JP2000024447A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JP2000024447A JP2000024447A JP10194787A JP19478798A JP2000024447A JP 2000024447 A JP2000024447 A JP 2000024447A JP 10194787 A JP10194787 A JP 10194787A JP 19478798 A JP19478798 A JP 19478798A JP 2000024447 A JP2000024447 A JP 2000024447A
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- water
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排ガス処理装置内部や排ガス処理装置の後段
に配設される工場側排気ラインにおける、ダストや反応
副生成物による閉塞を抑制する排ガス処理装置を提供す
ること。 【解決手段】 入口側スクラバー４内で水洗いされた排
ガスを、入口側スクラバー４の下方に配設された第１水
タンク７ａ内に設けた遮壁形成部材３１に形成した多数
の開口を通って加熱分解反応器５内へと導入させるよう
にしている。これにより、粉塵やダスト等は第１水タン
ク７ａ内へと除去され、加熱分解反応器５内への流入は
阻止される。また、出口側スクラバー６の下方に配設さ
れた第２水タンク７ｂ内にも多数の開口が形成された遮
壁形成部材３２を設けることにより、加熱分解反応器５
内で生成された固体の反応副生成物を第２水タンク内７
ｂへと除去し、出口側スクラバー６、更にはこの先の工
場側排気ラインへの反応副生成物の流入が阻止される。
に配設される工場側排気ラインにおける、ダストや反応
副生成物による閉塞を抑制する排ガス処理装置を提供す
ること。 【解決手段】 入口側スクラバー４内で水洗いされた排
ガスを、入口側スクラバー４の下方に配設された第１水
タンク７ａ内に設けた遮壁形成部材３１に形成した多数
の開口を通って加熱分解反応器５内へと導入させるよう
にしている。これにより、粉塵やダスト等は第１水タン
ク７ａ内へと除去され、加熱分解反応器５内への流入は
阻止される。また、出口側スクラバー６の下方に配設さ
れた第２水タンク７ｂ内にも多数の開口が形成された遮
壁形成部材３２を設けることにより、加熱分解反応器５
内で生成された固体の反応副生成物を第２水タンク内７
ｂへと除去し、出口側スクラバー６、更にはこの先の工
場側排気ラインへの反応副生成物の流入が阻止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
から排出される排ガスを除害処理する排ガス処理装置に
関する。
から排出される排ガスを除害処理する排ガス処理装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、例えばＣＶＤ（Chemical Vaper
Deposition)装置等の半導体製造装置から排出される排
ガスの処理の流れを概略的に示す。半導体製造装置３内
において例えばシリコンウェーハ上での成膜等に使用さ
れた半導体材料ガスや未反応分のガス（これらは、例え
ば有毒性のシランを含んでいる）は、真空配管を通じて
真空ポンプ２の吸気口に取り込まれ半導体製造装置３か
ら排気される。そして、真空ポンプ２内では、このガス
濃度が爆発限界以下、例えばＳｉＨ4 （モノシラン）で
は１．２％以下になるように、窒素等の不活性ガスによ
り希釈される。そして、希釈された排ガスは、真空ポン
プ２の排出口から従来例の排ガス処理装置１内へと排出
され、排ガス処理装置１内で熱酸化分解により無害化さ
れて工場側の排気ラインへと排出される。
Deposition)装置等の半導体製造装置から排出される排
ガスの処理の流れを概略的に示す。半導体製造装置３内
において例えばシリコンウェーハ上での成膜等に使用さ
れた半導体材料ガスや未反応分のガス（これらは、例え
ば有毒性のシランを含んでいる）は、真空配管を通じて
真空ポンプ２の吸気口に取り込まれ半導体製造装置３か
ら排気される。そして、真空ポンプ２内では、このガス
濃度が爆発限界以下、例えばＳｉＨ4 （モノシラン）で
は１．２％以下になるように、窒素等の不活性ガスによ
り希釈される。そして、希釈された排ガスは、真空ポン
プ２の排出口から従来例の排ガス処理装置１内へと排出
され、排ガス処理装置１内で熱酸化分解により無害化さ
れて工場側の排気ラインへと排出される。
【０００３】次に、図２を参照して、従来例の排ガス処
理装置１について説明する。排ガス処理装置１は、主と
して、入口側スクラバー４と、出口側スクラバー６と、
入口側スクラバー４と出口側スクラバー６との間に配設
される加熱分解反応器５と、入口側スクラバー４の下方
に配設される第１水タンク７ａと、出口側スクラバー６
の下方に配設される第２水タンク７ｂとからなる。
理装置１について説明する。排ガス処理装置１は、主と
して、入口側スクラバー４と、出口側スクラバー６と、
入口側スクラバー４と出口側スクラバー６との間に配設
される加熱分解反応器５と、入口側スクラバー４の下方
に配設される第１水タンク７ａと、出口側スクラバー６
の下方に配設される第２水タンク７ｂとからなる。
【０００４】入口側スクラバー４の上部（入口部分）に
は、真空ポンプ２の排出口に連通している排ガス導入管
８が接続されている。そして、排ガス導入管８の下方、
入口側スクラバー４の入口部近傍には、シャワーノズル
９ａが設置されており循環ポンプ１０の吐出側と接続さ
れている。
は、真空ポンプ２の排出口に連通している排ガス導入管
８が接続されている。そして、排ガス導入管８の下方、
入口側スクラバー４の入口部近傍には、シャワーノズル
９ａが設置されており循環ポンプ１０の吐出側と接続さ
れている。
【０００５】出口側スクラバー６の上部（出口部分）に
は、排ガス処理装置１内で無害化されたガスを工場側の
ラインへと排気する排気ファン１１が接続されている。
そして、排気ファン１１の下方、出口側スクラバー６の
出口部近傍には、シャワーノズル９ｂが設置されており
循環ポンプ１０の吐出側と接続されている。
は、排ガス処理装置１内で無害化されたガスを工場側の
ラインへと排気する排気ファン１１が接続されている。
そして、排気ファン１１の下方、出口側スクラバー６の
出口部近傍には、シャワーノズル９ｂが設置されており
循環ポンプ１０の吐出側と接続されている。
【０００６】循環ポンプ１０は、シャワーノズル９ａ及
び９ｂと水タンク７との間に設置され、水タンク７内の
水をシャワーノズル９ａ及び９ｂに揚水するようになっ
ている。
び９ｂと水タンク７との間に設置され、水タンク７内の
水をシャワーノズル９ａ及び９ｂに揚水するようになっ
ている。
【０００７】入口側スクラバー４と出口側スクラバー６
との間には、加熱分解反応器５が、入口側スクラバー
４、出口側スクラバー６それぞれと気密に一体的に設け
られている。入口側スクラバー４と加熱分解反応器５と
の境界部分には、下方に向かって延びる壁部１２が形成
されている。そして、この壁部１２と対向する位置に
は、第１水タンク７ａと第２水タンク７ｂとを区切る隔
壁１４が、水タンク７の底部から上方に延びて設けられ
ている。そして、壁部１２及び隔壁１４と連結して、入
口側スクラバー４と加熱分解反応器５との間を連通させ
る連通管１５が形成されている。すなわち、入口側スク
ラバー４内に導入された排ガスは、壁部１２の下端と第
１水タンク７ａの水面との間の空間を通って連通管１５
内へと導かれる。なお、隔壁１４は完全には第１水タン
ク７ａと第２水タンク７ｂとを隔てておらず、水タンク
７の水平方向に関して、排ガスを連通管１５へと導くの
に必要な分のある範囲分だけ形成されている。つまり、
第１水タンク７ａ内の水と第２水タンク７ｂ内の水は連
通可能となっており、両タンクの水面は同じ高さに保た
れている。
との間には、加熱分解反応器５が、入口側スクラバー
４、出口側スクラバー６それぞれと気密に一体的に設け
られている。入口側スクラバー４と加熱分解反応器５と
の境界部分には、下方に向かって延びる壁部１２が形成
されている。そして、この壁部１２と対向する位置に
は、第１水タンク７ａと第２水タンク７ｂとを区切る隔
壁１４が、水タンク７の底部から上方に延びて設けられ
ている。そして、壁部１２及び隔壁１４と連結して、入
口側スクラバー４と加熱分解反応器５との間を連通させ
る連通管１５が形成されている。すなわち、入口側スク
ラバー４内に導入された排ガスは、壁部１２の下端と第
１水タンク７ａの水面との間の空間を通って連通管１５
内へと導かれる。なお、隔壁１４は完全には第１水タン
ク７ａと第２水タンク７ｂとを隔てておらず、水タンク
７の水平方向に関して、排ガスを連通管１５へと導くの
に必要な分のある範囲分だけ形成されている。つまり、
第１水タンク７ａ内の水と第２水タンク７ｂ内の水は連
通可能となっており、両タンクの水面は同じ高さに保た
れている。
【０００８】加熱分解反応器５内の下部で連通管１５
は、内筒１７と連通可能に接続されており、内筒１７は
加熱分解反応器５の内部上方へと延び、その上端は開口
している。加熱分解反応器５はその上部に電気ヒーター
１８を備えており、この電気ヒーター１８の棒状の発熱
部１９が内筒１７の周りに配設されている。また、加熱
分解反応器５内には熱酸化反応用ブロア２２が接続され
ており、このブロア２２から加熱分解反応器５内に酸化
加熱分解に必要な酸素を含む空気が送り込まれる。
は、内筒１７と連通可能に接続されており、内筒１７は
加熱分解反応器５の内部上方へと延び、その上端は開口
している。加熱分解反応器５はその上部に電気ヒーター
１８を備えており、この電気ヒーター１８の棒状の発熱
部１９が内筒１７の周りに配設されている。また、加熱
分解反応器５内には熱酸化反応用ブロア２２が接続され
ており、このブロア２２から加熱分解反応器５内に酸化
加熱分解に必要な酸素を含む空気が送り込まれる。
【０００９】加熱分解反応器５と出口側スクラバー６と
の境界部分にも下方に向かって延びる壁部１３が形成さ
れており、加熱分解反応器５内で加熱分解された排ガス
は、壁部１３の下端と第２水タンク７ｂの水面との間の
空間を通って出口側スクラバー６へと導かれる。
の境界部分にも下方に向かって延びる壁部１３が形成さ
れており、加熱分解反応器５内で加熱分解された排ガス
は、壁部１３の下端と第２水タンク７ｂの水面との間の
空間を通って出口側スクラバー６へと導かれる。
【００１０】水タンク７内には、給水ライン２８よりバ
ルブ２７を介して新水が常時（１０リットル／ｍｉｎ）
給水される。また、給水ライン２８は、入口側スクラバ
ー４、出口側スクラバー６、加熱分解反応器５にも接続
されており、定期的なメンテナンス時に排ガス処理装置
１内を自動洗浄する際にもこの新水が使われる。
ルブ２７を介して新水が常時（１０リットル／ｍｉｎ）
給水される。また、給水ライン２８は、入口側スクラバ
ー４、出口側スクラバー６、加熱分解反応器５にも接続
されており、定期的なメンテナンス時に排ガス処理装置
１内を自動洗浄する際にもこの新水が使われる。
【００１１】従来例の排ガス処理装置１は以上のように
構成されるが、次にこの作用について説明する。
構成されるが、次にこの作用について説明する。
【００１２】まず、排ガス処理装置１内におけるガスの
全体的な流れについて説明すると、真空ポンプ２から排
ガス導入管８を介して入口側スクラバー４内に導入され
た排ガスは、真空ポンプ２の排出圧と、出口側スクラバ
ー６に設置された排気ファン１１の吸引力により、入口
側スクラバー４から連通管１５、加熱分解反応器５、出
口側スクラバー６へと至る流れを作り、排気ファン１１
から工場側の排気ラインへと排気される。また、入口側
スクラバー４のガスの流入部には圧力計２５が取り付け
られており、この入口部分での圧力を監視し、ガス流入
量の変化による圧力変動に応じて、インバーター２６を
介して排気ファン１１の排気能力を変化させるようにし
ている。
全体的な流れについて説明すると、真空ポンプ２から排
ガス導入管８を介して入口側スクラバー４内に導入され
た排ガスは、真空ポンプ２の排出圧と、出口側スクラバ
ー６に設置された排気ファン１１の吸引力により、入口
側スクラバー４から連通管１５、加熱分解反応器５、出
口側スクラバー６へと至る流れを作り、排気ファン１１
から工場側の排気ラインへと排気される。また、入口側
スクラバー４のガスの流入部には圧力計２５が取り付け
られており、この入口部分での圧力を監視し、ガス流入
量の変化による圧力変動に応じて、インバーター２６を
介して排気ファン１１の排気能力を変化させるようにし
ている。
【００１３】入口側スクラバー４内に導入された排ガス
は、まずシャワーノズル９ａからのシャワー水により水
洗いされる。これにより、排ガス中の粉塵やダストは第
１水タンク７ａに落下させられ除去される。そして、水
洗いされた排ガスは、壁部１２の下端と第１水タンク７
ａの水面との間の空間を通って、連通管１５を経由して
内筒１７内へと流入していく。
は、まずシャワーノズル９ａからのシャワー水により水
洗いされる。これにより、排ガス中の粉塵やダストは第
１水タンク７ａに落下させられ除去される。そして、水
洗いされた排ガスは、壁部１２の下端と第１水タンク７
ａの水面との間の空間を通って、連通管１５を経由して
内筒１７内へと流入していく。
【００１４】そして、排ガスは内筒１７内を上方へと進
み、内筒１７の上端開口から、加熱分解反応器５の内部
に排出される。ここで、ブロア２２から加熱分解反応器
５内に送り込まれている空気と混合して酸化を生じる。
そして、加熱分解反応器５内は電気ヒーター１８により
加熱されているので、排ガスと空気中の酸素との酸化反
応は促進される。これにより、排ガス中の有毒性ガス、
例えばシランは酸化により分解し、無害なＳｉＯ2 （シ
リカ）の粉体（固体）になる。そして、この熱酸化分解
により生じたシリカ等の反応副生成物は第２水タンク７
ｂへと落下するが、一部は飛沫として排ガスと共に、壁
部１３の下端と第２水タンク７ｂの水面との間の空間を
通って、出口側スクラバー６内へと導かれる。
み、内筒１７の上端開口から、加熱分解反応器５の内部
に排出される。ここで、ブロア２２から加熱分解反応器
５内に送り込まれている空気と混合して酸化を生じる。
そして、加熱分解反応器５内は電気ヒーター１８により
加熱されているので、排ガスと空気中の酸素との酸化反
応は促進される。これにより、排ガス中の有毒性ガス、
例えばシランは酸化により分解し、無害なＳｉＯ2 （シ
リカ）の粉体（固体）になる。そして、この熱酸化分解
により生じたシリカ等の反応副生成物は第２水タンク７
ｂへと落下するが、一部は飛沫として排ガスと共に、壁
部１３の下端と第２水タンク７ｂの水面との間の空間を
通って、出口側スクラバー６内へと導かれる。
【００１５】出口側スクラバー６内へと導かれた排ガス
と反応副生成物はシャワーノズル９ｂからのシャワー水
により水洗いされて、反応副生成物は第２水タンク７ｂ
内へと除去される。そして、無害化された排ガスは排気
ファン１１を介して工場側の排気ラインへと排出されて
いく。
と反応副生成物はシャワーノズル９ｂからのシャワー水
により水洗いされて、反応副生成物は第２水タンク７ｂ
内へと除去される。そして、無害化された排ガスは排気
ファン１１を介して工場側の排気ラインへと排出されて
いく。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本来、入口側スクラバ
ー４内に導入された排ガス中に含まれる粉塵やダスト
は、シャワーノズル９ａからのシャワー水にて取り除か
れるべきであるが、中にはこのシャワー水をくぐり抜け
非常に細かな飛沫として排ガスと共に壁部１２の下端と
第１水タンク７ａの水面との間の空間を通って、連通管
１５、内筒１７を経由して加熱分解反応器５内へと流入
し、これら連通管１５、内筒１７、加熱分解反応器５内
に堆積して果てにはこれらを閉塞する事態に陥ってしま
う。
ー４内に導入された排ガス中に含まれる粉塵やダスト
は、シャワーノズル９ａからのシャワー水にて取り除か
れるべきであるが、中にはこのシャワー水をくぐり抜け
非常に細かな飛沫として排ガスと共に壁部１２の下端と
第１水タンク７ａの水面との間の空間を通って、連通管
１５、内筒１７を経由して加熱分解反応器５内へと流入
し、これら連通管１５、内筒１７、加熱分解反応器５内
に堆積して果てにはこれらを閉塞する事態に陥ってしま
う。
【００１７】また、熱酸化分解により生じた反応副生成
物も、第２水タンク７ｂへの落下及び出口側スクラバー
６内でのシャワーノズル９ｂからのシャワー水にて除去
されるべきであるが、やはり、シャワー水をくぐり抜け
るものがあり、この除去されなかった飛沫が出口側スク
ラバー６の出口部分、更にはこの先の工場側の排気ライ
ンに堆積しついにはこれらを閉塞する事態に陥る。
物も、第２水タンク７ｂへの落下及び出口側スクラバー
６内でのシャワーノズル９ｂからのシャワー水にて除去
されるべきであるが、やはり、シャワー水をくぐり抜け
るものがあり、この除去されなかった飛沫が出口側スク
ラバー６の出口部分、更にはこの先の工場側の排気ライ
ンに堆積しついにはこれらを閉塞する事態に陥る。
【００１８】このように、従来例の排ガス処理装置１
は、半導体製造装置等から排出される排ガスの除害能力
に関しては十分な機能を有しているが、反面ダストや反
応副生成物による排ガス処理装置内部や排ガス処理装置
後段に設置される工場側排気ラインの閉塞の問題に関す
る対策は皆無である。
は、半導体製造装置等から排出される排ガスの除害能力
に関しては十分な機能を有しているが、反面ダストや反
応副生成物による排ガス処理装置内部や排ガス処理装置
後段に設置される工場側排気ラインの閉塞の問題に関す
る対策は皆無である。
【００１９】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、排ガ
ス処理装置内部や工場側排気ラインにおける、ダストや
反応副生成物による閉塞を抑制する排ガス処理装置を提
供することを課題とする。
ス処理装置内部や工場側排気ラインにおける、ダストや
反応副生成物による閉塞を抑制する排ガス処理装置を提
供することを課題とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、入口側スクラ
バー内で水洗いされた排ガスを、入口側スクラバーの下
方に配設された第１水タンク内に設けた遮壁形成部材に
形成した多数の開口を通って加熱分解反応器内へと導入
させるようにしている。これにより、粉塵やダスト等は
第１水タンク内へと除去され、粉塵やダスト等の加熱分
解反応器内への流入は阻止される。
バー内で水洗いされた排ガスを、入口側スクラバーの下
方に配設された第１水タンク内に設けた遮壁形成部材に
形成した多数の開口を通って加熱分解反応器内へと導入
させるようにしている。これにより、粉塵やダスト等は
第１水タンク内へと除去され、粉塵やダスト等の加熱分
解反応器内への流入は阻止される。
【００２１】また、出口側スクラバーの下方に配設され
た第２水タンク内にも多数の開口が形成された遮壁形成
部材を設けることにより、加熱分解反応器内で生成され
た固体の反応副生成物を第２水タンク内へと除去し、出
口側スクラバー、更にはこの先の工場側排気ラインへの
反応副生成物の流入が阻止される。
た第２水タンク内にも多数の開口が形成された遮壁形成
部材を設けることにより、加熱分解反応器内で生成され
た固体の反応副生成物を第２水タンク内へと除去し、出
口側スクラバー、更にはこの先の工場側排気ラインへの
反応副生成物の流入が阻止される。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
排ガス処理装置について、図面を参照して説明する。な
お、上記従来例と同様な部分については同一の符号を付
し、その詳細な説明は省略する。
排ガス処理装置について、図面を参照して説明する。な
お、上記従来例と同様な部分については同一の符号を付
し、その詳細な説明は省略する。
【００２３】排ガス処理の全体的な流れは、図３に示す
従来例と同じであり、本実施の形態においては、図３に
おける排ガス処理装置１が、排ガス処理装置２０に置き
換わる。つまり、半導体製造装置３等からの、例えば有
毒性のＳｉＨ4 （モノシラン）を含む排ガスは、真空ポ
ンプ２を介して、ＳｉＨ4 の濃度が、窒素ガス等の不活
性ガスにより爆発限界以下の１．２％以下にまで希釈さ
れて排ガス処理装置２０に導入される。
従来例と同じであり、本実施の形態においては、図３に
おける排ガス処理装置１が、排ガス処理装置２０に置き
換わる。つまり、半導体製造装置３等からの、例えば有
毒性のＳｉＨ4 （モノシラン）を含む排ガスは、真空ポ
ンプ２を介して、ＳｉＨ4 の濃度が、窒素ガス等の不活
性ガスにより爆発限界以下の１．２％以下にまで希釈さ
れて排ガス処理装置２０に導入される。
【００２４】図１は、本実施の形態による排ガス処理装
置２０の部分破断側面図である。本実施の形態による排
ガス処理装置２０は従来例の排ガス処理装置１と同様
に、シャワーノズル９ａを備えた入口側スクラバー４
と、その内部にブロア２２から酸化反応用の空気が送り
込まれており、電気ヒーター１８を備えた加熱分解反応
器５と、シャワーノズル９ｂを備えた出口側スクラバー
６と、入口側スクラバー４の下方に配設される第１水タ
ンク７ａと、出口側スクラバー６の下方に配設される第
２水タンク７ｂとから主に構成されている。本実施の形
態による排ガス処理装置２０が従来例の排ガス処理装置
１と異なるところは、入口側スクラバー４と加熱分解反
応器５との境界部分に第１水タンク７ａ内まで延びる第
１遮壁形成部材３１が、加熱分解反応器５と出口側スク
ラバー６との境界部分に第２水タンク７ｂ内まで延びる
第２遮壁形成部材３２が設けられていることにある。
置２０の部分破断側面図である。本実施の形態による排
ガス処理装置２０は従来例の排ガス処理装置１と同様
に、シャワーノズル９ａを備えた入口側スクラバー４
と、その内部にブロア２２から酸化反応用の空気が送り
込まれており、電気ヒーター１８を備えた加熱分解反応
器５と、シャワーノズル９ｂを備えた出口側スクラバー
６と、入口側スクラバー４の下方に配設される第１水タ
ンク７ａと、出口側スクラバー６の下方に配設される第
２水タンク７ｂとから主に構成されている。本実施の形
態による排ガス処理装置２０が従来例の排ガス処理装置
１と異なるところは、入口側スクラバー４と加熱分解反
応器５との境界部分に第１水タンク７ａ内まで延びる第
１遮壁形成部材３１が、加熱分解反応器５と出口側スク
ラバー６との境界部分に第２水タンク７ｂ内まで延びる
第２遮壁形成部材３２が設けられていることにある。
【００２５】第１遮壁形成部材３１は、入口側スクラバ
ー４と加熱分解反応器５との境界部分において、下方に
第１水タンク７ａの水の中にまで延びて設けられてい
る。そして、その水中に浸漬している部分には、例えば
パンチメタルやスリット等、多数の開口が形成されてい
る。第１遮壁形成部材３１と、これに対向して設けられ
ている隔壁１４には、従来例と同様に連通管１５が一体
的に連結されており、後述するように入口側スクラバー
４内の排ガスは、第１水タンク７ａの水中を通って隔壁
１４により連通管１５へと導かれて加熱分解反応器５内
に流入するようになっている。第２遮壁形成部材３２
は、加熱分解反応器５と出口側スクラバー６との境界部
分において、下方に第２水タンク７ｂの水の中にまで延
びて設けられている。そして、その水中に浸漬している
部分には、例えばパンチメタルやスリット等、多数の開
口が形成されている。
ー４と加熱分解反応器５との境界部分において、下方に
第１水タンク７ａの水の中にまで延びて設けられてい
る。そして、その水中に浸漬している部分には、例えば
パンチメタルやスリット等、多数の開口が形成されてい
る。第１遮壁形成部材３１と、これに対向して設けられ
ている隔壁１４には、従来例と同様に連通管１５が一体
的に連結されており、後述するように入口側スクラバー
４内の排ガスは、第１水タンク７ａの水中を通って隔壁
１４により連通管１５へと導かれて加熱分解反応器５内
に流入するようになっている。第２遮壁形成部材３２
は、加熱分解反応器５と出口側スクラバー６との境界部
分において、下方に第２水タンク７ｂの水の中にまで延
びて設けられている。そして、その水中に浸漬している
部分には、例えばパンチメタルやスリット等、多数の開
口が形成されている。
【００２６】本実施の形態による排ガス処理装置２０は
以上のように構成され、次にこの作用について説明す
る。入口側スクラバー４内に導入された排ガスは、まず
シャワーノズル９ａからのシャワー水により洗浄され
る。これにより、排ガス中に含まれる粉塵やダスト等は
第１水タンク７ａ内に洗い落とされる。そして、排ガス
は、その経路が第１遮壁形成部材３１により水中を通る
ようにされており、排ガス処理装置２０の前段に設置さ
れた真空ポンプ２の排出圧と、排ガス処理装置２０の出
口側の排気ファン１１により水中を通過することが可能
となり、第１水タンク７ａ内の第１遮壁形成部材３１に
形成された多数の開口をバブルの気泡として通過し、隔
壁１４によりガイドされて連通管１５へと導かれる。こ
のとき、シャワーにて取り除かれなかった排ガス中の粉
塵やダスト等は、排ガスと共に水中に入り、連通管１５
への流入をタンク内の水と第１遮壁形成部材３１により
阻止され、第１水タンク７ａ内に沈殿する。従って、粉
塵やダスト等をここで完全に除去でき、この先への流入
を防ぐことができる。
以上のように構成され、次にこの作用について説明す
る。入口側スクラバー４内に導入された排ガスは、まず
シャワーノズル９ａからのシャワー水により洗浄され
る。これにより、排ガス中に含まれる粉塵やダスト等は
第１水タンク７ａ内に洗い落とされる。そして、排ガス
は、その経路が第１遮壁形成部材３１により水中を通る
ようにされており、排ガス処理装置２０の前段に設置さ
れた真空ポンプ２の排出圧と、排ガス処理装置２０の出
口側の排気ファン１１により水中を通過することが可能
となり、第１水タンク７ａ内の第１遮壁形成部材３１に
形成された多数の開口をバブルの気泡として通過し、隔
壁１４によりガイドされて連通管１５へと導かれる。こ
のとき、シャワーにて取り除かれなかった排ガス中の粉
塵やダスト等は、排ガスと共に水中に入り、連通管１５
への流入をタンク内の水と第１遮壁形成部材３１により
阻止され、第１水タンク７ａ内に沈殿する。従って、粉
塵やダスト等をここで完全に除去でき、この先への流入
を防ぐことができる。
【００２７】連通管１５に導かれた排ガスは、内筒１７
を通って加熱分解反応器５内の、ヒーター１８の棒状の
発熱部１９により加熱されている空間に排出され、ここ
でブロア２２から送り込まれている空気と混合して熱酸
化反応を生じる。そして、この熱酸化反応により排ガス
中に含まれている有毒性の、例えばＳｉＨ4 （モノシラ
ン）は、無害なＳｉＯ2 （シリカ）の粉体に分解され
る。この反応副生成物としてのシリカの粉体は第２水タ
ンク７ｂ内に落下し、あるいは一部は飛沫として排ガス
と共に出口側スクラバー６に向かって運ばれるが、出口
側スクラバー６へとつながる経路が、第２水タンク７ｂ
内に浸漬して形成された第２遮壁形成部材３２によって
水中を通るようにされており、このためシリカは第２水
タンク７ｂ内の水及び第２遮壁形成部材３２によってそ
の通過が阻止され第２水タンク７ｂ内へと除去される。
従って、反応副生成物の出口側スクラバー６及びこの先
の排気ラインへの流入を防ぐことができる。一方、無害
化された排ガスは、第２遮壁形成部材３２に形成された
多数の開口をバブルの気泡として通過して、出口側スク
ラバー６へと導かれる。
を通って加熱分解反応器５内の、ヒーター１８の棒状の
発熱部１９により加熱されている空間に排出され、ここ
でブロア２２から送り込まれている空気と混合して熱酸
化反応を生じる。そして、この熱酸化反応により排ガス
中に含まれている有毒性の、例えばＳｉＨ4 （モノシラ
ン）は、無害なＳｉＯ2 （シリカ）の粉体に分解され
る。この反応副生成物としてのシリカの粉体は第２水タ
ンク７ｂ内に落下し、あるいは一部は飛沫として排ガス
と共に出口側スクラバー６に向かって運ばれるが、出口
側スクラバー６へとつながる経路が、第２水タンク７ｂ
内に浸漬して形成された第２遮壁形成部材３２によって
水中を通るようにされており、このためシリカは第２水
タンク７ｂ内の水及び第２遮壁形成部材３２によってそ
の通過が阻止され第２水タンク７ｂ内へと除去される。
従って、反応副生成物の出口側スクラバー６及びこの先
の排気ラインへの流入を防ぐことができる。一方、無害
化された排ガスは、第２遮壁形成部材３２に形成された
多数の開口をバブルの気泡として通過して、出口側スク
ラバー６へと導かれる。
【００２８】そして、排ガスは更に出口側スクラバー６
内でシャワーノズル９ｂによって洗浄されて、完全に無
害清浄化されて排気ファン１１により工場側の排気ライ
ンへと排気される。
内でシャワーノズル９ｂによって洗浄されて、完全に無
害清浄化されて排気ファン１１により工場側の排気ライ
ンへと排気される。
【００２９】水タンク７内に沈殿した、ダストや反応副
生成物はバルブ２４を介してタンク内の水と共に排出さ
れる。また、給水ライン２８からはバルブ２７を介して
水タンク７内に常時（１０リットル／ｍｉｎ）の新水が
給水されており、水面上に浮遊するダストや反応副生成
物を効率良くオーバーフローライン２３より、排ガス処
理装置外へと排水するようにしている。
生成物はバルブ２４を介してタンク内の水と共に排出さ
れる。また、給水ライン２８からはバルブ２７を介して
水タンク７内に常時（１０リットル／ｍｉｎ）の新水が
給水されており、水面上に浮遊するダストや反応副生成
物を効率良くオーバーフローライン２３より、排ガス処
理装置外へと排水するようにしている。
【００３０】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００３１】例えば、上記実施の形態では、排ガス処理
装置２０で処理する有毒性ガスとしてＳｉＨ4 （モノシ
ラン）を例示したが、これ以外に、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジ
クロロシラン）、ＰＨ3 （ホスフィン）、ＧｅＨ4 （ゲ
ルマン）、ＡｓＨ3 （アルシン）、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラ
ン）など、酸化されて粉末状の固形物を生成するガスも
処理対象となる。
装置２０で処理する有毒性ガスとしてＳｉＨ4 （モノシ
ラン）を例示したが、これ以外に、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジ
クロロシラン）、ＰＨ3 （ホスフィン）、ＧｅＨ4 （ゲ
ルマン）、ＡｓＨ3 （アルシン）、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラ
ン）など、酸化されて粉末状の固形物を生成するガスも
処理対象となる。
【００３２】また、上記実施の形態では、半導体製造装
置３からの排ガスとしたが、これに限ることはない。
置３からの排ガスとしたが、これに限ることはない。
【００３３】排ガス中の粉塵やダスト等は第１遮壁形成
部材３１のみでも除去することができるので、処理する
排ガスの種類によっては第２遮壁形成部材３２は必ずし
も設けなくともよい。
部材３１のみでも除去することができるので、処理する
排ガスの種類によっては第２遮壁形成部材３２は必ずし
も設けなくともよい。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１の排ガス処
理装置によれば、第１水タンク内に設けた遮壁形成部材
により、加熱分解反応器内におけるダスト等の流入によ
る閉塞を防ぐことができ、更に、請求項４の排ガス処理
装置によれば、第２水タンク内にも遮壁形成部材を設け
ることにより、加熱分解反応により生成された反応副生
成物による工場側排気ラインの閉塞を防ぐことができ
る。
理装置によれば、第１水タンク内に設けた遮壁形成部材
により、加熱分解反応器内におけるダスト等の流入によ
る閉塞を防ぐことができ、更に、請求項４の排ガス処理
装置によれば、第２水タンク内にも遮壁形成部材を設け
ることにより、加熱分解反応により生成された反応副生
成物による工場側排気ラインの閉塞を防ぐことができ
る。
【００３５】よって、これはいずれの請求項にも共通す
るが、排ガス処理装置と排気ラインのメンテナンスサイ
クルを飛躍的に延ばすことができ、排ガス処理装置の稼
働率向上とメンテナンス費用の削減が達成できる。
るが、排ガス処理装置と排気ラインのメンテナンスサイ
クルを飛躍的に延ばすことができ、排ガス処理装置の稼
働率向上とメンテナンス費用の削減が達成できる。
【図１】本発明の実施の形態による排ガス処理装置の部
分破断側面図である。
分破断側面図である。
【図２】従来例の排ガス処理装置の部分破断側面図であ
る。
る。
【図３】従来例の排ガス処理装置を構成要素としたとき
の排ガス処理の全体的な流れを示すブロック図である。
の排ガス処理の全体的な流れを示すブロック図である。
４……入口側スクラバー、５……加熱分解反応器、６…
…出口側スクラバー、７ａ……第１水タンク、７ｂ……
第２水タンク、１０……循環ポンプ、１１……排気ファ
ン、１４……隔壁、２０……排ガス処理装置、２２……
熱酸化用ブロア、３１……第１遮壁形成部材、３２……
第２遮壁形成部材。
…出口側スクラバー、７ａ……第１水タンク、７ｂ……
第２水タンク、１０……循環ポンプ、１１……排気ファ
ン、１４……隔壁、２０……排ガス処理装置、２２……
熱酸化用ブロア、３１……第１遮壁形成部材、３２……
第２遮壁形成部材。
Claims (6)
- 【請求項１】 入口側スクラバーと、加熱分解反応器
と、出口側スクラバーと、前記入口側スクラバーの下方
に配設される第１水タンクと、前記出口側スクラバーの
下方に配設される第２水タンクとを備え、 前記入口側スクラバー内に導入された排ガスを前記入口
側スクラバー内で水洗いして、前記排ガスから除去され
た非水溶性固形分を前記第１水タンク内に落下させ、 前記加熱分解反応器内で、前記排ガス中に含まれる有毒
性ガスを加熱分解し、この分解で得られる固体の反応副
生成物を前記出口側スクラバー内に導入し水洗いして、
前記第２水タンク内に落下させるようにした排ガス処理
装置において、 前記入口側スクラバーと前記加熱分解反応器間を連通さ
せる排ガス通路を、前記排ガスが前記第１水タンク内に
設けた遮壁形成部材に形成した多数の開口を通って、前
記入口側スクラバーから前記加熱分解反応器内に導入さ
せるようにしたことを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】 前記排ガスは半導体製造装置からの排ガ
スであることを特徴とする請求項１に記載の排ガス処理
装置。 - 【請求項３】 前記有毒性ガスはシランを含んでいるこ
とを特徴とする請求項１に記載の排ガス処理装置。 - 【請求項４】 入口側スクラバーと、加熱分解反応器
と、出口側スクラバーと、前記入口側スクラバーの下方
に配設される第１水タンクと、前記出口側スクラバーの
下方に配設される第２水タンクとを備え、 前記入口側スクラバー内に導入された排ガスを前記入口
側スクラバー内で水洗いして、前記排ガスから除去され
た非水溶性固形分を前記第１水タンク内に落下させ、 前記加熱分解反応器内で、前記排ガス中に含まれる有毒
性ガスを加熱分解し、この分解で得られる固体の反応副
生成物を前記出口側スクラバー内に導入し水洗いして、
前記第２水タンク内に落下させるようにした排ガス処理
装置において、 前記入口側スクラバーと前記加熱分解反応器間を連通さ
せる排ガス通路を、前記排ガスが前記第１水タンク内に
設けた第１遮壁形成部材に形成した多数の開口を通っ
て、前記入口側スクラバーから前記加熱分解反応器内に
導入させるようにし、 且つ前記加熱分解反応器と前記出口側スクラバー間を連
通させる排ガス通路を、前記排ガスが前記第２水タンク
内に設けた第２遮壁形成部材に形成した多数の開口を通
って、前記加熱分解反応器から前記出口側スクラバー内
に導入させるようにしたことを特徴とする排ガス処理装
置。 - 【請求項５】 前記排ガスは半導体製造装置からの排ガ
スであることを特徴とする請求項４に記載の排ガス処理
装置。 - 【請求項６】 前記有毒性ガスはシランを含んでいるこ
とを特徴とする請求項４に記載の排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10194787A JP2000024447A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10194787A JP2000024447A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000024447A true JP2000024447A (ja) | 2000-01-25 |
Family
ID=16330264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10194787A Pending JP2000024447A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000024447A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004272A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Seiko Epson Corp | 排気システム |
| JP2006150280A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kanken Techno Co Ltd | 半導体製造装置の排ガス除害装置 |
| JP2008161863A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Ind Technol Res Inst | 半導体の製造において生成された排ガスの排ガス軽減方法およびシステム |
| JP2011168430A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Materials Corp | ポリマー処理装置および処理方法 |
| JP2014046297A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Japan Display Inc | 電熱式ガス除害装置 |
| JP2017013027A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社荏原製作所 | ファンスクラバー、及び、真空ポンプ装置 |
| WO2019235586A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社クレハ | 非水電解質二次電池負極用炭素質材料の製造方法及び製造装置 |
| JP6718566B1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-07-08 | カンケンテクノ株式会社 | 排ガス除害ユニット |
| JP7021730B1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-02-17 | カンケンテクノ株式会社 | 半導体製造排ガスの処理装置 |
| WO2022208848A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | カンケンテクノ株式会社 | ＰＦＣｓ含有排ガス処理装置 |
-
1998
- 1998-07-09 JP JP10194787A patent/JP2000024447A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US11394019B2 (en) | 2018-06-06 | 2022-07-19 | Kureha Corporation | Method for producing carbonaceous material for negative electrode of non-aqueous electrolyte secondary battery and production apparatus thereof |
| JP6718566B1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-07-08 | カンケンテクノ株式会社 | 排ガス除害ユニット |
| WO2020261518A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | カンケンテクノ株式会社 | 排ガス除害ユニット |
| CN112543673A (zh) * | 2019-06-27 | 2021-03-23 | 北京康肯环保设备有限公司 | 废气除害单元 |
| JP7021730B1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-02-17 | カンケンテクノ株式会社 | 半導体製造排ガスの処理装置 |
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| WO2022208901A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | カンケンテクノ株式会社 | 半導体製造排ガスの処理装置 |
| TWI821745B (zh) * | 2021-04-01 | 2023-11-11 | 日商康肯環保設備有限公司 | 處理半導體製造之排氣的處理裝置 |
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