JPH07206586A - エピタキシャル成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エピタキシャル成長装置において、ガスライ
ンのメインテナンス終了後、低コストでの再稼動を可能
とし、かつ再稼動後も高品質のエピタキシャルウェーハ
を得ることができるようにする。 【構成】 反応チャンバ３を介さずに、ガス供給ライン
１とガス排出ライン４とを直結するガスバイパスライン
５を設け、このガスバイパスライン上にバルブ３１，３
２を配設する。たとえばプロセスガスラインのメインテ
ナンスの場合、プロセスガスの排出およびメインテナン
ス後の不純物排出に当たり、プロセスガスラインから前
記ガスバイパスライン５を経由してガス排出ライン４に
パージガスを流す。反応チャンバ３内へのガス流を遮断
することによりパージガス使用量が少なくて済み、コス
トの低減と不純物排出時間の短縮ができる。また、反応
チャンバ３および他のガスライン内に不純物が残留しな
いため、再稼働後も高品質のエピタキシャルウェーハを
得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エピタキシャル成長装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のエピタキシャル成長装置のガスラ
イン系統図を図６、図７および図８に示す。図６におい
て、１はガス供給ライン、２はガス供給キャビネット、
３は反応チャンバ、４はガス排出ライン、１１〜２２は
バルブである。図７は、反応チャンバ３を大気に開放せ
ずにウェーハの取り入れ、取り出しを可能とするため、
図６のエピタキシャル成長装置にロードロックチャンバ
８を付設したもので、１１〜２５はバルブである。図８
は、ガス供給ライン１０のうちドーパント、ソース、エ
ッチングの各ガスラインに対するガスバイパスライン５
０ａ，５０ｂ，５０ｃを有し、かつガス排出ライン４０
に排気装置９を備えたエピタキシャル成長装置で、前記
ガスバイパスライン５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、ドーパ
ント、ソース、エッチングの各ガス供給ラインから分岐
点５１ａ，５１ｂ，５１ｃでそれぞれ分岐し、合流点５
２で１本に合流する。このような装置も従来から使用さ
れている。

【０００３】エピタキシャル成長装置のガスライン内部
が大気に開放される例として、反応チャンバへのウェー
ハの取り入れ、取り出しと、ガスラインのメインテナン
ス（ガスラインの取り外し、分解、交換、取り付けをい
う。以下同じ）がある。図６のエピタキシャル成長装置
のようにウェーハを反応チャンバから直接取り出す場
合、反応チャンバ３とガスライン全体とに対してパージ
ガスによるパージを行い、もしくは反応チャンバ３とガ
スライン全体とを真空引きした後、パージガスを充填
し、反応チャンバ３とガスライン全体とにパージガスが
充填されたことを確認した上、反応チャンバ３を開放し
てウェーハを取り出す。図７のようにロードロックチャ
ンバ８を備えたエピタキシャル成長装置の場合は、ウェ
ーハをロードロックチャンバ８に移送して取り出すが、
移送することによって反応チャンバ３内のプロセスガス
などが前記ロードロックチャンバ８に混入するため、ロ
ードロックチャンバ８とこれに至るガスライン全体を真
空引きした後、パージガスを充填し、もしくはパージガ
スによるパージのみ行ってロードロックチャンバ８とガ
スライン全体とにパージガスが充填されたことを確認し
た上、ロードロックチャンバ８を開放してウェーハを取
り出す。

【０００４】図６、図７に示す従来のエピタキシャル成
長装置においては、ガスラインのメインテナンス終了
後、ウェーハ取り出しの場合と同様に反応チャンバ３と
ガスライン全体とに対してパージガスによるパージを行
い、もしくはガスライン全体を真空引きした後、パージ
ガスを充填し、反応チャンバ３とガスライン全体とにパ
ージガスが充填されたことを確認した上、次の成長プロ
セスに移行していた。また図８に示すエピタキシャル成
長装置において、ドーパント、ソース、エッチングの各
ガス供給ラインをメインテナンスする場合は、排気装置
９によりメインテナンス対象ガス供給ラインおよびガス
バイパスラインを排気し、パージガスを充填した後メイ
ンテナンスを行う。メインテナンス終了後、排気装置９
により前記のガス供給ラインとガスバイパスラインとを
再び排気し、所定のガスを充填してメインテナンスを終
了する。

【０００５】図８に示すエピタキシャル成長装置におい
て、プロセスガスのガス供給ラインをメインテナンスす
る場合、前記プロセスガスラインは独立したガスバイパ
スラインを持たないため、ドーパント、ソース、エッチ
ングの各ガスラインのうち少なくとも一つのガス供給ラ
インの一部分とガスバイパスラインとを利用しなければ
ならない。パージガスラインも前記プロセスガスライン
と同様に独立したガスバイパスラインを持たないため、
パージガスのガス供給ラインをメインテナンスする場合
も、前記プロセスガスのガス供給ラインのメインテナン
スの場合と同じ方法で行う。

【０００６】つまり、従来のガス系統は、上流側から見
ると図６、図７に示すように、ガス供給ライン、反応チ
ャンバ、ガス排出ラインが１系統でつながっているた
め、メインテナンス時には必ず反応チャンバ内にガスを
通過させている。図８のエピタキシャル成長装置におい
てはガスバイパスラインはあるが、すべてのガスライン
についてそれぞれ独立のガスバイパスラインを備えてい
るわけではないので、メインテナンスの際に反応チャン
バ内にガスを通過させないようにするには、必ず排気装
置を備えなければならず、かつガスラインによっては他
のガスラインのうち少なくとも一つのガス供給ラインの
一部分とガスバイパスラインとを利用しなければならな
い構成になっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ガスライン中の配管や
部品のメインテナンスを行うと、その箇所は大気に触れ
ることになり、エピタキシャル成長プロセスにとって不
要な酸素、水蒸気、不純物などがガスラインに混入す
る。そこで、メインテナンス終了後、前記混入物を取り
除かないと次の成長プロセスに移行することができな
い。従って、下記の問題点がある。 （１）ガス供給ライン、反応チャンバ、ガス排出ライン
が１系統でつながるガスライン構成をもつ従来のエピタ
キシャル成長装置の場合、特にガス上流側であるガス供
給ライン上でメインテナンスを行うと、メインテナンス
により混入した不純物は必ず反応チャンバを通過しない
と装置外に排出されないため、不純物除去作業はていね
いに行わなければならない。メインテナンス終了後、ガ
スラインの上流側からＮ₂ などのパージガスを流し、ガ
スライン中に残存する不純物を装置外に押し出してパー
ジする場合、ガスラインの容積に比べて反応チャンバの
容積は著しく大きいので、不純物除去のために多量のパ
ージガスを必要とする。また、メインテナンス終了後、
次の成長プロセスに移行するまでに時間がかかる。 （２）一方、ガスライン中に残存する不純物を真空引き
によって装置外に排出する場合、反応チャンバ内も排気
しなければならないので、排気すべき容積が大きくな
り、長時間、真空引きしなければならない。また、排気
装置を付加したことにより装置がコスト高となり、故障
要因も増加する。更に、パージガスと真空引きの二つの
方法を組み合わせた場合は、ガスライン中の不純物除去
に、より一層の時間を費やさねばならない。いずれにし
ても、メインテナンス終了後、次の成長プロセスに移行
するまでに多くの時間がかかることになる。 （３）パージガスによるパージ、真空引きのいずれの場
合も不純物除去作業をおろそかにすると、不純物が反応
チャンバ内に残る可能性があり、次回以降の成長プロセ
スに悪影響を及ぼし、目標とする品質のウェーハを得る
ことができない。

【０００８】ガス供給ライン、反応チャンバよりも下流
側であるガス排出ラインでメインテナンスを行う場合
も、この部分に混入した不純物を除去するために前述と
同じくパージガスによるパージ、真空引き、あるいはこ
れらの組み合わせによる方法を用いる。この場合も、次
の問題点がある。 （１）パージガスを用いてガスラインに混入した不純物
を排出する場合、反応チャンバ内にもパージガスを流さ
なければならないので、多量のパージガスを消費すると
ともに、メインテナンス終了後、次の成長プロセスに移
行するまでに時間がかかる。 （２）真空引きによってガスラインに混入した不純物を
排出する場合、反応チャンバ内も排気しなければならな
いので排気すべき容積が大きくなり、長時間真空引きし
なければならない。従って、次の成長プロセスに移行す
るまでに時間がかかる。

【０００９】図８のように、一部のガスラインについて
それぞれ独立したガスバイパスラインを持ち、かつ排気
装置を備えたガスライン構成のエピタキシャル成長装置
においても、下記の問題点がある。 （１）ガスラインの構成上、排気装置が不可欠であり、
装置がコスト高になる。 （２）ガス供給ラインをメインテナンスしたとき、反応
チャンバ３を介さずにガスラインに混入した不純物を除
去できるが、除去方法は真空引きに限定される。すなわ
ち、排気装置９を駆動させずにパージガスによるパージ
だけで不純物を除去しようとすると、図８のバルブ４
１，４２を開いて装置外に不純物を排出することにな
る。このとき、不純物が反応チャンバ３に混入するおそ
れがある。 （３）ガスラインによっては、不純物の除去に他のガス
供給ラインの一部分とガスバイパスラインとを利用しな
ければならない構成になっている（たとえば、プロセス
ガスラインはドーパントまたはソース、エッチングガス
ラインを使わねばならない）ので、不純物を他のガスラ
インに残存させるおそれがある。

【００１０】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、エピタキシャル成長装置のガスラインのメ
インテナンスを行った場合、メインテナンス終了後、エ
ピタキシャル成長装置を低コストで再稼動することがで
きるとともに、再稼動までの作業時間を短縮し、再稼動
後の成長プロセスにおいても高品質のエピタキシャルウ
ェーハを得ることが可能なエピタキシャル成長装置を提
供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るエピタキシャル成長装置は、ガス供給
ライン、反応チャンバ、ガス排出ラインを順次接続して
なるエピタキシャル成長装置のガスラインにおいて、前
記反応チャンバを介さずに、反応チャンバの直前および
直後でガス供給ラインとガス排出ラインとを直結するガ
スバイパスラインを備え、このガスバイパスラインに少
なくとも１個のバルブを設ける構成とし、更に詳しく
は、ガス供給ラインとガスバイパスラインとの分岐点の
直後のガスバイパスライン上と、前記分岐点から反応チ
ャンバに至るガスライン上およびガスバイパスラインと
ガス排出ラインとの合流点の直前のガスバイパスライン
上と、前記合流点から反応チャンバにさかのぼるガスラ
イン上のそれぞれに、手動または空圧、油圧、電気力な
どを利用するアクチュエータで駆動するバルブを設け、
前記の各ガスラインを開放または閉鎖可能とする構成と
した。また、前記エピタキシャル成長装置は、ガス供給
ラインを構成する各種ガスラインが、他のガスのガス供
給ラインを介さずにそれぞれ一種類のガスのみを充填す
ることができる機能を備えており、または他のガスのガ
ス供給ラインを介さずにそれぞれ独立に排気可能であ
り、あるいは他のガスのガス供給ラインを介さずにそれ
ぞれ一種類のガスのみを充填することができ、かつ、そ
れぞれ独立に排気可能であることを特徴とし、ガス排出
ラインに強制排気を行うための排気装置を備えてもよ
い。

【００１２】

【作用】本発明に係るエピタキシャル成長装置は、ガス
供給ライン、反応チャンバ、ガス排出ラインとつながる
ガスラインにおいて、前記反応チャンバを介さずにガス
供給ラインとガス排出ラインとを直結するガスバイパス
ラインを備えている。そして、前記ガス供給ラインとガ
スバイパスラインとの分岐点の直後の、反応チャンバに
通じるガス供給ライン上と、ガスバイパスラインとガス
排出ラインとの合流点から反応チャンバにさかのぼるガ
ス排出ライン上とにそれぞれバルブを設け、ガスバイパ
スライン上には少なくとも１個のバルブを設けている。
従って、ガス供給ラインのメインテナンス終了後、ガス
供給ラインに混入した不純物をパージガスでパージする
場合、反応チャンバの直前、直後のバルブを閉鎖したま
まガスバイパスライン上のバルブを開放することによ
り、反応チャンバおよび他のガスのガス供給ラインを介
さずに不純物をエピタキシャル成長装置の外に排出する
ことができる。

【００１３】ガス供給ラインに混入した不純物を、ガス
排出ライン上に設置した排気装置を用いて強制排気する
場合も、パージガスによる場合と同様に、メインテナン
ス対象ガス供給ラインおよびガスバイパスライン上のバ
ルブのみを開放することにより、反応チャンバおよび他
のガスのガス供給ラインを介さずに、前記メインテナン
ス対象ガス供給ライン、ガスバイパスライン、ガス排出
ラインを通してエピタキシャル成長装置の外に排出する
ことが可能となる。

【００１４】また、ガス排出ラインおよびガスバイパス
ラインのメインテナンスを行う場合、メインテナンス終
了後、ガス排出ラインおよびガスバイパスラインに混入
した不純物をパージガスでパージするときは、ガス供給
ラインのメインテナンスと同様におのおののガスライン
上のバルブを開放または閉鎖することにより、反応チャ
ンバおよび他のガスのガス供給ラインを介さずにエピタ
キシャル成長装置の外に排出することができる。一方、
ガス排出ラインにある排気装置で強制排気するときも、
前記と同様におのおののガスライン上のバルブを開放ま
たは閉鎖することにより、反応チャンバおよび他のガス
のガス供給ラインを介さずにガス排出ライン中の不純物
を、エピタキシャル成長装置の外に排出することが可能
となる。更に、ガスバイパスラインとガス排出ラインと
の合流点から反応チャンバにさかのぼるガスライン上の
バルブと、ガス供給ラインとガスバイパスラインとの分
岐点直後のガスバイパスライン上のバルブとを閉鎖する
ことにより、ガス排出ラインまたはガス排出ラインとガ
スバイパスラインのみを強制排気することもできる。

【００１５】

【実施例】以下に本発明に係るエピタキシャル成長装置
の実施例について、図面を参照して説明する。図１は本
発明の第１実施例に基づくエピタキシャル成長装置のガ
ス系統図で、ガスバイパスライン上に２個のバルブを設
けた場合を示す。同図において、１はガス供給ライン、
２はガス供給キャビネット、３は反応チャンバ、４はガ
ス排出ライン、５はガスバイパスライン、６は前記ガス
供給ライン１とガスバイパスライン５との分岐点、７は
ガスバイパスライン５とガス排出ライン４との合流点
で、１１〜２２および３１，３２は手動もしくは空圧、
油圧、電気力などを利用するアクチュエータによって開
閉するバルブである。前記ガス供給キャビネット２に
は、ドーパント、ソース、プロセス、エッチング、パー
ジの各ガス供給ラインが配設されている。

【００１６】まず、ガス供給ライン１におけるプロセス
ガスラインをメインテナンスする場合の手順について説
明する。なお、メインテナンス開始時点でエピタキシャ
ル成長装置内のすべてのバルブは閉じており、装置への
各ガスの供給は停止しているものとする。 （１）バルブ１３，１７，３１，３２を開く。 （２）パージガスを流し、プロセスガスをエピタキシャ
ル成長装置の外に排出する。そして、ガス供給ライン
１、ガスバイパスライン５、ガス排出ライン４にパージ
ガスが大気圧よりやや高い程度に充填されたことを確認
した後、パージガスの元栓を閉じ、次にメインテナンス
対象区域の最上流にあるバルブを閉じる。 （３）プロセスガスラインのメインテナンスを行う。 （４）メインテナンス終了後、ガスラインに混入した大
気中の不純物を除去するために再度上記（１），（２）
の作業を行う。 （５）すべてのバルブをいったん閉じてから次の成長プ
ロセスを開始する。 ガス供給ライン１における他のガスライン、たとえばソ
ースガスラインなどのメインテナンスもこれと同様に行
えばよい。なお、ガスバイパスラインに設けたバルブ３
１，３２を１個のバルブで構成しても同等の効果が得ら
れる。

【００１７】次に、ガス排出ライン４あるいはガスバイ
パスライン５をメインテナンスする場合の手順について
説明する。メインテナンス開始時点でエピタキシャル成
長装置内のすべてのバルブは閉じており、装置への各ガ
スの供給は停止しているものとする。 （１）バルブ２０，３１，３２を開く。 （２）パージガスを流し、ガスラインに残留しているガ
スをエピタキシャル成長装置の外に排出する。そして、
ガス供給ライン１、ガスバイパスライン５、ガス排出ラ
イン４にパージガスが大気圧よりやや高い程度に充填さ
れたことを確認してから、パージガスの元栓を閉じ、次
にメインテナンス対象区域の最上流にあるバルブを閉じ
る。 （３）ガス排出ライン４あるいはガスバイパスライン５
のメインテナンスを行う。 （４）メインテナンス終了後、ガスラインに混入した大
気中の不純物を除去するために再度上記（１），（２）
の作業を行う。 （５）すべてのバルブをいったん閉じてから次の成長プ
ロセスを開始する。

【００１８】図２は本発明の第２実施例に基づくエピタ
キシャル成長装置のガス系統図であり、図１のエピタキ
シャル成長装置にロードロックチャンバ８を設けた構成
になっている。同図において、１１〜２５および３１，
３２はバルブである。メインテナンスの手順は図１の第
１実施例と同じである。

【００１９】図３は本発明の第３実施例に基づくエピタ
キシャル成長装置のガス系統図であり、図１のエピタキ
シャル成長装置にあるガス排出ラインの強制排気を行う
排気装置９を設けた構成になっている。まず、ガス供給
ライン１におけるプロセスガスラインのメインテナンス
手順について説明する。なお、メインテナンス開始時点
でエピタキシャル成長装置内のすべてのバルブは閉じて
おり、装置への各ガスの供給は停止しているものとす
る。 （１）バルブ１７，３１，３２，３４を開く。 （２）排気装置９を駆動して真空引きを始め、プロセス
ガスをエピタキシャル成長装置の外に排出する。そし
て、ガス供給ライン１、ガスバイパスライン５、ガス排
出ライン４にプロセスガスがなくなったことを確認した
上で排気装置９を停止し、バルブ３４を閉じる。 （３）バルブ１３，３３を開けてパージガスを流し、ガ
ス供給ライン１、ガスバイパスライン５、ガス排出ライ
ン４にパージガスが大気圧よりやや高い程度に充填され
たことを確認してから、パージガスの元栓を閉じ、次に
メインテナンス対象区域の最上流にあるバルブおよびバ
ルブ３３を閉じる。 （４）ガス供給ライン１のメインテナンスを行う。 （５）メインテナンス終了後、ガスラインに混入した大
気中の不純物を除去するために再度上記（１），
（２），（３）の作業を行う。 （６）すべてのバルブをいったん閉じてから次の成長プ
ロセスを開始する。 ガス供給ライン１における他のガスライン、たとえばソ
ースガスラインなどのメインテナンスもこれと同様に行
えばよい。

【００２０】次に、ガス排出ライン４あるいはガスバイ
パスライン５をメインテナンスする場合の手順について
説明する。メインテナンス開始時点でエピタキシャル成
長装置内のすべてのバルブは閉じており、装置への各ガ
スの供給は停止しているものとする。 （１）バルブ３１，３２，３４を開く。 （２）排気装置９を駆動して真空引きを始め、ガスライ
ンに残留しているガスをエピタキシャル成長装置の外に
排出する。そして、ガス供給ライン１、ガスバイパスラ
イン５、ガス排出ライン４に残留ガスがなくなったこと
を確認した上で排気装置９を停止し、バルブ３４を閉じ
る。 （３）バルブ２０，３３を開けてパージガスを流し、ガ
スラインに残留しているガスをエピタキシャル成長装置
の外に排出する。そして、ガス供給ライン１、ガスバイ
パスライン５、ガス排出ライン４にパージガスが大気圧
よりやや高い程度に充填されたことを確認してから、パ
ージガスの元栓を閉じ、次にメインテナンス対象区域の
最上流にあるバルブおよびバルブ３３を閉じる。 （４）ガス排出ライン４あるいはガスバイパスライン５
のメインテナンスを行う。 （５）メインテナンス終了後、ガスラインに混入した大
気中の不純物を除去するために再度上記（１），
（２），（３）の作業を行う。 （６）すべてのバルブをいったん閉じてから次の成長プ
ロセスを開始する。

【００２１】図４は本発明の第４実施例に基づくエピタ
キシャル成長装置のガス系統図であり、図３のエピタキ
シャル成長装置にロードロックチャンバ８を設けた構成
になっている。メインテナンスの手順は図３に示した第
３実施例と同様である。

【００２２】図５は本発明の第５実施例に基づくエピタ
キシャル成長装置のガス系統図である。このエピタキシ
ャル成長装置の場合は、ドーパント、ソース、プロセ
ス、エッチング、パージの各ガス供給ラインがそれぞれ
独立に反応チャンバ３に接続されるとともに、前記各ガ
ス供給ラインにそれぞれ独立のガスバイパスライン５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅが配設されている。前記の
各ガスバイパスラインは分岐点６ａ，６ｂ，６ｃ，６
ｄ，６ｅで各ガス供給ラインと分岐し、それぞれバルブ
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅおよびバルブ
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅを経て合流点
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅでガス排出ライン４に合
流するガスライン構成となっている。本実施例の場合
も、第１実施例と同様の手順でメインテナンスを行う。
また、各ガスバイパスラインに２個ずつ設けたバルブを
１個ずつにしても同等の効果が得られる。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ピタキシャル成長装置のガスラインにおいて、反応チャ
ンバを介さずに、反応チャンバの直前および直後でガス
供給ラインとガス排出ラインとを直結するガスバイパス
ラインを設けたので、ガス供給ライン、ガス排出ライン
あるいはガスバイパスラインのメインテナンスを行う場
合には、次の効果がある。 （１）メインテナンス時にガス供給ライン、ガス排出ラ
インあるいはガスバイパスラインに混入した不純物を、
パージガスによってエピタキシャル成長装置の外に排出
する場合、反応チャンバを介さないためパージガスの使
用量が少なくなり、コストの低減と不純物排出時間の短
縮が可能になるとともに、次の成長プロセスに短時間で
移行できる。 （２）上記各ガスラインに混入した不純物を、ガス排出
ラインに設置した排気装置で強制排気してエピタキシャ
ル成長装置の外に排出する場合、反応チャンバを介さな
いため排気すべきガスラインの容積が小さくなり、不純
物排出時間の短縮が可能で、パージガスを用いる場合と
同様に、次の成長プロセスに短時間で移行できる。 （３）上記いずれの場合も、反応チャンバおよび他のガ
スのガス供給ラインを介さずに不純物の排出が可能とな
るので、反応チャンバおよび他のガスのガス供給ライン
内に不純物が残留せず、再稼動後の成長プロセスにおい
て高品質のエピタキシャルウェーハを提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のエピタキシャル成長装置
におけるガス系統図である。

【図２】本発明の第２実施例のエピタキシャル成長装置
におけるガス系統図である。

【図３】本発明の第３実施例のエピタキシャル成長装置
におけるガス系統図である。

【図４】本発明の第４実施例のエピタキシャル成長装置
におけるガス系統図である。

【図５】本発明の第５実施例のエピタキシャル成長装置
におけるガス系統図である。

【図６】ガス供給ライン、反応チャンバ、ガス排出ライ
ンで構成された従来のエピタキシャル成長装置における
ガス系統図である。

【図７】図６において、ロードロックチャンバを付設し
た従来のエピタキシャル成長装置のガス系統図である。

【図８】ガス供給ライン、反応チャンバ、ガス排出ライ
ン、一部のガスバイパスラインで構成された従来のエピ
タキシャル成長装置のガス系統図である。

【符号の説明】

１，１０ ガス供給ライン ３ 反応チャンバ ４，４０ ガス排出ライン ５，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５０ａ，５０ｂ，
５０ｃ ガスバイパスライン ６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，５１ａ，５１ｂ，
５１ｃ 分岐点 ７，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，５２ 合流点 ９ 排気装置 １１〜２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１
ｅ，２２〜２５，３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１
ｄ，３１ｅ，３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，
３２ｅ，３３，３４，４１，４２バルブ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガス供給ライン、反応チャンバ、ガス排
   出ラインを順次接続してなるエピタキシャル成長装置の
   ガスラインにおいて、前記反応チャンバを介さずに、反
   応チャンバの直前および直後でガス供給ラインとガス排
   出ラインとを直結するガスバイパスラインを備え、この
   ガスバイパスラインに少なくとも１個のバルブを設けた
   ことを特徴とするエピタキシャル成長装置。
2. 【請求項２】 ガス供給ラインとガスバイパスラインと
   の分岐点の直後のガスバイパスライン上と、前記分岐点
   から反応チャンバに至るガスライン上およびガスバイパ
   スラインとガス排出ラインとの合流点の直前のガスバイ
   パスライン上と、前記合流点から反応チャンバにさかの
   ぼるガスライン上のそれぞれに、手動または空圧、油
   圧、電気力などを利用するアクチュエータで駆動するバ
   ルブを設け、前記の各ガスラインを開放または閉鎖可能
   としたことを特徴とする請求項１のエピタキシャル成長
   装置。
3. 【請求項３】 ガス供給ラインを構成する各種ガスライ
   ンは、他のガスのガス供給ラインを介さずにそれぞれ一
   種類のガスのみを充填することができる機能を備えてお
   り、または他のガスのガス供給ラインを介さずにそれぞ
   れ独立に排気可能であり、あるいは他のガスのガス供給
   ラインを介さずにそれぞれ一種類のガスのみを充填する
   ことができ、かつ、それぞれ独立に排気可能であること
   を特徴とする請求項１または請求項２のエピタキシャル
   成長装置。
4. 【請求項４】 ガス排出ラインに強制排気を行うための
   排気装置を備えたことを特徴とする請求項１、請求項２
   または請求項３のエピタキシャル成長装置。