JPH10199819A - 単結晶エピタキシャル層を蒸着する方法及びその装置 - Google Patents

単結晶エピタキシャル層を蒸着する方法及びその装置

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JPH10199819A JP9292374A JP29237497A JPH10199819A JP H10199819 A JPH10199819 A JP H10199819A JP 9292374 A JP9292374 A JP 9292374A JP 29237497 A JP29237497 A JP 29237497A JP H10199819 A JPH10199819 A JP H10199819A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 単結晶エピタキシャル蒸着方法は、大気圧の
近傍で実行される化学蒸着で大きな面積の欠陥が生じる
のを防止する。 【解決手段】 従来の方法で反応室（１４）の半導体ウ
ェーハ（Ｗ）上において反応ガスを排気部（２２）に通
過させる。反応室に連通したベンチュリ管（４６）が調
整され、反応室に真空を吸引する。比較的に小さな真空
圧力が、反応室を出る層流の反応ガスの流れを形成す
る。乱流や渦流の減少により、反応室の排気部近傍で付
着する粒子がガス流に乗ってウェーハに搬送されて大き
な面積の欠陥を生じる可能性を減少する。その方法を実
施する装置（１０）も開示されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概略、単結晶エピ
タキシャル蒸着の方法と装置、特に、エピタキシャル層
が蒸着される半導体ウェーハ上に大きな面積の欠陥が生
じるのを防止する方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、半導体の原材料（最も一般的
にはシリコン）から成長した単結晶基板上に単結晶材料
からなる初期エピタキシャル層を蒸着する標準ＣＭＯＳ
エピタキシャル蒸着に特に適用される。このエピタキシ
ャル層は化学蒸着により形成される。この化学蒸着は、
熱、プラズマ、赤外光又はその他のエネルギー源を用い
て化学蒸気を分解することにより安定した固体が形成さ
れる方法である。エピタキシーは、半導体材料の必要な
電気的な特性を得るために、半導体材料産業では重要な
プロセスである。例えば、多量に不純物の添加された基
材上で成長した少量の不純物が添加されたエピタキシャ
ル層により、基材の低抵抗性の結果として、ＣＭＯＳ装
置はラッチ・アップ不感域に対して最適化され得る。添
加物濃度の正確な制御や酸素の不存在等の他の利点も得
られる。
【０００３】殆ど例外なく、エピタキシャル成長は化学
蒸着により行われる。その理由は、化学蒸着が、半導体
材料上にエピタキシャル層を成長するのに最も融通性が
あり且つ安価な方法だからである。一般的に言って、化
学蒸着は、反応装置の中にキャリアガス（普通は水素）
と共に揮発性の反応物（例えば、ＳｉＣＬ４，ＳｉＨＣ
ｌ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２又はＳｉＨ４）を導入することを
含む。また、半導体材料上で所望のエピタキシャル成長
を得ることは温度に依存する。本発明が適用可能な形式
の単結晶層蒸着では、温度条件は通常１０８０℃と１１
５０℃の間であるが、反応条件が正確であるか否かによ
って、反応装置中の温度が変化する。蒸着が起こる環境
は、酸素含有量が１ｐｐｍａ以下に清潔でなければなら
ない。
【０００４】化学蒸着は反応装置内で行われ、これは反
応物とキャリアガス（集合的には「反応ガス」）を半導
体ウェーハの面にほぼ平行に通過させる。反応装置から
出る反応ガスは、大気に放出する前にガスの不純物（す
なわち、有害成分）を除去するために所定の装置に搬送
される。ウェーハの表面に蒸着することになる粒子によ
り生じる、エピタキシャル蒸着プロセス中のウェーハ汚
染を防止することも重要である。反応ガスから蒸着され
た材料は粒子上にこれを囲う平坦面上よりも急速に蓄積
する傾向があり、そのために欠陥が生じる。特に関心が
あるのは大きな面積の欠陥で、レーザビーム表面走査装
置で測定した場合に、特にカリフォルニア州マウンテン
ビューのテンコール社で製造されたテンコール６２００
レーザスキャナで測定した場合に、その欠陥は１０ミク
ロン以上の径を有する。
【０００５】微粒子汚染の共通した源は、塩素化シラン
ポリマーとＳｉＯ２で、これらは反応ガスから反応室の
表面に付着する傾向を有する。特に、塩素化シランポリ
マーとＳｉＯ２は反応室の排気ポート及びその近傍に付
着するようになる。これらの付着物の小さな粒子が後に
分離してガスによってウェーハ上に運ばれる。排気部に
おける反応室表面温度が反応室の別の所よりも幾分低く
なることから、そのような付着が発生する。流れの中の
乱流や渦流により粒子が排気ポートからウェーハに向け
て逆送される。この問題は、そのような付着が大気圧又
はそれに近い圧力で行われる場合に特に深刻である。従
来は、大気圧又はそれに近い圧力で行われる付着におい
て、反応室に入る直前の反応ガス中の僅かな正圧によ
り、反応室を通過する流れが得られている。従来、反応
室内で、スクラバーは真空圧力（すなわち大気圧以下の
圧力）を吸引してもいないし、無視できる程度の真空圧
力以上に吸引していない。排気ポートで放出される反応
ガスの流れはこれらの条件下で比較的乱れがちである。
しかし、大気圧で蒸着を行うことにより、反応装置はそ
れ程頑丈である必要はないし、真空ポンプも必要でな
い。また、爆発や火災の可能性があることから低圧蒸着
プロセスで必要な安全対策も不要である。低圧反応装置
（例えば、約７５トールで運転される、標準低圧エピタ
キシャル蒸着反応装置）もまた、低圧により外部の空気
が反応装置内に引き込まれることから、洩れに対してさ
らに不安定である。そのために、可能であればいつで
も、大気圧又はその近くの圧力でエピタキシャル蒸着を
実施するのが望ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的と特徴
は、ウェーハ上の面積欠陥を減少する、半導体ウェーハ
上にエピタキシャル層を蒸着する方法と装置を提供する
こと、大きな面積欠陥の発生を防止する方法と装置を提
供すること、大気圧近くで運転される方法と装置を提供
すること、反応室を通る又反応室から出るほぼ層流の反
応ガス流れを作る方法と装置を提供すること、さらに、
ウェーハに微粒子が運ばれるのを阻止する方法と装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するために手段】概略、本発明の方法は、
反応装置のエピタキシャル反応室内にウェーハを配置す
る工程と、この反応室に反応ガスを該反応ガスがウェー
ハ上を通過してガス中の反応成分がウェーハ上に単結晶
層として付着するように供給する工程とを有する。反応
室からの放出反応ガスは反応室の排気ポートから抜き出
される。このとき、排気ポートの圧力は大気圧以下で、
大気圧よりも約２０トール低い圧力よりも大きいか等し
い圧力である。これにより、ウェーハ上に大きな面積欠
陥が形成されるのを防止するために、微粒子をウェーハ
に向けて逆送する乱流や渦流を防止する。反応装置から
抜き出された放出ガスはスクラバー中で洗浄されてガス
から不純物が除去される。
【０００８】本発明の他の形態では、単結晶エピタキシ
ャル層蒸着装置は、一般に、ウェーハ上に単結晶エピタ
キシャル層を蒸着するために、少なくとも一つの半導体
材料からなるウェーハを収容するように構成された反応
室を備えた反応装置を含む。入口ポートは、半導体ウェ
ーハ上に単結晶層を蒸着するために、反応室への反応ガ
スを受け入れる。反応室の排気ポートに接続されたベン
チュリ管が、反応室から出る放出反応ガスを、ベンチュ
リ管の中を軸方向に通過する流体の流れに吸い込むよう
に配置されている。ベンチュリ管は、大気圧以下である
が、大気圧よりも約２０トール低い圧力以上又はそれに
等しい真空圧力（排気ポートで測定）を吸引するように
構成されている。放出反応ガスはスクラバーで洗浄され
る。
【０００９】本発明の他の目的と特徴は一部明らかであ
り又一部は以下に指摘される。
【００１０】
【発明の好適な実施の形態】図面を参照すると、本発明
の単結晶エピタキシャル層蒸着装置が反応装置１０を有
するように示してあり、反応室１４を形成する反応室容
器１２と、反応室を出る放出反応ガスから潜在的な有害
成分を除去するスクラバー１６とを有する（これらの符
号はその物自体の全体を示す。）。反応室容器１２は高
純度の水晶で構成され、反応室１４は単結晶エピタキシ
ャル層をウェーハ上に蒸着するために、半導体材料から
なる一つのウェーハＷを収容する大きさとしてある。ウ
ェーハＷは、エピタキシャル蒸着プロセス中に所定の垂
直軸を中心としてウェーハを回転させるように設けられ
たサセプタ１８上に支持される。反応装置１０の細かな
構造は、本発明の範囲から逸脱することなく、上述のも
の以外のものであってもよい。例えば、反応装置は複数
のウェーハを同時に処理するように構成してもよい。
【００１１】反応室容器１２は入口ポート２０を有し、
これを通じて反応ガスが反応室１４に受け入れられ、ウ
ェーハＷ上を通過して該ウェーハ上に材料（例えば、シ
リコン）を付着する。反応室１４を通る反応ガスの流れ
は、概略、図１の反応室の左側に矢印で示してある。反
応ガスは反応室１４から排気ポート２２を介してスクラ
バー１６に通じる排気ライン２４に排出される。反応装
置１０はまた、反応室１４を好ましくは１０８０℃と１
１５０℃の間の温度に加熱するために、加熱ランプ２６
を有する。しかし、この範囲外の温度を、本発明の範囲
から逸脱することなく、採用してもよい。好適な実施形
態では、反応装置１０は、アリゾナ州フェニックスのア
ドバンスト・セミコンダクタ・マテリアルにより製造さ
れたエピシロン・ワン・システム・エピタキシャル反応
装置である。
【００１２】好適な実施形態で使用される反応ガスは、
水素（Ｈ２）キャリアガス中のトリクロロシラン（Ｓｉ
ＨＣｌ３）である。このトリクロロシランはウェーハＷ
と接触して分解してシリコンを残し、これがウェーハの
全露出面上に単結晶層を形成する。この反応は大気圧で
満足できる程度に行われる。したがって、真空ポンプは
不要で、反応室容器１２は破壊を防止するほどに頑丈で
ある必要はない。また、安全上の問題は殆どないし、反
応装置１０に空気が漏れる可能性も減る。
【００１３】排気ポート２２を通じて反応室１４から出
る反応ガスは、排気ポートの近傍で、反応室容器１２と
排気ライン２４の比較的低温な表面と出会う。その結
果、反応ガス中の未反応材料の一部が、排気ポート２２
の回りで、反応室容器と排気ラインの内面に、塩化シラ
ンポリマーとＳｉＯ２の形で付着する。反応ガスの残り
は排気ライン２４により、スクラバー１６の後部の入口
スタック部（概略符号２８で示す）に運ばれる。このガ
スは入口スタック部２８の中のスロート部３０を通り、
このスロート部は上記ガスからの材料がこのスロート部
でスタック部に付着するのを防止するために加熱され
る。ウォータジェット３２は、ガスの流れの中に渦巻き
運動を生じさせるように、スロート部の直下でガスの流
れ中に水を噴射する。スタック部２８に設けた自動クリ
ーニング装置は、クリーニング端部を有する伸縮自在な
ロッド３４を有する。このロッド３４は、スロート部３
０をクリーニングするために、スロート部にクリーニン
グ端部を強制的に通すように選択的に延ばすことができ
る。放出反応ガスはスタック部２８を下方に移動し、ス
クラバー１６に入る。
【００１４】スクラバー１６は複数のスプレー室とフィ
ルタ室を有し、有害成分を放出反応ガスから除去する。
好適な実施形態では、スクラバー１６は、カリフォルニ
ア州サンノゼのケミカル・イクイップメント・テクノロ
ジーで製造されたジュピターＩＩ型フュームスクラバー
である。スクラバー１６は、その最下室に水３６の容器
を保持するように構成されている。複数の部屋の下にあ
るスクラバー１６のポンプ３８は、必要に応じてスクラ
バーを介して水を循環するように動作可能である。スタ
ック部２８からのガスは、上記容器のすぐ上の第１の部
屋に入る。第１のスプレーヘッド４０は、容器３６に収
容されてポンプ３８で供給された水から垂直上方に伸び
ており、第１の部屋にきれいなスプレー水を完全に充満
させる。反応ガスの容易に分解された成分のあるもの
は、ガスから取り出されて容器３６に落下する。
【００１５】第１の部屋の上部にある開口部により、ガ
スは第２の部屋の上部近傍の出口４２に向かって、この
第２の部屋を上方に向かって入る。第２の部屋で垂直方
向に重ねて配置された４つの第２のスプレーヘッド４４
にはポンプ３８で容器３６から水が供給される。第２の
スプレーヘッド４４はそれぞれ、第２の部屋のそれぞれ
の水平部分を完全に充満する所定のパターンで細かなス
プレー水を提供する。４つのスプレーパターンが、４つ
のスプレーパターンの部分を除いて第２の部屋を通り出
口４２に行くガスの通路をブロックする。また、それぞ
れのスプレーヘッド４４により形成された４つの各スプ
レーパターンを介して出口４２へと連続的に上方にガス
が通過する際に、このガスから不純物が除去される。
【００１６】図２を参照すると、放出反応ガスは次に第
２の部屋の出口４２を通る。これは、第３の部屋の入口
の２倍である。特に、概略符号４６で示す水ベンチュリ
管を囲む領域にガスが入る。容器３６からの水はポンプ
３８でベンチュリ管４６を介して軸方向下方に押しやら
れ、この管のスロート部の下流側に圧力降下を生じさせ
る。ベンチュリ管４６のスロート部のすぐ下流に配置さ
れた複数の開口部は、ベンチュリ管のスロート部の下流
側で吸引される所定の真空圧力（すなわち、大気圧以下
の圧力）に第３の部屋を晒している。そのため、ガスは
水の流れに吸い込まれ、ベンチュリ管４６を通り、下方
の第４の部屋に入る。
【００１７】真空圧力はスクラバー１６と排気ライン２
４を介して反応室１４に接続されており、排気ポート２
２の圧力は約７５３−７５４トールである（すなわち、
大気圧よりも６から７トール低い）。実際には、この圧
力は１インチの排気ライン２４と反応装置排気ポート２
２との接合部から約３．５から４フィートの位置で測定
されてきた。しかし、本発明の範囲から逸脱することな
く、大気圧以下（例えば、大気圧よりも２０トール低い
圧力）で、強靭な反応装置を必要とすることなく排気ポ
ート２２を介して層流を作ることが十分に可能な任意の
圧力を用いてもよいと理解すべきである。少なくとも約
２０トール大気圧よりも低い圧力が大きな面積の欠陥を
さらに減少するために使用できると考えられる。ベンチ
ュリ管４６は真空圧力を変化させるように調節可能であ
る。反応を最適化するためにベンチュリ管４６を調節で
きることが大事である。
【００１８】第４の部屋では、下方に流れる放出反応ガ
スが、２つの垂直に配置された第３のスプレーヘッド４
８のスプレーパターンを連続的に通過する。第２のスプ
レーヘッド４４と同様に、第３のスプレーヘッド４８は
それぞれ微細なスプレーパターンを作り、これは第４の
部屋の水平部分を充満し、この第４の部屋を通るガスの
移動をこの２つのスプレーパターンを除いてブロックす
る。第４の部屋はその底部で容器３６に開放されてお
り、これは反応ガスから除去された別の成分を受ける。
排水ライン５０は容器３６から水と不純物の一部を除去
するように動作する。
【００１９】放出反応ガスは、いまや実質的に不純物が
除去されており、貯蔵水の直上の第４の部屋の底部にあ
る４つの部屋（一つだけを示す）の一つを通り、第５の
部屋に入る。第５の部屋はまたその底部が貯水槽３６に
露出している。次に、ガスは上方に方向を変えて、フィ
ルタコラム５４を有する第６の部屋に入る。図示する実
施形態では、このフィルタコラムは一団の小さなプラス
チックの円筒体により形成されている。フィルタコラム
５４は、第６の部屋を通る上方へのガスの移動がフィル
タコラムを通る場合を除いてブロックされるように配置
されている。
【００２０】第６の部屋の上にある第７の部屋に設けた
第４のスプレーヘッド５６はフィルタコラム５４に向け
て下方に水をスプレーする。その水はフィルタコラム５
４を通り、それを清潔に保つ。最後に、その水は容器３
６に入る。第４のスプレーヘッド５６を介してスプレー
された水は、容器からではなく、水を補給する外部の源
により供給される。この場合、容器３６への水の供給が
補充され、所定の許容できる純度に維持される。毎分約
３ガロンの流速で水を補給することにより好適な結果が
得られることが分かった。第７の部屋へと上方に移動す
るガスは第４のスプレーヘッド５６のスプレーパターン
を通らなければならず、そしてその後にスクラバー１６
を出て大気に向けて上方に移動する。
【００２１】本発明の方法は、半導体ウェーハＷを、サ
スセプタ１８上の反応室１４でエピタキシャル層が蒸着
される場所に配置することを含む。一般的に（専らでは
なく）、その蒸着プロセスは通常のＣＭＯＳエピタキシ
ャル蒸着で、そこでは単結晶材料からなる第１のエピタ
キシャル層がウェーハの全露出面に実質的に均一な層厚
でもって蒸着される。反応室１４は加熱ランプ２６によ
って約１１５０℃に加熱される。反応ガスは入口ポート
２０を介して反応室１４に供給され、排気ポート２２に
向けて移動し、サスセプタ１８によりウェーハＷが回転
される間、反応室内のウェーハＷ上を通過する。反応ガ
スからのシリコンの一部は分解してウェーハＷ上で単結
晶層となる。反応室１４を通過する反応ガスの流れはス
クラバー１６中のベンチュリ管４６により形成される真
空圧力により一部が活性化される。
【００２２】反応ガスは反応室１４から排気ポート２２
を介して出る。排気ポート２２で測定された真空圧力
は、スクラバー１６のベンチュリ管４６を調節すること
により、圧力が大気圧よりも好ましくは約６から７トー
ル低くなるように調整される。排気ポート２２での真空
圧力は排気ポートに入る反応ガスの層流を作る。流れに
おける乱流や渦流が減少することにより、排気ポート２
２の近傍で反応室表面に付着していた微粒子は反応室１
４を上流（反応ガス流の方向に対して）に移動してウェ
ーハＷに付着することはない。したがって、そのような
粒子によって生じる大きな面積欠陥が観察されることが
殆どない。
【００２３】反応室１４を出る放出反応ガスはスクラバ
ー１６の入口スタック部２８に入り、スロート部３０を
通り、ウォータジェット３２からの渦流に入る。ウォー
タジェット３２は、容器３６からの水と一緒にポンプ３
８により供給される。次に、ガスは第１の部屋に入り、
これは第１のスプレーヘッド４０からの微細なスプレー
のミストで充満される。上記ガスは上方に向けて第２の
部屋に引き込まれ、第２のスプレーヘッド４４で作られ
たスプレーパターンからなる４つの層を通る。ガスは出
口４２から第２の部屋を出て、ベンチュリ管４６の近傍
で第３の部屋に入り、そこで開口部を介してベンチュリ
管４６を通る水流に吸い込まれる。ベンチュリ管４６を
軸方向に通過するガス流が、放出反応ガスを吸い込み、
排気ポート２２に真空圧力を作るために、液体に代えて
使用できる。また、一つのベンチュリ管（図示せず）を
上述の場所以外の場所、例えば排気ポート２２の下流で
あって、スクラバー１６の入口前に設けてもよい。
【００２４】ベンチュリ管４６からの液体の流れの中に
ある放出反応ガスは第４の部屋に入り、第４の部屋の第
３のスプレーヘッド４８により形成され且つ２つの垂直
に配置されたスプレーパターンを通る。第４の部屋で
は、この部屋の底部にある容器３６の水の一部が排水ラ
イン５０を通じて除去され、反応ガスから捕獲された成
分を除去する。水槽３６の水位のすぐ上にある開口部５
２により、ガスはスクラバー１６の側方に通過して容器
３６上の第５の部屋に入る。次に、ガスは上方に方向を
代えて第６の部屋に入り、そこでフィルタコラム５４を
通過し、第７の部屋に入る。第４のスプレーヘッド５６
は一つの最終スプレーパターンを提供し、大気に排出さ
れる前にガスがこれを通過する。第４のスプレーヘッド
５６からの水はフィルタコラム５４を通過して容器３６
に入り、容器から排出された水を補充する。
【００２５】所定の十分な時間後、水Ｗは次に別の処理
のために反応室１４から除去される。真空圧力により生
じた大きな流速はウェーハＷ上にエピタキシャルシリコ
ンの更なる急速成長速度を生み出す。本方法に従って処
理されたウェーハは、大きな面積欠陥の発生が著しく減
少していることが確認された。単位ウェーハ当たり、中
位の数の大きな面積欠陥（すなわち、テンコール６２０
０レーザ走査装置で測定したときの１０ミクロン以上の
欠陥）は、大気圧よりも約７トール低い圧力（すなわ
ち、７５３トール）のときに３分の１以上減少すること
が観察された。大きな面積欠陥のさらなる減少が、運転
圧力を少なくとも大気圧よりも約２０トール低い圧力
（７４０トール）まで減少することにより観察されると
確信する。
【００２６】以上のことから、本発明のいくつかの目的
が達成され、他の有利は結果が達成されることが明らか
である。
【００２７】発明の範囲から逸脱することなく、上記構
成に種々の変更を加えることができ、以上の説明に含ま
れるか添付の図面に示されたすべての事項は説明のため
のものであって限定的な意味に理解すべきでない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 化学蒸着用反応装置と、この反応装置からの
放出反応ガスを浄化するスクラバーの概略右側面図であ
る。
【図２】 スクラバーの右側面図である。
【符号の説明】
Ｗ…ウェーハ、１０…反応装置、１４…反応室、１６…
スクラバー、２０…入口ポート、２２…排気ポート、４
６…ベンチュリ管。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体材料からなるウェーハ（Ｗ）上に
    単結晶エピタキシャル層を蒸着する方法であって、大き
    な面積の欠陥が発生するのを防止する方法において、上
    記方法は、 反応装置（１０）のエピタキシャル反応室（１４）にウ
    ェーハを配置する工程と、 上記反応室に反応ガスを供給して、上記ガスをウェーハ
    上に通過させて上記反応ガス中の反応成分を上記ウェー
    ハ上で単結晶層として蒸着させる工程と、 上記反応室の排気ポート（２２）における圧力が大気圧
    よりも低く且つ大気圧よりも約２０トール低い圧力以上
    の圧力となるように、この排気ポートを介して反応室か
    ら排出反応ガスを吸引し、これによりウェーハ上に大き
    な面積の欠陥が形成されるのを防止するために、ウェー
    ハに向かって微粒子を逆送する乱流と渦流を防止する工
    程と、 上記反応室から吸引された排出ガスをスクラバー（１
    ６）で洗浄してこの排出ガスを浄化する工程とを含む。
  2. 【請求項２】 上記排気ポート（２２）における圧力を
    維持する工程は、大気圧以下であって、大気圧よりも約
    ７トール低い圧力以上の範囲に圧力を維持することを含
    む請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 上記反応室における温度が概略１０８０
    ℃から１１５０℃の範囲にある請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 上記反応室（１４）から排出反応ガスを
    吸引する工程は、スクラバー（１６）中の排出反応ガス
    を流体の流れの中に吸い込み、これにより反応室の排気
    ポート（２２）に大気圧以下の圧力を生じさせる請求項
    １に記載の方法。
  5. 【請求項５】 上記吸い込みの工程は、排出ガスを液体
    の流れの中に吸い込むことを有する請求項４に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 上記半導体ウェーハ（Ｗ）を反応室（１
    ４）に配置する工程は、エピタキシャル層の蒸着されて
    いない半導体ウェーハを配置する工程を含む請求項１に
    記載の方法。
  7. 【請求項７】 上記半導体ウェーハ（Ｗ）を配置する工
    程は複数の半導体ウェーハを反応室（１４）に配置する
    工程を含む請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 単結晶エピタキシャル層の蒸着装置にお
    いて、 反応装置（１０）であって、半導体材料からなる少なく
    とも一つのウェーハ（Ｗ）を収容し、このウェーハ上に
    単結晶のエピタキシャル層を蒸着するように構成された
    反応室（１４）と、反応ガスを反応室に収容し、半導体
    ウェーハ上に単結晶層を蒸着するための入口ポート（２
    ０）と上記反応室から排出反応ガスを排出する排気ポー
    ト（２２）とを有する反応装置と、 上記反応室の排気ポートに連通したベンチュリ管（４
    ６）であって、反応室を出る排出反応ガスを上記ベンチ
    ュリ管を軸方向に通過する流体の流れに吸い込むように
    配置され、排気ポートで測定された圧力が大気圧よりも
    低く且つ大気圧よりも約２０トール低い圧力以上の真空
    圧力を吸引するように構成されたベンチュリ管と、 上記排出反応ガスから不純物を除去するように構成され
    たスクラバー（１６）とを有する蒸着装置。
  9. 【請求項９】 上記ベンチュリ管（４６）は、反応室
    （１４）の排気ポート（２２）における圧力を、大気圧
    よりも約７トール低い圧力以上の圧力に維持するように
    構成されている請求項８に記載のエピタキシャル蒸着装
    置。
  10. 【請求項１０】 上記ベンチュリ管（４６）がスクラバ
    ー（１６）に配置されており、上記ベンチュリ管を軸方
    向に通過する流体が液体で、これにより排出ガスが液体
    の流れに吸い込まれる請求項９に記載のエピタキシャル
    蒸着装置。
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