JP2000070662A - 除害装置及びその除害方法 - Google Patents
除害装置及びその除害方法Info
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- JP2000070662A JP2000070662A JP10243828A JP24382898A JP2000070662A JP 2000070662 A JP2000070662 A JP 2000070662A JP 10243828 A JP10243828 A JP 10243828A JP 24382898 A JP24382898 A JP 24382898A JP 2000070662 A JP2000070662 A JP 2000070662A
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- Japan
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- reaction tower
- heater
- reaction
- exhaust gas
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】加熱式除害装置で、反応搭内壁への反応生成物
の付着の防止、除害反応効率を向上させる事を目的とす
る。 【解決手段】加熱式除害装置において、半導体排ガスを
熱反応させる反応搭のヒーターを多ゾーン化、特に反応
搭入口部出口部の温度低下を防止することにより、反応
搭内を均熱し、また排ガス導入口にヒーターを取付け、
反応搭へ流入する前に加熱することで、排ガス流入によ
る反応搭内の温度低下を防止し、反応搭内壁への反応生
成物の付着の防止、除害反応効率を向上させる事ができ
る。
の付着の防止、除害反応効率を向上させる事を目的とす
る。 【解決手段】加熱式除害装置において、半導体排ガスを
熱反応させる反応搭のヒーターを多ゾーン化、特に反応
搭入口部出口部の温度低下を防止することにより、反応
搭内を均熱し、また排ガス導入口にヒーターを取付け、
反応搭へ流入する前に加熱することで、排ガス流入によ
る反応搭内の温度低下を防止し、反応搭内壁への反応生
成物の付着の防止、除害反応効率を向上させる事ができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造排ガス
を除害する加熱式除害装置及びその除害方法に関する。
を除害する加熱式除害装置及びその除害方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来加熱式除害装置は図１に示すよう
に、ヒーター制御が反応搭内１点で行われており、その
ヒーターで加熱された反応搭内部を半導体排ガスとＡｉ
ｒの混合ガスを流す事により、熱分解を起こして怒限量
以下の濃度まで除害処理する。
に、ヒーター制御が反応搭内１点で行われており、その
ヒーターで加熱された反応搭内部を半導体排ガスとＡｉ
ｒの混合ガスを流す事により、熱分解を起こして怒限量
以下の濃度まで除害処理する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１で示す反応搭の場
合、ガスの入口部１、出口部２が温度が制御温度より低
くなり、その周辺に生成物の付着してしまう課題があっ
た。
合、ガスの入口部１、出口部２が温度が制御温度より低
くなり、その周辺に生成物の付着してしまう課題があっ
た。
【０００４】また、入口部１のところで流入ガスが急激
に加熱されるため、流入ガスが熱膨張を起こしその周辺
がガスの滞留が起きやすい状態となり生成物の付着しや
すい状況ができていた。
に加熱されるため、流入ガスが熱膨張を起こしその周辺
がガスの滞留が起きやすい状態となり生成物の付着しや
すい状況ができていた。
【０００５】また、反応搭内の制御温度の幅（均熱長）
が短い為に十分加熱処置できなく、生産装置側からの排
ガス総流量に対し処理能力不足ということが課題となっ
ていた。
が短い為に十分加熱処置できなく、生産装置側からの排
ガス総流量に対し処理能力不足ということが課題となっ
ていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の加熱式除害装置は、反応搭ヒーターの制御方
式を１ゾーン制御から、入口部、出口部にもそれぞれヒ
ーターを取付け、それぞれのヒーターが別制御を行なえ
るようにし、またガス導入口にもヒーターを取り付ける
ことで、半導体排ガスを入口部へ入る前に事前に加熱す
る事ができる。また反応搭内で温度勾配を付けることが
できることを特徴とする。
に本発明の加熱式除害装置は、反応搭ヒーターの制御方
式を１ゾーン制御から、入口部、出口部にもそれぞれヒ
ーターを取付け、それぞれのヒーターが別制御を行なえ
るようにし、またガス導入口にもヒーターを取り付ける
ことで、半導体排ガスを入口部へ入る前に事前に加熱す
る事ができる。また反応搭内で温度勾配を付けることが
できることを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記のように反応搭ヒーター７、８、９をそれ
ぞれ別制御を行なえるようにし、ガス導入口５にヒータ
ー６を取付けることで、導入口３に入る前に半導体排ガ
ス１１を加熱する事により、入口部３周辺の急激な温度
低下は避けられると同時に、半導体排ガス１１が入口部
３での急激な温度上昇による排ガスの熱膨張によるガス
の滞留が避けられる。これにより、導入口３の生成物付
着を防止する。また、出口部４の所にヒーター９を取り
付けることにより、水洗部１２との境での急激な温度低
下を防止する。これにより、出口部４の場所での生成物
の付着を防止する。また、ヒーター６を取り付ける事に
より、反応搭１０内の温度低下が防止できるために、半
導体排ガス１１を効率良く除害処理能力を多くすること
ができる。
ぞれ別制御を行なえるようにし、ガス導入口５にヒータ
ー６を取付けることで、導入口３に入る前に半導体排ガ
ス１１を加熱する事により、入口部３周辺の急激な温度
低下は避けられると同時に、半導体排ガス１１が入口部
３での急激な温度上昇による排ガスの熱膨張によるガス
の滞留が避けられる。これにより、導入口３の生成物付
着を防止する。また、出口部４の所にヒーター９を取り
付けることにより、水洗部１２との境での急激な温度低
下を防止する。これにより、出口部４の場所での生成物
の付着を防止する。また、ヒーター６を取り付ける事に
より、反応搭１０内の温度低下が防止できるために、半
導体排ガス１１を効率良く除害処理能力を多くすること
ができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の加熱式除害装置の実施例
を以下に示す。
を以下に示す。
【０００９】（実施例）図２は加熱式除害装置におい
て、反応搭ヒーターの制御方式を１ゾーン制御から、入
口部、出口部にもそれぞれヒーターを取付け、それぞれ
のヒーターが別制御を行なえるようにし、またガス導入
口にもヒーターを取り付けることで、半導体排ガスを入
口部へ入る前に事前に加熱する事ができる。また反応搭
内で温度勾配を付けることができることを特徴とする除
害装置の断面図である。
て、反応搭ヒーターの制御方式を１ゾーン制御から、入
口部、出口部にもそれぞれヒーターを取付け、それぞれ
のヒーターが別制御を行なえるようにし、またガス導入
口にもヒーターを取り付けることで、半導体排ガスを入
口部へ入る前に事前に加熱する事ができる。また反応搭
内で温度勾配を付けることができることを特徴とする除
害装置の断面図である。
【００１０】反応搭ヒーターの制御部を、入口部３、出
口部４にもそれぞれヒーター７、９を取付け、それぞれ
のヒーターが別制御を行なえるようにする。またガス導
入口５へヒーター６を取り付ける。これにより、ヒータ
ー６、７、８、９によりそれぞれのソーンは温度制御が
行なえるようになる。
口部４にもそれぞれヒーター７、９を取付け、それぞれ
のヒーターが別制御を行なえるようにする。またガス導
入口５へヒーター６を取り付ける。これにより、ヒータ
ー６、７、８、９によりそれぞれのソーンは温度制御が
行なえるようになる。
【００１１】半導体排ガス１１は導入口５を通り反応搭
１０へ流入する。この時ヒーター６により事前にガス１
１を均熱し反応搭内へ流入する。反応搭内でＡｉｒと混
合され熱反応を起こし排ガス１１は除害する。その際ヒ
ーター７、８、９のそれぞれの温度設定により効率よく
反応させる。反応したガスは水洗部１２〜１４までの間
で水トラップを通り、排気される。
１０へ流入する。この時ヒーター６により事前にガス１
１を均熱し反応搭内へ流入する。反応搭内でＡｉｒと混
合され熱反応を起こし排ガス１１は除害する。その際ヒ
ーター７、８、９のそれぞれの温度設定により効率よく
反応させる。反応したガスは水洗部１２〜１４までの間
で水トラップを通り、排気される。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明から、本発明の加熱式除害装
置は反応搭内のヒーターを入口部、出口部、導入口部に
それぞれ温度制御を行なうことにより、半導体排ガスが
入口部での急激な熱膨張による滞留、反応炉内周辺の温
度低下、出口側水洗部付近の温度低下等による生成物の
付着防止によるメンテナンスフリー化。反応搭内の温度
安定による除害処理性能の向上という効果がある。
置は反応搭内のヒーターを入口部、出口部、導入口部に
それぞれ温度制御を行なうことにより、半導体排ガスが
入口部での急激な熱膨張による滞留、反応炉内周辺の温
度低下、出口側水洗部付近の温度低下等による生成物の
付着防止によるメンテナンスフリー化。反応搭内の温度
安定による除害処理性能の向上という効果がある。
【図１】従来の加熱式除害装置の概略構造図。
【図２】本発明の加熱式除害装置の概略構造図。
１．入口部 ２．出口部 ３．入口部 ４．出口部 ５．排ガス導入口 ６．排ガス導入口ヒーター ７．入口部ヒーター ８．中央部ヒーター ９．出口部ヒーター １０．除害装置反応搭 １１．半導体排ガス １２．水洗部（ａ） １３．水洗部（ｂ） １４．水洗部（ｃ） １５．水洗部（ｄ）
Claims (2)
- 【請求項１】加熱式除害装置において、反応搭温度制御
部の多ゾーン化と、ガス導入口にヒーターを取り付ける
ことで、反応搭内の温度分布を均一に維持し、反応搭内
の反応効率を向上させ、かつ反応搭内に生成物の付着を
低減させることを目的とした除害装置。 - 【請求項２】加熱式除害装置において、温度制御部を多
ゾーン化と、ガス導入口にヒーターを取り付けること
で、反応搭内の温度分布を均一に維持し、反応搭内の反
応効率を向上させ、かつ反応搭内に生成物の付着を低減
する除害方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243828A JP2000070662A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 除害装置及びその除害方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243828A JP2000070662A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 除害装置及びその除害方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000070662A true JP2000070662A (ja) | 2000-03-07 |
Family
ID=17109547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10243828A Withdrawn JP2000070662A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 除害装置及びその除害方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000070662A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005152745A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Babcock Hitachi Kk | 湿式排煙脱硫方法及び装置 |
| JP2011050915A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Omega:Kk | 被処理ガスの浄化方法 |
| JP2021098168A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 昭和電工株式会社 | スクラバーの排ガス導入管およびスクラバー |
-
1998
- 1998-08-28 JP JP10243828A patent/JP2000070662A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005152745A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Babcock Hitachi Kk | 湿式排煙脱硫方法及び装置 |
| JP4587197B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-11-24 | バブコック日立株式会社 | 湿式排煙脱硫方法及び装置 |
| JP2011050915A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Omega:Kk | 被処理ガスの浄化方法 |
| JP2021098168A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 昭和電工株式会社 | スクラバーの排ガス導入管およびスクラバー |
| JP7331685B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-08-23 | 株式会社レゾナック | スクラバー |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051101 |