TWI739309B - 廢氣有害物質去除單元 - Google Patents

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日商康肯環保設備有限公司
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Abstract

大幅地消解從前線配管至熱分解塔的廢氣路徑的堵塞。 廢氣有害物質去除單元(U),是包含:真空泵(1)、廢氣導入噴嘴部(20)、廢氣洗淨部(40)。廢氣導入噴嘴部(20),是包含:廢氣噴嘴(21)、及形成將來自廢氣噴嘴(21)的廢氣(H)包圍的保護氣體幕牆(Gk)的保護氣體噴嘴(25)、及將保護氣體幕牆(Gk)包圍的水分噴出噴嘴(27)。廢氣洗淨部(40),是包含前述水槽(41)及攪拌部(46)。水槽(41)是在內部貯藏了洗淨用的水(M)的中空容器,連接有廢氣導入噴嘴部(20)。水槽(41)的水(M)及其頂板部(41a)之間的空間是廢氣(H)流通的流通空間(45)。攪拌部(46)是包含:從水槽(41)的頂板部(41a)被垂設且其下部是浸漬在水槽(41)內的水(M)的第1堰(47)、及被設於前述第1堰(47)的下游且其上部是從前述水(M)朝上部露出的第2堰(48)。

Description

廢氣有害物質去除單元
本發明,是有關於將從半導體和液晶等的電子設備的製造程序被排出的廢氣無害化並放出至大氣的廢氣有害物質去除單元,進一步詳細的話,可以大幅地緩和:被包含於該廢氣中的灰塵、和由反應生成物所產生的廢氣通路中的配管和機器內部的堵塞的廢氣有害物質去除單元。
在半導體和液晶等的電子設備的製造程序中,使用:多種類的有害或是引火性、爆發性的危險度高的氣體、和造成臭氧洞的原因等的地球環境破壞氣體。地球環境破壞氣體,可舉例例如作為CVD腔室的清潔氣體被使用的包含:如CF4 及C2 F6 的全氟化碳、和如NF3 的不含碳的氟化合物等的全氟合成物(以下稱為「PFC」)的各式各樣的化合物的氣體。
在電子設備製造工場中,一般在上樓層的清淨室內個別設置如CVD的製造裝置及機械增壓泵,在下樓層設置例如由推進式真空泵、入口淨氣器,熱分解塔、出口淨氣器等所構成的一連的廢氣有害物質去除機器類,這些是由配管連接(專利文獻1、2)。 且透過機械增壓泵而配管連接上樓層的製造裝置的加工腔室及下樓層的推進式真空泵,藉由前述真空泵使加工腔室內的廢氣被吸引。從加工腔室被排出的廢氣是包含:由設備製造程序所生成的反應生成成分(例如水溶性成分、和與水分反應而生成的大量的灰塵的加水分解性氣體)。
在下樓層中,與前述真空泵連續地設置:對於從前述真空泵被排出的廢氣進行由噴灑所產生的清水洗淨將前述水溶性成分和加水分解性成分除去並且將藉由反應而發生的灰塵捕集用的入口淨氣器、收容從前述入口淨氣器流出的洗淨用的水的水槽、被設置在該水槽上將被清水洗淨的前述廢氣加以熱分解的熱分解塔、將在該熱分解塔所發生且被包含於有害物質去除廢氣的反應生成成分(酸性成分和灰塵等)除去的出口淨氣器等,且依此順序將其等配管連接。
廢氣有害物質去除用的熱分解塔,已知:將廢氣由電加熱器加熱而分解的加熱分解方式(專利文獻2)、將廢氣通過等離子空間來進行等離子分解處理的等離子方式等(專利文獻3)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-33364號公報 [專利文獻2] 日本特開平11-333247號公報 [專利文獻3] 日本專利第5307556號公報
[發明所欲解決之問題]
在廢氣中如上述,具有包含加水分解性成分,這是從加工腔室被排出,在朝下游的廢氣有害物質去除設備流動期間與廢氣有害物質去除設備的配管內或是機器類內的水分反應而產生反應生成物,其會在配管內或是機器類的內面附著並成長,最後將廢氣流路的其中任一的部分阻塞而引起閉塞事故。
習知的廢氣有害物質去除設備,是使用者個別購入真空泵和入口淨氣器、熱分解塔、出口淨氣器、洗淨水回收用的水槽等的機器類和這些的連接配管,在自己的電子設備製造工場內組裝。此情況,具有如以下的問題。 (1)因為構成廢氣有害物質去除設備的個別裝置是散亂地配置並配管連接,所以廢氣有害物質去除單元的設置面積容易變大。 (2)使用者是一邊確認性能一邊個別購入上述機器類和連接配管,但是個別購入的話設備整體維修管理面不易統一,具有弱點部分的話,該部分的維修變多而使維修管理不易。例如,透過電子設備製造裝置的加工腔室及真空泵將入口淨氣器連結的被稱為前線的配管,是具有:被包含於廢氣的加水分解性成分及入口淨氣器的噴灑水會相互反應,並在噴灑出口堆積該反應生成物,會短時間將噴灑出口閉塞的問題;或者是,前述噴灑水的水分逆滲透至流動於前線配管內的廢氣中並與前線配管反應,使反應生成物在前線配管的內面附著成長並短時間將前線配管閉塞的問題。 (3)進一步,將來自加工腔室的廢氣清水洗淨的話,會發生多量的灰塵,其也會與洗淨廢氣一起被帶入熱分解塔,並在熱分解塔內部發生堵塞。
本發明是有鑑於這種習知系統的問題,第1課題,是大幅地消解從前線配管至熱分解塔的廢氣路徑的堵塞,使可長時間地連續操作,第2課題,是在統一全構成要素的設計思想下構築廢氣有害物質去除單元,藉由將這些組入1個框體內並集約化,來實現設置面積的省空間化。 [用以解決問題之技術手段]
為了解決上述的課題,本發明(請求項1)的廢氣有害物質去除單元U,是包含:從半導體製造裝置200的加工腔室201吸引廢氣H的真空泵1、及將從該真空泵1被排出的廢氣H進行清水洗淨的廢氣導入噴嘴部20、及捕集被包含於從該廢氣導入噴嘴部20被清水洗淨並被排出的洗淨廢氣H的夾雜物並將前述洗淨廢氣H朝下一個廢氣分解過程送出的廢氣洗淨部40。前述廢氣導入噴嘴部20,是包含:將廢氣H朝廢氣洗淨部40導入的廢氣噴嘴21、及噴出將從前述廢氣噴嘴21被噴出的廢氣H包圍的保護氣體G並形成保護氣體幕牆Gk的保護氣體噴嘴25、及將從前述保護氣體噴嘴25被噴出的保護氣體幕牆Gk包圍的水分噴出噴嘴27。前述廢氣洗淨部40,是包含前述水槽41及攪拌部46。前述水槽41,是包含:朝水平方向延伸且在內部貯藏洗淨用的水M的中空容器並使廢氣導入噴嘴部20的出口被連接的廢氣H的導入開口41c、及位於前述水M及水槽41的頂板部41a之間讓廢氣H流通朝廢氣分解過程送入的流通空間45。前述攪拌部46,是包含:從水槽41的頂板部41a被垂設,其下部是被浸漬在水槽41內的水M,在前述浸漬部分設有廢氣通過路47a的第1堰47;及被設置在前述第1堰47的下游,且隔著使通過了前述廢氣通過路47a的廢氣H與前述水M攪拌的攪拌領域49,且上部是露出前述水M的第2堰48。
由此,從廢氣噴嘴21被噴出的廢氣H,因為是在由保護氣體幕牆Gk被保護的範圍內遮斷與來自水分噴出噴嘴27的水分M接觸,所以由廢氣H的加水分解性成分及水分M的接觸所產生的反應所生成的灰塵等的反應生成物不會附著在廢氣噴嘴21而將廢氣噴嘴21閉塞,也不會逆滲透至流動於廢氣噴嘴21的廢氣H而將廢氣噴嘴21的上游側的廢氣路徑閉塞。
且將廢氣導入噴嘴部20排出的洗淨廢氣H,是被導入廢氣洗淨部40的水槽41內,藉由攪拌部46而與水槽41內的水M一起被攪拌而使水M可有效地捕集被包含於廢氣中的灰塵等其他夾雜物,將不含夾雜物的洗淨廢氣H朝下一個過程送出。 又,在本發明中,水分,是包含水、霧、蒸氣、灑水等,全部由符號M顯示。
請求項2,是如請求項1的廢氣有害物質去除單元U,廢氣導入噴嘴部20,是進一步包含飛散構件30,其被設置在:從廢氣噴嘴21分離,且超過保護氣體幕牆Gk,且使從前述廢氣噴嘴21噴出的廢氣H及從水分噴出噴嘴27噴出的水分M相互衝突的位置。可使前述廢氣H、保護氣體G及水分M相互衝突並朝周圍散布。
由此,可有效率地進行廢氣H及水分M的氣液接觸,使廢氣H中的加水分解性成分的大半在此被分解,並發生大量的灰塵。
請求項3是如請求項1或2的廢氣有害物質去除單元U,真空泵1,是具有:與從半導體製造裝置200的加工腔室201被拉出的第1前線配管P1連接的機械增壓泵2;及被設置在前述機械增壓泵2的下方且與從機械增壓泵2被拉出的第2前線配管P2連接的粗真空泵4。在從前述粗真空泵4被拉出的第3前線配管P3連接有廢氣導入噴嘴部20。且具有:與前述第1前線配管P1連接,當半導體製造裝置200的清潔時,朝第1前線配管P1內供給氟自由基F‧並將第1前線配管P1以下的包含前述廢氣導入噴嘴部20的構成構件的內面附著物S除去的內面清潔部10;及與前述第2前線配管P2連接,且在由氟自由基F‧所產生的前述內面清潔之後供給洗淨用的水M將前述第2前線配管P2以下的包含前述廢氣導入噴嘴部20的構成構件的內面附著物S清水洗淨,之後,供給乾燥氣體G,將第2前線配管P2以下的包含前述廢氣導入噴嘴部20的構成構件的內面乾燥的內面洗淨部16。
由此,第1前線配管P1以下的包含廢氣導入噴嘴部20的構成構件的內面洗淨可與半導體製造裝置200的清潔同時實行,可以縮短維修時間。
請求項4,是如請求項1的廢氣有害物質去除單元U中,且具有:真空泵1;廢氣導入噴嘴部20;廢氣洗淨部40;及將來自廢氣洗淨部40的洗淨廢氣H熱分解的熱分解塔60;及將來自前述熱分解塔60的分解廢氣H,進行清水洗淨,並將藉由前述熱分解而生成的分解廢氣H內的夾雜物除去,將分解廢氣H成為清淨廢氣H朝裝置外排出的出口淨氣器80;及將前述構成機器連繋的配管系;及收容這些的框體90。
由此,因為廢氣有害物質去除的構成機器以及其配管系是被總結地收納在1個框體90內,所以與習知相比可以將其設置面積小型化。且,一連的廢氣有害物質去除的構成機器因為是藉由同一製造商所準備,所以可調和廢氣有害物質去除單元U整體的性能,可以消解原本成為弱點的前線配管系統的灰塵堵塞。 [發明的效果]
如上述本發明,藉由廢氣導入噴嘴部20的水分噴出噴嘴27、及廢氣洗淨部40的攪拌部46的協動,就可以將廢氣H成為不含灰塵等其他夾雜物的狀態朝下一個過程送。 且因為統合了將有害物質去除機器和配管系統一的設計思想,將這些收納在1個框體90內,所以可以節約廢氣有害物質去除單元U的設置面積的同時,使用者可以總合地管理廢氣有害物質去除單元U的入口至出口。
以下,依據圖示實施例說明本發明。本廢氣有害物質去除單元U,是使用於半導體設備製造程序的製造裝置200,例如,將從CVD鍍膜裝置被排出的廢氣H朝被設置在廢氣有害物質去除單元U的框體90內的真空泵1(機械增壓泵2及粗真空泵4)吸引,將此廢氣H朝被收納於相同框體90內的機器類依序送出,將其熱分解使無害化後並朝大氣放出的設備。 又,在先前技術的說明中,其代表例雖說明了PFC廢氣的有害物質去除,但是因為難分解性的廢氣不限於PFC廢氣,所以本發明的處理對象氣體,只是稱為廢氣H。
以下,參照圖面說明本發明的廢氣有害物質去除單元U的實施方式的一例。廢氣有害物質去除單元U,是例如,在半導體製品和液晶面板等的製造工場中,對於設有半導體製造裝置200的清淨室210的某上樓層被設置在其下樓層,構成半導體製造裝置200的廢氣系。
本發明的廢氣有害物質去除單元U,是由真空泵1、內面清潔部10、內面洗淨部16、廢氣導入噴嘴部20、廢氣洗淨部40、熱分解塔60、出口淨氣器80、及將這些連繋的配管系、以及將這些收納的框體90所構成。 在半導體製造裝置200中,設有進行液晶面板、半導體晶圓的鍍膜、蝕刻等其他的程序的加工腔室201。上述廢氣有害物質去除單元U,是如上述被設置在其下樓層。
真空泵1,是具備:進行加工腔室201的排氣的作為上位泵使用的機械增壓泵2、及作為下位泵使用的粗真空泵4(例如乾式真空泵和螺旋泵)。 從第1圖可了解,機械增壓泵2,是被載置在框體90的棚91,粗真空泵4是被載置在其正下方,且在後述的廢氣洗淨部40的水槽41上。
在本實施例中,從加工腔室201被拉出的第1前線配管P1是貫通地板220與樓層下的機械增壓泵2連接。 且由第2前線配管P2連接機械增壓泵2及粗真空泵4,進一步,廢氣導入噴嘴部20是被設置在從粗真空泵4被拉出的第3前線配管P3。
在本發明中,在框體90內,機械增壓泵2及粗真空泵4是上下配置,廢氣導入噴嘴部20因為是被配置於粗真空泵4的正旁,所以將這些連繋的第2前線配管P2及第3前線配管P3的管長是非常短。 且第2前線配管P2從第1圖可了解是形成J形,其上端是與機械增壓泵2連接,第2前線配管P2的底部是與粗真空泵4連接,後述的內面洗淨部16連接在橫方向的第2前線配管P2的端部的連接器P2c。
內面洗淨部16是可裝卸於被設於第2前線配管P2的端部的連接器P2c。內面洗淨部16的非連接時,第2前線配管P2的連接器P2c被閉鎖,內部洗淨時連接內面洗淨部16。
在第1前線配管P1中,設置:生成氟自由基將第1前線配管P1以下的配管類和機器類的內面附著物S氣化,並將此除去的內面清潔部10。在第2前線配管P2中,設置:朝第2前線配管P2以下的配管類和機器類供給洗淨用的水M和乾燥用的加熱惰性氣體G的內面洗淨部16。
內面清潔部10,是包含自由基生成腔室12、高頻線圈13及高頻電源14。 自由基生成腔室12,是在長度方向的兩端面設有開口的中空圓筒構件,將被設於一方的端面的開口設為入口開口部12a、將被設於另一方的端面的開口設為出口開口部12b。 對於自由基生成腔室12的第1前線配管P1的安裝,是具有:如第3圖(a)所示與第1前線配管P1呈串聯狀態連接的情況、及如第3圖(b)所示隔著出口開口部12b與第1前線配管P1連接的情況。 在第3圖(a)的自由基生成腔室12中,第1前線配管P1的前半部分是與長度方向的上端部的入口開口部12a連接,第1前線配管P1的後半部分是與下端部的出口開口部12b連接。且,供給管內附著物分解氣體(例如NF3 )的分解氣體供給管12c是與第1前線配管P1的前半部分連接。 第3圖(b)的情況時,分解氣體供給管12c是與自由基生成腔室12的入口開口部12a連接。 且在自由基生成腔室12的環路部分13a內被生成,且從出口開口部12b伸出的箭頭是顯示氟自由基F‧。
自由基生成腔室12,是由不銹鋼(SUS)或哈氏合金(日本註冊商標)等的金屬,或是SiO2 和Al2 O3 等的陶瓷氣密性、耐熱性、耐腐蝕性及機械的強度優異的材料所構成的筒狀的構件。
在此自由基生成腔室12的內部,配設有高頻線圈13。高頻線圈13,是例如將由銅或不銹鋼等的導電性金屬所構成的線材呈螺旋狀地捲繞形成的圓筒型的環路線圈。此高頻線圈13,是以使:呈螺旋狀被捲繞且在內部設有圓筒狀的空間的環路部分13a的中心軸、及自由基生成腔室12的中心軸,成為同軸,並被裝設於自由基生成腔室12內。且,高頻線圈13的環路部分13a的兩端部是從自由基生成腔室12內朝外部被伸出,與高頻電源14連接。 又,此高頻線圈13及上述的自由基生成腔室12,為了防止過熱,而依據需要冷卻較佳。 如第1前線配管P1及自由基生成腔室12內所示的點是顯示內面附著物S。來自加工腔室201的廢氣H所伴隨的反應生成物是附著在與加工腔室201連接的第1前線配管P1的內面。
高頻電源14,是對於高頻線圈13外加高頻電壓的電源。
依據需要與第2前線配管P2的連接器P2c連接的內面洗淨部16,是由洗淨用的給水配管18及乾燥氣體供給配管19所構成,洗淨用的給水配管18及乾燥氣體供給配管19的共通配管17,是配合由氟自由基F‧所產生的內面清潔而連接在設於J形的第2前線配管P2的下端前端的連接器P2c。開閉閥18v、19v是各別被安裝在給水配管18、乾燥氣體供給配管19及共通配管17中。 清淨的自來水M(或是水槽41的水M)是從給水配管18被供給,在本實施例中加熱惰性氣體(氮)G是從乾燥氣體供給配管19被供給。
廢氣導入噴嘴部20是與從粗真空泵4的出口延伸的第3前線配管P3的出口連接的裝置。廢氣導入噴嘴部20被要求以下功能,第1,防止散布水分M逆滲透至從粗真空泵4被送出的廢氣H而使反應生成物S附著在第3前線配管P3和其上游側的配管和機器類的內部,第2,藉由散布水分M而將被包含在廢氣H的加水分解性成分被加水分解。以下詳細說明。
接著,廢氣導入噴嘴部20,是由:外殼35、及被裝設於該外殼35的頂板部分的三重管20a、及被設於三重管20a的正下方的飛散構件30所構成。 三重管20a的噴嘴構造是由:內管也就是廢氣噴嘴21;及將該廢氣噴嘴21的周圍圍繞的中間管,將惰性氣體G噴出並在廢氣H的周圍形成保護氣體幕牆Gk的保護氣體噴嘴25;及將該保護氣體噴嘴25的周圍圍繞的外管,從保護氣體幕牆Gk的外側將水分噴出的水分噴出噴嘴27所構成。
廢氣噴嘴21的入口部分,是與從粗真空泵4被拉出的第3前線配管P3連接。廢氣噴嘴21的內面的縱剖面形狀,是形成從其入口部分至中間部分為止粗的圓形直管狀,從中間部分朝向其出口也就是廢氣噴出口21f使其內徑漸減地縮小。以使反應生成物和灰塵不會附著堆積在此廢氣噴出口21f的方式,形成刀緣狀較佳。朝向廢氣噴嘴21的外面的廢氣噴出口21f漸減的倒圓錐梯形狀的部分,是成為構成使保護氣體G被噴射的保護氣體噴出路T1的間隙的內面。
保護氣體噴嘴25,是在上面中央形成有開口的圓筒狀的收納凹所25b,從此收納凹所25b的中央朝向下方穿設形成前端較細(漏斗狀)的噴嘴孔25a。將設有此噴嘴孔25a的部分作為噴嘴部分25c。此噴嘴部分25c是中空倒圓錐台狀。 此保護氣體噴出路T1的前端開口是保護氣體噴出口25f,環繞廢氣噴出口21f的全周。且保護氣體噴嘴25的上部側面,是連接保護氣體供給配管26,並與形成於收納凹所25b的內面及廢氣噴嘴21的外面之間的氣體滯留部26a連通。即,氣體滯留部26a是與連通至保護氣體噴出口25f的保護氣體噴出路T1連通。且,保護氣體噴出口25f,是從廢氣噴出口21f朝廢氣噴出方向突出。
水分噴出噴嘴27是設成環繞保護氣體噴嘴25的全周。 水分噴出噴嘴27的噴嘴部分27c,是與保護氣體噴嘴25的噴嘴部分25c相同,形成由錐面形成的前端較細圓錐形,在保護氣體噴嘴25的外周面及水分噴出噴嘴27的內周面之間構成水分噴出路T2的間隙是橫跨保護氣體噴嘴25的外周面全周而形成。 此水分噴出路T2,是經過水滯留部28a與水分供給配管28連接。此水分供給配管28是與第1揚水配管42連接,由被設置在該第1揚水配管42的第1揚水泵YP1供給水槽41的水M。 在第4圖中水分供給配管28是與水分噴出噴嘴27的側面連接並與水滯留部28a連繫。
此三重管20a是被設置在外殼35,飛散構件30是被設置在三重管20a的噴嘴口的下方。飛散構件30,是由:盤狀部31、及被安裝於外殼35的支撐構件34、及腳部32所構成,盤狀部31是圓形且淺的盤狀的構件,上面周圍隆起,此隆起緣31b的內側是凹陷。將此凹陷的部分作為衝突部分31a。此衝突部分31a及保護氣體噴嘴25的噴嘴口前端之間的間隔,是從水分噴出噴嘴27噴出的水分(加熱蒸氣或是微細水滴)突破保護氣體幕牆Gk的地點,或是超過此地點的下方位置較佳。衝突部分31a過度接近保護氣體噴嘴25的噴嘴口的話,保護氣體幕牆Gk的水分遮蔽效果會減損。
支撐構件34是圓板狀的構件,被固定於外殼35的內面。在前述支撐構件34的適當處中穿設形成廢氣流下孔33。且圓柱狀的腳部32的上端是被安裝於盤狀部31的底部中央。腳部32的下端是被安裝於支撐構件34的中央。
外殼35是下面開口的圓筒體的結構,如上述,三重管20a是向下被安裝在其頂板部分。其下面開口是被安裝於後述的水槽41的廢氣H的導入開口41c。
廢氣洗淨部40,是包含:成為水平方向長的中空容器且在內部將洗淨用的水M儲存一定的高度的水槽41、及被設於前述水槽41中的1至複數攪拌部46及1至複數噴射噴嘴50。攪拌部46,是使用由水M的攪拌所產生的氣液接觸效果高的堰(第2圖的放大圖)。
在水槽41的頂板部41a及洗淨用的水M之間是設有讓廢氣H流通的流通空間45。本實施例的水槽41,是為了提高流動於流通空間45的廢氣H及洗淨用的水M之間的氣液接觸,在本實施例中採用堰構造作為攪拌部46。(以下,也有將攪拌部46只稱為堰46)攪拌部46,是由第1堰47及第2堰48所構成,在第1堰47及第2堰48之間設有攪拌領域49(第2圖的放大圖)。
第1堰47,是從水槽41的頂板部41a被垂設在廢氣H的上游側,其下端部分是被淹沒在洗淨用的水M中。且在其淹沒部分形成有成為廢氣通過路47a的通過孔。(廢氣通過路47a不限定於孔,也可以是讓廢氣H潛下的堰。在此,廢氣通過路47a是使用通過孔)該廢氣通過路47a,是在水面正下方形成:配合水面朝水平延伸的狹縫狀的間隙,或是水平並列的1至複數貫通孔。在該廢氣通過路47a的孔緣中設有朝下游方向延伸的導引噴嘴47b。
第2堰48,是隔著攪拌領域49被設置在第1堰47的下游側。其設置姿勢,是設成:對於第1堰47從第2堰48的上部朝第2堰48的下部逐漸遠離,其整體是朝向下游側向下傾斜。 第2堰48的上部是突出水面,其餘的下部是沒入水中。且突出部分的上端部分是形成朝第1堰47方向折曲或是彎曲,淹沒部分的下端部分是形成朝水槽41的底部41b方向且朝第1堰47側傾斜地朝下方折曲或是彎曲。將上部的折曲部分作為上部折曲片部48b、將下部的折曲部分作為下部折曲片部48a。第2堰48整體是呈反C形。 沒入水中的下部的下部折曲片部48a的折曲線48l,是位於比第1堰47的廢氣通過路47a更下方。
攪拌領域49,如前述是第1堰47及第2堰48之間的空間,其間的間隔,最寬是在廢氣通過路47a的出口部分附近,愈上方漸漸地愈窄。且,最窄的間隔是在上部折曲片部48b的前端及第1堰47之間,從此與流通空間45連繫。 此堰46是在水槽41內設成橫跨對於水槽41的長度方向成為直角的方向的全寬。此攪拌部46也可以設在1處,也可以並設2個以上。
在水槽41的流通空間45中,噴射噴嘴50是設成朝向水平方向將水M噴出。在圖的實施例中,噴射噴嘴50是設有3個,與第1揚水配管42的枝管連接,由被設於該枝管的噴射泵FP使水槽41的洗淨用的水M被供給。
在上述廢氣導入噴嘴部20中,藉由三重管20a的水噴灑器,使廢氣H中的加水分解性成分與水M反應,而發生多量的灰塵。 在廢氣洗淨部40中,具有:在將廢氣H朝下一個過程的熱分解過程送出之前將上述灰塵捕集的功能、及使送入的廢氣H中的多量的灰塵不會附著並堆積在水槽41的內面而將水槽41內的流通空間45阻塞的功能。 在圖的實施例中,因為堰46是被設置在複數處(3處),所以第1噴射噴嘴50a是將水M從流通空間45的最上游且從水槽41的側壁朝向流通空間45的下游噴射,對於水槽41的此周邊(導入開口41c)的內面噴灑。 導入開口41c的周圍因為是灰塵最多量的地方,所以在流通空間45中,在導入開口41c的下游側也設有第2噴射噴嘴50b。第2噴射噴嘴50b,是在導入開口41c的下游側,配置成從第2噴射噴嘴50b朝流通空間45的上游側及下游側的二方向噴出,對於此周邊的水槽41的內面噴灑。 第3噴射噴嘴50c,是配置成在最下游的攪拌部46的下游側朝上、下游的二方向噴出,對於此周邊的水槽41的內面噴灑。 上述的情況,也可以將噴射噴嘴50如圖設於複數處,也可以只有設於廢氣H的導入開口41c。
在水槽41中,在其流通空間45的下游部分,在後述的熱分解塔60及出口淨氣器80之間,將熱分解塔60側及出口淨氣器80側分開的分離堰板55是橫跨水槽41的全寬地設置。此分離堰板55是從水槽41的頂板部41a被垂設,其下端部分是被淹沒在洗淨用的水M中。由此流動至流通空間45的廢氣H,是在分離堰板55被堰塞並被導引至熱分解塔60。對於比分離堰板55更下游的結構,是在出口淨氣器80的項進行說明。
第5圖所示的本實施例的熱分解塔60,是利用了大氣壓等離子的廢氣H的熱分解處理裝置,由:粗的圓筒狀的塔本體62、被設置在前述塔本體62的頂部使朝向前述塔本體62的內部生成高溫的等離子噴流J的非移動型的等離子噴流吹管61、被立設在其正下方的細的圓筒狀的燃燒筒部64、及朝將前述塔本體62的上端外周包圍的環狀的空間時常供給水M且藉由溢流使流動於前述塔本體62的內壁的水形成水膜的水導入部63所構成。在水導入部63中藉由被設置在第2揚水配管43的第2揚水泵YP2而使水槽41的水M被供給。
上述熱分解塔60,是在水槽41的流通空間45的下游部分,被立設在分離堰板55的上游側,朝流通空間45開口,通過設於水槽41的頂板部41a的連通開口41d與流通空間45連繫。
燃燒筒部64是被配置成與塔本體62的中心軸一致,其下端部分是被浸漬在水槽41的水M中。且,廢氣配管66是在水面的正上方從燃燒筒部64的下部朝水平方向被分歧,貫通分離堰板55朝出口淨氣器80側開口。將廢氣配管66所開口的出口淨氣器80側的空間作為分解廢氣流入空間45a。
被設於熱分解塔60的頂部的等離子噴流吹管61,是在內部具有等離子發生室(無圖示),在等離子噴流吹管61的下面中心部設有將在等離子發生室內生成的等離子噴流J噴出的等離子噴流噴出孔(無圖示)。在等離子噴流吹管61的側面上部,依據需要設有如氮氣體的作動氣體配送配管(無圖示)。 從等離子噴流噴出孔噴出的等離子噴流J,是被吹入被設於塔本體62中心的燃燒筒部64。
在超過上述分離堰板55的水槽41的分解廢氣流入空間45a側設有從水槽41的底部41b立起且其上端是與洗淨用的水M的水面一致的溢流堰56,超過此溢流堰56的部分是排水領域57,作為工場排水被放流。 在水槽41中被供給與由溢流而被放流的水M相同量的新的水M,使水槽41內的水M被保持在一定的水位。
出口淨氣器80,是濕式的淨氣器,以下,說明其構造(第6圖)。出口淨氣器80,是與熱分解塔60並列地立設在水槽41的頂板部41a。 出口淨氣器80,是包含:外裝外殼81、旋風筒部82、廢氣風扇89及其附帶設備。附帶設備,是具有:第3揚水配管44、及被設於其中途處的第3揚水泵YP3、第1出口洗淨噴灑器88a、及第2出口洗淨噴灑器88b等。
外裝外殼81是下面開口的中空直圓管形,其底部是被浸漬在被貯留在分解廢氣流入空間45a側的水M中。在被浸漬在水M中的底部且位於水面正下方的位置的複數處設有分解廢氣流通孔81a。橫方向漏斗狀的導引噴嘴81b是朝向內側被設置在此分解廢氣流通孔81a的孔緣。且,洗淨廢氣排出筒部86是貫通外裝外殼81的頂板部分並朝向下方垂設。此洗淨廢氣排出筒部86是與後述的廢氣風扇89連接。
旋風筒部82是從外裝外殼81的頂板部分被垂設在外裝外殼81內的中心。旋風筒部82的上部是形成圓筒狀,上述洗淨廢氣排出筒部86是位置在該圓筒狀部分82c的中央。且,在該圓筒狀部分82c中形成有讓分解廢氣H流入旋風筒部82內的分解廢氣導入口82b。呈漏斗狀縮徑的漏斗狀部分82a是向下地設置在圓筒狀部分82c的下端,細管部82d是從此漏斗狀部分82a的下端向下地設置。細管部82d的下端部分是被浸漬在分解廢氣流入空間45a內的洗淨用的水M。
在外裝外殼81及旋風筒部82的細管部82d之間的空間中,立設有將細管部82d的下部全周圍繞的阻礙筒構件83。此阻礙筒構件83的上部是突出水M上,下部是被浸漬在水M。被浸漬在水M的下部的下端部83a是朝向導引噴嘴81b側傾斜地朝下方折曲,突出水M上的上部的上端部83b是朝向細管部82d方向朝水平被折曲。且此阻礙筒構件83的淹沒部分是與外裝外殼81的導引噴嘴81b正對,且其整體是如上述對於外裝外殼81傾斜地配置,可達成與水槽41的第2堰48同樣的功能。又,淹沒部分的折曲線83l,是被設置在比分解廢氣流通孔81a更下方。
環狀阻礙板84是從外裝外殼81的內周面朝向內側呈水平被設置在阻礙筒構件83的上方。在環狀阻礙板84的孔緣中設有朝下方向延伸的圓筒狀部84a。旋風筒部82的細管部82d是貫通該圓筒狀部84a的中心。且此圓筒狀部84a,是進入阻礙筒構件83的上半部的水面突出部分及旋風筒部82的細管部82d之間,構成分解廢氣H的複雜的流通路徑。
複數第1出口洗淨噴灑器88a是在上述環狀阻礙板84的上方被設置在前述細管部82d的周圍,朝上下將水朝向上下方向灑水。在此第1出口洗淨噴灑器88a中連接有將被貯留在分解廢氣流入空間45a側的水M揚水的第3揚水配管44,第3揚水泵YP3是被設置在此第3揚水配管44的中途處。來自第1出口洗淨噴灑器88a的灑水M,是覆蓋旋風筒部82及外裝外殼81之間的空間,且時常由水M沾濕兩者的內面。由第1出口洗淨噴灑器88a被散布的前述水M是從兩者的內面流下返回至水槽41。
第2出口洗淨噴灑器88b是被設置在洗淨廢氣排出筒部86內,從洗淨廢氣排出筒部86朝向漏斗狀部分82a灑水。第2出口洗淨噴灑器88b的灑水M是最終段的沖水,清淨廢氣H是為了朝大氣被放出,而使用新水。
廢氣風扇89是被設置在外裝外殼81的頂部,外裝外殼81的頂部是與外裝外殼81的洗淨廢氣排出筒部86連接。且被設置在該廢氣風扇89的大氣放出用的廢氣用配管89a是從框體90被拉出與工場配管150連接。
廢氣有害物質去除單元U的控制盤C,是以:熱分解塔60的控制系統、及將機械增壓泵2及粗真空泵4集中控制的泵集中控制系統為中心構成。前述控制盤C是被組裝在框體90內。
接著說明本發明的廢氣有害物質去除單元U的作用。在半導體製造程序中,各式各樣的原料氣體是被供給至半導體製造裝置200的加工腔室201,對於包含被收納於加工腔室201內的多數枚的半導體基板的電子設備(無圖示)施加各式各樣的處理。在反應程序所使用的原料氣體是成為廢氣H並通過第1前線配管P1朝廢氣有害物質去除單元U被排出。將廢氣風扇89作動的話廢氣有害物質去除單元U的廢氣路徑是被保持在負壓,使廢氣H被廢氣風扇89吸引。
在被排出的廢氣H中混合:包含由上述程序發生的灰塵的反應生成成分、未反應成分等的夾雜成分。此夾雜成分會在通過第1前線配管P1以下的配管和機器類時被附著堆積在其內部。此會成為內面附著物S。此內面附著物S的堆積是在第1前線配管P1以下,愈下游愈顯著。
且藉由真空泵1從加工腔室201被吸引的廢氣H是到達廢氣導入噴嘴部20,從廢氣噴嘴21朝向水槽41的廢氣H的導入開口41c被噴射。且從保護氣體噴嘴25被噴射的保護氣體幕牆Gk是將被噴射的廢氣H的周圍的全周包圍起來。
從最外層的水分噴出噴嘴27的水分噴出路T2的前端開口,環繞其內側的保護氣體幕牆Gk的周圍,且與此保護氣體幕牆Gk平行地噴出加水分解用的水分(高溫水蒸氣)M。形成水分噴出路T2及保護氣體幕牆Gk用的保護氣體噴出路T1因為是平行,所以從保護氣體噴嘴25只有遠離某距離的位置為止從水分噴出路T2被噴出的加水分解用的水分M是與保護氣體幕牆Gk平行地被噴出,在其距離範圍內不會突破保護氣體幕牆Gk而與內側的廢氣H接觸。
且上述水分M是如上述從水分噴出路T2與保護氣體幕牆Gk平行地被噴出的話,隨著流速的下落並且在某一定的距離處漸廣,使水分M、保護氣體幕牆Gk及廢氣H混合。飛散構件30的盤狀部31是被設置在此地點,使廢氣H、保護氣體幕牆Gk及水分M相互衝突。且,這些是藉由此衝突而朝盤狀部31的周圍飛散並且在外殼35內飛揚。在此,可有效地進行廢氣H及水分M的氣液接觸,廢氣H中的加水分解性成分與水分M接觸而生成大量的灰塵。
此灰塵,雖欲附著在外殼35的內面和三重管20a,但是時常藉由飛揚的水分M而從外殼35被洗滌並落下,所以朝外殼35的內面和三重管20a的附著被緩和。
另一方面,在水分M飛揚的外殼35的上部中,因為保護氣體幕牆Gk是從保護氣體噴嘴25快速有力地被噴出,所以飛揚的上述水分M不會突破保護氣體幕牆Gk,在保護氣體幕牆Gk的保護範圍內不會與噴出的廢氣H接觸。因此,水分M不會逆滲透並從第3前線配管P3逆流而上。
與大量的灰塵一起被吹入水槽41的流通空間45內的廢氣H,是與從將廢氣H的導入開口41c的全面覆蓋的第1、2噴射噴嘴50a、50b的噴射水M接觸,使其一部分被捕集,被水槽41的水M回收。同時此噴射水M是沾染水槽41的內壁,將欲附著在內壁的內面附著物S沖掉,延遲其堆積。
廢氣H,是藉由由廢氣風扇89的吸引所產生的朝熱分解塔60方向的氣流,而與無法被捕集的灰塵一起朝攪拌部46方向流動。此灰塵有必要儘可能不會帶入下一個過程的熱分解過程。 在攪拌部46中,廢氣H是與第1堰47衝突,由其威勢抑制廢氣H壓下第1堰47附近的水面,而通過水面正下方的廢氣通過路47a,進入攪拌領域49。在攪拌領域49中被攪拌且成為氣泡而浮上,其間,水M及廢氣H是氣液接觸,水M可有效地捕集廢氣H中的灰塵等夾雜物。在第2堰48中因為其下部折曲片部48a是朝第1堰47方向向下彎曲,所以藉由前述氣泡的浮上且沿著第2堰48被噴起的水M是與突出部分的上部折曲片部48b抵觸而返回至下方,在攪拌領域49充分被攪拌。由此可提高灰塵捕集效果。 氣泡狀的廢氣H是直接浮上並水面露出,進入流通空間45。
設置複數段上述攪拌部46的話,可反覆上述的捕集作用,在到達熱分解塔60時可成為幾乎不含灰塵等夾雜物的洗淨廢氣H。
從以上,在從第1前線配管P1至廢氣導入噴嘴部20的廢氣噴嘴21的廢氣路徑中,藉由廢氣導入噴嘴部20的保護氣體幕牆Gk,就可遮斷:廢氣導入噴嘴部20內的水分M、及包含加水分解性成分的廢氣H的接觸,可抑制上述路徑被堵塞。且在廢氣導入噴嘴部20的外殼35內,藉由飛散構件30的存在使廢氣H及飛散的水分(高溫蒸氣)M相互氣液接觸,使廢氣H中的加水分解性成分幾乎被分解,而伴隨大量的灰塵。 且伴隨此灰塵的廢氣H是由水槽41的攪拌部46被多段地洗淨,在沒有灰塵狀態下被供給至熱分解塔60。
由水槽41被洗淨的廢氣H,是從水槽41的連通開口41d朝熱分解塔60內被導入,在塔本體62及燃燒筒部64的上部的熱分解領域65,與等離子噴流吹管61的等離子噴流J接觸並在水分存在下被熱分解。由此,在分解廢氣H中會發生灰塵和反應生成物等的夾雜物。 被熱分解的廢氣H是與夾雜物一起通過燃燒筒部64。燃燒筒部64的下端因為是開口,所以在分解廢氣H內所包含的灰塵和反應生成物等的夾雜物的大半是直接落下至水槽41的水M中並被捕集,分解廢氣H是與剩餘的輕量的夾雜物一起通過廢氣配管66,流入分解廢氣流入空間45a。
流入分解廢氣流入空間45a的分解廢氣H,是藉由廢氣風扇89的吸引力將外裝外殼81的分解廢氣流通孔81a附近的水面壓下並流入分解廢氣流通孔81a,在外裝外殼81及阻礙筒構件83之間的攪拌領域87中,成為氣泡上昇。藉由此氣泡產生使該攪拌領域87的水M大幅地被攪拌。由此,分解廢氣H所包含的包含灰塵的夾雜物的大半是藉由攪拌領域87的水M而被捕集。
被洗淨的分解廢氣H,是通過由阻礙筒構件83及環狀阻礙板84所形成的彎曲扭曲的流通路徑,進一步從環狀阻礙板84的圓筒狀部84a及細管部82d之間的空間朝環狀阻礙板84上的空間排出。在前述彎曲扭曲的流通路徑中,被洗淨的分解廢氣H是成為亂流並與阻礙筒構件83、環狀阻礙板84及細管部82d接觸。第1出口洗淨噴灑器88a是被設置在環狀阻礙板84的上方,藉由來自其的灑水M而使附著的夾雜物流下。 第1出口洗淨噴灑器88a因為是朝上下2方向灑水M,使外裝外殼81的內面被流下水膜覆蓋,所以夾雜物會被沖掉而不會附著。
分解廢氣H,是與即使藉由上述淋浴也無法被捕集且未落下的些微的夾雜物和霧氣一起上昇,通過分解廢氣導入口82b進入旋風筒部82內。進入旋風筒部82內的分解廢氣H是在洗淨廢氣排出筒部86的周圍繞轉,藉由旋風筒部82內的渦流形成使比分解廢氣H更重的夾雜物和霧氣藉由其離心力及重力一邊繞轉一邊落下,並被水槽41的水M回收。 經過清水洗淨及旋風而不含夾雜物的清淨廢氣H,是被吸引廢氣風扇89而朝廢氣用配管89a被放出,朝工場配管150流去。
上述反應程序及其有害物質去除作業結束的話,切換至加工腔室201的清潔過程。在清潔過程中,將內面洗淨部16的共通配管17與第2前線配管P2的連接器P2c連接。在此階段中開閉閥18v、19v是被關閉。 之後,將氟系清潔氣體(例如C2 F6 NF3 等)流入加工腔室201內,將附著在加工腔室201的內面的反應生成物成為如NF4 的揮發性氣體朝廢氣有害物質去除單元U側流動。由此進行加工腔室201內的清潔。
在廢氣有害物質去除單元U側中,灰塵和反應生成物是附著在從第1前線配管P1至廢氣導入噴嘴部20的廢氣路徑。在清潔過程中清潔氣體雖是被供給至加工腔室201,但是此清潔氣體幾乎是在加工腔室201的清潔過程被消耗,在第1前線配管P1以下的廢氣路徑中,幾乎沒有清潔被第1前線配管P1吸引的清潔後的廢氣的能力。
在此,將開閉閥10a打開,朝內面清潔部10另外供給清潔氣體(例如NF3 ),清潔第1前線配管P1以下的廢氣路徑的內面。 即,朝內面清潔部10的自由基生成腔室12另外供給清潔氣體且使高頻電源14作動朝高頻線圈13外加高頻電壓。如此的話,在高頻線圈13的環路部分13a的內側生成容量結合性的等離子(CCP),藉由在此CCP流動由感應磁場所產生的感應電流而生成感應結合等離子(ICP)。
前述清潔氣體是藉由此自由基生成腔室12內的ICP的高熱和電子衝擊而被分解。由此氟自由基F‧是大量被生成,在通過第1前線配管P1和機械增壓泵2、進一步其下游的機器類和配管類期間,將附著在這些的內面的反應生成物S氣化。即,藉由將NF3 分解而生成的F自由基F‧即Si+4F→SiF4 的反應將反應生成物S氣化而清潔。由此,第1前線配管P1和機械增壓泵2、進一步其下游的機器類和配管類的內面是在加工腔室201的清潔過程中同時被清潔。
由上述氟自由基F‧所產生的內面清潔結束的話,將內面清潔部10的開閉閥10a關閉。 內面洗淨部16的共通配管17,是在上述內面清潔之前,事先與第2前線配管P2的下端前端的連接器P2c連接。將內面清潔部10的開閉閥10a關閉之後,將內面洗淨部16的給水配管18的開閉閥18v打開(開口)。 從給水配管18排出的洗淨用的水M,是通過共通配管17流入粗真空泵4,通過粗真空泵4進入第3前線配管P3,接著通過廢氣噴嘴21流入水槽41。由此粗真空泵4以下的機器類及第3前線配管P3的內部被洗淨。又,在機械增壓泵2中因為無法通水,所以清水洗淨是在粗真空泵4以下進行。
上述清水洗淨若結束的話,將給水配管18的開閉閥18v關閉,將乾燥氣體供給配管19的開閉閥19v打開。由此,加熱惰性氣體(例如加熱氮氣體)G是從乾燥氣體供給配管19被供給,通過上述沖水路徑流入水槽41,將同路徑的內面乾燥。廢氣系的清潔是藉由此乾燥而結束,移動至下一個製造程序。
如以上,在本發明中,藉由廢氣導入噴嘴部20及廢氣洗淨部40的協動,不只可排除:被包含於廢氣H的加水分解性成分的分解、及由此分解所產生的灰塵等的夾雜物,也可藉由內面清潔部10及內面洗淨部16的協動,配合清潔過程而洗淨從第1前線配管P1至廢氣導入噴嘴部20為止的廢氣路徑,成為可以大幅地抑制最容易發生堵塞事故的部分的堵塞。
C:控制盤 F‧:氟自由基 FP:噴射泵 G:保護氣體(乾燥氣體、加熱氣體、惰性氣體) Gk:保護氣體幕牆 H:廢氣 J:等離子噴流 M:水分(水、水滴、霧、蒸氣、噴射水、灑水) P1:第1前線配管 P2:第2前線配管 P2c:連接器 P3:第3前線配管 S:內面附著物(反應生成物) T1:保護氣體噴出路 T2:水分噴出路 U:廢氣有害物質去除單元 YP1:第1揚水泵 YP2:第2揚水泵 YP3:第3揚水泵 1:真空泵 2:機械增壓泵 4:粗真空泵 10:內面清潔部 10a:開閉閥 12:自由基生成腔室 12a:入口開口部 12b:出口開口部 12c:分解氣體供給管 13:高頻線圈 13a:環路部分 14:高頻電源 16:內面洗淨部 17:共通配管 18:給水配管 18v:開閉閥 19:乾燥氣體供給配管 19v:開閉閥 20:廢氣導入噴嘴部 20a:三重管 21:廢氣噴嘴 21f:廢氣噴出口 25:保護氣體噴嘴 25a:噴嘴孔 25b:收納凹所 25c:噴嘴部分 25f:保護氣體噴出口 26:保護氣體供給配管 26a:氣體滯留部 27:水分噴出噴嘴 27c:噴嘴部分 28:水分供給配管 28a:水滯留部 30:飛散構件 31:盤狀部 31a:衝突部分 31b:隆起緣 32:腳部 33:廢氣流下孔 34:支撐構件 35:外殼 40:廢氣洗淨部 41:水槽 41a:頂板部 41b:底部 41c:導入開口 41d:連通開口 42:第1揚水配管 43:第2揚水配管 44:第3揚水配管 45:流通空間 45a:分解廢氣流入空間 46:攪拌部(堰) 47:第1堰 47a:廢氣通過路 47b:導引噴嘴 48:第2堰 48a:下部折曲片部 48b:上部折曲片部 48l:折曲線 49:攪拌領域 50(50a~50c):噴射噴嘴 55:分離堰板 56:溢流堰 57:排水領域 60:熱分解塔 61:等離子噴流吹管 62:塔本體 63:水導入部 64:燃燒筒部 65:熱分解領域 66:廢氣配管 80:出口淨氣器 81:外裝外殼 81a:分解廢氣流通孔 81b:導引噴嘴 82:旋風筒部 82a:漏斗狀部分 82b:分解廢氣導入口 82c:圓筒狀部分 82d:細管部 83:阻礙筒構件 83a:下端部 83b:上端部 83l:折曲線 84:環狀阻礙板 84a:圓筒狀部 86:洗淨廢氣排出筒部 87:攪拌領域 88a:第1出口洗淨噴灑器 88b:第2出口洗淨噴灑器 89:廢氣風扇 89a:廢氣用配管 90:框體 91:棚 150:工場配管 200:半導體製造裝置 201:加工腔室 210:清淨室 220:地板
[第1圖] 顯示適用本發明的廢氣有害物質去除單元的內部構造的前視圖。 [第2圖] 第1圖的構成要素的功能說明圖及攪拌部(堰)的放大圖。 [第3圖](a) 本發明的內面清潔部的第1實施例的概略剖面圖,(b)同第2實施例的概略剖面圖。 [第4圖] 本發明的廢氣導入噴嘴部的剖面圖。 [第5圖] 本發明的熱分解塔的剖面圖。 [第6圖] 本發明的出口淨氣器的剖面圖。
2:機械增壓泵
4:粗真空泵
10:內面清潔部
10a:開閉閥
12:自由基生成腔室
16:內面洗淨部
17:共通配管
18:給水配管
18v:開閉閥
19:乾燥氣體供給配管
19v:開閉閥
20:廢氣導入噴嘴部
40:廢氣洗淨部
41:水槽
41a:頂板部
41b:底部
41c:導入開口
41d:連通開口
42:第1揚水配管
43:第2揚水配管
44:第3揚水配管
45:流通空間
45a:分解廢氣流入空間
46:攪拌部(堰)
47:第1堰
47a:廢氣通過路
47b:導引噴嘴
48:第2堰
48a:下部折曲片部
48b:上部折曲片部
481:折曲線
49:攪拌領域
50(50a~50c):噴射噴嘴
55:分離堰板
56:溢流堰
57:排水領域
60:熱分解塔
66:廢氣配管
80:出口淨氣器
89a:廢氣用配管
90:框體
150:工場配管
200:半導體製造裝置
201:加工腔室
210:清淨室
220:地板

Claims (1)

  1. 一種廢氣有害物質去除單元,包含:從半導體製造裝置的加工腔室吸引廢氣的真空泵、及將從該真空泵被排出的廢氣清水洗淨的廢氣導入噴嘴部、及捕集被包含於從該廢氣導入噴嘴部被清水洗淨並被排出的洗淨廢氣中的夾雜物並將前述洗淨廢氣朝下一個廢氣分解過程送出的廢氣洗淨部,前述真空泵,是具有:與從半導體製造裝置的加工腔室被拉出的第1前線配管連接的機械增壓泵、及被設置在前述機械增壓泵的下方並與從機械增壓泵被拉出的第2前線配管連接的粗真空泵,從前述粗真空泵被拉出的第3前線配管連接有廢氣導入噴嘴部,且具有:與前述第1前線配管連接,當半導體製造裝置的清潔時,朝第1前線配管內供給氟自由基,將第1前線配管以下包含前述廢氣導入噴嘴部的構成構件的內面附著物除去的內面清潔部;及與前述第2前線配管連接,由氟自由基所進行的前述內面清潔之後供給洗淨用的水,將前述第2前線配管以下包含前述廢氣導入噴嘴部的構成構件的內面附著物進行清水洗淨,之後,供給乾燥氣體,將第2前線配管以下包含前述廢氣導入噴嘴部的構成構件的內面乾燥的內面洗淨部。
TW109105270A 2019-06-27 2020-02-19 廢氣有害物質去除單元 TWI739309B (zh)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199497A (ja) 2009-02-27 2010-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
CN109216230A (zh) 2017-06-29 2019-01-15 株式会社荏原制作所 排气系统设备系统以及排气系统设备的清洁方法

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