JPH0927458A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPH0927458A
JPH0927458A JP7196122A JP19612295A JPH0927458A JP H0927458 A JPH0927458 A JP H0927458A JP 7196122 A JP7196122 A JP 7196122A JP 19612295 A JP19612295 A JP 19612295A JP H0927458 A JPH0927458 A JP H0927458A
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和一 林
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハなどの真空処理に用いられる、
ロータ部を備えた真空ポンプ内の反応生成物の付着を防
止すること。 【構成】 処理室２に排気管３１、ドラッグポンプ４、
排気管３２、トラップ７１、ドライポンプ７２を接続
し、排気管３１、３２の外周面にはテープヒータ６６を
巻装すると共に、ドラッグポンプ４にはロータ部５の側
面と対向する整流板５０の内面に抵抗発熱体６１を設
け、ロータ部５の上面と対向する網目状板５６の上面に
抵抗発熱体６２を設ける。処理の際にはテープヒータ６
６、抵抗発熱体６１、６２により排気管３１、３２の内
面とロータ部５の外面の温度を反応生成物の析出温度よ
りも高い温度に加熱すると、反応生成物は排気管３１、
３２、ドラッグポンプ４を気体状態で通過し、トラップ
７１にて捕集される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、真空雰囲気中で処理ガスを用いて半導体ウエハ（以
下「ウエハ」という）に対して種々の処理、例えばＣＶ
Ｄ、エッチングあるいはアッシングなどの処理が行われ
る。このような真空処理を行う場合、処理ガス中の成分
同士の反応、あるいは処理ガスの成分とウエハ表面の成
分との反応に基づく反応生成物が処理室の排気口から排
気路を通じて排出されていくが、排気路中にこれらが付
着すると排気管、バルブ及び真空ポンプを洗浄しなけれ
ばならない。このような排気系の洗浄は、排気管やバル
ブや真空ポンプの取り外し、真空ポンプの洗浄といった
面倒な作業を伴うし、また反応生成物が腐食性を有して
いる場合には、排気管等の腐食を引き起こすため、反応
生成物の排気系への付着を極力抑えることが必要であ
る。
【０００３】そこで従来では反応生成物の排気系への付
着を防止するため図４に示すように真空処理装置を構成
していた。図４において１は気密な処理室であり、この
処理室１内にはヒータを内蔵した、ウエハＷの載置台１
１及び処理ガスの導入部１２が設けられている。また処
理室１には、ドラッグポンプ１３及びドライポンプ１４
が設けられた排気管１５が接続されており、先ずドライ
ポンプ１４で分岐路１６を介して所定の真空度まで真空
引きした後ドラッグポンプ１３で更に高い真空度まで真
空引きできるように排気系が構成されている。
【０００４】そしてドラッグポンプ１３の上流側にはト
ラップ１７を介設すると共に処理室１の排気口からトラ
ップ１７までの排気路の外周囲に加熱手段例えばテープ
ヒータを巻装しこれにより排気路を加熱して排気路への
反応生成物の付着を防止し、トラップ１７において反応
生成物の昇華点以下の温度に冷却することにより強制的
に反応生成物を析出させ、その下流側における排気系へ
の反応生成物の付着を防止している。なお図中Ｖａ、Ｖ
ｂ、Ｖｃはバルブである。
【０００５】ところでこのような装置ではトラップ１７
がドラッグポンプ１３の上流側に配置されているため次
のような問題が生じていた。即ち処理室１とドラッグポ
ンプ１３との間の排気管１５の管径は、ドラッグポンプ
１３の排気能力を損わないように大きなコンダクタンス
を得るために例えば４〜８インチ程度とされており、従
ってこの部分に介設されるトラップ１７も大型のものが
必要である。またこのトラップ１７は定期的に洗浄する
必要があるが、トラップがドラッグポンプ１３の上流側
に配置されていると洗浄後にトラップ１７に残っている
水分が処理室１内に流入して処理室１内を腐食させある
いはウエハＷの処理に悪影響を及ぼすおそれがあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者らは、
トラップ１７をドラッグポンプ１３の排気側（下流側）
に配置することを実現しようとしており、このため排気
路に加えてドラッグポンプ１３の外周囲に例えばテープ
ヒータを巻装し、反応生成物を気体状態でドラッグポン
プ１３を通過させることを検討している。
【０００７】ところで前記ドラッグポンプ１３は水冷ジ
ャケットを備えたケーシング内部にロータ部を設けると
共に、このロ−タ部を囲むようにケ−シング側に整流板
を設け、このロータ部を回転させることにより排気する
ように構成されている。従ってケーシングの外周囲にテ
ープヒータを巻装しても、熱は水冷ジャケットや整流板
に奪われてしまうのでロータ部へは伝わりにくく、ロー
タ部の温度を反応生成物の析出温度よりも高い温度例え
ば１２０℃程度もの温度に制御することが困難であっ
た。
【０００８】一方ケ−シングを、ロ−タ部が上述の温度
まで昇温されるような高温に加熱しようとすれば通常の
テ−プヒ−タでは困難であり、格別の抵抗発熱体を用意
しなければならず、また消費電力もかなり大きくなって
しまう。更にケ−シングをあまり高温に加熱するとドラ
ッグポンプのシ−ル部材が劣化してしまうので、むやみ
に温度を上げられない。
【０００９】このため排気路の内部やケーシング内壁は
反応生成物が付着しない程度の温度まで達していても、
ロータ部は当該温度まで上昇しきらず、反応生成物が付
着してドラッグポンプのメンテナンスを頻繁に行わなけ
ればならないという問題があった。
【００１０】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は真空ポンプ内部への反応生成物
の付着を防止し、メンテナンス作業を軽減することので
きる真空処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、処理
ガスを導入して真空雰囲気下で被処理体に対して真空処
理を行うための気密な処理室と、この処理室に排気路を
介して接続され、ケ−シング内のロ−タ部を回転させて
真空排気を行う真空ポンプとを有する真空処理装置にお
いて、前記真空ポンプ内の通気路に面したケーシング内
面とロータ部とを、前記処理室からの排気物が析出する
温度よりも高い温度に加熱するための第１の加熱手段
を、前記真空ポンプの内部に設けたことを特徴とする。
【００１２】請求項２の発明は、処理ガスを導入して真
空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気
密な処理室と、この処理室に排気路を介して接続され、
ケ−シング内のロ−タ部を回転させて真空排気を行う真
空ポンプとを有する真空処理装置において、前記真空ポ
ンプの排気側に設けられ、前記処理室からの排気物を捕
集する捕集部と、前記真空ポンプ内の通気路に面したケ
ーシング内面とロータ部とを、前記排気物が析出する温
度よりも高い温度に加熱するための第１の加熱手段と、
前記処理室から前記真空ポンプまでの間及び前記真空ポ
ンプから前記捕集部までの間の排気路の内面を前記排気
物が析出する温度よりも高い温度に加熱するための第２
の加熱手段を備えたことを特徴とする。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１又は２記載の
発明において、ケーシングは、ケーシング本体と、ロー
タ部と対向するよう前記ケーシング本体の内周面に設け
られた整流板とを有し、第１の加熱手段は、前記整流板
とケーシング本体との間に設けられた抵抗発熱体を含む
ことを特徴とする。
【００１４】請求項４の発明は、請求項１、２又は３記
載の発明において、ロ−タ部の温度を検出する温度検出
部と、この温度検出部の検出値が前記排気物が析出する
温度よりも高い設定温度となるように第１の加熱手段を
制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】真空ポンプの内部を、第１の加熱手段によ
り、処理室から排気された生成物が析出する温度以上の
温度に加熱すると共に、排気路の内面を第２の加熱手段
により前記の温度以上に加熱しながら処理室内において
真空処理を行うと、前記生成物は気体状態で前記排気路
及び真空ポンプを通過するので、排気路及び真空ポンプ
への前記生成物の付着が防止される。ここで第１の加熱
手段は真空ポンプの内部例えばロ−タ部と対向する整流
板に設けられているので、ロ−タ部に効率よく伝熱して
所定温度まで上昇させることができ、従って真空ポンプ
への前記生成物の付着を確実に防止することができる。
【００１６】さらに捕集部を真空ポンプの排気側に設け
れば、当該排気管の管径は小さくてすむので捕集部を小
型化でき、そしてこの内部を前記温度以下に設定するこ
とにより、排気路及び真空ポンプを気体状態で通過した
前記生成物はこの捕集部にて析出除去される。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例に係る真空
処理装置を示し、この実施例の真空処理装置は枚葉式の
熱ＣＶＤ装置として構成されている。
【００１８】図１中２はＣＶＤを行うための気密シール
構造を有する処理室であり、この処理室２内の底部に
は、被処理体である半導体ウエハＷを保持すると共に所
定温度に加熱するためのヒータ２０を備えたウエハ載置
台２１が設けられている。前記処理室２の上部には、処
理ガスを処理室２内に供給するための処理ガス供給部２
２がウエハ保持台２１に対向して配設されており、前記
処理ガス供給部２２は、例えば処理ガスであるＴｉＣｌ
4 ガスを供給するための第１のガス供給管２３及び例え
ば処理ガスであるＮＨ3 ガスを供給するための第２のガ
ス供給管２４の先端部をガス噴射板２５に夫々接続して
構成されている。前記第１のガス供給管２３、２４は図
示しないＴｉＣｌ4 の液体ソース及びＮＨ3 の気体供給
源に接続されている。また処理室２の側壁には搬出入口
を開閉するためのゲートバルブＧ１が設けられている。
【００１９】前記処理室２の底部には、例えば管径４〜
８インチの排気路をなす排気管３１の一端が接続されて
おり、この排気管３１の他端側にはバルブＶ１を介して
真空ポンプであるドラッグポンプ４が接続されている。
【００２０】このドラッグポンプ４について図２により
説明すると、４０はケーシングであり、側壁には水冷ジ
ャケット４０ａが設けられている。ケーシング４０の上
部には吸気口４１が形成されており、この吸気口４１に
前記排気管３１の下端部が接続されている。またケーシ
ング４０の側壁の下部側には、後述する排気管３２に接
続される排気口４２が形成されている。
【００２１】この例ではケーシング４０は、ケーシング
本体４００とこのケーシング本体４００の内周面に設け
られた円筒形状の整流板５０とを含む。この整流板５０
の内面にはケーシング４０の内部中央へ向けて延び、周
方向に沿って間隔をおいて配置された複数の静翼５１が
取付けられている。また整流板５０の外周面（整流板５
０とケーシング本体４００との間）には、第１の加熱手
段例えば抵抗発熱線６１が嵌め込まれるように設けられ
ている。
【００２２】さらにケーシング４０の内部にはロータ部
５が設けられている。このロータ部５は、ケーシング４
０の軸方向に伸びる回転軸５２とその頂部に取付けられ
たロータ５３とにより構成され、回転軸５２はケーシン
グ４０内部の底部中央に形成された円筒形状の支持部４
４により、例えばその内面の上下２ケ所に設けられた軸
受け４５ａ、４５ｂを介して支持されている。前記支持
部４４の内面の軸受け４５ａと４５ｂとの間には界磁巻
線５４が、また回転軸５２の界磁巻線５４と対応する位
置には、電磁コイル５５が夫々巻装されてモータ部が構
成されている。
【００２３】ロータ５３は前記の静翼５１の上方側及び
下方側にそれぞれ位置する第１の動翼５３ａと第２の動
翼５３ｃとを備えており、各動翼の外縁部は整流板５０
の内面と近接するように設けられている。この例では、
ロータ５３の外面と整流板５０または静翼５１との間の
空洞が通気路に相当する。
【００２４】そしてロータ５３の例えば第２の動翼５３
ｃ内面の下部及びこれに対応する支持部４４外面には、
温度検出部をなす温度センサ６３が設けられており、こ
の温度センサ６３は例えば動翼５３ｃ内面の一部に設け
られた、温度により発色が変化する発色部材６３ａと、
例えば支持部４４外面に設けられた、色を検出する色セ
ンサ６３ｂとから構成される。
【００２５】前記整流板５０の上部には、円板状の網目
状板５６が配設されており、この網目状板５６の上部に
も例えばらせん状の抵抗発熱線６２からなる第１の加熱
手段が設けられている。そしてこれら抵抗発熱線６１、
６２は前記温度センサ６３の検出信号に基づいて制御部
６４により電源部６５を介して制御されるように構成さ
れている。
【００２６】前記ドラッグポンプ４の排気側には例えば
管径１〜２インチの排気路をなす排気管３２の一端が接
続されており、この排気管３２の他端側にはバルブＶ２
を介して捕集部をなすトラップ７１が接続されている。
またトラップ７１の下流側は例えば管径１〜２インチの
排気管３３を介してドライポンプ７２に接続されてお
り、前記排気管３１から分岐した分岐路３４がバルブＶ
３を介してこの排気管３３に接続されている。そして前
記処理室２からトラップ７１に至るまでの排気管３１、
３２、及びバルブＶ１、バルブＶ２の外周囲には、これ
らの内壁面を所定温度に加熱するための第２の加熱手段
例えばテープヒータ６６が貼装されている。
【００２７】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず分岐路３４を通じてドライポンプ７２により処理室２
内を例えば１〜５×１０-2Ｔｏｒｒまで真空排気し、次
いでバルブＶ３を閉じバルブＶ１を開いてドラッグポン
プ４により処理室２内を例えば１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ
まで真空排気する。
【００２８】ここでドラッグポンプ４では、前記モータ
部により、ロータ５３が高速で回転する。そしてこのロ
ータ５３の回転によって気体は吸気口４１から網状体５
６を介してドラッグポンプ４の内部に吸引され、ロータ
５と整流板５０、静翼５１との間に形成された通気路を
通って排気口４２から排気され、これにより処理室２内
が所定の圧力となるまで真空排気される。
【００２９】その後ゲートバルブＧ１を開き、図示しな
いロードロック室から被処理体例えばウエハＷを処理室
２内に搬入し、載置台２１上に載置する。ウエハＷが所
定温度例えば５００〜７５０℃まで加熱された後処理ガ
ス供給部２２のガス供給管２３、２４から例えば夫々Ｔ
ｉＣｌ4 ガス及びＮＨ3 ガスを処理室２内に供給すると
共に、ドラッグポンプ４の真空排気により所定の真空度
に維持しながらウエハＷの表面にＴｉＮ（チタンナイト
ライド）膜を成膜する。
【００３０】上述の成膜処理の際には、処理室２内では
ＴｉＮの他にＮＨ4 Ｃｌ（塩化アンモニウム）が反応副
生成物として生成され、これらの処理ガス中の成分同士
の反応、あるいは処理ガスの成分とウエハＷ表面の成分
との反応に基づく反応生成物が排気物として排気管３１
内に排気される。そしてドラッグポンプ４よりも上流
側、つまり排気管３１及びバルブＶ１の内面を前記反応
生成物の析出温度よりも高い温度例えば１００℃〜１２
０℃にテープヒータ６６により加熱しておくことによ
り、この間では反応生成物は気体の状態になり、ドラッ
グポンプ４内に入る。そしてドラッグポンプ４において
は、整流板５０の内面と網目状板５６の上面に設けられ
た抵抗発熱線６１、６２により、ロータ部５を側方側と
上方側とから加熱すると共に、整流板５０及び静翼５１
自体も加熱されるため、ドラッグポンプ４内の通気路に
面した面全体が加熱される。従ってこの面全体を反応生
成物の析出温度よりも高い温度に加熱することにより、
反応生成物は気体の状態のままドラッグポンプ４を通過
する。ここで物質が気体状態であるか否かは圧力と温度
との関係つまり例えば図３に示す蒸気圧曲線に基づいて
決定され、反応生成物の析出温度よりも高い温度とは、
蒸気圧曲線より気体領域の温度という意味である。
【００３１】この際ドラッグポンプ４ではロータ５３の
内面に取付けられた発色部材６３ａの色の変化を色セン
サ６３ｂで検出することによりロータ部５の温度を検出
し、制御部６４によりこの検出値が予め設定された設定
温度となるように電源部６５を介して抵抗発熱線６１、
６２が制御される。
【００３２】ドラッグポンプ４を通過した反応生成物は
排気管３２内に排気されるが、トラップ７１よりも上流
側、つまり排気管３２、バルブＶ２の内面を反応生成物
の析出温度よりも高い温度にテープヒータ６６により加
熱しておくことにより、この間では反応生成物は気体の
状態になり、トラップ７１に入る。そしてトラップ７１
では例えば冷媒を通流させて、トラップ７１の内面を反
応生成物の析出温度以下の温度に冷却することにより、
反応生成物を析出させ、こうして反応生成物はこのトラ
ップ７１にて捕集される。
【００３３】上述実施例によれば、整流板５０の内面及
び網目状板５６の上面に抵抗発熱線６１、６２によって
ロータ部を直接輻射熱で加熱するようにしたので、整流
板５０自体及び静翼５１は勿論のことロータ部５を効率
よく所定の温度に上昇させることができ、ケーシング４
０自体を外部から加熱する場合に比べて高温にしなくて
済むので、ケーシング４０の封止部分に用いられるシー
ル部材例えばＯリングの劣化を防止することができる。
また整流板５０自体も抵抗発熱体６１により加熱される
ので、結果として前記通気路の内面を所定温度まで上昇
させることができる。
【００３４】こうしてドラッグポンプ４内部即ち前記通
気路の内面への反応生成物の付着を確実に防止すること
ができ、このためドラッグポンプ４の洗浄回数を格段に
少くすることができて、面倒なロータ部５の洗浄に要す
る労力が軽減されると共に、真空処理装置の稼働効率が
向上する。
【００３５】そしてロータ部５の温度を検出するにあた
ってはロータ部５側の発色センサ６３ａを固定部側の色
センサ６３ｂにより検出するようにしているため、信号
線をロータ部５側に持たせなくてよいので温度検出のた
めの構成が簡単である。また温度センサ６３はドラッグ
ポンプ４内の反応生成物の通気路から外れた部分に設置
されているので、この温度センサ６３は反応生成物と接
触することなく、温度センサ６３の反応生成物による腐
食や温度センサ６３への反応生成物の付着が抑えられ
る。
【００３６】そしてまたトラップ７１をドラッグポンプ
４の排気側に設けているため、トラップの小型化を図る
ことができると共に、トラップ７１内の水分が処理室２
内に逆流して処理に対する悪影響や処理室２内の腐食を
引き起こすおそれがない。即ちドラッグポンプ４の上流
側では大きなコンダクタンスが必要であるため例えば管
径が４〜８インチの排気管を用いなければならず、この
ためトラップもそれに見合う大きさのものを用いなけれ
ばならないが、ドラッグポンプ４の排気側では上流側に
比べてコンダクタンスが小さくてよく、例えば排気管の
管径も１〜２インチ程度と小径のものを用いているの
で、トラップも小型なものを使用できる。
【００３７】以上において本発明は、ＴｉＮ膜以外の成
膜処理を行う場合の他、プラズマＣＶＤやエッチング、
アッシングなどの真空処理装置についても適用すること
ができる。
【００３８】
【発明の効果】請求項１、２、３、４の発明によれば、
真空ポンプの内部に第１の加熱手段を設け、真空ポンプ
内の通気路に面した内面を処理室からの排気物が析出す
る温度よりも高い温度に加熱したので、真空ポンプの内
部への前記排気物の付着を防止でき、メンテナンス作業
を軽減できる。請求項２の発明によれば、捕集部に前記
生成物を析出させて除去することができると共に、捕集
部を小型化できる。請求項４の発明によれば、ロータ部
への前記生成物の付着を防止するための温度制御を簡単
な構成で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す構成図である。
【図２】本発明の実施例に用いられるドラッグポンプを
示す断面図である。
【図３】蒸気圧曲線の一例を示す特性図である。
【図４】従来の真空処理装置の排気系を示す説明図であ
る。
【符号の説明】
２ 処理室 ２１ 載置台 ２２ 処理ガス供給部 ３１、３２、３３、３４ 排気管 ４ ドラッグポンプ ４０ ケーシング ５ ロータ部 ５０ 整流板 ５１ 静翼 ５２ 回転軸 ５３ ロータ ５３ａ 第１の動翼 ５３ｃ 第２の動翼 ６１、６２ 抵抗発熱体 ６３ 温度センサ ６６ テープヒータ ７１ トラップ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理ガスを導入して真空雰囲気下で被処
    理体に対して真空処理を行うための気密な処理室と、こ
    の処理室に排気路を介して接続され、ケ−シング内のロ
    −タ部を回転させて真空排気を行う真空ポンプとを有す
    る真空処理装置において、 前記真空ポンプ内の通気路に面したケーシング内面とロ
    ータ部とを、前記処理室からの排気物が析出する温度よ
    りも高い温度に加熱するための第１の加熱手段を、前記
    真空ポンプの内部に設けたことを特徴とする真空処理装
    置。
  2. 【請求項２】 処理ガスを導入して真空雰囲気下で被処
    理体に対して真空処理を行うための気密な処理室と、こ
    の処理室に排気路を介して接続され、ケ−シング内のロ
    −タ部を回転させて真空排気を行う真空ポンプとを有す
    る真空処理装置において、 前記真空ポンプの排気側に設けられ、前記処理室からの
    排気物を捕集する捕集部と、 前記真空ポンプ内の通気路に面したケーシング内面とロ
    ータ部とを、前記排気物が析出する温度よりも高い温度
    に加熱するための第１の加熱手段と、 前記処理室から前記真空ポンプまでの間及び前記真空ポ
    ンプから前記捕集部までの間の排気路の内面を前記排気
    物が析出する温度よりも高い温度に加熱するための第２
    の加熱手段を備えたことを特徴とする真空処理装置。
  3. 【請求項３】 ケーシングは、ケーシング本体と、ロー
    タ部と対向するよう前記ケーシング本体の内周面に設け
    られた整流板とを有し、第１の加熱手段は、前記整流板
    とケーシング本体との間に設けられた抵抗発熱体を含む
    ことを特徴とする請求項１又は２記載の真空処理装置。
  4. 【請求項４】 ロ−タ部の温度を検出する温度検出部
    と、この温度検出部の検出値が前記排気物が析出する温
    度よりも高い設定温度となるように第１の加熱手段を制
    御する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項１、
    ２又は３記載の真空処理装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6090222A (en) * 1998-11-16 2000-07-18 Seh-America, Inc. High pressure gas cleaning purge of a dry process vacuum pump
US6642489B2 (en) * 2001-01-09 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving exhaust gas consumption in an exhaust conduit
JP2007113455A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Tokki Corp 真空排気システム
KR100873104B1 (ko) * 2007-03-16 2008-12-09 삼성전자주식회사 회전체 크리닝 유니트 및 이를 갖는 진공펌프
KR100904417B1 (ko) * 2007-08-16 2009-06-26 김종환 반도체 소자 가공공정의 진공배관구조
US8529231B2 (en) 2009-02-09 2013-09-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for cleaning rotation body and vacuum pump having the same
KR101501171B1 (ko) * 2013-08-01 2015-03-12 피에스케이 주식회사 리플로우 처리 유닛 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125207B2 (ja) * 1995-07-07 2001-01-15 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP3057486B2 (ja) * 1997-01-22 2000-06-26 セイコー精機株式会社 ターボ分子ポンプ
US6794308B2 (en) * 1998-01-07 2004-09-21 Texas Instruments Incorporated Method for reducing by-product deposition in wafer processing equipment
DE19906224B4 (de) * 1999-02-15 2006-05-24 Infineon Technologies Ag Abzugsvorrichtung
JP2002048088A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Seiko Instruments Inc 真空ポンプ
JP2002155891A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Seiko Instruments Inc 真空ポンプ
DE10107341A1 (de) * 2001-02-16 2002-08-29 Pfeiffer Vacuum Gmbh Vakuumpumpe
JP2003287463A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Boc Edwards Technologies Ltd 放射温度測定装置及び該放射温度測定装置を搭載したターボ分子ポンプ
JP4056829B2 (ja) * 2002-08-30 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3896930B2 (ja) * 2002-09-10 2007-03-22 株式会社豊田自動織機 流体ポンプ装置
GB0329839D0 (en) * 2003-12-23 2004-01-28 Boc Group Plc Vacuum pump
GB0406748D0 (en) * 2004-03-26 2004-04-28 Boc Group Plc Vacuum pump
GB0502149D0 (en) * 2005-02-02 2005-03-09 Boc Group Inc Method of operating a pumping system
GB0508872D0 (en) * 2005-04-29 2005-06-08 Boc Group Plc Method of operating a pumping system
US20070020115A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-25 The Boc Group, Inc. Integrated pump apparatus for semiconductor processing
US7976897B2 (en) * 2007-02-21 2011-07-12 Micron Technology, Inc Thermal chemical vapor deposition methods, and thermal chemical vapor deposition systems
JP5190214B2 (ja) * 2007-03-29 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法
EP2317148A4 (en) * 2008-08-19 2015-03-25 Edwards Japan Ltd VACUUM PUMP
JP2010232637A (ja) * 2009-03-04 2010-10-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101750572B1 (ko) * 2009-08-21 2017-06-23 에드워즈 가부시키가이샤 진공 펌프
DE102012017453A1 (de) * 2012-09-04 2014-03-06 Manz Ag Plasmabehandlungseinrichtung und Verfahren zur Behandlung zumindest eines Substrats
US11332824B2 (en) 2016-09-13 2022-05-17 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing effluent build-up in a pumping exhaust system
KR101993718B1 (ko) * 2017-07-20 2019-06-27 서울대학교산학협력단 난연시트 및 그 제조 방법과 그 난연시트가 적용된 ｃｌｔ
WO2020239975A1 (en) * 2019-05-29 2020-12-03 Edwards Limited A turbomolecular pump, a vacuum pumping system and a method of evacuating a vacuum chamber
JP2022176649A (ja) * 2021-05-17 2022-11-30 株式会社島津製作所 真空ポンプシステム、及び、真空ポンプ
FR3127531A1 (fr) * 2021-09-24 2023-03-31 Pfeiffer Vacuum Pompe à vide turbomoléculaire

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3164320A (en) * 1962-07-10 1965-01-05 John T Welbourn Vacuum pumping system
US3506380A (en) * 1968-08-22 1970-04-14 Howard H Powell Self-regulating,automatic rotary vane device and system
US3981627A (en) * 1969-10-06 1976-09-21 Kantor Frederick W Rotary thermodynamic compressor
FR2521650A1 (fr) * 1982-02-16 1983-08-19 Cit Alcatel Pompe rotative a vide eleve
JPS6419198A (en) * 1987-07-15 1989-01-23 Hitachi Ltd Vacuum pump
FR2634829B1 (fr) * 1988-07-27 1990-09-14 Cit Alcatel Pompe a vide
US5443368A (en) * 1993-07-16 1995-08-22 Helix Technology Corporation Turbomolecular pump with valves and integrated electronic controls
JP2538796B2 (ja) * 1989-05-09 1996-10-02 株式会社東芝 真空排気装置および真空排気方法
JP3237210B2 (ja) * 1992-06-25 2001-12-10 ソニー株式会社 ディスク装置
JP2865959B2 (ja) * 1992-11-30 1999-03-08 三菱重工業株式会社 ターボ分子ポンプ
US5513499A (en) * 1994-04-08 1996-05-07 Ebara Technologies Incorporated Method and apparatus for cryopump regeneration using turbomolecular pump
US5618167A (en) * 1994-07-28 1997-04-08 Ebara Corporation Vacuum pump apparatus having peltier elements for cooling the motor & bearing housing and heating the outer housing
JP3125207B2 (ja) * 1995-07-07 2001-01-15 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6090222A (en) * 1998-11-16 2000-07-18 Seh-America, Inc. High pressure gas cleaning purge of a dry process vacuum pump
US6189176B1 (en) 1998-11-16 2001-02-20 Seh-America, Inc. High pressure gas cleaning purge of a dry process vacuum pump
US6642489B2 (en) * 2001-01-09 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving exhaust gas consumption in an exhaust conduit
JP2007113455A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Tokki Corp 真空排気システム
KR100873104B1 (ko) * 2007-03-16 2008-12-09 삼성전자주식회사 회전체 크리닝 유니트 및 이를 갖는 진공펌프
US8083507B2 (en) 2007-03-16 2011-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Vacuum pump having rotation body cleaning unit with spraying holes on an output surface of the cleaning body surrounding a shaft
KR100904417B1 (ko) * 2007-08-16 2009-06-26 김종환 반도체 소자 가공공정의 진공배관구조
US8529231B2 (en) 2009-02-09 2013-09-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for cleaning rotation body and vacuum pump having the same
KR101501171B1 (ko) * 2013-08-01 2015-03-12 피에스케이 주식회사 리플로우 처리 유닛 및 기판 처리 장치

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US6253029B1 (en) 2001-06-26

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