JPH06318536A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH06318536A
JPH06318536A JP10803093A JP10803093A JPH06318536A JP H06318536 A JPH06318536 A JP H06318536A JP 10803093 A JP10803093 A JP 10803093A JP 10803093 A JP10803093 A JP 10803093A JP H06318536 A JPH06318536 A JP H06318536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lock chamber
load lock
wafer
pressure
exhaust
Prior art date
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Pending
Application number
JP10803093A
Other languages
English (en)
Inventor
Akimasa Takii
謙昌 瀧井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10803093A priority Critical patent/JPH06318536A/ja
Publication of JPH06318536A publication Critical patent/JPH06318536A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 パーティクルの巻き上げの少ないポンピング
およびベントができるロードロック室を有する半導体製
造装置を提供する。 【構成】 ウエハ支持部2とロードロック室排気口5の
間にウエハ1およびウエハ支持部2を包括するように配
された多数の孔を持つ緩衝板6有する。または、ロード
ロック室排気口5と排気ポンプ9の間に位置する圧力制
御用オリフィス8、前記圧力制御用オリフィス8を駆動
するオリフィス駆動手段10、ロードロック室内の圧力
を観測する圧力計7を備えたものである。この構成によ
って、ロードロック室内の圧力を観測しながらオリフィ
スの開度を連続的にかつ最適に変動させることにより緩
やかなポンピングおよびベントができる。また、緩衝板
によりウエハ周辺部から等方的に排気ができ、しかも排
気流量を徐々に上げていくことができ、気流の乱れの少
ない緩やかなポンピングができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造のロードロッ
ク室において、ロードロック室のポンピング時およびベ
ント時のパーティクルの巻き上げを極力少なくするのに
有効な半導体製造装置である。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化に伴
い、半導体製造装置内で発生しウエハに付着するパーテ
ィクルが問題となっている。特にロードロック室におい
て、ポンピング時またはベント時に室内のパーティクル
およびウエハ裏面の付着パーティクルを巻き上げ、ウエ
ハ表面に多数付着させ、歩留まりを低下させている。し
たがって、半導体製造装置のロードロック室において、
ポンピング時およびベント時のパーティクルの巻き上げ
によるウエハ表面への付着異物を極力少なくすることが
重要となっている。
【0003】以下図面を参照しながら、上記した従来の
半導体製造装置のロードロック室の一例について説明す
る。
【0004】図2は従来の半導体製造装置のロードロッ
ク室の概略図を示すものである。図2において、11はウ
エハ、12はウエハ支持台である。13はロードロック室の
ベント口で、ベント用ガスラインに接続されている。14
は真空ブレーク用フィルターで前記ベント口13に直結さ
れている。16は通常排気用ライン17とスロー排気ライン
18を切り替える切り替えバルブである。15はロードロッ
ク室の排気口で、前記切り替えバルブ16、通常排気用ラ
イン17あるいはスロー排気用ライン18を通して排気ポン
プ19に接続されている。
【0005】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室について、以下ロードロック室のポンピ
ングおよびベントの動作について説明する。
【0006】まず、ロードロック室のポンピングについ
て説明する。排気初期は切り替えバルブ16をスロー排気
用ライン18に接続し、排気ポンプ19により排気口15から
ロードロック室の排気を行なう。適当な時間の間前記ス
ロー排気ライン18で緩やかにポンピングした後、切り替
えバルブ16を通常排気ライン17に接続し相当量の排気量
でロードロック室の排気を行なう。次に、ロードロック
室のベントについては、ベント口13を開け、ベント用ガ
スを導入することによりロードロック室のベントを行な
う。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、スロー排気初期時、スロー排気から通常
排気に切り替わる時、およびベント時にロードロック室
内のパーティクルおよびウエハ裏面に付着しているパー
ティクルを巻き上げ、その結果、ウエハ表面に多量のパ
ーティクルが付着するという問題点を有していた。
【0008】本発明は上記問題点に鑑み、ロードロック
室のポンピング時およびベント時にパーティクルの巻き
上げを極力抑さえることができる半導体製造装置のロー
ドロック室を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体製造装置のロードロック室は、ウエ
ハ支持部とロードロック室排気口の間にウエハおよびウ
エハ支持部を包括するように配された多数の孔を持つ緩
衝板を備えたものである。または、ロードロック室内の
圧力を測定する圧力計と、ロードロック室排気口と排気
ポンプの間に位置する圧力制御用オリフィスを有し、前
記圧力制御用オリフィスを駆動するオリフィス駆動手段
を備えたものである。
【0010】
【作用】本発明は上記した構成によって、ウエハおよび
ウエハ支持部を包括するように多数の孔を持つ緩衝板を
有することにより、ポンピング時のウエハ周辺部の気流
の乱れを少なくし、ウエハのまわりから等方的に排気す
ることができパーティクルの巻き上げを極力少なくする
ことができる。また、ロードロック室排気口と排気ポン
プの間に圧力制御用オリフィス、前記圧力制御用オリフ
ィスを駆動する駆動手段を有し、ロードロック室内の圧
力を測定する圧力計を有することにより、ロードロック
室内の圧力を観測しながら圧力制御用オリフィスの開度
を連続的にかつ最適に変え排気流量を調節することで気
流の乱れの少ない緩やかなポンピングができる。またベ
ント時においても、ベント初期時にベント用ガスをロー
ドロック室に導入しながら同時に圧力制御用オリフィス
を通して排気ポンプで排気すること、およびロードロッ
ク室内の圧力を観測しながら圧力制御用オリフィスの開
度を連続的に変え排気流量を絞っていくことで気流の乱
れの少ない緩やかなベントができる。
【0011】したがって、ロードロック室のポンピング
時およびベント時にウエハ周辺部の気流の乱れを極力少
なくでき、気流の乱れによるパーティクルの巻き上げも
抑制できる。
【0012】
【実施例】以下本発明の一実施例の半導体製造装置のロ
ードロック室について、図面を参照しながら説明する。
【0013】図1は本発明の実施例における半導体製造
装置のロードロック室の概略図を示すものである。図1
において、1はウエハ、2はウエハ支持台である。3は
ロードロック室のベント口で、ベント用ガスラインに接
続されている。4は真空ブレーク用フィルターで前記ベ
ント口3に直結されている。5はロードロック室の排気
口で、圧力制御用オリフィス8を通して排気用ポンプ9
に接続されている。前記圧力制御用オリフィス8はオリ
フィス駆動手段10により駆動される。また、ロードロッ
ク室には圧力計7がつけられている。
【0014】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室について、以下図1を用いてその動作を
説明する。
【0015】まず、ロードロック室のポンピングについ
て説明する。まず圧力制御用オリフィスは全閉の状態で
排気ポンプを動作する。次に圧力制御用オリフィスを極
めて微小に開き、ポンピングが開始される。この時ロー
ドロック室内の排気は多数の孔を持つ緩衝板によりウエ
ハ周辺部から等方的に行なわれる。その後ロードロック
室内の圧力を圧力計で観測しながら、ウエハ周辺部の気
流の乱れによるパーティクルの巻き上げが抑制できるよ
うに連続的に圧力制御用オリフィスの開度を開けてい
く。
【0016】次に、ロードロック室のベントについて説
明する。まずベント用ガスを導入する前に圧力制御用オ
リフィスを全開の状態で排気ポンプを動作する。次にベ
ント用ガスを導入しながら、オリフィスの開度を徐々に
閉じていく。この時のオリフィスの開度は、ロードロッ
ク室内の圧力を観測しながらウエハ周辺部の気流の乱れ
によるパーティクルの巻き上げが抑制できるように連続
的に調整される。
【0017】以上のように本実施例のロードロック室に
よれば、ウエハを包括するように多数の孔を持つ緩衝板
を有することにより、ポンピング時のウエハ周辺部の気
流の乱れを少なくし、ウエハのまわりから等方的に排気
することができパーティクルの巻き上げを極力少なくす
ることができる。また、ロードロック室排気口と排気ポ
ンプの間に圧力制御用オリフィス、および駆動手段であ
るオリフィス駆動手段を有し、かつロードロック室内の
圧力を測定する圧力計を有することにより、ロードロッ
ク室の圧力を観測しながら圧力制御用のオリフィスの開
度を連続的にかつ最適に変え排気流量を調節することで
気流の乱れの少ない緩やかなポンピングができる。また
ベント時にもベント用ガスを流しながら同時に上記排気
系を使用することにより気流の乱れの少ない緩やかなベ
ントができる。
【0018】
【発明の効果】以上のように本発明の装置は、ウエハ支
持部とロードロック室排気口の間にウエハおよびウエハ
支持部を包括するように配された多数の孔を持つ緩衝板
を備えたものである。または、ロードロック室内の圧力
を測定する圧力計と、ロードロック室排気口と排気ポン
プの間に位置する圧力制御用オリフィスを有し、前記圧
力制御用オリフィスを駆動するオリフィス駆動手段を備
えたものである。
【0019】上記した構成によって、ウエハおよびウエ
ハ支持部を包括するように多数の孔を持つ緩衝板を有す
ることにより、ポンピング時のウエハ周辺部の気流の乱
れを少なくし、ウエハのまわりから等方的に排気するこ
とができパーティクルの巻き上げを極力少なくすること
ができる。また、ロードロック室排気口と排気ポンプの
間に圧力制御用オリフィス、前記圧力制御用オリフィス
を駆動する駆動手段を有し、ロードロック室内の圧力を
測定する圧力計を有することにより、ロードロック室内
の圧力を観測しながら圧力制御用オリフィスの開度を連
続的にかつ最適に変え排気流量を調節することで気流の
乱れの少ない緩やかなポンピングができる。またベント
時においても、ベント初期時にベント用ガスをロードロ
ック室に導入しながら同時に圧力制御用オリフィスを通
して排気ポンプで排気すること、およびロードロック室
内の圧力を観測しながら圧力制御用オリフィスの開度を
連続的に変え排気流量を絞っていくことで気流の乱れの
少ない緩やかなベントができる。
【0020】したがって、ロードロック室のポンピング
時およびベント時にウエハ周辺部の気流の乱れを極力少
なくでき、気流の乱れによるパーティクルの巻き上げが
抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における半導体製造装置のロー
ドロック室の概略図
【図2】従来の半導体製造装置のロードロック室の概略
【符号の説明】
1 ウエハ 2 ウエハ支持部 3 ベント口 4 真空ブレーク用フィルター 5 排気口 6 緩衝版 7 圧力計 8 圧力制御用オリフィス 9 排気ポンプ 10 オリフィス駆動手段 11 ウエハ 12 ウエハ支持部 13 ベント口 14 真空ブレーク用フィルター 15 排気口 16 切り換えバルブ 17 通常排気用ライン 18 スロー排気用ライン 19 排気ポンプ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウエハ支持部とロードロック室排気口の間
    に位置し、ウエハを包括するように配された孔を持つ緩
    衝板を有するロードロック室を備えたことを特徴とする
    半導体製造装置。
  2. 【請求項2】ロードロック室内の圧力を測定する圧力計
    と、ロードロック室排気口と排気ポンプの間に位置する
    圧力制御用オリフィスと、前記圧力制御用オリフィスを
    駆動するオリフィス駆動手段を有するロードロック室を
    備えたことを特徴とする半導体製造装置。
JP10803093A 1993-05-10 1993-05-10 半導体製造装置 Pending JPH06318536A (ja)

Priority Applications (1)

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JP10803093A JPH06318536A (ja) 1993-05-10 1993-05-10 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP10803093A JPH06318536A (ja) 1993-05-10 1993-05-10 半導体製造装置

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JPH06318536A true JPH06318536A (ja) 1994-11-15

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ID=14474183

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JP10803093A Pending JPH06318536A (ja) 1993-05-10 1993-05-10 半導体製造装置

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6478923B1 (en) 1999-08-20 2002-11-12 Nec Corporation Vacuum operation apparatus
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KR100740905B1 (ko) * 2000-03-16 2007-07-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 고진공 스퍼터 장치
KR20140107646A (ko) 2011-12-27 2014-09-04 샤프 가부시키가이샤 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치

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