모노실란이 배관 내부에서 물과 반응하여 이산화규소 및 수소를 생성하여 공급원 자체에서 문제가 생기는 경우에 대한 뚜렷한 해결책은 아직까지 제시된 바가 없다.
대한민국 등록특허공보 제1414128호 대한민국 공개특허공보 제2015-0019897호 대한민국 공개특허공보 제2015-0143560호
본원 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 또는 실리콘 공정에서 생성되는 모노실란으로부터 유래될 수 있는 배관 막힘 및 수소에 의한 폭발 등의 사고를 미연에 방지하는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본원 발명에 따른 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치는 이중관 중 내부관으로서 모노실란이 유입되는 제1관, 이중관 중 외부관으로서 질소 기체가 유입되는 제2관, 제2관의 최종말단으로서 상기 모노실란과 상기 질소 기체가 배출되는 배출구를 포함하는 질소퍼지관; 및 상기 질소퍼지관이 상단에 적어도 1개 이상 배치된 챔버; 를 포함하는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치로서,
상기 제2관의 말단이 상기 제1관의 말단보다 더 길게 연장되어 구성되며, 상기 이중관의 외부관이 시작되는 부분의 상기 제2관의 직경이 가장 크고 상기 배출구로 갈수록 직경이 작아지는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 제공한다.
상기 제1관에 부가되며 상기 모노실란의 흐름을 감지하는 제1센서 및 상기 제1센서에 의해서 모노실란의 흐름이 기준 이하일 경우 상기 제2관에 질소를 공급하는 질소 기체 제어부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 모노실란의 흐름에 대한 기준은 수증기의 확산속도 또는 0.24㎠/sec이며, 상기 제2관에 질소를 공급하는 것은 상기 배출구를 통해 배출되는 모노실란과 상기 질소 기체의 속도가 0.24㎠/sec 이상이 되도록 한다.
상기 챔버의 측면에는 챔버 내의 기체를 외부로 송풍하는 송풍기가 부가된 송부구; 상기 챔버 내에 배치되며 상기 챔버의 압력을 측정하는 압력측정부; 및 상기 압력측정부에서 측정된 챔버 내의 압력이 항상 음압을 유지할 수 있도록 상기 송풍기를 제어하는 송풍제어부;를 추가로 포함할 수 있다.
상기 음압을 유지한다는 것은 상기 질소퍼지관의 질소 기체 및 모노실란의 부분압이 상기 챔버의 압력보다 항상 크도록 하는 것이다.
상기 챔버의 하단에 위치하며 세정액이 배치되는 세정액 보관부; 및 상기 배출구의 하단에 위치하며 상기 배출구를 통해서 배출되는 모노실란을 상기 세정액을 이용하여 제거하는 세정부;를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제2관으로 유입되는 질소 기체 부분압은 5㎜Hg 내지 30㎜Hg이며, 상기 송풍기를 사용하여 챔버 내의 수소 기체를 외부로 배출하거나, 수소 기체를 배출하기 위한 추가의 송풍기가 구비될 수 있다.
상기 챔버에는 세정 따른 생성물 및 불순물을 배출하기 위한 세정액배출구를 더 포함할 수 있다.
상기 모노실란은 1개 이상의 모노실란공급부로부터 공급되며, 상기 모노실란공급부는 각각 개별적으로 개폐밸브를 개폐밸브를 가지고 있다.
본원 발명은 아울러 상기 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법을 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본원 발명에 따른 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치는 모노실란을 비활성가스와 함께 주입하여 챔버 내측으로 모노실란을 강제로 빠르게 이동시킬 수 있으므로, 배관 내부 또는 장치 입구에서 모노실란이 수분과 반응하여 장치 입구가 막히는 문제를 해결할 수 있다.
하단으로 갈수록 좁아지는 형태의 이중관을 포함하기 때문에, 챔버 내부로 모노실란의 이동을 빠르게 유도할 수 있다.
아울러 챔버 내부를 계속 음압을 유지함으로써, 장치가 안정적으로 구동이 되며, 내부 수소 기체 또한 빠르게 외부로 배출할 수 있다.
도 1은 본원 발명에 따른 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치의 수직 단면도이다.
도 2는 도 1의 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치와 복수의 모노실란공급부가 연결된 장치의 개략도이다.
본원 발명에 따른 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치는 하기와 같은 구조로 이루어질 수 있는 바, 구체적으로, 이중관 중 내부관으로서 모노실란이 유입되는 제1관, 이중관 중 외부관으로서 질소 기체가 유입되는 제2관, 제2관의 최종말단으로서 상기 모노실란과 상기 질소 기체가 배출되는 배출구를 포함하는 질소퍼지관; 및 상기 질소퍼지관이 상단에 적어도 1개 이상 배치된 챔버; 를 포함하는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치로서, 상기 제2관의 말단이 상기 제1관의 말단보다 더 길게 연장되어 구성되며, 상기 이중관의 외부관이 시작되는 부분의 상기 제2관의 직경이 가장 크고 상기 배출구로 갈수록 직경이 작아진다.
비활성가스인 질소 기체가 주입되는 바, 상기 질소 기체가 모노실란과 반응하여 부산물이 형성될 위험이 없고, 상기 질소 기체는 모노실란을 챔버 내부로 이동시키는 역할만을 수행하게 된다. 따라서, 모노실란 공급관 내에서 모노실란이 세정액 또는 수분과 반응함으로써 배관을 막히게 했던 종래의 문제를 해결할 수 있다. 또한 질소 기체의 부분압이 높기 때문에 내부 배관으로 수분이 유입될 가능성을 원천적으로 차단하는 효과가 있다.
상기 질소퍼지관의 이중관에 해당하는 부분은 수평 단면이 원형 또는 다각형이고, 상부에서 하부로 갈수록 내경이 좁아지는 구조일 수 있다. 즉, 상기 질소퍼지관의 이중관에 해당하는 부분은 전체적으로 곡면으로 이루어진 외면이 하향 테이퍼되는 형태로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 배출구 쪽으로 점점 좁아지는 구조로 인해 상기 모노실란 및 질소 기체가 챔버 내로 빠르게 이동하게 한다.
상기 질소 기체는 상기 모노실란을 챔버 내부로 이동시키는 역할을 하는 바, 상기 질소 기체가 유입되는 제2관의 말단이 상기 모노실란이 유입되는 제1관의 말단보다 더 길게 연장되는 것이 바람직하다.
하나의 구체적인 예에서, 상기 제1관은 상기 질소퍼지관의 상부면 중심에 배치되고, 상기 제2관 중 질소가 유입되는 부분은 상기 제1관의 외주변을 따라서 일정한 간격으로 이격되도록 복수개가 배치된 구조일 수 있다. 이 때 상기 제1관은 중심에 1개의 관이 위치하고, 상기 제2관은 동일한 크기의 직경을 갖는 복수의 관들이 서로 간에 일정한 간격으로 이격된 상태로 상기 제1관의 외주변을 따라 배치된 구조일 수 있다.
상기 제1관은 1개이고 상기 제2관은 복수개로 형성되는 바, 상기 제1관의 직경은 상대적으로 상기 제2관의 직경보다 크게 형성될 수 있으며, 예를 들어, 상기 제1관의 직경은 상기 제2관의 직경을 기준으로 150% 내지 1,000%로 이루어질 수 있다.
상기 제1관 및 제2관은 동일한 직경을 갖는 구조일 수 있고, 또는, 상기 제1관의 직경이 상기 제2관의 직경보다 더 크게 형성되거나 작게 형성되는 구조일 수 있다.
본원의 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치는 질소 퍼지관의 모노실란 및 질소 기체가 챔버 내부로 원활하게 이동하여 상기 수분이 제거되는 구조인 바, 상기 모노실란 및 질소 기체의 이동이 자발적이고 비가역적으로 이루어지기 위하여, 상기 질소퍼지관의 질소 기체 및 모노실란의 부분압은 상기 챔버 내의 압력보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 챔버 내 압력은 세정액의 부분압과 모노실란의 반응 생성물의 부분압의 합이며, 상기 세정액의 부분압은 조절이 어려운 반면 상기 모노실란 반응 생성물의 부분압은 반응물의 압력을 조절함으로써 조절될 수 있는 바, 용이하게 제어가 가능한 질소 기체의 부분압을 조절함으로써 상기 질소퍼지관의 압력을 챔버 내부의 압력보다 크게 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 질소퍼지관의 질소 기체 부분압은 5㎜Hg 내지 30㎜Hg일 수 있다.
상기 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치는 세정부에서 모노실란을 세정하면서 생성되는 침전물 내지 기체 생성물 등 새로운 불순물들을 배출하여 상기 챔버 내의 압력이 상기 질소퍼지관의 압력보다 낮게 유지되어야 하는 바, 상기 세정부의 세정에 따른 생성물 및 불순물을 배출하기 위한 세정액배출구를 더 포함하는 구조일 수 있다.
본원 발명은, 또한, 상기 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란을 제거하는 방법을 제공한다.
구체적으로, 상기 모노실란을 제거하는 방법은,
(a) 상기 세정액 보관부에 세정액을 채우는 단계;
(b) 상기 질소퍼지관의 상기 제1관을 통해 미세 입자 상태의 모노실란을 주입하고, 상기 질소퍼지관의 상기 제2관을 통해 질소 기체를 주입하는 단계;
(c) 상기 세정액을 상기 세정부의 상부에서 노즐을 통해 분사하여 상기 모노실란과 상기 세정액을 접촉시키는 단계; 및
(d) 생성된 침전물 또는 불순물을 배출하는 단계;
를 포함하고, 상기 모노실란의 증기압 및 질소 기체의 증기압의 합이 상기 세정액의 증기압 및 상기 챔버를 채우고 있는 기상 물질의 증기압의 합보다 크도록 제어할 수 있다.
이와 같이, 상기 모노실란 제거 방법을 이용하는 경우에는, 상기 제2관을 통해 유입된 질소 기체에 의해 상기 제1관을 통해 유입된 모노실란의 이동이 챔버 내로 가이드될 수 있다. 따라서, 상기 미세 입자 상태의 모노실란이 상기 질소퍼지관에서 세정액과 반응하여 침전물을 형성함으로써 상기 질소퍼지관 또는 배관을 막히게 하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 세정액의 분사 노즐을 상기 질소퍼지관의 하부에 위치시킴으로써 상기 세정액과 모노실란이 질소퍼지관에서 반응하는 것을 억제할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본원 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본원 발명을 쉽게 실시할 수 있는 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본원 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본원 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고, 간접적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 포함한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본원 발명을 도면에 따라 상세한 실시예와 같이 설명한다.
도 1은 본원 발명에 따른 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치의 수직 단면도이다.
도 1을 참조하면, 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치(100)는 상부에 질소퍼지관(110) 및 하부에 위치하는 세정부(도면 미도시)로 구성되고, 질소퍼지관(110)에는 질소퍼지관(110)의 상부를 관통하는 제1관(101) 및 제2관(102)이 위치한다. 제1관(101)을 통해 모노실란이 유입되고 제2관(102)을 통해 질소 기체가 유입되며 질소퍼지관(110) 내부로 연장된 제1관(101)의 길이는 질소퍼지관(110) 내부로 연장된 제2관(102)의 길이보다 길게 형성된다. 질소퍼지관(110)의 하부(103)는 세정부(도면 미도시)와 연통되며, 질소퍼지관(110)를 통과한 모노실란은 세정부(도면 미도시)에서 제거된다.
세정부의 하부에는 세정액(121)이 채워져 있으며, 세정액(121)은 세정부의 상부에 위치하는 노즐(도면 미도시)을 통해 분사되어 미세 입자 상태의 모노실란과 반응하게 된다. 세정액은 노즐을 통해서 분사될 수 있다. 세정액을 펌프 등을 통해서 분사하는 기술은 통상의 기술자에게 자명한 것이므로 이를 생략하였다. 챔버의 측면에는 송풍기(131)를 포함하는 송풍구(130)가 마련되어 있다.
도 2을 참조하면, 동일한 크기 및 구조로 이루어진 모노실란공급부가 1개 이상이 본원 발명에 따른 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치에 연결되어 있다.
본원 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본원 발명의 범주내에서 다양한 응용 및 변형을 수행하는 것이 가능할 것이다.
100 : 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치
101 : 제1관
102 : 제2관
103 : 질소퍼지관의 하부
110 : 질소퍼지관
121 : 세정액
130 : 송풍구
131 : 송풍기

Claims (11)

  1. 이중관 중 내부관으로서 모노실란이 유입되는 제1관, 이중관 중 외부관으로서 질소 기체를 포함하는 비활성 기체가 유입되는 제2관, 제2관의 최종말단으로서 상기 모노실란과 상기 질소 기체가 배출되는 배출구를 포함하는 질소퍼지관; 및
    상기 질소퍼지관이 상단에 적어도 1개 이상 배치된 챔버;
    를 포함하는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치로서,
    상기 제2관의 말단이 상기 제1관의 말단보다 더 길게 연장되어 구성되며,
    상기 이중관의 외부관이 시작되는 부분의 상기 제2관의 직경이 가장 크고 상기 배출구로 갈수록 직경이 작아지는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법에 있어서,
    상기 챔버의 측면에는 챔버 내의 기체를 외부로 송풍하는 송풍기가 부가된 송부구;
    상기 챔버 내에 배치되며 상기 챔버의 압력을 측정하는 압력측정부; 및
    상기 압력측정부에서 측정된 챔버 내의 압력이 항상 음압을 유지할 수 있도록 상기 송풍기를 제어하는 송풍제어부;를 추가로 포함하고,
    상기 음압을 유지한다는 것은 상기 질소퍼지관의 질소 기체 부분압 및 모노실란의 부분압의 합이 상기 챔버의 압력보다 항상 큰 것이며,
    상기 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지한다는 것은 모노실란이 이송되고 있는 배관까지 수분이 확산되는 것을 방지하는 것인 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1관에 부가되며 상기 모노실란의 흐름을 감지하는 제1센서; 및
    상기 제1센서에 의해서 모노실란의 흐름이 기준 이하일 경우 상기 제2관에 질소를 공급하는 질소 기체 제어부;
    를 추가로 포함하는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 모노실란의 흐름에 대한 기준은 수증기의 확산속도이며,
    상기 제2관에 질소를 공급하는 것은 상기 배출구를 통해 배출되는 모노실란과 상기 질소 기체의 속도가 수증식의 확산속도 이상이 되도록 하는 것인 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 하단에 위치하며 세정액이 배치되는 세정액 보관부; 및
    상기 배출구의 하단에 위치하며 상기 배출구를 통해서 배출되는 모노실란을 상기 세정액을 이용하여 제거하는 세정부;
    를 추가로 포함하는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2관으로 유입되는 질소 기체 부분압은 5㎜Hg 내지 30㎜Hg인 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 송풍기를 사용하여 챔버 내의 수소 기체를 외부로 배출하거나,
    수소 기체를 배출하기 위한 추가의 송풍기가 구비된 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 챔버에는 세정 따른 생성물 및 불순물을 배출하기 위한 세정액배출구를 더 포함하는 것인 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 모노실란은 1개 이상의 모노실란공급부로부터 공급되며,
    상기 모노실란공급부는 각각 개별적으로 개폐밸브를 가지고 있는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재 방지 장치를 이용하여 모노실란 공급관 내부로 수분이 유입되는 것을 방지하는 방법.
  11. 삭제
KR1020180089323A 2018-07-31 2018-07-31 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치 KR101972934B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180089323A KR101972934B1 (ko) 2018-07-31 2018-07-31 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180089323A KR101972934B1 (ko) 2018-07-31 2018-07-31 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101972934B1 true KR101972934B1 (ko) 2019-04-26

Family

ID=66281103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180089323A KR101972934B1 (ko) 2018-07-31 2018-07-31 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101972934B1 (ko)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0170717B1 (ko) * 1995-12-27 1999-03-30 김광호 이중 배관의 배기 가스 유입관을 갖는 가스 스크러버
JP3280173B2 (ja) * 1994-11-29 2002-04-30 日本エア・リキード株式会社 排ガス処理装置
JP2002134419A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 排気ガス処理方法及び排気ガス処理装置
JP2005131509A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Unisem Co Ltd 廃ガス処理処置及び廃ガス処理方法
KR101414128B1 (ko) 2013-12-16 2014-07-01 (주)대산테크 미세기포를 이용한 오염가스 세정장치
KR20150019897A (ko) 2013-08-16 2015-02-25 한국전력공사 계면활성제를 이용한 합성가스 내 불순물 제거장치 및 방법
KR20150143560A (ko) 2013-05-10 2015-12-23 후지필름 가부시키가이샤 착색 조성물, 착색 경화막, 컬러 필터, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280173B2 (ja) * 1994-11-29 2002-04-30 日本エア・リキード株式会社 排ガス処理装置
KR0170717B1 (ko) * 1995-12-27 1999-03-30 김광호 이중 배관의 배기 가스 유입관을 갖는 가스 스크러버
JP2002134419A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 排気ガス処理方法及び排気ガス処理装置
JP2005131509A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Unisem Co Ltd 廃ガス処理処置及び廃ガス処理方法
KR20150143560A (ko) 2013-05-10 2015-12-23 후지필름 가부시키가이샤 착색 조성물, 착색 경화막, 컬러 필터, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치
KR20150019897A (ko) 2013-08-16 2015-02-25 한국전력공사 계면활성제를 이용한 합성가스 내 불순물 제거장치 및 방법
KR101414128B1 (ko) 2013-12-16 2014-07-01 (주)대산테크 미세기포를 이용한 오염가스 세정장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6322756B1 (en) Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US7214349B2 (en) Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US6759018B1 (en) Method for point-of-use treatment of effluent gas streams
EP1240937B1 (en) Method and apparatus for treating perfluorocompounds
KR20010093838A (ko) 유출 기체류의 사용점 처리 장치 및 방법
CN1277594A (zh) 增加液体中的溶解气体量并保持这一增加量直到使用的方法和系统
JP2001502604A (ja) 半導体製造排気の酸化処理のための排気流処理システム
US10086413B2 (en) Powder discharge system
KR20110095302A (ko) 유출물 스크럽 및 습기 제어가 강화된 저감 시스템
KR101972934B1 (ko) 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치
JP5165861B2 (ja) 過弗化物の処理方法及び処理装置
KR20140102446A (ko) 인입 장치 및 이를 포함하는 반응 시스템
KR20210023718A (ko) 배출 가스 처리 장치
KR100326623B1 (ko) 입상 고체 함유 및/또는 고체 형성 기류를 기체 처리 시스템에주입하기 위한 입구 구조체
US20220080371A1 (en) Device for injecting fluid into a liquid, method for cleaning said device, and effluent treatment installation
KR101370327B1 (ko) 저압형 이산화탄소의 용해방법 및 장치
JP6105879B2 (ja) 脱炭酸処理装置
JP4300030B2 (ja) ガスを洗浄するための洗浄器及び方法
CN218944726U (zh) 一种除尘防爆的酸性气体去除的一体化连续处理装置
LU501739B1 (en) Process for reducing fossil CO2 emissions
KR101176517B1 (ko) 반응액 분사 장치를 개량한 규소화합물 함유 배가스 정화 장치
CN112691618B (zh) 气液反应装置和脱硝方法
EP3564190B1 (en) A system for ozonation of liquids and a method for ozonation of liquids
JP2013044479A (ja) 塩化珪素化合物を含む排ガスの浄化方法
KR101891132B1 (ko) 반응기 내장형 멀티 인젝션 디퓨져를 이용한 소독 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant