JPH06342785A - 気相成長装置の排気装置とその清浄化方法 - Google Patents
気相成長装置の排気装置とその清浄化方法Info
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- JPH06342785A JPH06342785A JP12985293A JP12985293A JPH06342785A JP H06342785 A JPH06342785 A JP H06342785A JP 12985293 A JP12985293 A JP 12985293A JP 12985293 A JP12985293 A JP 12985293A JP H06342785 A JPH06342785 A JP H06342785A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ装置の排気装置に関し、真空ポンプを
取り外すことなく清浄化することを目的とする。 【構成】 ＣＶＤ装置の排気系を温度調節装置により加
温状態に保つと共に、真空ポンプの給気側に洗浄液導入
変換フランジを設け、バルブ切り換えによりフランジを
通じて真空ポンプ内に酸水溶液，アルカリ水溶液，純
水，有機溶剤，乾燥用ガスと順次に供給して洗浄し、真
空ポンプ内の析出物を除去することを特徴として排気装
置の清浄化方法を構成する。
取り外すことなく清浄化することを目的とする。 【構成】 ＣＶＤ装置の排気系を温度調節装置により加
温状態に保つと共に、真空ポンプの給気側に洗浄液導入
変換フランジを設け、バルブ切り換えによりフランジを
通じて真空ポンプ内に酸水溶液，アルカリ水溶液，純
水，有機溶剤，乾燥用ガスと順次に供給して洗浄し、真
空ポンプ内の析出物を除去することを特徴として排気装
置の清浄化方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置の排気系を
構成する真空ポンプの清浄化方法に関する。ＩＣやＬＳ
Ｉなどの集積回路や半導体レーザなどの半導体デバイス
はシリコン（Si) で代表される単体半導体やガリウム・
砒素(GaAs)で代表される化合物半導体からなる基板（ウ
エハ) に薄膜形成技術，写真蝕刻技術（フォトリソグラ
フィ），不純物元素注入技術などを用いて製造されてい
る。
構成する真空ポンプの清浄化方法に関する。ＩＣやＬＳ
Ｉなどの集積回路や半導体レーザなどの半導体デバイス
はシリコン（Si) で代表される単体半導体やガリウム・
砒素(GaAs)で代表される化合物半導体からなる基板（ウ
エハ) に薄膜形成技術，写真蝕刻技術（フォトリソグラ
フィ），不純物元素注入技術などを用いて製造されてい
る。
【０００２】こゝで、薄膜形成技術として物理的な方法
と化学的な方法とがあり、前者は真空蒸着法，スパッタ
法，分子線エピタキシャル法（略称ＭＢＥ法）などであ
り、後者は気相成長法（略称ＣＶＤ法）やメッキ法など
であるが、物理的な薄膜形成法が数10〜数1000Åの極め
て薄い薄膜の形成に適しているのに対し、化学的な薄膜
形成法はμm オーダーの比較的厚い薄膜の形成に適して
いる。
と化学的な方法とがあり、前者は真空蒸着法，スパッタ
法，分子線エピタキシャル法（略称ＭＢＥ法）などであ
り、後者は気相成長法（略称ＣＶＤ法）やメッキ法など
であるが、物理的な薄膜形成法が数10〜数1000Åの極め
て薄い薄膜の形成に適しているのに対し、化学的な薄膜
形成法はμm オーダーの比較的厚い薄膜の形成に適して
いる。
【０００３】なお、ＣＶＤ法は化学反応を用いて気相成
長を行なうもので、蒸気圧の高い原料ガスをキャリアガ
スと共に加熱してあるウエハ上に供給し、ウエハ上で反
応させて薄膜を形成するものであり、集積回路の絶縁層
として使用される窒化硅素（Si3N4)，二酸化硅素（Si
O2) ，燐硅酸ガラス（略称ＰＳＧ）などの薄膜の形成に
一般的に使用されている。
長を行なうもので、蒸気圧の高い原料ガスをキャリアガ
スと共に加熱してあるウエハ上に供給し、ウエハ上で反
応させて薄膜を形成するものであり、集積回路の絶縁層
として使用される窒化硅素（Si3N4)，二酸化硅素（Si
O2) ，燐硅酸ガラス（略称ＰＳＧ）などの薄膜の形成に
一般的に使用されている。
【０００４】
【従来の技術】半導体集積回路はシリコン（Si) ウエハ
上に微細な半導体領域を作り、この領域を最小線幅がサ
ブミクロン(Sub-micron)の導体線路で回路接続してお
り、多層配線構造が採られているが、この場合に多層配
線を構成する絶縁層の必要条件は耐熱性に優れているこ
とゝ、平坦化作用が優れていることであり、この点から
ＣＶＤ装置を用いてSi3N4 ，SiO2，ＰＳＧなどのＣＶＤ
成長が行なわれているが、この原料ガスとして、モノシ
ラン（SiH4),ジ塩化シラン(SiH2Cl2),トリ塩化シラン
（SiHCl3),フォスフィン(PH3),笑気(N20),アンモニア(N
H3),酸素(O2), 水素(H 2)などが使用されている。
上に微細な半導体領域を作り、この領域を最小線幅がサ
ブミクロン(Sub-micron)の導体線路で回路接続してお
り、多層配線構造が採られているが、この場合に多層配
線を構成する絶縁層の必要条件は耐熱性に優れているこ
とゝ、平坦化作用が優れていることであり、この点から
ＣＶＤ装置を用いてSi3N4 ，SiO2，ＰＳＧなどのＣＶＤ
成長が行なわれているが、この原料ガスとして、モノシ
ラン（SiH4),ジ塩化シラン(SiH2Cl2),トリ塩化シラン
（SiHCl3),フォスフィン(PH3),笑気(N20),アンモニア(N
H3),酸素(O2), 水素(H 2)などが使用されている。
【０００５】図３は従来のＣＶＤ装置を構成している排
気系の構成を示すもので、反応炉１とガストラップ２と
真空ポンプ３を配管４とバルブ５で繋いで構成されてい
る。すなわち、O2やH2などをキャリアガスとして反応炉
１に供給される反応ガス６はヒータ７により加熱されて
いるウエハ８の上で反応し、反応ガスの種類により決ま
る反応生成物がウエハ８の上に成長するが、加熱部分は
ウエハ８のみに限らぬことから、ウエハ８を載置したサ
セプタや反応管の内部にも析出が生じ、また反応炉内の
雰囲気中で反応した反応生成物は真空ポンプ３に吸引さ
れて配管４を通り、一部は配管４や真空ポンプ３の内壁
に析出し、一部は大気中に排出されている。
気系の構成を示すもので、反応炉１とガストラップ２と
真空ポンプ３を配管４とバルブ５で繋いで構成されてい
る。すなわち、O2やH2などをキャリアガスとして反応炉
１に供給される反応ガス６はヒータ７により加熱されて
いるウエハ８の上で反応し、反応ガスの種類により決ま
る反応生成物がウエハ８の上に成長するが、加熱部分は
ウエハ８のみに限らぬことから、ウエハ８を載置したサ
セプタや反応管の内部にも析出が生じ、また反応炉内の
雰囲気中で反応した反応生成物は真空ポンプ３に吸引さ
れて配管４を通り、一部は配管４や真空ポンプ３の内壁
に析出し、一部は大気中に排出されている。
【０００６】また、反応ガスは必ずしも全部が反応する
訳ではなく、かなりの部分は未反応のまゝで配管４を通
って排気されるが、配管４，バルブ５，真空ポンプは常
温に保たれているために、この領域においても反応生成
物の付着と反応ガスの液化が生じている。この対策とし
て従来は液体窒素（N2) などにより周囲を冷却したガス
トラップ２を反応炉１の出口側に挿入することにより未
反応の反応ガス６を液化すると共に反応生成物を付着さ
せ、排気側への流動を防ぐ処置が施されている。然し、
ＣＶＤ装置において、ガストラップ２だけで反応ガスと
反応生成物を回収することは不可能であって、相当量が
ガストラップ２以降の排気系に流れ、そのまゝ使用する
と真空ポンプ３が故障を生じる。
訳ではなく、かなりの部分は未反応のまゝで配管４を通
って排気されるが、配管４，バルブ５，真空ポンプは常
温に保たれているために、この領域においても反応生成
物の付着と反応ガスの液化が生じている。この対策とし
て従来は液体窒素（N2) などにより周囲を冷却したガス
トラップ２を反応炉１の出口側に挿入することにより未
反応の反応ガス６を液化すると共に反応生成物を付着さ
せ、排気側への流動を防ぐ処置が施されている。然し、
ＣＶＤ装置において、ガストラップ２だけで反応ガスと
反応生成物を回収することは不可能であって、相当量が
ガストラップ２以降の排気系に流れ、そのまゝ使用する
と真空ポンプ３が故障を生じる。
【０００７】すなわち、ＣＶＤ装置を構成する真空ポン
プ３としては油が逆方向に拡散してウエハに付着し、品
質を損なうのを防ぐ見地から油拡散ポンプや油回転ポン
プは使用されておらず、この代わりにターボポンプ，メ
カニカルブースターポンプ，ドライポンプなどを使用
し、ターボポンプとドライポンプの直列運転，メカニカ
ルブースターポンプとドライポンプとの直列運転，ドラ
イポンプ同士の直列運転などが行なわれている。
プ３としては油が逆方向に拡散してウエハに付着し、品
質を損なうのを防ぐ見地から油拡散ポンプや油回転ポン
プは使用されておらず、この代わりにターボポンプ，メ
カニカルブースターポンプ，ドライポンプなどを使用
し、ターボポンプとドライポンプの直列運転，メカニカ
ルブースターポンプとドライポンプとの直列運転，ドラ
イポンプ同士の直列運転などが行なわれている。
【０００８】図は二個のドライポンプ９を直列運転して
いる状態を示している。然し、反応生成物や反応ガスの
酸化物がポンプの動翼部，ボデイ内壁部，ローター部な
どに析出する結果として、そのまゝ使用していると回転
が停止してしまう。そこで、定期的に真空ポンプを交換
してオーバーフローすることが行なわれている。
いる状態を示している。然し、反応生成物や反応ガスの
酸化物がポンプの動翼部，ボデイ内壁部，ローター部な
どに析出する結果として、そのまゝ使用していると回転
が停止してしまう。そこで、定期的に真空ポンプを交換
してオーバーフローすることが行なわれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ装置の反応ガス
として蒸気圧の高い薬品を使用し、ウエハ上で反応させ
反応生成物を析出させていることから、必然的に未反応
の反応ガスと反応生成物は反応炉より配管を通って排気
系に流れているが、ガストラップで全部を捕獲するのは
困難であり、真空ポンプに吸引されてポンプの動翼部，
ボデイ内壁部，ローター部などに析出するために、定期
的に排気系より外して新品と交換する必要があり、作業
能率を損ねている。そこで、排気系より外すことなくオ
ーバーフローできるようにすることが課題である。
として蒸気圧の高い薬品を使用し、ウエハ上で反応させ
反応生成物を析出させていることから、必然的に未反応
の反応ガスと反応生成物は反応炉より配管を通って排気
系に流れているが、ガストラップで全部を捕獲するのは
困難であり、真空ポンプに吸引されてポンプの動翼部，
ボデイ内壁部，ローター部などに析出するために、定期
的に排気系より外して新品と交換する必要があり、作業
能率を損ねている。そこで、排気系より外すことなくオ
ーバーフローできるようにすることが課題である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題はＣＶＤ装置
の排気系を構成する真空ポンプの内壁に析出した反応生
成物を排気系から真空ポンプを取り外すことなく洗浄
し、再使用する方法として、ＣＶＤ装置の排気系を温度
調節装置により加温状態に保つと共に、真空ポンプの給
気側に洗浄液導入変換フランジを設け、バルブ切り換え
によりフランジを通じて真空ポンプ内に酸水溶液，アル
カリ水溶液，純水，有機溶剤，乾燥用ガスと順次に供給
して洗浄し、真空ポンプ内の析出物を除去する排気装置
の清浄化方法を用いることにより解決することができ
る。
の排気系を構成する真空ポンプの内壁に析出した反応生
成物を排気系から真空ポンプを取り外すことなく洗浄
し、再使用する方法として、ＣＶＤ装置の排気系を温度
調節装置により加温状態に保つと共に、真空ポンプの給
気側に洗浄液導入変換フランジを設け、バルブ切り換え
によりフランジを通じて真空ポンプ内に酸水溶液，アル
カリ水溶液，純水，有機溶剤，乾燥用ガスと順次に供給
して洗浄し、真空ポンプ内の析出物を除去する排気装置
の清浄化方法を用いることにより解決することができ
る。
【００１１】
【作用】発明者はＣＶＤ装置に使用されているターボポ
ンプ，メカニカルブースターポンプ，ドライポンプなど
の真空ポンプは内部潤滑油を必要とせず、ローター部や
動翼部などそのまゝ洗浄できるものから構成されている
ことから、配管を通じてそのまゝ酸洗浄を行なって析出
物を溶解除去することを考えた。なお、ＣＶＤ装置を用
い半導体集積回路の製造を行なう工程において配管や真
空ポンプの内部に析出する生成物はSiO2，Si3N4 などの
硅素化合物やＰＳＧなどの硅素化合物の固溶体が多い。
ンプ，メカニカルブースターポンプ，ドライポンプなど
の真空ポンプは内部潤滑油を必要とせず、ローター部や
動翼部などそのまゝ洗浄できるものから構成されている
ことから、配管を通じてそのまゝ酸洗浄を行なって析出
物を溶解除去することを考えた。なお、ＣＶＤ装置を用
い半導体集積回路の製造を行なう工程において配管や真
空ポンプの内部に析出する生成物はSiO2，Si3N4 などの
硅素化合物やＰＳＧなどの硅素化合物の固溶体が多い。
【００１２】次に、これらの反応生成物の付着は配管や
真空ポンプが反応ガスよりも低温であることも大きな理
由であることから、排気系を可能な限り加熱状態で使用
することにした。すなわち、温度制御装置を新たに設
け、ガストラップやドライポンプを動作させるモータな
ど、加温してはいけない部分を除き、なるべく高温に保
つことにより、反応生成物の微粒子を含む反応ガスをな
るべくストレートに装置外に排出させるようにした。
真空ポンプが反応ガスよりも低温であることも大きな理
由であることから、排気系を可能な限り加熱状態で使用
することにした。すなわち、温度制御装置を新たに設
け、ガストラップやドライポンプを動作させるモータな
ど、加温してはいけない部分を除き、なるべく高温に保
つことにより、反応生成物の微粒子を含む反応ガスをな
るべくストレートに装置外に排出させるようにした。
【００１３】また、本発明の特徴は薬液の供給を洗浄液
導入変換フランジを用いて行なうことで、変換フランジ
にシャワー管を備え、薬液を如雨露状に散布することに
より効率よく洗浄を行なうようにしたことである。
導入変換フランジを用いて行なうことで、変換フランジ
にシャワー管を備え、薬液を如雨露状に散布することに
より効率よく洗浄を行なうようにしたことである。
【００１４】図１は本発明を実施した排気系の構成図で
あって、反応炉１とガストラップ２までの構成は従来と
変わらない。すなわち、未反応の反応ガス６と反応炉１
で生じた噴霧状の反応生成物は液体N2で冷却されている
ガストラップ２を通ることにより大部分が捕獲される
が、かなりのガスが配管４を通って真空ポンプ３に吸引
される。こゝで排気系は真空ポンプ３（この例の場合は
ドライポンプ９）のモータ11を除いて保温構造が採られ
ており、温度調節装置12により加熱可能に設けられてお
り、配管４に使用されているバルブ13,14 も温度制御が
可能なホットバルブを使用する。
あって、反応炉１とガストラップ２までの構成は従来と
変わらない。すなわち、未反応の反応ガス６と反応炉１
で生じた噴霧状の反応生成物は液体N2で冷却されている
ガストラップ２を通ることにより大部分が捕獲される
が、かなりのガスが配管４を通って真空ポンプ３に吸引
される。こゝで排気系は真空ポンプ３（この例の場合は
ドライポンプ９）のモータ11を除いて保温構造が採られ
ており、温度調節装置12により加熱可能に設けられてお
り、配管４に使用されているバルブ13,14 も温度制御が
可能なホットバルブを使用する。
【００１５】次に、バルブ13と真空ポンプ３との間に設
置し洗浄液を供給するのに使用する洗浄液導入変換フラ
ンジ16も保温構造をとり温度調節装置12により加熱可能
に構成する。このような構造をとることにより、ＣＶＤ
装置の動作中にガストラップ２での捕獲を免れた反応ガ
スと反応生成物はなるべく配管４と真空ポンプ３に付着
することなく大気中に排出すると共に、真空ポンプ３に
付着した反応生成物はバルブ13を締め、洗浄液導入変換
フランジ16を通じて洗浄液供給部18より洗浄液を供給す
ることにより真空ポンプ３の洗浄を行なうことができ
る。
置し洗浄液を供給するのに使用する洗浄液導入変換フラ
ンジ16も保温構造をとり温度調節装置12により加熱可能
に構成する。このような構造をとることにより、ＣＶＤ
装置の動作中にガストラップ２での捕獲を免れた反応ガ
スと反応生成物はなるべく配管４と真空ポンプ３に付着
することなく大気中に排出すると共に、真空ポンプ３に
付着した反応生成物はバルブ13を締め、洗浄液導入変換
フランジ16を通じて洗浄液供給部18より洗浄液を供給す
ることにより真空ポンプ３の洗浄を行なうことができ
る。
【００１６】
【実施例】図１に示す構成をとる排気系においてガスト
ラップ２としては液体N2を冷媒ととして使用し、配管４
と洗浄液導入変換フランジ16およびドライポンプ９の外
側をヒータテープ20で巻回し、この間に挿入してある熱
電対を温度調節装置12に接続して電流調節を行なうこと
によ各部の温度を80℃に保った。なお、モータ11は水冷
してある。
ラップ２としては液体N2を冷媒ととして使用し、配管４
と洗浄液導入変換フランジ16およびドライポンプ９の外
側をヒータテープ20で巻回し、この間に挿入してある熱
電対を温度調節装置12に接続して電流調節を行なうこと
によ各部の温度を80℃に保った。なお、モータ11は水冷
してある。
【００１７】次に、洗浄液供給部は同図に示すようにN2
供給部, 純水供給部, アルカリ水溶液供給部, 酸水溶液
供給部および溶剤供給部からなり、洗浄液導入変換フラ
ンジ16を通じて真空ポンプ内に酸, 純水, アルカリ, 純
水, 溶剤の順で供給し、最後にN2で乾燥するようにし
た。
供給部, 純水供給部, アルカリ水溶液供給部, 酸水溶液
供給部および溶剤供給部からなり、洗浄液導入変換フラ
ンジ16を通じて真空ポンプ内に酸, 純水, アルカリ, 純
水, 溶剤の順で供給し、最後にN2で乾燥するようにし
た。
【００１８】また、洗浄液導入変換フランジ16としては
図２の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）で示す三種類のものを使
用した。すなわち、それぞれの変換フランジの外側には
ヒーターテープ21と断熱材22を備えており、また、配管
23をヒータ24で加熱すると共に、その先にシャワー管25
を備え、洗浄液を如雨露状に散布するよう構成した。こ
ゝで、シャワー管25からの矢印は散布方向を示すもの
で、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）ぞれぞれ散布方法が異なっ
ている。
図２の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）で示す三種類のものを使
用した。すなわち、それぞれの変換フランジの外側には
ヒーターテープ21と断熱材22を備えており、また、配管
23をヒータ24で加熱すると共に、その先にシャワー管25
を備え、洗浄液を如雨露状に散布するよう構成した。こ
ゝで、シャワー管25からの矢印は散布方向を示すもの
で、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）ぞれぞれ散布方法が異なっ
ている。
【００１９】次に、反応ガスとしてSiHCl3,NH3およびN2
の三成分ガスを使用し、また、真空ポンプ３として二連
のドライポンプ11を使用した。さて、Siウエハ上にSi3N
4 からなる絶縁層を形成する工程について排気系の洗浄
方法を説明すると、図１においてＣＶＤ反応の終了後、
排気系を80℃に加熱してある状態でバルブ13と14を閉
じ、洗浄液導入変換フランジ16より弗酸(HF)水溶液を供
給して二つのドライポンプ９を満たし、10分間放置して
Si3N4 を溶解した後、バルブ14を開けてHF水溶液を除去
し、次に、純水を３リットル／分の流量で１分間洗浄
し、次にアンモニア水溶液（NH4OH)を３リットル／分の
流量で１分間洗浄して中和し、次に、純水を３リットル
／分の流量で１分間洗浄して後、エチルアルコールで洗
浄し、水を置換した後、N2を10リットル／分の流量で20
分間供給して乾燥することにより洗浄が終わった。な
お、三種類の洗浄液導入変換フランジ16については有意
差は認められなかった。
の三成分ガスを使用し、また、真空ポンプ３として二連
のドライポンプ11を使用した。さて、Siウエハ上にSi3N
4 からなる絶縁層を形成する工程について排気系の洗浄
方法を説明すると、図１においてＣＶＤ反応の終了後、
排気系を80℃に加熱してある状態でバルブ13と14を閉
じ、洗浄液導入変換フランジ16より弗酸(HF)水溶液を供
給して二つのドライポンプ９を満たし、10分間放置して
Si3N4 を溶解した後、バルブ14を開けてHF水溶液を除去
し、次に、純水を３リットル／分の流量で１分間洗浄
し、次にアンモニア水溶液（NH4OH)を３リットル／分の
流量で１分間洗浄して中和し、次に、純水を３リットル
／分の流量で１分間洗浄して後、エチルアルコールで洗
浄し、水を置換した後、N2を10リットル／分の流量で20
分間供給して乾燥することにより洗浄が終わった。な
お、三種類の洗浄液導入変換フランジ16については有意
差は認められなかった。
【００２０】
【発明の効果】本発明の実施によりＣＶＤ装置の排気系
の洗浄回数を減少することができ、また、真空ポンプを
排気系より取り外すことなく洗浄を行なうことができる
ことから半導体集積回路の製造コスト低減に寄与するこ
とができる。
の洗浄回数を減少することができ、また、真空ポンプを
排気系より取り外すことなく洗浄を行なうことができる
ことから半導体集積回路の製造コスト低減に寄与するこ
とができる。
【図１】 本発明に係るＣＶＤ装置の排気装置の構成図
である。
である。
【図２】 洗浄液導入変換フランジの構成を示す断面図
である。
である。
【図３】 従来のＣＶＤ装置を構成している排気装置の
構成図である。
構成図である。
１ 反応炉 ２ ガストラップ ３ 真空ポンプ ４ 配管 ５，13, 14 バルブ ６ 反応ガス ９ ドライポンプ 11 モータ 12 温度調節装置 16 洗浄液導入変換フランジ 18 洗浄液供給部 20，21 ヒータテープ 25 シャワー管
Claims (2)
- 【請求項１】 気相成長装置の排気系が、未反応の反応
ガスと反応生成物を捕獲するガストラップと真空ポンプ
のモータを除き保温可能に構成されており、排気系の温
度調節を行なう温度調節装置と、複数の洗浄液を順次に
供給可能な洗浄液供給部と、該洗浄液を真空ポンプに供
給する洗浄液導入変換フランジと、配管の切り換えを行
なう複数のホットバルブとを新たに備えてなることを特
徴とする気相成長装置の排気装置。 - 【請求項２】 気相成長装置の排気系を構成する真空ポ
ンプの内壁に析出した反応生成物を該排気系から該真空
ポンプを取り外すことなく洗浄し、再使用する方法とし
て、該気相成長装置の排気系を温度調節装置により加温
状態に保つと共に、該真空ポンプの給気側に洗浄液導入
変換フランジを設け、バルブ切り換えにより該フランジ
を通じて真空ポンプ内に酸水溶液，アルカリ水溶液，純
水，有機溶剤，乾燥用ガスと順次に供給して洗浄し、該
真空ポンプ内の析出物を除去することを特徴とする排気
装置の清浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129852A JP3013652B2 (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 排気装置とその清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129852A JP3013652B2 (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 排気装置とその清浄化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342785A true JPH06342785A (ja) | 1994-12-13 |
| JP3013652B2 JP3013652B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=15019853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129852A Expired - Fee Related JP3013652B2 (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 排気装置とその清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013652B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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