CN112543673A - 废气除害单元 - Google Patents

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Abstract

大幅消除从前级管道配管至热分解塔的废气路径的堵塞。废气除害单元(U)包括真空泵(1)、废气导入喷嘴部(20)、废气清洗部(40)。废气导入喷嘴部(20)包括：废气喷嘴(21)；保护气体喷嘴(25)，形成包围来自废气喷嘴(21)的废气(H)的保护气帘(Gk)；以及水分喷出喷嘴(27)，包围保护气帘(Gk)。废气清洗部(40)包括上述水槽(41)和搅拌部(46)。水槽(41)是在内部贮存有清洗用水(M)的中空容器，连接有废气导入喷嘴部(20)。水槽(41)的水(M)与其顶壁部(41a)之间的空间为供废气(H)流通的流通空间(45)。搅拌部(46)包括从水槽(41)的顶壁部(41a)垂设且下部浸渍在水槽(41)内的水(M)中的第一堰(47)、和设置在上述第一堰(47)的下游且上部在比上述水(M)靠上部的位置露出的第二堰(48)。

Description

废气除害单元
技术领域
本发明涉及对从半导体、液晶等的电子器件的制造工艺排出的废气进行无害化并向大气放出的废气除害单元，更详细而言，涉及能够大幅缓和该废气中含有的粉尘、反应生成物导致的废气通路中的配管、设备内部的堵塞的废气除害单元。
背景技术
在半导体、液晶等的电子器件的制造工艺中，使用了多种有害或具有易燃性、爆炸性的危险度高的气体、成为臭氧层破洞的原因等的地球环境破坏气体。作为地球环境破坏气体，例如可举出包含作为CVD腔室的清洁气体而使用的CF4及C2F6那样的全氟碳、NF3那样的不含碳的氟化合物等全氟化合物(以下，称为“PFC”)的各种化合物的气体。
在电子器件制造工厂中，通常在上层的无尘室内设置有CVD那样的制造装置和机械增压泵，在下层单个地设置有例如由螺旋式真空泵、入口洗涤器、热分解塔、出口洗涤器等构成的一系列的废气除害设备类，它们通过配管连接(专利文献1、2)。
而且，经由机械增压泵，上层的制造装置的工艺腔室与下层的螺旋式真空泵被配管连接，工艺腔室内的废气被上述真空泵吸引。从工艺腔室出来的废气包含在设备制造工艺中生成的反应生成成分(例如，水溶性成分、与水分反应而生成大量粉尘的水解性气体)。
在下层中，依次配管连接有与上述真空泵连续地设置，用于利用喷淋对从上述真空泵排出的废气进行水清洗而去除上述水溶性成分、水解性成分，并且捕集通过反应而产生的粉尘的入口洗涤器、收容从上述入口洗涤器流出的清洗用的水的水槽、设置于该水槽之上，对被水清洗后的上述废气进行热分解的热分解塔、将在该热分解塔中产生且除害废气中所含的反应生成成分(酸性成分、粉尘等)去除的出口洗涤器等。
作为废气除害用的热分解塔，已知有利用电加热器的热将废气分解的加热分解式的热分解塔(专利文献2)、使废气通过等离子体空间进行等离子体分解处理的等离子体式的热分解塔等(专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-33364号公报
专利文献2：日本特开平11-333247号公报
专利文献3：日本专利第5307556号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述，废气中有时含有水解性成分，该水解性成分从工艺腔室排出，在向下游的废气除害设备流动的期间，与废气除害设备的配管内或设备类内的水分反应而产生反应生成物，该反应生成物附着在配管内或设备类的内表面并成长，最终会引起在废气流路的某个部分堵塞该废气流路的闭塞事故。
就以往的废气除害设备而言，用户单个地购入真空泵、入口洗涤器、热分解塔、出口洗涤器、清洗水回收用的水槽等设备类以及它们的连接配管，并在本社的电子器件制造工厂内进行组装。在该情况下，存在以下那样的问题。
(1)由于构成废气除害设备的单个装置被分散地配置并被配管连接，因此废气除害单元的设置面积容易扩大。
(2)用户一边确认性能一边单个地购入上述机器类、连接配管，但若分散地购入，则作为设备整体，在维护管理方面难以取得统一，如果存在弱点部分，则该部分的维护被集中地要求，难以进行维护管理。例如，存在这样的问题：在将电子器件制造装置的工艺腔室经由真空泵与入口洗涤器连结的被称为前级管道的配管中，包含在废气中的水解性成分与入口洗涤器的喷淋水反应，其反应生成物堆积在喷淋出口，将喷淋出口在短时间内闭塞，或者上述喷淋水的水分在流经前级管道配管内的废气中进行逆渗透并在前级管道配管中反应，反应生成物附着生长在前级管道配管的内表面而在短时间内闭塞前级管道配管。
(3)而且，若对来自工艺腔室的废气进行水清洗，则产生大量的粉尘，其与清洗废气一起被带入热分解塔，也有时在热分解塔内部产生堵塞。
本发明是鉴于这样的现有系统的问题而完成的，第一课题在于，大幅地消除从前级管道配管至热分解塔的废气路径的堵塞，从而能够进行长时间的连续作业，第二课题在于，在统一全部构成要素的设计思想下构建成废气除害单元，实现将它们组装于1个框体内的汇集化，由此实现设置面积的省空间化。
用于解决课题的技术方案
为了解决上述课题，本发明(技术方案1)的废气除害单元U的特征在于，包括：真空泵1，从半导体制造装置200的工艺腔室201吸引废气H；废气导入喷嘴部20，对从该真空泵1排出的废气H进行水清洗；以及废气清洗部40，对由该废气导入喷嘴部20进行水清洗而排出的清洗废气H所包含的夹杂物进行捕集，并将所述清洗废气H向接下来的废气分解工序送出，
所述废气导入喷嘴部20包括：废气喷嘴21，将废气H导入废气清洗部40；保护气体喷嘴25，喷出将从所述废气喷嘴21喷出的废气H包围的保护气体G而形成保护气帘Gk；以及水分喷出喷嘴27，包围从所述保护气体喷嘴25喷出的保护气帘Gk，
所述废气清洗部40包括所述水槽41和搅拌部46，
所述水槽41是在水平方向上延伸且在内部贮存有清洗用的水M的中空容器，包括：废气H的导入开口41c，连接有废气导入喷嘴部20的出口；以及流通空间45，是所述水M与所述水槽41的顶壁部41a之间的空间，供废气H流通并将该废气H送入到废气分解工序，
所述搅拌部46包括：第一堰47，从水槽41的顶壁部41a垂设，下部浸渍在水槽41内的水M中，在所述浸渍部分设置有废气通过路47a；以及第二堰48，在所述第一堰47的下游，通过了所述废气通过路47a的废气H经由搅拌所述水M的搅拌区域49而设置，上部在比所述水M靠上部的位置露出。
由此，从废气喷嘴21喷出的废气H在被保护气帘Gk保护的范围内与来自水分喷出喷嘴27的水分M的接触被遮断，因此，若不存在因基于废气H的水解性成分与水分M的接触的反应而生成的粉尘等反应生成物附着于废气喷嘴21而堵塞废气喷嘴21这样的情况，则不会使在废气喷嘴21流动的废气H逆渗透而闭塞废气喷嘴21的上游侧的废气路径。
并且，从废气导入喷嘴部20出来的清洗废气H被导入到废气清洗部40的水槽41内，与水槽41内的水M一起被搅拌部46搅拌，由此废气中含有的粉尘以及其它的夹杂物被有效地捕集于水M，且作为不含夹杂物的清洗废气H被送入下一工序。
需要说明的是，在本发明中，所谓水分，含有水、雾、蒸气、洒水等，全部用附图标记M表示。
技术方案2根据技术方案1所述的废气除害单元U，其特征在于，
废气导入喷嘴部20还包括飞散构件30，该飞散构件30在从废气喷嘴21离开的位置超出保护气帘Gk，且设置在从所述废气喷嘴21喷出的废气H与来自水分喷出喷嘴27的水分M碰撞的位置，在所述废气H、保护气体G及水分M碰撞后使它们向周围分散。
由此，高效地进行废气H与水分M的气液接触，废气H中的水解性成分的大半在此被分解，产生大量的粉尘。
技术方案3根据技术方案1或2所述的废气除害单元U，其特征在于，
真空泵1由机械增压泵2和粗抽泵4构成，该机械增压泵2与从半导体制造装置200的工艺腔室201引出的第一前级管道配管P1连接，该粗抽泵4设置在所述机械增压泵2的下方，与从机械增压泵2引出的第二前级管道配管P2连接，
在从所述粗抽泵4引出的第三前级管道配管P3连接有废气导入喷嘴部20，
该废气除害单元U由内表面清洁部10和内表面清洗部16构成，
该内表面清洁部10与所述第一前级管道配管P1连接，在半导体制造装置200的清洁时，向第一前级管道配管P1内供给氟自由基F·而去除第一前级管道配管P1以下包含所述废气导入喷嘴部20的构成构件的内表面附着物S，
该内表面清洗部16与所述第二前级管道配管P2连接，在利用氟自由基F·进行的所述内表面清洁之后供给清洗用的水M，对所述第二前级管道配管P2以下包含所述废气导入喷嘴部20的构成构件的内表面附着物S进行水清洗，然后，供给干燥气体G，对第二前级管道配管P2以下包含所述废气导入喷嘴部20的构成构件的内表面进行干燥。
由此，在半导体制造装置200的清洁时同时执行第一前级管道配管P1以下包含废气导入喷嘴部20的构成构件的内表面清洗，能够缩短维护时间。
技术方案4根据技术方案1所述的废气除害单元U，其特征在于，
该废气除害单元U由真空泵1、废气导入喷嘴部20、废气清洗部40、热分解塔60、出口洗涤器80、配管系统以及框体90构成，该热分解塔60将来自废气清洗部40的清洗废气H进行热分解；该出口洗涤器80对来自所述热分解塔60的分解废气H进行水清洗而去除通过所述热分解生成的分解废气H内的夹杂物并将分解废气H作为洁净废气H排出到装置外；该配管系统连接所述构成设备；该框体90收容所述真空泵1、所述废气导入喷嘴部20、所述废气清洗部40、所述热分解塔60、所述出口洗涤器80和所述配管系统。
由此，废气除害的构成设备及其配管系统集中收纳于1个框体90内，因此与以往相比，能够使其设置面积紧凑。而且，由于一连串的废气除害的构成设备由同一制造商准备，因此废气除害单元U整体的性能协调，能够消除本来成为弱点的前级管道配管系统的粉尘堵塞。
发明效果
如上所述，本发明通过废气导入喷嘴部20的水分喷出喷嘴27与废气清洗部40的搅拌部46的协作，能够使废气H在不含粉尘及其它的夹杂物的状态下向下一工序输送。
而且，由于将除害设备、配管系统以统一的设计思想进行整合，将它们收容在1个框体90内，因此能够节约废气除害单元U的设置面积，同时对于用户而言，能够对废气除害单元U从入口到出口进行综合管理。
附图说明
图1是表示应用了本发明的废气除害单元的内部构造的主视图。
图2是图1的构成要素的功能说明图和搅拌部(堰)的放大图。
图3(a)是本发明的内表面清洁部的第一实施例的概略剖视图，(b)是该第二实施例的概略剖视图。
图4是本发明的废气导入喷嘴部的剖视图。
图5是本发明的热分解塔的剖视图。
图6是本发明的出口洗涤器的剖视图。
具体实施方式
以下，根据图示实施例对本发明进行说明。本废气除害单元U是利用设置在废气除害单元U的框体90内的真空泵1(机械增压泵2和粗抽泵4)对从在半导体器件制造工艺中使用的制造装置200、例如CVD成膜装置排出的废气H进行吸引，并将该废气H依次输送到收纳在同一框体90内的设备类，将其热分解而无害化后向大气放出的设备。
另外，在背景技术的说明中，以PFC废气的除害为代表例进行了说明，但由于难分解性的废气不限于PFC废气，因此，本发明的处理对象气体简称为废气H。
以下，参照附图对本发明的废气除害单元U的实施方式的一例进行说明。废气除害单元U例如在半导体制品、液晶面板等的制造工厂中，相对于设置有半导体制造装置200的无尘室210所在的上层，设置在其下层，构成半导体制造装置200的排气系统。
本发明的废气除害单元U由真空泵1、内表面清洁部10、内表面清洗部16、废气导入喷嘴部20、废气清洗部40、热分解塔60、出口洗涤器80及连接它们的配管系统以及收容它们的框体90构成。
在半导体制造装置200中设置有进行液晶面板、半导体晶圆的成膜、蚀刻以及其它的工艺的工艺腔室201。如上所述，上述废气除害单元U设置在其下层。
真空泵1具备作为进行工艺腔室201的排气的上位泵使用的机械增压泵2、和作为下位泵的粗抽泵4(例如干泵、螺旋泵)。
由图1可知，机械增压泵2载置于框体90的搁板91，粗抽泵4在其正下方载置于后述的废气清洗部40的水槽41上。
在本实施例中，从工艺腔室201引出的第一前级管道配管P1贯穿地板220而与下层的机械增压泵2连接。
并且，机械增压泵2与粗抽泵4通过第二前级管道配管P2连接，而且，在从粗抽泵4引出的第三前级管道配管P3上设置有废气导入喷嘴部20。
在本发明中，在框体90内，机械增压泵2和粗抽泵4上下配置，废气导入喷嘴部20配置在粗抽泵4的侧旁附近，因此将它们连接的第二前级管道配管P2和第三前级管道配管P3的管长极短。
并且，根据图1可知，第二前级管道配管P2形成为J形，其上端与机械增压泵2连接，第二前级管道配管P2的底部与粗抽泵4连接，朝向横向的第二前级管道配管P2的端部的连接器P2c与后述的内表面清洗部16连接。
内表面清洗部16能够相对于设置于第二前级管道配管P2的端部的连接器P2c进行拆装。在内表面清洗部16的非连接时，第二前级管道配管P2的连接器P2c被封闭，在内部清洗时连接内表面清洗部16。
在第一前级管道配管P1设置有生成氟自由基而使第一前级管道配管P1以下的配管类、设备类的内表面附着物S气化并将其去除的内表面清洁部10，在第二前级管道配管P2设置有向第二前级管道配管P2以下的配管类、设备类供给清洗用的水M、干燥用的加热非活性气体G的内表面清洗部16。
内表面清洁部10包括自由基生成腔室12、高频线圈13以及高频电源14。
自由基生成腔室12是在长度方向的两端面设置有开口的中空圆筒构件，将设置于一个端面的开口设为入口开口部12a，将设置于另一个端面的开口设为出口开口部12b。
自由基生成腔室12相对于第一前级管道配管P1的安装有以下的两种情况，即，如图3(a)所示，以串联状态与第一前级管道配管P1连接的情况、和如图3(b)所示，经由出口开口部12b与第一前级管道配管P1连接的情况。
在图3(a)的自由基生成腔室12中，在长度方向的上端部的入口开口部12a连接有第一前级管道配管P1的前半部分，在下端部的出口开口部12b连接有第一前级管道配管P1的后半部分。而且，在第一前级管道配管P1的前半部分连接有供给管内附着物分解气体(例如NF3)的分解气体供给管12c。
在图3(b)的情况下，在自由基生成腔室12的入口开口部12a连接有分解气体供给管12c。
另外，用箭头表示在自由基生成腔室12的环形部分13a内生成且从出口开口部12b出来的氟自由基F·。
自由基生成腔室12是由不锈钢(SUS)、HASTELLOY(注册商标)等金属、或者SiO2、Al2O3等陶瓷这样的气密性、耐热性、耐腐蚀性及机械强度优异的材料构成的筒状的构件。
在该自由基生成腔室12的内部配设有高频线圈13。高频线圈13是将例如由铜、不锈钢等导电性金属构成的线材卷绕成螺旋状而形成的圆筒型的环形线圈。该高频线圈13以呈螺旋状卷绕并在内部设置有圆筒状的空间的环形部分13a的中心轴与自由基生成腔室12的中心轴成为同轴的方式安装在自由基生成腔室12内。另外，高频线圈13的环形部分13a的两端部从自由基生成腔室12内向外部延伸出，与高频电源14连接。
另外，为了防止过热，该高频线圈13和上述的自由基生成腔室12优选根据需要进行冷却。
第一前级管道配管P1及自由基生成腔室12内所示的点表示内表面附着物S。在与工艺腔室201连接的第一前级管道配管P1的内表面附着有与来自工艺腔室201的废气H相伴的反应生成物。
高频电源14是对高频线圈13施加高频电压的电源。
根据需要与第二前级管道配管P2的连接器P2c连接的内表面清洗部16由清洗用的供水配管18和干燥气体供给配管19构成，清洗用的供水配管18和干燥气体供给配管19的共用配管17与基于氟自由基F·的内表面清洁对应地连接于设置在J形的第二前级管道配管P2的下端顶端的连接器P2c。在供水配管18、干燥气体供给配管19以及共用配管17分别安装有开闭阀18v、19v。
从供水配管18供给洁净的城市用水M(或者水槽41的水M)，在本实施例中从干燥气体供给配管19供给加热非活性气体(氮气)G。
废气导入喷嘴部20是与从粗抽泵4的出口延伸的第三前级管道配管P3的出口连接的装置。对于废气导入喷嘴部20，第一、要求防止使从粗抽泵4送出的废气H逆渗透而使反应生成物S附着于第三前级管道配管P3或其上游侧的配管、设备类的内部的功能，第二、要求通过散布水分M来水解包含于废气H的水解性成分的功能。以下进行说明。
接着，废气导入喷嘴部20由壳体35、安装于该壳体35的顶壁部分的三重管20a、以及设置于三重管20a的正下方的飞散构件30构成。
作为三重管20a的喷嘴构造，由作为内管的废气喷嘴21、作为围绕该废气喷嘴21的周围的中间管，喷出非活性气体G而在废气H的周围形成保护气帘Gk的保护气体喷嘴25、以及作为围绕该保护气体喷嘴25的周围的外管，从保护气帘Gk的外侧喷出水分的水分喷出喷嘴27构成。
废气喷嘴21的入口部分与从粗抽泵4引出的第三前级管道配管P3连接。废气喷嘴21的内表面的纵截面形状从其入口部分到中间部分形成为粗的圆形直管状，其内径从中间部分朝向作为其出口的废气喷出口21f逐渐地减小。为了防止反应生成物或粉尘附着堆积在该废气喷出口21f，优选形成为刀刃状。废气喷嘴21的外表面的朝向废气喷出口21f逐渐减小的倒圆锥台形状的部分成为构成喷射保护气体G的保护气体喷出路T1的间隙的内表面。
保护气体喷嘴25形成有在上表面中央开口的圆筒状的收纳凹部25b，从该收纳凹部25b的中央朝向下方穿设有顶端变细(漏斗状)的喷嘴孔25a。将设置有该喷嘴孔25a的部分作为喷嘴部分25c。该喷嘴部分25c为中空且倒圆锥台状。
该保护气体喷出路T1的顶端开口是保护气体喷出口25f，围绕废气喷出口21f的整周。而且，保护气体供给配管26与保护气体喷嘴25的上部侧面连接，且同在收纳凹部25b的内表面与废气喷嘴21的外表面之间形成的气体积存部26a连通。即，气体积存部26a同到达保护气体喷出口25f的保护气体喷出路T1连通。而且，保护气体喷出口25f从废气喷出口21f向废气喷出方向突出。
水分喷出喷嘴27以围绕保护气体喷嘴25的整周的方式设置。
水分喷出喷嘴27的喷嘴部分27c形成为由与保护气体喷嘴25的喷嘴部分25c相同的锥形形成的顶端变细圆锥形，在保护气体喷嘴25的外周面与水分喷出喷嘴27的内周面之间遍及保护气体喷嘴25的外周面整周地形成有构成水分喷出路T2的间隙。
该水分喷出路T2经由水积存部28a与水分供给配管28连接。该水分供给配管28与第一扬水配管42连接，利用设置于该第一扬水配管42的第一扬水泵YP1供给水槽41的水M。
在图4中，水分供给配管28与水分喷出喷嘴27的侧面连接，且与水积存部28a相连。
该三重管20a设置于壳体35，在三重管20a的喷嘴口的下方设置有飞散构件30。飞散构件30由盘状部31、安装于壳体35的支承构件34、以及腿部32构成，盘状部31为圆形且浅盘状的构件，上表面周围隆起，其隆起缘31b的内侧凹陷。将该凹陷的部分作为碰撞部分31a。该碰撞部分31a与保护气体喷嘴25的喷嘴口顶端的间隔优选为从水分喷出喷嘴27喷出的水分(加热蒸气或微细水滴)冲破保护气帘Gk的地点、或者超出该地点的下方位置。若使碰撞部分31a过于接近保护气体喷嘴25的喷嘴口，则保护气帘Gk的水分遮蔽效果受损。
支承构件34是圆板状的构件，固定于壳体35的内表面。在上述支承构件34的适当部位贯穿设置有废气流下孔33。而且，圆柱状的腿部32的上端安装于盘状部31的底部中央。腿部32的下端安装于支承构件34的中央。
壳体35由下表面开口的圆筒体构成，如上所述，三重管20a朝下安装于该壳体35的顶壁部分。该壳体35的下表面开口安装于后述的水槽41的废气H的导入开口41c。
废气清洗部40是在水平方向上较长地延伸的中空容器，包括在内部将清洗用水的M贮存在一定高度的水槽41、设置在上述水槽41中的1个至多个搅拌部46和1个至多个喷射喷嘴50。搅拌部46使用基于水M的搅拌的气液接触效果较高的堰(图2的放大图)。
在水槽41的顶壁部41a与清洗用的水M之间设置有供废气H流通的流通空间45。本实施例的水槽41为了提高在流通空间45中流动的废气H与清洗用的水M的气液接触，在本实施例中采用堰构造作为搅拌部46。(以下，有时也将搅拌部46简称为堰46。)搅拌部46由第一堰47和第二堰48构成，在第一堰47与第二堰48之间设置有搅拌区域49(图2的放大图)。
第一堰47从水槽41的顶壁部41a垂设于废气H的上游侧，其下端部分没入清洗用的水M中。而且，在其水没部分形成有成为废气通过路47a的通过孔。(废气通过路47a不限于孔，也可以是废气H能够穿过那样的堰。在此，作为废气通过路47a而使用通过孔。)该废气通过路47a由在水面正下方与水面一致地水平延伸的狭缝状的间隙、或者水平排列的1个至多个贯穿孔形成。在该废气通过路47a的孔缘设置有向下游方向延伸的引导喷嘴47b。
第二堰48隔着搅拌区域49设置在第一堰47的下游侧。其设置姿态被设置成，在第二堰48的下部相对于第二堰48的上部相对于第一堰47逐渐远离的方向上，其整体朝向下游侧向下倾斜。
第二堰48的上部从水面突出，其剩余的下部没入水中。而且，突出部分的上端部分向第一堰47方向折曲或弯曲，水没部分的下端部分以在水槽41的底部41b方向上向第一堰47侧向斜下方折曲或弯曲的方式形成。将上部的折曲部分作为上部折曲片部48b，将下部的折曲部分作为下部折曲片部48a。作为整体，第二堰48呈倒C形。
没入水中的其下部的下部折曲片部48a的折曲线48l位于比第一堰47的废气通过路47a靠下方的位置。
如上所述，搅拌区域49在第一堰47与第二堰48之间的空间中，两者间的间隔在废气通过路47a的出口部分附近最宽，越往上则越逐渐变窄。而且，上部折曲片部48b的顶端与第一堰47之间的间隔最窄，从此处连接于流通空间45。
该堰46在水槽41内相对于水槽41的长度方向设置在直角方向的整个宽度上。该搅拌部46可以是1处，也可以并列设置2个以上。
在水槽41的流通空间45中，喷射喷嘴50以朝向水平方向喷出水M的方式设置。在图的实施例中，喷射喷嘴50设置有3台，与第一扬水配管42的支管连接，利用设置于该支管的喷射泵FP供给水槽41的清洗用的水M。
在上述废气导入喷嘴部20中，通过三重管20a的水喷雾，废气H中的水解性成分与水M反应，产生大量的粉尘。
通过废气清洗部40，发挥在将废气H向下一工序的热分解工序输送之前捕集上述粉尘的作用、和防止所送入的废气H中的大量粉尘附着堆积于水槽41的内表面而使水槽41内的流通空间45堵塞的作用。
在图的实施例中，由于堰46设置于多处(3处)，因此第一喷射喷嘴50a在流通空间45的最上游利用水槽41的侧壁朝向流通空间45的下游喷射水M，对水槽41的其周边(导入开口41c)的内表面进行喷雾。
由于导入开口41c的周围是粉尘量最多的场所，因此在流通空间45中，在导入开口41c的下游侧也设置有第二喷射喷嘴50b。以从第二喷射喷嘴50b向流通空间45的上游侧和下游侧这两个方向喷出的方式配置，在导入开口41c的下游侧，对其周边的水槽41的内表面进行喷雾。
第三喷射喷嘴50c以在最下游的搅拌部46的下游侧向上、下游这两个方向喷出的方式配置，对其周边的水槽41的内表面进行喷雾。
在上述的情况下，也可以如图那样在多个部位设置喷射喷嘴50，但也可以仅设置于废气H的导入开口41c。
在水槽41中，在其流通空间45的下游部分，在后述的热分解塔60与出口洗涤器80之间，遍及水槽41的整个宽度设置有将热分解塔60侧和出口洗涤器80侧分开的分离堰板55。该分离堰板55从水槽41的顶壁部41a垂设，其下端部分没入清洗用的水M中。由此，在流通空间45流动来的废气H被分离堰板55阻挡而被引导至热分解塔60。关于比分离堰板55靠下游的结构，在出口洗涤器80的项目中进行说明。
图5所示的本实施例的热分解塔60是利用了大气压等离子体的废气H的热分解处理装置，由粗的圆筒状的塔本体62、设置在上述塔本体62的顶部且朝向上述塔本体62的内部生成高温的等离子体射流J的非转移型的等离子体射流炬61、立设在其正下方的细的圆筒状的燃烧筒部64、以及水导入部63构成，该水导入部63是以包围所述塔本体62的上端外周的方式设置的环状的空间，始终被供给水M，通过溢流使水流到上述塔本体62的内壁而形成水膜。通过设置于第二扬水配管43的第二扬水泵YP2向水导入部63供给水槽41的水M。
上述热分解塔60在水槽41的流通空间45的下游部分，立设在分离堰板55的上游侧，在流通空间45开口，经由设置在水槽41的顶壁部41a的连通开口41d与流通空间45相连。
燃烧筒部64与塔本体62的中心轴一致地配置，其下端部分浸渍在水槽41的水M中。而且，在水面的正上方，排气配管66从燃烧筒部64的下部沿水平方向分支，贯穿分离堰板55而向出口洗涤器80侧开口。将排气配管66开口的出口洗涤器80侧的空间作为分解废气流入空间45a。
设置于热分解塔60的顶部的等离子体射流炬61在内部具有等离子体产生室(未图示)，在等离子体射流炬61的下表面中心部设置有使在等离子体产生室内生成的等离子体射流J喷出的等离子体射流喷出孔(未图示)。在等离子体射流炬61的侧面上部根据需要设置有氮气那样的工作气体供给配管(未图示)。
从等离子体射流喷出孔喷出的等离子体射流J被吹入设置于塔本体62的中心的燃烧筒部64。
在超出上述分离堰板55的水槽41的分解废气流入空间45a侧设置有从水槽41的底部41b立起且上端与清洗用水M的水面一致的溢流堰56，超出该溢流堰56的部分为排水区域57，作为工厂排水而被排放。
向水槽41供给与通过溢流排放的水M相同量的新的水M，水槽41内的水M保持一定的水位。
出口洗涤器80是所谓的湿式洗涤器，以下，对其构造进行说明(图6)。出口洗涤器80在水槽41的顶壁部41a排列地立设于热分解塔60。
出口洗涤器80包括外装壳体81、旋风器筒部82、排气风扇89及其附带设备。作为附带设备，具有第三扬水配管44以及设置于其中途的第三扬水泵YP3、第一出口清洗喷雾器88a以及第二出口清洗喷雾器88b等。
外装壳体81为下表面开口的中空直圆管状，其底部浸渍于在分解废气流入空间45a侧贮存的水M中。在浸渍于水M的底部，在水面正下方的位置设置有多处分解废气流通孔81a。在该分解废气流通孔81a的孔缘朝向内侧设置有横向漏斗状的引导喷嘴81b。而且，在外装壳体81的顶壁部分，贯穿其而朝向下方垂设有清洗废气排出筒部86。该清洗废气排出筒部86与后述的排气风扇89连接。
在外装壳体81内，在其中心从外装壳体81的顶壁部分垂设有旋风器筒部82。旋风器筒部82的上部形成为圆筒状，上述清洗废气排出筒部86位于该圆筒状部分82c的中央。而且，在该圆筒状部分82c形成有供分解废气H流入旋风器筒部82内的分解废气导入口82b。在圆筒状部分82c的下端朝下设置有被缩径为漏斗状的漏斗状部分82a，细管部82d从该漏斗状部分82a的下端朝下设置。细管部82d的下端部分浸渍在分解废气流入空间45a内的清洗用的水M中。
在外装壳体81与旋风器筒部82的细管部82d之间的空间，以围绕细管部82d的下部整周的方式立设有折流筒构件83。该折流筒构件83的上部从水M向上突出，下部浸渍在水M中。浸渍于水M的下部的下端部83a朝向引导喷嘴81b侧向斜下方折曲，从水M向上突出的上部的上端部83b朝向细管部82d方向水平地折曲。而且，该折流筒构件83的水没部分与外装壳体81的引导喷嘴81b正对，且其整体如上述那样相对于外装壳体81倾斜地配置，发挥与水槽41的第二堰48同样的作用。另外，水没部分的折曲线83l设置在比分解废气流通孔81a靠下方的位置。
在折流筒构件83的上方，环状折流板84从外装壳体81的内周面朝向内侧水平地设置。在环状折流板84的孔缘设置有向下方向延伸的圆筒状部84a。旋风器筒部82的细管部82d贯穿该圆筒状部84a的中心。而且，该圆筒状部84a进入折流筒构件83的上半部分的水面突出部分与旋风器筒部82的细管部82d之间，构成分解废气H的复杂的流通路径。
在上述环状折流板84的上方，在上述细管部82d的周围设置有多个第一出口清洗喷雾器88a，朝向上下方向上下洒水。在该第一出口清洗喷雾器88a上连接有对贮存在分解废气流入空间45a侧的水M进行扬水的第三扬水配管44，在该第三扬水配管44的中途设置有第三扬水泵YP3。来自第一出口清洗喷雾器88a的洒水M覆盖旋风器筒部82与外装壳体81之间的空间，且用水M始终润湿两者的内表面。由第一出口清洗喷雾器88a洒出的所述水M在两者的内表面流下而返回水槽41。
在清洗废气排出筒部86内设置有第二出口清洗喷雾器88b，从清洗废气排出筒部86朝向漏斗状部分82a洒水。由于第二出口清洗喷雾器88b的洒水M是最终段的水洗，洁净废气H向大气放出，因此使用新水。
在外装壳体81的顶部设置有排气风扇89，与外装壳体81的清洗废气排出筒部86连接。而且，设置于该排气风扇89的大气放出用的排气用配管89a从框体90引出而与工厂配管150连接。
废气除害单元U的控制盘C构成为以热分解塔60的控制系统和集中控制机械增压泵2及粗抽泵4的泵集中控制系统为中心。上述控制盘C组装于框体90内。
接着，对本发明的废气除害单元U的作用进行说明。在半导体制造工艺中，各种原料气体被供给至半导体制造装置200的工艺腔室201，对收纳于工艺腔室201内的包含多张半导体基板的电子器件(未图示)实施各种处理。在反应过程中使用的原料气体成为废气H并经由第一前级管道配管P1向废气除害单元U排出。当使排气风扇89工作时，废气除害单元U的废气路径被保持为负压，废气H被排气风扇89吸引。
在排出的废气H中混合有在上述工艺中产生的包含粉尘的反应生成成分、未反应成分等夹杂成分。在通过第一前级管道配管P1以下的配管或设备类的过程中，该夹杂成分附着堆积在其内部。将该夹杂成分作为内表面附着物S。该内表面附着物S的堆积在第一前级管道配管P1以下越向下游越显著。
然后，由真空泵1从工艺腔室201吸引的废气H到达废气导入喷嘴部20，并从废气喷嘴21朝向水槽41的废气H的导入开口41c喷射。并且，从保护气体喷嘴25喷射的保护气帘Gk在被喷射的废气H的周围围绕其整周。
从最外层的水分喷出喷嘴27的水分喷出路T2的顶端开口，以围绕其内侧的保护气帘Gk的周围的方式，而且与该保护气帘Gk平行地喷出水解用的水分(高温水蒸气)M。由于水分喷出路T2与保护气帘Gk的形成用的保护气体喷出路T1平行，因此从水分喷出路T2喷出的水解用的水分M与保护气帘Gk平行地喷出至离开保护气体喷嘴25某个距离的位置，在该距离范围内不会冲破保护气帘Gk而与内侧的废气H接触。
而且，当上述水分M如上述那样从水分喷出路T2与保护气帘Gk平行地喷出时，在与流速的下降一起在某个一定距离处扩展，水分M、保护气帘Gk以及废气H混合。在该地点设置有飞散构件30的盘状部31，废气H、保护气帘Gk及水分M发生碰撞。并且，由于该碰撞，它们飞散到盘状部31的周围，并且在壳体35内扬起。在此期间，有效地进行废气H与水分M的气液接触，废气H中的水解性成分与水分M接触而生成大量的粉尘。
该粉尘欲附着于壳体35的内表面、三重管20a，但始终被在壳体35中扬起的水分M洗掉，缓和向壳体35的内表面、三重管20a的附着。
另一方面，在壳体35内扬起的壳体35的上部，保护气帘Gk从保护气体喷嘴25猛烈地喷出，因此扬起的上述水分M不会冲破保护气帘Gk，在保护气帘Gk的保护范围内不会与喷出的废气H接触。因此，在第三前级管道配管P3中逆流而上的水分M不会发生逆渗透。
与大量的粉尘一起吹入水槽41的流通空间45内的废气H与来自覆盖废气H的导入开口41c的整个面的第一、第二喷射喷嘴50a、50b的喷射水M接触而其一部分被捕集，并被回收到水槽41的水M中。同时，该喷射水M润湿水槽41的内壁，冲洗欲附着于内壁的内表面附着物S，使其堆积延迟。
利用由排气风扇89的吸引产生的向热分解塔60方向的气流，废气H与幸免被捕集的粉尘一起向搅拌部46方向流动。需要该粉尘尽量不被带进下一工序的热分解工序。
在搅拌部46中，废气H与第一堰47碰撞，以其势头抑制第一堰47附近的水面，通过水面正下方的废气通过路47a进入搅拌区域49。在搅拌区域49中一边被搅拌一边成为气泡而浮起，在此期间，水M与废气H气液接触，废气H中的粉尘等夹杂物被水M有效地捕集。在第二堰48中，其下部折曲片部48a在第一堰47方向上向下弯曲，因此通过上述气泡的浮起而沿着第二堰48喷出的水M与突出部分的上部折曲片部48b抵接而向下方返回，充分搅拌搅拌区域49。由此，粉尘捕集效果提高。
气泡状的废气H直接浮起而在水面裂开，进入流通空间45。
若设置多级上述搅拌部46，则反复进行上述捕集作用，在到达热分解塔60的时候几乎成为不含粉尘等夹杂物的清洗废气H。
根据以上，在从第一前级管道配管P1到废气导入喷嘴部20的废气喷嘴21的废气路径中，通过废气导入喷嘴部20的保护气帘Gk，废气导入喷嘴部20内的水分M与含有水解性成分的废气H的接触被遮断，抑制了上述路径的堵塞。而且，在废气导入喷嘴部20的壳体35内，由于飞散构件30的存在，通过废气H与飞散的水分(高温蒸气)M的气液接触，废气H中的水解性成分的大部分被分解，伴随大量的粉尘。
并且，伴有该粉尘的废气H在水槽41的搅拌部46被多级清洗，在不伴有粉尘的状态下被供给到热分解塔60。
在水槽41被清洗了的废气H从水槽41的连通开口41d被导入至热分解塔60内，在塔本体62及燃烧筒部64的上部的热分解区域65与等离子体射流炬61的等离子体射流J接触而在水分的存在下被热分解。由此，在分解废气H中产生粉尘、反应生成物等夹杂物。
被热分解的废气H与夹杂物一起通过燃烧筒部64。由于燃烧筒部64的下端开口，所以分解废气H内含有的粉尘、反应生成物等夹杂物的大部分直接落下并落下到水槽41的水M中而被捕集，分解废气H与剩余的轻量的夹杂物一起通过排气配管66流入分解废气流入空间45a。
流入到分解废气流入空间45a的分解废气H利用排气风扇89的吸引力将外装壳体81的分解废气流通孔81a附近的水面下压而流入分解废气流通孔81a，在外装壳体81与折流筒构件83之间的搅拌区域87中成为气泡而上升。通过该起泡，该搅拌区域87的水M被大幅搅拌。由此，包含在分解废气H中含有粉尘的夹杂物的大半被搅拌区域87的水M捕集。
清洗后的分解废气H通过由折流筒构件83和环状折流板84弯折而成的流通路径，进而从环状折流板84的圆筒状部84a与细管部82d之间的空间流出到环状折流板84之上的空间。在上述弯折的流通路径中，清洗后的分解废气H成为紊流而与折流筒构件83、环状折流板84以及细管部82d接触。在环状折流板84的上方设置有第一出口清洗喷雾器88a，通过来自此处的洒水M，附着的夹杂物被冲掉。
由于第一出口清洗喷雾器88a沿上下2方向对洒水M进行喷洒，因此外装壳体81的内表面被流下水膜覆盖，因此夹杂物被冲走而不会附着。
分解废气H也不被上述喷淋环捕集，与未落下的微小的夹杂物、雾一起上升，通过分解废气导入口82b而进入旋风器筒部82内。进入旋风器筒部82内的分解废气H在清洗废气排出筒部86的周围回旋，通过旋风器筒部82内的涡流形成，比分解废气H重的夹杂物、雾由于其离心力和重力而回旋并落下，回收到水槽41的水M中。
经过水清洗以及旋风器而不含夹杂物的洁净废气H被排气风扇89吸引而向排气用配管89a放出，流向工厂配管150。
当上述反应工艺和该除害作业结束时，切换到工艺腔室201的清洁工序。在清洁工序中，将内表面清洗部16的共用配管17连接于第二前级管道配管P2的连接器P2c。在该阶段，开闭阀18v、19v关闭。
然后，使氟系清洁气体(例如，C2F6、NF3等)流到工艺腔室201内，使附着于工艺腔室201的内表面的反应生成物成为如NF4那样的挥发性气体而向废气除害单元U侧流动。由此，进行工艺腔室201内的清洁。
在废气除害单元U侧，粉尘、反应生成物附着于从第一前级管道配管P1至废气导入喷嘴部20的废气路径。在清洁工序中，清洁气体被供给到工艺腔室201，但该清洁气体的大部分在工艺腔室201的清洁过程中被消耗，在被吸引到第一前级管道配管P1的清洁后的废气中几乎没有第一前级管道配管P1以下的废气路径中的清洁能力。
因此，打开开闭阀10a，向内表面清洁部10另外供给清洁气体(例如NF3)，进行第一前级管道配管P1以下的废气路径的内表面清洁。
即，在向内表面清洁部10的自由基生成腔室12另外供给清洁气体的同时使高频电源14工作而向高频线圈13施加高频电压。于是，在高频线圈13的环形部分13a的内侧生成电容耦合性的等离子体(CCP)，在该CCP中流过由感应磁场产生的感应电流，由此生成电感耦合等离子体(ICP)。
上述清洁气体通过该自由基生成腔室12内的ICP的高热、电子冲击而被分解。由此，大量生成氟自由基F·，在通过第一前级管道配管P1、机械增压泵2、以及其下游的设备类、配管类的期间，使附着在它们的内表面的反应生成物S气化。即，利用分解NF3而生成的F自由基F·通过Si+4F→SiF4的反应使反应生成物S气化而进行清洁。由此，在工艺腔室201的清洁工序中同时清洁第一前级管道配管P1、机械增压泵2、以及其下游的设备类、配管类的内表面。
当基于上述氟自由基F·的内表面清洁结束时，关闭内表面清洁部10的开闭阀10a。
内表面清洗部16的共用配管17在上述内表面清洁之前与第二前级管道配管P2的下端顶端的连接器P2c连接。在内表面清洁部10的开闭阀10a关闭后，打开内表面清洗部16的供水配管18的开闭阀18v。
从供水配管18出来的清洗用的水M通过共用配管17流入粗抽泵4，通过粗抽泵4进入第三前级管道配管P3，接着通过废气喷嘴21流入水槽41。由此，粗抽泵4以下的设备类和第三前级管道配管P3的内部被清洗。另外，由于无法对机械增压泵2通水，因此在粗抽泵4以下进行水清洗用。
当上述水清洗结束时，关闭供水配管18的开闭阀18v，打开干燥气体供给配管19的开闭阀19v。由此，从干燥气体供给配管19供给加热非活性气体(例如，加热氮气)G，通过上述水洗路径流入水槽41，使该路径的内表面干燥。通过该干燥，排气系统的清洁结束，转移到接下来的制造工艺。
如上所述，在本发明中，通过废气导入喷嘴部20与废气清洗部40的协作，不仅能够排除废气H所包含的水解性成分的分解和由该分解引起的粉尘等夹杂物，而且通过内表面清洁部10与内表面清洗部16的协作，能够与清洁工序相配合地对从第一前级管道配管P1到废气导入喷嘴部20的废气路径进行清洗，能够大幅抑制最容易发生堵塞事故的该部分的堵塞。
附图标记的说明
C：控制盘、F·：氟自由基、FP：喷射泵、G：保护气体(干燥气体、加热气体、非活性气体)、Gk：保护气帘、H：废气、J：等离子体射流、M：水分(水、水滴、雾、蒸气、喷射水、洒水)、P1：第一前级管道配管、P2：第二前级管道配管、P2c：连接器、P3：第三前级管道配管、S：内表面附着物(反应生成物)、T1：保护气体喷出路、T2：水分喷出路、U：废气除害单元、YP1：第一扬水泵、YP2：第二扬水泵、YP3：第三扬水泵、1：真空泵、2：机械增压泵、4：粗抽泵、10：内表面清洁部、10a：开关阀、12：自由基生成腔室、12a：入口开口部、12b：出口开口部、12c：分解气体供给管、13：高频线圈、13a：环形部分、14：高频电源、16：内表面清洗部、17：共用配管、18：供水配管、18v：开闭阀、19：干燥气体供给配管、19v：开闭阀、20：废气导入喷嘴部、20a：三重管、21：废气喷嘴、21f：废气喷出口、25：保护气体喷嘴、25a：喷嘴孔、25b：收纳凹部、25c：喷嘴部分、25f：保护气体喷出口、26：保护气体供给配管、26a：气体积存部、27：水分喷出喷嘴、27c：喷嘴部分、28：水分供给配管、28a：水积存部、30：飞散构件、31：盘状部、31a：碰撞部分、31b：隆起缘、32：腿部、33：废气流下孔、34：支承构件、35：壳体、40：废气清洗部、41：水槽、41a：顶壁部、41b：底部、41c：导入开口、41d：连通开口、42：第一扬水配管、43：第二扬水配管、44：第三扬水配管、45：流通空间、45a：分解废气流入空间、46：搅拌部(堰)、47：第一堰、47a：废气通过路、47b：引导喷嘴、48：第二堰、48a：下部折曲片部、48b：上部折曲片部、48l：折曲线、49：搅拌区域、50(50a～50c)：喷射喷嘴、55：分离堰板、56：溢流堰、57：排水区域、60：热分解塔、61：等离子体射流炬、62：塔本体、63：水导入部、64：燃烧筒部、65：热分解区域、66：排气配管、80：出口洗涤器、81：外装壳体、81a：分解废气流通孔、81b：引导喷嘴、82：旋风器筒部、82a：漏斗状部分、82b：分解废气导入口、82c：圆筒状部分、82d：细管部、83：折流筒构件、83a：下端部、83b：上端部、83l：折曲线、84：环状折流板、84a：圆筒状部、86：清洗废气排出筒部、87：搅拌区域、88a：第一出口清洗喷雾器、88b：第二出口清洗喷雾器、89：排气风扇、89a：排气用配管、90：框体、91：搁板、150：工厂配管、200：半导体制造装置、201：工艺腔室、210：无尘室、220：地板。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种废气除害单元，其特征在于，
该废气除害单元包括：真空泵，从半导体制造装置的工艺腔室吸引废气；废气导入喷嘴部，对从该真空泵排出的废气进行水清洗；以及废气清洗部，对由该废气导入喷嘴部进行水清洗而排出的清洗废气所包含的夹杂物进行捕集，并将所述清洗废气向接下来的废气分解工序送出，
所述真空泵由机械增压泵和粗抽泵构成，该机械增压泵与从半导体制造装置的工艺腔室引出的第一前级管道配管连接，该粗抽泵设置在所述机械增压泵的下方，与从机械增压泵引出的第二前级管道配管连接，
在从所述粗抽泵引出的第三前级管道配管连接有废气导入喷嘴部，
该废气除害单元由内表面清洁部和内表面清洗部构成，
该内表面清洁部与所述第一前级管道配管连接，在半导体制造装置的清洁时，向第一前级管道配管内供给氟自由基而去除第一前级管道配管以下包含所述废气导入喷嘴部的构成构件的内表面附着物，
该内表面清洗部与所述第二前级管道配管连接，在利用氟自由基进行的所述内表面清洁之后供给清洗用的水，对所述第二前级管道配管以下包含所述废气导入喷嘴部的构成构件的内表面附着物进行水清洗，然后，供给干燥气体，对第二前级管道配管以下包含所述废气导入喷嘴部的构成构件的内表面进行干燥。
2.删除
3.删除
4.根据权利要求1所述的废气除害单元，其特征在于，
该废气除害单元由真空泵、废气导入喷嘴部、废气清洗部、热分解塔、出口洗涤器、配管系统以及框体构成，该热分解塔将来自废气清洗部的清洗废气进行热分解；该出口洗涤器对来自所述热分解塔的分解废气进行水清洗而去除通过所述热分解生成的分解废气内的夹杂物并将分解废气作为洁净废气排出到装置外；该配管系统连接所述构成设备；该框体收容所述真空泵、所述废气导入喷嘴部、所述废气清洗部、所述热分解塔、所述出口洗涤器和所述配管系统。

Claims (4)

1.一种废气除害单元，其特征在于，
该废气除害单元包括：真空泵，从半导体制造装置的工艺腔室吸引废气；废气导入喷嘴部，对从该真空泵排出的废气进行水清洗；以及废气清洗部，对由该废气导入喷嘴部进行水清洗而排出的清洗废气所包含的夹杂物进行捕集，并将所述清洗废气向接下来的废气分解工序送出，
所述废气导入喷嘴部包括：废气喷嘴，将废气导入废气清洗部；保护气体喷嘴，喷出将从所述废气喷嘴喷出的废气包围的保护气体而形成保护气帘；以及水分喷出喷嘴，包围从所述保护气体喷嘴喷出的保护气帘，
所述废气清洗部包括所述水槽和搅拌部，
所述水槽是在水平方向上延伸且在内部贮存有清洗用的水的中空容器，包括：废气的导入开口，连接有废气导入喷嘴部的出口；以及流通空间，是所述水与所述水槽的顶壁部之间的空间，供废气流通并将该废气送入到废气分解工序，
所述搅拌部包括：第一堰，从水槽的顶壁部垂设，下部浸渍在水槽内的水中，在所述浸渍部分设置有废气通过路；以及第二堰，在所述第一堰的下游，通过了所述废气通过路的废气经由搅拌所述水的搅拌区域而设置，上部在比所述水靠上部的位置露出。
2.根据权利要求1所述的废气除害单元，其特征在于，
废气导入喷嘴部还包括飞散构件，该飞散构件在从废气喷嘴离开的位置超出保护气帘，且设置在从所述废气喷嘴喷出的废气与来自水分喷出喷嘴的水分碰撞的位置，在所述废气、保护气体及水分碰撞后使它们向周围分散。
3.根据权利要求1或2所述的废气除害单元，其特征在于，
真空泵由机械增压泵和粗抽泵构成，该机械增压泵与从半导体制造装置的工艺腔室引出的第一前级管道配管连接，该粗抽泵设置在所述机械增压泵的下方，与从机械增压泵引出的第二前级管道配管连接，
在从所述粗抽泵引出的第三前级管道配管连接有废气导入喷嘴部，
该废气除害单元由内表面清洁部和内表面清洗部(16)构成，
该内表面清洁部与所述第一前级管道配管连接，在半导体制造装置的清洁时，向第一前级管道配管内供给氟自由基而去除第一前级管道配管以下包含所述废气导入喷嘴部的构成构件的内表面附着物，
该内表面清洗部(16)与所述第二前级管道配管连接，在利用氟自由基进行的所述内表面清洁之后供给清洗用的水，对所述第二前级管道配管以下包含所述废气导入喷嘴部的构成构件的内表面附着物进行水清洗，然后，供给干燥气体，对第二前级管道配管以下包含所述废气导入喷嘴部的构成构件的内表面进行干燥。
4.根据权利要求1所述的废气除害单元，其特征在于，
该废气除害单元由真空泵、废气导入喷嘴部、废气清洗部、热分解塔、出口洗涤器、配管系统以及框体构成，该热分解塔将来自废气清洗部的清洗废气进行热分解；该出口洗涤器对来自所述热分解塔的分解废气进行水清洗而去除通过所述热分解生成的分解废气内的夹杂物并将分解废气作为洁净废气排出到装置外；该配管系统连接所述构成设备；该框体收容所述真空泵、所述废气导入喷嘴部、所述废气清洗部、所述热分解塔、所述出口洗涤器和所述配管系统。
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