JPH08259266A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH08259266A JPH08259266A JP6835795A JP6835795A JPH08259266A JP H08259266 A JPH08259266 A JP H08259266A JP 6835795 A JP6835795 A JP 6835795A JP 6835795 A JP6835795 A JP 6835795A JP H08259266 A JPH08259266 A JP H08259266A
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- JP
- Japan
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- etching
- chamber
- exhaust system
- discharge
- exhaust
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライポンプの劣化を防止して寿命を延ばす
ことにより、生産性を向上させたドライエッチング装置
を提供する。 【構成】 ガラス基板をロードロック室11に搬入して真
空引きし、真空搬送室12からゲートバルブ21を通り、エ
ッチング室13に搬入する。初期排気時排気系25の排気用
のバルブ26を開き、ロータリメカニカルブースタポンプ
27を運転して真空搬送室12とともに、エッチング室13内
も同時に排気する。ゲートバルブ21を閉じ、エッチング
室13内にプロセスガスを流し、ガラス基板をエッチング
する。エッチング終了後は、ゲートバルブ21を開き、ガ
ラス基板を真空搬送室12を通ってロードロック室11に戻
す。エッチング室13内を排気する場合は、エッチングプ
ロセス実施時排気系20の排気バルブ15を閉め、ゲートバ
ルブ21と排気用のバルブ26を開き、ロータリメカニカル
ブースタポンプ27を作動させ、排気ガス処理装置19に導
く。
ことにより、生産性を向上させたドライエッチング装置
を提供する。 【構成】 ガラス基板をロードロック室11に搬入して真
空引きし、真空搬送室12からゲートバルブ21を通り、エ
ッチング室13に搬入する。初期排気時排気系25の排気用
のバルブ26を開き、ロータリメカニカルブースタポンプ
27を運転して真空搬送室12とともに、エッチング室13内
も同時に排気する。ゲートバルブ21を閉じ、エッチング
室13内にプロセスガスを流し、ガラス基板をエッチング
する。エッチング終了後は、ゲートバルブ21を開き、ガ
ラス基板を真空搬送室12を通ってロードロック室11に戻
す。エッチング室13内を排気する場合は、エッチングプ
ロセス実施時排気系20の排気バルブ15を閉め、ゲートバ
ルブ21と排気用のバルブ26を開き、ロータリメカニカル
ブースタポンプ27を作動させ、排気ガス処理装置19に導
く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポンプの劣化を防止し
て長寿命化を図ったドライエッチング装置に関する。
て長寿命化を図ったドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示ディスプレイなどの製造に際し
て、ガラス基板に薄膜によるパターンを形成する工程が
あるが、このようなパターンの形成には一般にドライエ
ッチング装置が用いられている。
て、ガラス基板に薄膜によるパターンを形成する工程が
あるが、このようなパターンの形成には一般にドライエ
ッチング装置が用いられている。
【０００３】このドライエッチング装置としては、従
来、たとえば図４で示す構成が知られている。この図４
において、11はロードロック室で、このロードロック室
11では真空引きを行ない、被エッチング物であるたとえ
ばガラス基板はこのロードロック室11に搬入された後に
真空引きされる。また、このロードロック室11に隣接し
て真空環境の真空搬送室が配設され、ガラス基板は真空
搬送室12により真空環境下にて搬送される。さらに、こ
の真空搬送室12に隣接してエッチング室13が設けられて
いる。そして、エッチンク室13では、プロセスガスが流
され、ガラス基板に対するエッチングが行なわれる。
来、たとえば図４で示す構成が知られている。この図４
において、11はロードロック室で、このロードロック室
11では真空引きを行ない、被エッチング物であるたとえ
ばガラス基板はこのロードロック室11に搬入された後に
真空引きされる。また、このロードロック室11に隣接し
て真空環境の真空搬送室が配設され、ガラス基板は真空
搬送室12により真空環境下にて搬送される。さらに、こ
の真空搬送室12に隣接してエッチング室13が設けられて
いる。そして、エッチンク室13では、プロセスガスが流
され、ガラス基板に対するエッチングが行なわれる。
【０００４】また、このエッチング室13には、排気バル
ブ15、スロットルバルブ16、ドライポンプ17からなる排
気系18が連結され、さらに、この排気系18は排気ガス処
理装置19に連結されている。
ブ15、スロットルバルブ16、ドライポンプ17からなる排
気系18が連結され、さらに、この排気系18は排気ガス処
理装置19に連結されている。
【０００５】そして、エッチング時には、排気系18に設
けられたスロットルバルブ16を開閉操作して、エッチン
グ室13内が所定圧力となるように調整している。また、
エッチング後は、この排気系18を構成するドライポンプ
17により、エッチング室13内にあるプロセスガスを排気
ガス処理装置19に排気する。
けられたスロットルバルブ16を開閉操作して、エッチン
グ室13内が所定圧力となるように調整している。また、
エッチング後は、この排気系18を構成するドライポンプ
17により、エッチング室13内にあるプロセスガスを排気
ガス処理装置19に排気する。
【０００６】また、このドライエッチング装置では定期
メンテナンスが大気開放で行なわれるが、メンテナンス
後におけるエッチング室13の真空引きもドライポンプ17
で行なわれる。
メンテナンスが大気開放で行なわれるが、メンテナンス
後におけるエッチング室13の真空引きもドライポンプ17
で行なわれる。
【０００７】しかしながら、上述したように、エッチン
グ室13内の排気を、排気系18を通じて行なうため、エッ
チング室13内でエッチング反応して発生した生成ガスが
ドライポンプ17の出口側で圧縮され、析出して固体化し
て付着するので、ドライポンプ17が劣化する。また、大
気開放して行なう定期メンテナンス後におけるエッチン
グ室13の真空引きもドライポンプ17で行なっているが、
この場合、排気系18に残留していたエッチング反応生成
ガスが大気中の水分と反応することにより析出する。こ
のため、上述の場合と同様にドライポンプ17に生成ガス
が固体化して付着するので、ドライポンプ17を早期劣化
させてしまう。
グ室13内の排気を、排気系18を通じて行なうため、エッ
チング室13内でエッチング反応して発生した生成ガスが
ドライポンプ17の出口側で圧縮され、析出して固体化し
て付着するので、ドライポンプ17が劣化する。また、大
気開放して行なう定期メンテナンス後におけるエッチン
グ室13の真空引きもドライポンプ17で行なっているが、
この場合、排気系18に残留していたエッチング反応生成
ガスが大気中の水分と反応することにより析出する。こ
のため、上述の場合と同様にドライポンプ17に生成ガス
が固体化して付着するので、ドライポンプ17を早期劣化
させてしまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、排気系18
により、エッチング室13内の排気および大気開放後にお
けるエッチング室13の真空引きをそれぞれ行なうので、
エッチング反応で生成されたガスが析出して固体化され
付着することにより、ドライポンプ17を早期に劣化させ
る問題を有している。
により、エッチング室13内の排気および大気開放後にお
けるエッチング室13の真空引きをそれぞれ行なうので、
エッチング反応で生成されたガスが析出して固体化され
付着することにより、ドライポンプ17を早期に劣化させ
る問題を有している。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、ドライポンプの劣化を防止してその寿命を延ばすこ
とにより、生産性を向上させたドライエッチング装置を
提供することを目的とする。
で、ドライポンプの劣化を防止してその寿命を延ばすこ
とにより、生産性を向上させたドライエッチング装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、プロセスガスを供給して被エッチング物をエ
ッチングするエッチング室と、前記エッチング時に作動
してこのエッチング室の圧力を所定範囲にするポンプを
有し前記エッチング室に連結された第１の排気系と、こ
の第１の排気系とは区分され、非エッチング時に作動し
て前記エッチング室内を排気する第２の排気系とを具備
したものである。
グ装置は、プロセスガスを供給して被エッチング物をエ
ッチングするエッチング室と、前記エッチング時に作動
してこのエッチング室の圧力を所定範囲にするポンプを
有し前記エッチング室に連結された第１の排気系と、こ
の第１の排気系とは区分され、非エッチング時に作動し
て前記エッチング室内を排気する第２の排気系とを具備
したものである。
【００１１】
【作用】本発明のドライエッチング装置は、エッチング
室でプロセスガスを流してエッチングする際に、第１の
排気系によりエッチング前におけるエッチング室内の圧
力を所定範囲に制御するとともに、エッチング室内でエ
ッチング反応して発生した生成ガスの排気や、大気開放
後のエッチング室の真空引きを、第１の排気系とは区分
された第２の排気系により行なうので、第１の排気系の
ポンプにプロセスガスが析出されて固体化されて付着す
ることによる劣化を防止する。
室でプロセスガスを流してエッチングする際に、第１の
排気系によりエッチング前におけるエッチング室内の圧
力を所定範囲に制御するとともに、エッチング室内でエ
ッチング反応して発生した生成ガスの排気や、大気開放
後のエッチング室の真空引きを、第１の排気系とは区分
された第２の排気系により行なうので、第１の排気系の
ポンプにプロセスガスが析出されて固体化されて付着す
ることによる劣化を防止する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のドライエッチング装置の一実
施例を図面を参照して説明する。なお、図４に示す従来
例に対応する部分には、同一符号を付して説明する。
施例を図面を参照して説明する。なお、図４に示す従来
例に対応する部分には、同一符号を付して説明する。
【００１３】図１に示すように、ロードロック室11では
真空引きを行ない、被エッチング物であるたとえばガラ
ス基板はこのロードロック室11に搬入された後に真空引
きされる。また、このロードロック室11に隣接して真空
環境の真空搬送室が配設され、ガラス基板は真空搬送室
12により真空環境下にて搬送される。さらに、この真空
搬送室12に隣接してゲートバルブ21が設けられ、このゲ
ートバルブ21を介してエッチング室13が設けられてい
る。そして、エッチンク室13ではプロセスガスが流さ
れ、ガラス基板に対するエッチングが行なわれる。
真空引きを行ない、被エッチング物であるたとえばガラ
ス基板はこのロードロック室11に搬入された後に真空引
きされる。また、このロードロック室11に隣接して真空
環境の真空搬送室が配設され、ガラス基板は真空搬送室
12により真空環境下にて搬送される。さらに、この真空
搬送室12に隣接してゲートバルブ21が設けられ、このゲ
ートバルブ21を介してエッチング室13が設けられてい
る。そして、エッチンク室13ではプロセスガスが流さ
れ、ガラス基板に対するエッチングが行なわれる。
【００１４】また、このエッチング室13には、従来と同
様に、排気バルブ15、スロットルバルブ16、ドライポン
プ17からなる第１の排気系としてのエッチングプロセス
実施時排気系20が連結され、さらに、このエッチングプ
ロセス実施時排気系20は排気ガス処理装置19に連結され
ている。
様に、排気バルブ15、スロットルバルブ16、ドライポン
プ17からなる第１の排気系としてのエッチングプロセス
実施時排気系20が連結され、さらに、このエッチングプ
ロセス実施時排気系20は排気ガス処理装置19に連結され
ている。
【００１５】一方、エッチング室13には、図２で示すよ
うに、このエッチング室13の内部圧力を検出する圧力検
出器22が設けられており、この圧力検出器22には制御部
23が接続され、圧力検出器22からの検出信号が制御部23
に入力される。また、この制御部23は、圧力検出器22か
らの検出信号に応じてスロットルバルブ16の開度を制御
するもので、プロセスガスを流して行なわれるエッチン
グ前におけるエッチング室13内の圧力を一定範囲に保つ
べく作動する。
うに、このエッチング室13の内部圧力を検出する圧力検
出器22が設けられており、この圧力検出器22には制御部
23が接続され、圧力検出器22からの検出信号が制御部23
に入力される。また、この制御部23は、圧力検出器22か
らの検出信号に応じてスロットルバルブ16の開度を制御
するもので、プロセスガスを流して行なわれるエッチン
グ前におけるエッチング室13内の圧力を一定範囲に保つ
べく作動する。
【００１６】また、図１に戻って、25は第２の排気系と
しての初期排気時排気系で、この初期排気時排気系25は
排気用のバルブ26とロータリメカニカルブースタポンプ
27とで構成され、この初期排気時排気系25の一端は真空
搬送室12に、他端は排気ガス処理装置19に、それぞれ連
結されている。
しての初期排気時排気系で、この初期排気時排気系25は
排気用のバルブ26とロータリメカニカルブースタポンプ
27とで構成され、この初期排気時排気系25の一端は真空
搬送室12に、他端は排気ガス処理装置19に、それぞれ連
結されている。
【００１７】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
る。
【００１８】被エッチンク物である図示しないガラス基
板をエッチング処理する場合は、まず、このガラス基板
をロードロック室11に搬入し、このロードロック室11で
真空引きする。また、真空引きされたガラス基板は、真
空搬送室12から真空環境下にて開状態のゲートバルブ21
を通り、エッチング室13に搬入される。このとき、初期
排気時排気系25を構成する排気用のバルブ26を開き、ロ
ータリメカニカルブースタポンプ27を運転して真空搬送
室12を排気しているので、ゲートバルブ21を介して、エ
ッチング室13内も同時に排気される。
板をエッチング処理する場合は、まず、このガラス基板
をロードロック室11に搬入し、このロードロック室11で
真空引きする。また、真空引きされたガラス基板は、真
空搬送室12から真空環境下にて開状態のゲートバルブ21
を通り、エッチング室13に搬入される。このとき、初期
排気時排気系25を構成する排気用のバルブ26を開き、ロ
ータリメカニカルブースタポンプ27を運転して真空搬送
室12を排気しているので、ゲートバルブ21を介して、エ
ッチング室13内も同時に排気される。
【００１９】その後、ゲートバルブ21は閉じられ、エッ
チング室13内にプロセスガスが流され、ガラス基板に対
するエッチングが施される。
チング室13内にプロセスガスが流され、ガラス基板に対
するエッチングが施される。
【００２０】この場合、エッチング室13内の圧力は、圧
力検出器22により検出され、制御部23によりエッチング
室13の圧力が所定範囲となるように、エッチングプロセ
ス実施時排気系20を構成するスロットルバルブ16の開度
を制御する。このため、適正な圧力を維持してエッチン
グできるので、高い品質を得ることができる。
力検出器22により検出され、制御部23によりエッチング
室13の圧力が所定範囲となるように、エッチングプロセ
ス実施時排気系20を構成するスロットルバルブ16の開度
を制御する。このため、適正な圧力を維持してエッチン
グできるので、高い品質を得ることができる。
【００２１】また、エッチング終了後は、ゲートバルブ
21を開き、エッチング室13内のガラス基板を反対の経
路、すなわち、真空搬送室12を通ってロードロック室11
に戻す。
21を開き、エッチング室13内のガラス基板を反対の経
路、すなわち、真空搬送室12を通ってロードロック室11
に戻す。
【００２２】さらに、エッチング室13を大気開放して定
期メンテナンスを行なった後に、エッチング室13内を排
気する場合は、エッチングプロセス実施時排気系20に設
けた排気バルブ15を閉め、ゲートバルブ21と初期排気時
排気系25に設けた排気用のバルブ26とを開き、ロータリ
メカニカルブースタポンプ27を作動させ、排気ガス処理
装置19に導く。
期メンテナンスを行なった後に、エッチング室13内を排
気する場合は、エッチングプロセス実施時排気系20に設
けた排気バルブ15を閉め、ゲートバルブ21と初期排気時
排気系25に設けた排気用のバルブ26とを開き、ロータリ
メカニカルブースタポンプ27を作動させ、排気ガス処理
装置19に導く。
【００２３】このことにより、エッチングプロセス反応
にて生成され、排気系に滞留したプロセスガスが、従来
のように断熱圧縮されて析出し、たとえばＴａＦ5 など
が固体生成物化してドライポンプ17に付着することはな
い。したがって、このドライポンプ17の性能劣化を防ぐ
ことができ、長寿命化をはかることができる。
にて生成され、排気系に滞留したプロセスガスが、従来
のように断熱圧縮されて析出し、たとえばＴａＦ5 など
が固体生成物化してドライポンプ17に付着することはな
い。したがって、このドライポンプ17の性能劣化を防ぐ
ことができ、長寿命化をはかることができる。
【００２４】さらに、ドライポンプ17を定常回転させた
まま、エッチング室13の大気開放メンテナンスが可能で
あり、ドライポンプ17は圧力が低減した領域のみ使用す
るので、負荷が軽減され、寿命が向上する。
まま、エッチング室13の大気開放メンテナンスが可能で
あり、ドライポンプ17は圧力が低減した領域のみ使用す
るので、負荷が軽減され、寿命が向上する。
【００２５】このように、エッチング室13内の排気を、
エッチングプロセス実施時排気系20を通さずに、ロータ
リーメカニカルブースタポンプ27を有する初期排気時排
気系25によって行なうので、エッチング反応により発生
した生成ガスが析出して固体化し、エッチングプロセス
実施時排気系20に設けたドライポンプ17に付着して劣化
させることはなく、長寿命化が図れる。また、エッチン
グ実施時は、エッチング室13内の圧力を検出し、制御部
23によりエッチングプロセス実施時排気系20に設けたス
ロットルバルブ16の開度を制御して、自動的に適正な圧
力範囲に保つようにしたので、圧力調整不良をなくして
高品質にエッチングできる。
エッチングプロセス実施時排気系20を通さずに、ロータ
リーメカニカルブースタポンプ27を有する初期排気時排
気系25によって行なうので、エッチング反応により発生
した生成ガスが析出して固体化し、エッチングプロセス
実施時排気系20に設けたドライポンプ17に付着して劣化
させることはなく、長寿命化が図れる。また、エッチン
グ実施時は、エッチング室13内の圧力を検出し、制御部
23によりエッチングプロセス実施時排気系20に設けたス
ロットルバルブ16の開度を制御して、自動的に適正な圧
力範囲に保つようにしたので、圧力調整不良をなくして
高品質にエッチングできる。
【００２６】次に、他の実施例を図３を参照して説明す
る。
る。
【００２７】上述の図１および図２に示す実施例では、
エッチング室13の排気をゲートバルブ21および真空搬送
室12を通して初期排気時排気系25で行なっているが、図
３で示すように、エッチング室13からエッチングプロセ
ス実施時排気系20に通じる管路の途中と初期排気時排気
系25を構成するロータリメカニカルブースタポンプ27の
吸込み側との間にリークバルブ29を連結してもよい。す
なわち、エッチングプロセス実施時排気系20とは区分さ
れ、エッチング室13内のガスを排気する初期排気時排気
系25を、リークバルブ29とロータリメカニカルブースタ
ポンプ27とで構成している。
エッチング室13の排気をゲートバルブ21および真空搬送
室12を通して初期排気時排気系25で行なっているが、図
３で示すように、エッチング室13からエッチングプロセ
ス実施時排気系20に通じる管路の途中と初期排気時排気
系25を構成するロータリメカニカルブースタポンプ27の
吸込み側との間にリークバルブ29を連結してもよい。す
なわち、エッチングプロセス実施時排気系20とは区分さ
れ、エッチング室13内のガスを排気する初期排気時排気
系25を、リークバルブ29とロータリメカニカルブースタ
ポンプ27とで構成している。
【００２８】このように構成すると、エッチング室13を
排気する場合、リークバルブ29を開くことにより、図１
に示すドライエッチング装置のように、隣接する真空搬
送室12を介すことなく、ロータリメカニカルブースタポ
ンプ27を有する初期排気時排気系25により直接排気する
ことができる。
排気する場合、リークバルブ29を開くことにより、図１
に示すドライエッチング装置のように、隣接する真空搬
送室12を介すことなく、ロータリメカニカルブースタポ
ンプ27を有する初期排気時排気系25により直接排気する
ことができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明のドライエッチング装置によれ
ば、エッチング室内でエッチング反応して発生した生成
ガスの排気や、大気開放後のエッチング室の真空引き
を、第１の排気系とは区分された第２の排気系により行
なうので、第１の排気系のポンプにプロセスガスが析出
されて固体化されて付着することによる劣化を防止で
き、長寿命化を図ることができる。
ば、エッチング室内でエッチング反応して発生した生成
ガスの排気や、大気開放後のエッチング室の真空引き
を、第１の排気系とは区分された第２の排気系により行
なうので、第１の排気系のポンプにプロセスガスが析出
されて固体化されて付着することによる劣化を防止で
き、長寿命化を図ることができる。
【図１】本発明のドライエッチング装置の一実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】同上ドライエッチング装置の圧力調整手段を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図３】同上他の実施例を示すブロック図である。
【図４】従来例のドライエッチング装置を示すブロック
図である。
図である。
13 エッチング室 17 ドライポンプ 20 第１の排気系としてのエッチングプロセス実施時
排気系 25 第２の排気系としての初期排気時排気系
排気系 25 第２の排気系としての初期排気時排気系
Claims (1)
- 【請求項１】 プロセスガスを供給して被エッチング物
をエッチングするエッチング室と、 前記エッチング時に作動してこのエッチング室の圧力を
所定範囲にするポンプを有し前記エッチング室に連結さ
れた第１の排気系と、 この第１の排気系とは区分され、非エッチング時に作動
して前記エッチング室内を排気する第２の排気系とを具
備したことを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6835795A JPH08259266A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6835795A JPH08259266A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259266A true JPH08259266A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=13371482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6835795A Pending JPH08259266A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08259266A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11204508A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2004087584A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置およびそのドライエッチング方法 |
| JP2018186172A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP6835795A patent/JPH08259266A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11204508A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2004087584A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置およびそのドライエッチング方法 |
| JP2018186172A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
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