JP2847166B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2847166B2 JP2847166B2 JP23175589A JP23175589A JP2847166B2 JP 2847166 B2 JP2847166 B2 JP 2847166B2 JP 23175589 A JP23175589 A JP 23175589A JP 23175589 A JP23175589 A JP 23175589A JP 2847166 B2 JP2847166 B2 JP 2847166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trap
- gas
- valve
- product
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体製造装置、例えば窒化膜（窒化珪素膜、シリコ
ンナイトライド）成長時に成長装置のトラップ内に形成
され堆積する塩化アンモニウム（NH4Cl）の生成物を容
易に洗浄することのできる配管系統の改良に関し、 化学気相成長装置における排ガス系のトラップ内に詰
まった生成物を短時間に、入手を多く要することなく除
去することのできる装置を提供することを目的とし、 化学気相成長用の反応室からバルブ、トラップ、バル
ブ、配管を経由して反応ガスを排気する系統をもつ装置
において反応ガス流れの上流側と下流側に反応ガスの生
成物を溶解する液体の導入部と導出部をそれぞれ設け、
反応ガスの流れの下流側と上流側に泡発生ガスの導入部
と導出部をそれぞれ設け、トラップ内に該液体を導入
し、泡発生ガスにて当該液体水内に泡を発生し、それに
よってトラップ内に詰まった該生成物を除去する構成と
したことを特徴とする半導体製造装置を含み構成する。
ンナイトライド）成長時に成長装置のトラップ内に形成
され堆積する塩化アンモニウム（NH4Cl）の生成物を容
易に洗浄することのできる配管系統の改良に関し、 化学気相成長装置における排ガス系のトラップ内に詰
まった生成物を短時間に、入手を多く要することなく除
去することのできる装置を提供することを目的とし、 化学気相成長用の反応室からバルブ、トラップ、バル
ブ、配管を経由して反応ガスを排気する系統をもつ装置
において反応ガス流れの上流側と下流側に反応ガスの生
成物を溶解する液体の導入部と導出部をそれぞれ設け、
反応ガスの流れの下流側と上流側に泡発生ガスの導入部
と導出部をそれぞれ設け、トラップ内に該液体を導入
し、泡発生ガスにて当該液体水内に泡を発生し、それに
よってトラップ内に詰まった該生成物を除去する構成と
したことを特徴とする半導体製造装置を含み構成する。
本発明は半導体製造装置、例えば窒化膜（窒化珪素
膜、シリコンナイトライド）成長時に成長装置のトラッ
プ内に形成され堆積する塩化アンモニウム（NH4Cl）の
生成物を容易に洗浄することのできる配管系統の改良に
関する。
膜、シリコンナイトライド）成長時に成長装置のトラッ
プ内に形成され堆積する塩化アンモニウム（NH4Cl）の
生成物を容易に洗浄することのできる配管系統の改良に
関する。
窒化膜をシリコンウエハ上に成長させるには化学気相
成長（CVD）法が用いられ、本発明の実施例を示す第１
図を参照すると、図示しないヒーターによって650〜800
℃に加熱される反応室11内に図示しないウエハ（シリコ
ンウエハ）を配置し、ガス導入口12からはトリクロルシ
ラン（SiHCl3）ガスを、ガス導入口13からはアンモニア
（NH3）ガスを導入し、ウエハ上に窒化膜（Si3N4膜）を
成長させる。かゝる窒化膜の成長とそのための装置は一
般に知られたものである。
成長（CVD）法が用いられ、本発明の実施例を示す第１
図を参照すると、図示しないヒーターによって650〜800
℃に加熱される反応室11内に図示しないウエハ（シリコ
ンウエハ）を配置し、ガス導入口12からはトリクロルシ
ラン（SiHCl3）ガスを、ガス導入口13からはアンモニア
（NH3）ガスを導入し、ウエハ上に窒化膜（Si3N4膜）を
成長させる。かゝる窒化膜の成長とそのための装置は一
般に知られたものである。
上記したCVD窒化膜成長において、窒化膜の成長に消
費されなかった残留ガス14は、真空ポンプ系による排気
作用によって、反応室11のガスの流れに沿ってみて下流
側のバルブ15、トラップ16、バルブ22、配管27を経由し
て排気される。反応室11は前記した温度に加熱されてい
るが、トラップ16の配置された部分は大気中にあって室
温にさらされている。トラップ16は装着に便利なよう
に、アルミニウムの合金系で図示のようにひだを付けて
作られた自在に曲げることのできる配管の一種で、コネ
クタ17で排気系の配管に連結されている。
費されなかった残留ガス14は、真空ポンプ系による排気
作用によって、反応室11のガスの流れに沿ってみて下流
側のバルブ15、トラップ16、バルブ22、配管27を経由し
て排気される。反応室11は前記した温度に加熱されてい
るが、トラップ16の配置された部分は大気中にあって室
温にさらされている。トラップ16は装着に便利なよう
に、アルミニウムの合金系で図示のようにひだを付けて
作られた自在に曲げることのできる配管の一種で、コネ
クタ17で排気系の配管に連結されている。
前記した温度環境にあった残留ガス14が室温のトラッ
プ16内を通るとき、残留ガス14は急冷され、固体の塩化
アンモニウム（NH4Cl）が作られ、それがトラップ16内
に第１図のトラップ16のひだの間に示すようにたまる。
この塩化アンモニウムの生成物29（以下には単に生成物
という。）がたまりすぎてトラップ16内に詰まり、次い
で排気用の真空ポンプに入ったとすると、ポンプに詰ま
って支障を来たすので、定期的にトラップ16を取り外
し、塩化アンモニウムは水に可溶である性質を利用しト
ラップ内に水を入れてエッチング洗浄していた。このよ
うなトラップの取り外し、洗浄は人手を要する作業で、
通常３〜４時間の時間を要する。洗浄が終わったトラッ
プは乾燥しなければならず、従って、トラップの取り外
し、洗浄、乾燥にまる１日も必要とすることがある。そ
して、その時間中窒化膜の成長作業は中断しなければな
らず、そのことは工場の生産計画に重大な支障をきた
す。
プ16内を通るとき、残留ガス14は急冷され、固体の塩化
アンモニウム（NH4Cl）が作られ、それがトラップ16内
に第１図のトラップ16のひだの間に示すようにたまる。
この塩化アンモニウムの生成物29（以下には単に生成物
という。）がたまりすぎてトラップ16内に詰まり、次い
で排気用の真空ポンプに入ったとすると、ポンプに詰ま
って支障を来たすので、定期的にトラップ16を取り外
し、塩化アンモニウムは水に可溶である性質を利用しト
ラップ内に水を入れてエッチング洗浄していた。このよ
うなトラップの取り外し、洗浄は人手を要する作業で、
通常３〜４時間の時間を要する。洗浄が終わったトラッ
プは乾燥しなければならず、従って、トラップの取り外
し、洗浄、乾燥にまる１日も必要とすることがある。そ
して、その時間中窒化膜の成長作業は中断しなければな
らず、そのことは工場の生産計画に重大な支障をきた
す。
そこ本発明は、化学気相成長装置における排ガス系の
トラップ内に詰まった生成物を短時間に、人手を多く要
することなく除去することのできる装置を提供すること
を目的とする。
トラップ内に詰まった生成物を短時間に、人手を多く要
することなく除去することのできる装置を提供すること
を目的とする。
上記課題は、化学気相成長用の反応室からバルブ、ト
ラップ、バルブ、配管を経由して反応ガスを排気する系
統をもつ装置において反応ガスの流れの上流側と下流側
に反応ガスの生成物を溶解する液体の導入部と導出部を
それぞれ設け、反応ガスの流れの下流側と上流側に泡発
生ガスの導入部と導出部をそれぞれ設け、トラップ内に
該液体を導入し、泡発生ガスにて当該液体内に泡を発生
し、それによってトラップ内に詰まった該生成物を除去
する構成としたことを特徴とする半導体製造装置によっ
て解決される。
ラップ、バルブ、配管を経由して反応ガスを排気する系
統をもつ装置において反応ガスの流れの上流側と下流側
に反応ガスの生成物を溶解する液体の導入部と導出部を
それぞれ設け、反応ガスの流れの下流側と上流側に泡発
生ガスの導入部と導出部をそれぞれ設け、トラップ内に
該液体を導入し、泡発生ガスにて当該液体内に泡を発生
し、それによってトラップ内に詰まった該生成物を除去
する構成としたことを特徴とする半導体製造装置によっ
て解決される。
すなわち本発明は、トラップを取り外すことなく、排
気系に装着されたまゝの状態で必要な洗浄、乾燥が行わ
れるので、生成物の除去が容易になされ、人手と時間を
節約することになる。
気系に装着されたまゝの状態で必要な洗浄、乾燥が行わ
れるので、生成物の除去が容易になされ、人手と時間を
節約することになる。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明す
る。
る。
第１図は本発明第１実施例の構成を示す図で、図中、
既に説明した部分に加えて、18から22まではバルブで、
バルブ18と19とはガスの流れにみてトラップ16の上流側
に、バルブ20、21、22はトラップ16の下流側に配置され
ている。23から27までは配管であり、トラップ16の上流
側の配管23と24のうち配管23は給水源に、配管24は排気
系にそれぞれ接続され、トラップ16の下流側の配管25、
26、27のうち配管25はN2ガス供給源に、配管26は排水系
に、27は真空ポンプにそれぞれ連結されている。バルブ
18と配管23は生成物29を溶解する液体、この例では水の
導入部、バルブ21の配管26は水の導出部となり、また、
バルブ20と配管25は泡発生ガスの導入部、バルブ19と配
管24は泡発生ガスの導出部となる。
既に説明した部分に加えて、18から22まではバルブで、
バルブ18と19とはガスの流れにみてトラップ16の上流側
に、バルブ20、21、22はトラップ16の下流側に配置され
ている。23から27までは配管であり、トラップ16の上流
側の配管23と24のうち配管23は給水源に、配管24は排気
系にそれぞれ接続され、トラップ16の下流側の配管25、
26、27のうち配管25はN2ガス供給源に、配管26は排水系
に、27は真空ポンプにそれぞれ連結されている。バルブ
18と配管23は生成物29を溶解する液体、この例では水の
導入部、バルブ21の配管26は水の導出部となり、また、
バルブ20と配管25は泡発生ガスの導入部、バルブ19と配
管24は泡発生ガスの導出部となる。
図示の装置の操作について説明すると、窒化膜の成長
中は、バルブ15は開、バルブ18と19は閉、バルブ20と21
は閉、バルブ22は開の状態で、残留ガス14はトラップ1
6、配管27を経由して真空ポンプ（図示せず）側へ排気
される。トラップ16が詰まると、そのことは残留ガス14
の排出量に影響し、反応室11内の真空度の低下によって
検知される。そこで、反応室11内に既に置かれているウ
エハの窒化膜成長が終わり、ウエハを反応室11から取り
出し、次いで以下の操作を行う。
中は、バルブ15は開、バルブ18と19は閉、バルブ20と21
は閉、バルブ22は開の状態で、残留ガス14はトラップ1
6、配管27を経由して真空ポンプ（図示せず）側へ排気
される。トラップ16が詰まると、そのことは残留ガス14
の排出量に影響し、反応室11内の真空度の低下によって
検知される。そこで、反応室11内に既に置かれているウ
エハの窒化膜成長が終わり、ウエハを反応室11から取り
出し、次いで以下の操作を行う。
トラップ16のそれぞれ上流側と下流側のバルブ15とバ
ルブ22とを閉じ、バルブ18を開け、配管23を通して水を
注ぎ込む。水30はトラップ16内に溜めておいて、バルブ
20を開け、配管25を通して泡発生ガスとしてN2ガスを注
入してトラップ16内をN2の泡でバブリングし、泡をトラ
ップ16内に通すことにより生成物が29より良く落とされ
るようにする。この間中、バルブ19を開けて、配管24を
通しN2ガスのガス抜きをする。
ルブ22とを閉じ、バルブ18を開け、配管23を通して水を
注ぎ込む。水30はトラップ16内に溜めておいて、バルブ
20を開け、配管25を通して泡発生ガスとしてN2ガスを注
入してトラップ16内をN2の泡でバブリングし、泡をトラ
ップ16内に通すことにより生成物が29より良く落とされ
るようにする。この間中、バルブ19を開けて、配管24を
通しN2ガスのガス抜きをする。
所定の時間が経過して生成物が落ちきったと判断され
るところで、バルブ21を開き、配管26を通して排水す
る。この排水をみて汚れが多いときには、上記した工程
を、きれいな排水が出てくるまで繰返す。
るところで、バルブ21を開き、配管26を通して排水す
る。この排水をみて汚れが多いときには、上記した工程
を、きれいな排水が出てくるまで繰返す。
次いで、トラップ16内の水分を除去するために、バル
ブ18とバルブ21を閉じ、バルブ19、バルブ20を開け、N2
ガスを通してトラップ16内を乾燥する。トラップ16内が
水分を含むと、生成物が付着し易くなるからである。
ブ18とバルブ21を閉じ、バルブ19、バルブ20を開け、N2
ガスを通してトラップ16内を乾燥する。トラップ16内が
水分を含むと、生成物が付着し易くなるからである。
第１図に示したシステムを構成し、ガス比（NH3/SiHC
l3）が３〜10のアンモニアとトリクロルシランガスを使
用し、650〜800〔℃〕の減圧下の反応室11でSiNを成膜
した。そして、前記した操作を行ったところ、１〜２時
間の短時間で生成物の除去とトラップ16の乾燥が完了
し、これは、従来の平均的な所要時間３〜４時間を著し
く短縮しただけでなく、操作者１人がバルブの開閉を行
うだけで実現されたのである。
l3）が３〜10のアンモニアとトリクロルシランガスを使
用し、650〜800〔℃〕の減圧下の反応室11でSiNを成膜
した。そして、前記した操作を行ったところ、１〜２時
間の短時間で生成物の除去とトラップ16の乾燥が完了
し、これは、従来の平均的な所要時間３〜４時間を著し
く短縮しただけでなく、操作者１人がバルブの開閉を行
うだけで実現されたのである。
以上の例は、トラップ16が図示の如くほぼＬ字型形状
のものである場合に有効であるが、トラップ16が第２図
の構成図に示すようにほぼ直線状の形のものであるとき
は、本発明の第２実施例が有効である。すなわち、バル
ブ18に代えて、例えば中心部に孔があけられた構造の弁
をもつバルブ28を用意する。この例ではバルブ20と配管
25を省く。その他の構成は第１実施例の場合と同様であ
る。バルブ28を開いて水30をトラップ16内に注入する。
次いで、バルブ28の孔を通してホース31をトラップ16内
に導入する。ホース31は、その外周に多数の孔32があけ
られたものである。このホース31を通してN2ガスを導入
すると、水30内で泡が作られ、トラップ16内に詰まった
生成物29が水30中を浮遊する。N2ガスの排気のためにバ
ルブ19は開にしておく。バブリングが終わると、バルブ
21を開き配管26を経て排出する。生成求がすべて除去さ
れないときは、前の実施例の場合と同様に上記した操作
を繰返す。
のものである場合に有効であるが、トラップ16が第２図
の構成図に示すようにほぼ直線状の形のものであるとき
は、本発明の第２実施例が有効である。すなわち、バル
ブ18に代えて、例えば中心部に孔があけられた構造の弁
をもつバルブ28を用意する。この例ではバルブ20と配管
25を省く。その他の構成は第１実施例の場合と同様であ
る。バルブ28を開いて水30をトラップ16内に注入する。
次いで、バルブ28の孔を通してホース31をトラップ16内
に導入する。ホース31は、その外周に多数の孔32があけ
られたものである。このホース31を通してN2ガスを導入
すると、水30内で泡が作られ、トラップ16内に詰まった
生成物29が水30中を浮遊する。N2ガスの排気のためにバ
ルブ19は開にしておく。バブリングが終わると、バルブ
21を開き配管26を経て排出する。生成求がすべて除去さ
れないときは、前の実施例の場合と同様に上記した操作
を繰返す。
上記した第１実施例の操作は、現在一般に使用されて
いる装置な、バルブ18、19、20、21と配管23、24、25、
26を付加するだけで実施可能であり、これらのバルブと
配管を付加することに特に難しい問題はない。また、本
発明の第２実施例においては、第１実施例のバルブ20と
配管25を省略するので、実施がさらに容易になる、いず
れの例においても、最大の利点はトラップ16の取り外
し、再装着の人手と時間が省略されることである。
いる装置な、バルブ18、19、20、21と配管23、24、25、
26を付加するだけで実施可能であり、これらのバルブと
配管を付加することに特に難しい問題はない。また、本
発明の第２実施例においては、第１実施例のバルブ20と
配管25を省略するので、実施がさらに容易になる、いず
れの例においても、最大の利点はトラップ16の取り外
し、再装着の人手と時間が省略されることである。
以上は、窒化物の成長装置を例に説明したが、本発明
の適用範囲はその場合に限られるものではなく、トラッ
プ16内に除去を必要とする生成物が作られる場合に及
ぶ。その生成物が水に可溶であれば上記した装置がその
まゝ使え、また、水に不溶であってもなんらかの物質に
可溶であれば、水に代えて当該物質を注入すればよい。
の適用範囲はその場合に限られるものではなく、トラッ
プ16内に除去を必要とする生成物が作られる場合に及
ぶ。その生成物が水に可溶であれば上記した装置がその
まゝ使え、また、水に不溶であってもなんらかの物質に
可溶であれば、水に代えて当該物質を注入すればよい。
以上のように本発明によれば、CVD装置のトラップ内
の生成物の除去が、従来に比べ時間と労力を著しく短く
して実施され、半導体装置の生産コストの節減に寄与す
るところが大である。
の生成物の除去が、従来に比べ時間と労力を著しく短く
して実施され、半導体装置の生産コストの節減に寄与す
るところが大である。
第１図は本発明第１実施例の構成図、 第２図は本発明第２実施例の要部の構成図である。 図中、 11は反応室、 12と13はガス導入口、 14は残留ガス、 15、18、19、20、21、22、28はバルブ、 16はトラップ、 17はコネクタ、 23、24、25、26、27は配管、 29は生成物、 30は水、 31はホース、 32は孔 を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】化学気相成長用の反応室（11）からバルブ
（15）、トラップ（16）、バルブ（22）、配管（27）を
経由して反応ガスを排気する系統をもつ装置において、 反応ガスの流れの上流側と下流側に反応ガスの生成物
（29）を溶解する液体（30）の導入部（18、23）と導出
部（21、26）をそれぞれ設け、 反応ガスの流れの下流側と上流側に泡発生ガスの導入部
（20、25）と導出部（19、24）をそれぞれ設け、 トラップ（16）内に該液体（30）を導入し、泡発生ガス
にて当該液体内に泡を発生し、それによってトラップ
（16）内に詰まった該生成物（29）を除去する構成とし
たことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】トラップ（16）内に導入された該液体（3
0）中に複数の孔（32）のあけられたホース（31）を導
入し、該孔（32）から泡発生ガスを放出することを特徴
とする請求項（１）記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23175589A JP2847166B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23175589A JP2847166B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397868A JPH0397868A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2847166B2 true JP2847166B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=16928528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23175589A Expired - Fee Related JP2847166B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847166B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3158264B2 (ja) | 1993-08-11 | 2001-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP23175589A patent/JP2847166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3158264B2 (ja) | 1993-08-11 | 2001-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0397868A (ja) | 1991-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2851670B2 (ja) | 熱分解装置 | |
| JP3013652B2 (ja) | 排気装置とその清浄化方法 | |
| JP4092821B2 (ja) | 処理装置の排気システム | |
| JP3539446B2 (ja) | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 | |
| WO2002050884A1 (fr) | Procedes de nettoyage et de gravure et appareils associes | |
| JP2847166B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH08176829A (ja) | 薄膜成長方法及び減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2001015498A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH111773A (ja) | 排気装置および排気方法 | |
| JPH08298234A (ja) | 真空処理装置及びその運転方法 | |
| US6263590B1 (en) | Method and apparatus for controlling byproduct induced defect density | |
| JP3959174B2 (ja) | 半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法、水冷トラップ装置 | |
| JPS6128371B2 (ja) | ||
| KR100280621B1 (ko) | 텅스텐 실리사이드 증착공정에서 미립자 오염물을 제거하기 위한 방법 및 화학 기상 증착시스템 | |
| JPH0715131Y2 (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| KR100226549B1 (ko) | 세정장치 | |
| JP2001284338A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2845866B1 (ja) | 生成物排出処理装置 | |
| JPH07249617A (ja) | 化学気相成長方法及びそれに用いる化学気相成長装置 | |
| JPH0325923A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100269610B1 (ko) | 반도체제조시생성되는자연산화막제거방법 | |
| KR0181904B1 (ko) | 화학기상증착설비의 배기 시스템 | |
| JPH0892763A (ja) | 反応装置のガス排出装置 | |
| JPH01158722A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH0559987B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |