JPH05234902A - 排気方法及び減圧処理装置 - Google Patents
排気方法及び減圧処理装置Info
- Publication number
- JPH05234902A JPH05234902A JP3241692A JP3241692A JPH05234902A JP H05234902 A JPH05234902 A JP H05234902A JP 3241692 A JP3241692 A JP 3241692A JP 3241692 A JP3241692 A JP 3241692A JP H05234902 A JPH05234902 A JP H05234902A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- gas
- processing chamber
- processing
- supply mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧処理する処理室の排気に関し、排気ガス
の処理室への逆拡散を防止できる排気方法及び減圧処理
装置の提供を目的とする。 【構成】 処理室１に排気ポンプ４を接続する排気配管
３に、アスピレータの構造をなし駆動流体を気体にした
送気機構５を設けて、処理室１への逆拡散を防止するよ
うに構成し、送気機構５は、排気配管３の処理室１近傍
に設けるように構成する。送気機構５における５ａは絞
り，５ｂは気体噴出ノズルであり、６はバイパス配管で
ある。
の処理室への逆拡散を防止できる排気方法及び減圧処理
装置の提供を目的とする。 【構成】 処理室１に排気ポンプ４を接続する排気配管
３に、アスピレータの構造をなし駆動流体を気体にした
送気機構５を設けて、処理室１への逆拡散を防止するよ
うに構成し、送気機構５は、排気配管３の処理室１近傍
に設けるように構成する。送気機構５における５ａは絞
り，５ｂは気体噴出ノズルであり、６はバイパス配管で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は 排気方法及び減圧処理
装置に係り、特に、減圧処理する処理室の排気に関す
る。
装置に係り、特に、減圧処理する処理室の排気に関す
る。
【０００２】半導体装置製造のウエーハプロセスでは、
例えば化学気相成長（ＣＶＤ）装置などの減圧処理装置
が多用されている。この減圧処理装置は、排気ポンプで
排気して処理室を減圧状態に維持しそこに作用ガスを供
給してウエーハを処理するものである。このため、ウエ
ーハ回りに達する反応ガスは常に新鮮であることが重要
となるので、処理室からの排気は逆拡散を起こさないよ
うにすることが望まれる。
例えば化学気相成長（ＣＶＤ）装置などの減圧処理装置
が多用されている。この減圧処理装置は、排気ポンプで
排気して処理室を減圧状態に維持しそこに作用ガスを供
給してウエーハを処理するものである。このため、ウエ
ーハ回りに達する反応ガスは常に新鮮であることが重要
となるので、処理室からの排気は逆拡散を起こさないよ
うにすることが望まれる。
【０００３】
【従来の技術】図２は減圧処理装置の従来例の排気に係
わる要部の構成図である。図中、１は処理室、２は作用
ガス供給口、３は排気配管、４は排気ポンプ、である。
わる要部の構成図である。図中、１は処理室、２は作用
ガス供給口、３は排気配管、４は排気ポンプ、である。
【０００４】図２において、処理室１は、図示省略のウ
エーハを収容して処理するところであり、排気配管３を
介して接続された排気ポンプ４により排気して所定の減
圧状態を維持し、作用ガス供給口２から作用ガスを供給
して処理を行う。処理を行っている間は、作用ガスを継
続して供給し、そのガスはウエーハに対する処理により
生成ガスとなり処理室１から排気ガスとして排気配管３
を流れて排気される。
エーハを収容して処理するところであり、排気配管３を
介して接続された排気ポンプ４により排気して所定の減
圧状態を維持し、作用ガス供給口２から作用ガスを供給
して処理を行う。処理を行っている間は、作用ガスを継
続して供給し、そのガスはウエーハに対する処理により
生成ガスとなり処理室１から排気ガスとして排気配管３
を流れて排気される。
【０００５】排気配管３の太さは、処理室１の大きさに
もよるが一般に内径が５０〜１００ｍｍ程度である。そ
して、作用ガスの供給はウエーハの処理の所要に見合わ
せた流量にするので、排気配管３を通る排気ガスは速度
がそれほど大きくならないで処理室１に逆拡散する場合
がある。
もよるが一般に内径が５０〜１００ｍｍ程度である。そ
して、作用ガスの供給はウエーハの処理の所要に見合わ
せた流量にするので、排気配管３を通る排気ガスは速度
がそれほど大きくならないで処理室１に逆拡散する場合
がある。
【０００６】このため、例えば減圧処理装置がＣＶＤ装
置である場合、ＣＶＤ膜表面に白濁（Ｈａｚｅ）が発生
したり、成長速度が低下したりすることがある。
置である場合、ＣＶＤ膜表面に白濁（Ｈａｚｅ）が発生
したり、成長速度が低下したりすることがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】即ち、上述したＨａｚ
ｅの発生や成長速度の低下を防止するためには、上記逆
拡散を防止することが望まれる。
ｅの発生や成長速度の低下を防止するためには、上記逆
拡散を防止することが望まれる。
【０００８】そこで本発明は、減圧処理する処理室の排
気に関し、排気ガスの処理室への逆拡散を防止できる排
気方法及び減圧処理装置の提供を目的とする。
気に関し、排気ガスの処理室への逆拡散を防止できる排
気方法及び減圧処理装置の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による排気方法は、減圧処理する処理室の排
気において、該処理室に排気ポンプを接続する排気配管
に、アスピレータの構造をなし駆動流体を気体にした送
気機構を設けて、該処理室への逆拡散を防止することを
特徴としている。そして、前記送気機構は、前記排気配
管の前記処理室近傍に設けることが望ましい。
に、本発明による排気方法は、減圧処理する処理室の排
気において、該処理室に排気ポンプを接続する排気配管
に、アスピレータの構造をなし駆動流体を気体にした送
気機構を設けて、該処理室への逆拡散を防止することを
特徴としている。そして、前記送気機構は、前記排気配
管の前記処理室近傍に設けることが望ましい。
【００１０】また、減圧処理装置は、減圧処理する処理
室と、排気ポンプと、該排気ポンプを該処理室に接続す
る排気配管とを有し、該排気配管の該処理室近傍に、ア
スピレータの構造をなし駆動流体を気体にした送気機構
が設けられていることを特徴としている。
室と、排気ポンプと、該排気ポンプを該処理室に接続す
る排気配管とを有し、該排気配管の該処理室近傍に、ア
スピレータの構造をなし駆動流体を気体にした送気機構
が設けられていることを特徴としている。
【００１１】
【作用】アスピレータ（Ａｓｐｉｒａｔｏｒ）は、水流
ポンプとも称され、水を駆動流体にしその噴出を利用し
て管内の気体を一方向に送るポンプであり、その構造
は、管の内部に絞りを有しその絞りに向けて管軸上の近
傍から水を噴出するノズルを配置してなり、その水の噴
出が絞りの部分の気体を高速に送るように作用してポン
プ機能を発揮するものである。従って、アスピレータの
構造は、駆動流体を気体にしても管内の気体を絞りの部
分で高速に送る。
ポンプとも称され、水を駆動流体にしその噴出を利用し
て管内の気体を一方向に送るポンプであり、その構造
は、管の内部に絞りを有しその絞りに向けて管軸上の近
傍から水を噴出するノズルを配置してなり、その水の噴
出が絞りの部分の気体を高速に送るように作用してポン
プ機能を発揮するものである。従って、アスピレータの
構造は、駆動流体を気体にしても管内の気体を絞りの部
分で高速に送る。
【００１２】ところで、先に述べた逆拡散は、排気配管
３を流れる排気ガスの速度が小さい場合に生ずるが、そ
の速度が大きくなると生じなくなる。それは、排気ガス
の流れの方向が逆拡散の方向と逆であるからである。従
って、その排気管の一部分であっても排気ガスの速度を
大きくすれば、その部分を境にした下手からの逆拡散を
抑えることができる。
３を流れる排気ガスの速度が小さい場合に生ずるが、そ
の速度が大きくなると生じなくなる。それは、排気ガス
の流れの方向が逆拡散の方向と逆であるからである。従
って、その排気管の一部分であっても排気ガスの速度を
大きくすれば、その部分を境にした下手からの逆拡散を
抑えることができる。
【００１３】本発明は、この点に着目して上記排気配管
に上記送気機構を設けたものである。それにより、排気
配管を流れる排気ガスの速度が全体として小さくとも送
気機構の絞りの部分で大きくなり、その部分より下手か
ら処理室への逆拡散を防止することができる。従って、
送気機構を設ける位置を排気配管の処理室近傍にすれ
ば、処理室への逆拡散防止がより効果的となる。
に上記送気機構を設けたものである。それにより、排気
配管を流れる排気ガスの速度が全体として小さくとも送
気機構の絞りの部分で大きくなり、その部分より下手か
ら処理室への逆拡散を防止することができる。従って、
送気機構を設ける位置を排気配管の処理室近傍にすれ
ば、処理室への逆拡散防止がより効果的となる。
【００１４】そして上記減圧処理装置は、その構成によ
り上述のように機能して排気ガスの処理室への逆拡散を
防止できる。
り上述のように機能して排気ガスの処理室への逆拡散を
防止できる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例について図１を用いて説
明する。図１は減圧処理装置の実施例の排気に係わる要
部の構成図であり、この実施例は、図２に示す従来例に
送気機構５，バイパス配管６，バイパスバルブ７を付加
したものである。
明する。図１は減圧処理装置の実施例の排気に係わる要
部の構成図であり、この実施例は、図２に示す従来例に
送気機構５，バイパス配管６，バイパスバルブ７を付加
したものである。
【００１６】図１において、送気機構５は、先に説明し
たアスピレータの構造をなし駆動流体を気体にしたもの
で、絞り５ａと、気体（Ｎ2 ）を駆動流体として噴出す
る気体噴出ノズル５ｂを有してなり、排気配管３の処理
室１近傍に設けられて、絞り５ａが排気配管３の管路を
絞り、気体噴出ノズル５ｂから噴出したＮ2 が排気配管
３内の排気ガスの流速を絞り５ａの部分で大きくさせ
る。
たアスピレータの構造をなし駆動流体を気体にしたもの
で、絞り５ａと、気体（Ｎ2 ）を駆動流体として噴出す
る気体噴出ノズル５ｂを有してなり、排気配管３の処理
室１近傍に設けられて、絞り５ａが排気配管３の管路を
絞り、気体噴出ノズル５ｂから噴出したＮ2 が排気配管
３内の排気ガスの流速を絞り５ａの部分で大きくさせ
る。
【００１７】バイパス配管６は、両端が送気機構５を挟
んで排気配管３に接続されて途中にバイパスバルブ７を
設けてあり、排気ポンプ４による処理室１からの吸気
（排気）に対して、バイパスバルブ７の開により送気機
構５をバイパスさせる。このバイパスは処理室１のＮ2
パージの際に用いる。
んで排気配管３に接続されて途中にバイパスバルブ７を
設けてあり、排気ポンプ４による処理室１からの吸気
（排気）に対して、バイパスバルブ７の開により送気機
構５をバイパスさせる。このバイパスは処理室１のＮ2
パージの際に用いる。
【００１８】処理室１で処理を行う際は、先に述べたよ
うに作用ガス供給口２から作用ガスを供給し、排気ポン
プ４により排気して処理室１の減圧状態を維持するが、
バイパスバルブ７を閉じて排気ガスが送気機構５を通る
ようにし、気体噴出ノズル５ｂからのＮ2 噴出により送
気機構５を作動させる。送気機構５が排気配管３の処理
室１近傍に設けられていることから、送気機構５の作動
は排気ガスの処理室１への逆拡散を防止する。
うに作用ガス供給口２から作用ガスを供給し、排気ポン
プ４により排気して処理室１の減圧状態を維持するが、
バイパスバルブ７を閉じて排気ガスが送気機構５を通る
ようにし、気体噴出ノズル５ｂからのＮ2 噴出により送
気機構５を作動させる。送気機構５が排気配管３の処理
室１近傍に設けられていることから、送気機構５の作動
は排気ガスの処理室１への逆拡散を防止する。
【００１９】送気機構５の作動は、排気ポンプ４に達す
る排気ガスにＮ2 を加えることになるが、排気ポンプ４
がその容積増を吸収し得るもので有れば支障ない。若
し、排気ポンプ４が容量不足となる場合はより大容量の
ものに変えれば良い。
る排気ガスにＮ2 を加えることになるが、排気ポンプ４
がその容積増を吸収し得るもので有れば支障ない。若
し、排気ポンプ４が容量不足となる場合はより大容量の
ものに変えれば良い。
【００２０】発明者は、上記実施例をＣＶＤ装置で行
い、Ｈａｚｅの発生や成長速度の低下を防止することが
できた。その場合、処理室１の減圧圧力は１．０Ｔｏｒ
ｒであり、使用した送気機構５は、絞り５ａの最小口径
が４０ｍｍφ、気体噴出ノズル５ｂの口径が１０ｍｍ
φ、噴出させるＮ2 の供給圧力が２Ｋｇ／ｃｍ2 で流量
が２リットル／分である。
い、Ｈａｚｅの発生や成長速度の低下を防止することが
できた。その場合、処理室１の減圧圧力は１．０Ｔｏｒ
ｒであり、使用した送気機構５は、絞り５ａの最小口径
が４０ｍｍφ、気体噴出ノズル５ｂの口径が１０ｍｍ
φ、噴出させるＮ2 の供給圧力が２Ｋｇ／ｃｍ2 で流量
が２リットル／分である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、減
圧処理する処理室の排気に関し、排気ガスの処理室への
逆拡散を防止できる排気方法及び減圧処理装置が提供さ
れて、減圧処理の際に上記逆拡散による処理品質低下を
防止することを可能にさせる効果がある。
圧処理する処理室の排気に関し、排気ガスの処理室への
逆拡散を防止できる排気方法及び減圧処理装置が提供さ
れて、減圧処理の際に上記逆拡散による処理品質低下を
防止することを可能にさせる効果がある。
【図１】 実施例の排気に係わる要部の構成図
【図２】 従来例の排気に係わる要部の構成図
１ 処理室 ２ 作用ガス供給口 ３ 排気配管 ４ 排気ポンプ ５ 送気機構 ５ａ 絞り ５ｂ 気体噴出ノズル ６ バイパス配管 ７ バイパスバルブ
Claims (3)
- 【請求項１】 減圧処理する処理室の排気において、該
処理室に排気ポンプを接続する排気配管に、アスピレー
タの構造をなし駆動流体を気体にした送気機構を設け
て、該処理室への逆拡散を防止することを特徴とする排
気方法。 - 【請求項２】 前記送気機構は、前記排気配管の前記処
理室近傍に設けることを特徴とする請求項１記載の排気
方法。 - 【請求項３】 減圧処理する処理室と、排気ポンプと、
該排気ポンプを該処理室に接続する排気配管とを有し、
該排気配管の該処理室近傍に、アスピレータの構造をな
し駆動流体を気体にした送気機構が設けられていること
を特徴とする減圧処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3241692A JPH05234902A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 排気方法及び減圧処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3241692A JPH05234902A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 排気方法及び減圧処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234902A true JPH05234902A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12358350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3241692A Withdrawn JPH05234902A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 排気方法及び減圧処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234902A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851467A2 (en) * | 1996-12-30 | 1998-07-01 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and system for monocrystalline epitaxial deposition |
| JP2010504422A (ja) * | 2006-08-08 | 2010-02-12 | エドワーズ リミテッド | 廃棄流を搬送するための装置 |
| KR101157920B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2012-06-22 | 주식회사 세미라인 | 반도체설비용 질소가스 공급장치 |
| US8556594B2 (en) | 2010-03-18 | 2013-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vacuum ejector and vacuum apparatus having the same |
| WO2013154222A1 (ko) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | Cho Young Man | 다단식 썩션노즐을 구비한 감압장치 |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP3241692A patent/JPH05234902A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851467A2 (en) * | 1996-12-30 | 1998-07-01 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and system for monocrystalline epitaxial deposition |
| EP0851467A3 (en) * | 1996-12-30 | 1999-09-29 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and system for monocrystalline epitaxial deposition |
| JP2010504422A (ja) * | 2006-08-08 | 2010-02-12 | エドワーズ リミテッド | 廃棄流を搬送するための装置 |
| US20100126605A1 (en) * | 2006-08-08 | 2010-05-27 | Edwards Limited | Apparatus for conveying a waste stream |
| US8684031B2 (en) | 2006-08-08 | 2014-04-01 | Edwards Limited | Apparatus for conveying a waste stream |
| US8556594B2 (en) | 2010-03-18 | 2013-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vacuum ejector and vacuum apparatus having the same |
| KR101157920B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2012-06-22 | 주식회사 세미라인 | 반도체설비용 질소가스 공급장치 |
| WO2013154222A1 (ko) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | Cho Young Man | 다단식 썩션노즐을 구비한 감압장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |