TWI692542B - 電漿前級熱反應器系統 - Google Patents

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迪辛森柯林約翰
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Abstract

本發明與處理真空處理系統排放氣體的方法和裝置有關。此外，也揭露了用於保養前級電漿反應器次系統的方法和裝置。在部分具體實施例中，用於處理真空處理系統前級中排放氣體的裝置包括耦接於一處理腔室前級之一電漿源、耦接於該電漿源之一處理劑來源、以及一下游收集器以冷卻一排放流及收集排放流中的粒子。在部分具體實施例中，多個前級電漿反應器次系統係用於一真空處理系統，一個前級電漿反應器次系統可被隔離及進行保養(例如清潔)，同時仍持續另一個前級電漿反應器次系統中的排放氣體處理，並持續該真空處理系統中的處理。

Description

電漿前級熱反應器系統
本發明的具體實施例一般是關於真空處理技術。更特定地，本發明之具體實施例是關於一種用於控制一真空處理系統之排放氣體的反應與凝結、及該系統之清潔方法。
平坦的平面顯示器與半導體工業、以及其他工業都使用真空處理(例如化學氣相沉積(CVD))技術以製造高純度的固體材料。這種製程通常是用以生產薄膜。在許多真空處理技術中，基板(例如晶圓)是暴露於一個或多個揮發性前驅物氣體(亦即蒸氣)中，前驅物氣體與基板表面反應且/或分解以產生所需要的沉積物。通常，也會產生副產物氣體，它會被抽出反應腔室。
CVD與其他真空處理設施所使用的製程氣體包括許多化合物，由於法規要求與環境考量，這些化合物在棄置之前必須先經減弱或處理。通常，某些製程氣體並不於基板上形成沉積物而與副產物氣體(若有的話)一起被抽出反應腔室。從反應腔室抽出的氣體統稱為排放氣體。
在被抽出反應腔室之後，從反應腔室抽出的排放氣 體會與供其流動的管線、泵或其他設備反應及/或凝結於這些管線、泵或其他設備上。若未採取可避免排放氣體反應或凝結的步驟，排放氣體所沉積的化學物質累積會阻塞管線並破壞泵。若沒有任何有效方式來原位清潔設備中不想要的沉積物。則必須移除或中斷該設備以進行「離線」清潔。若必須開啟該設備來完成清潔，這會導致過多的反應腔室停工時間。這個問題存在於許多類型的真空處理腔室中，例如蝕刻反應器、離子佈植腔室、電漿處理腔室、原子層沉積腔室等。
因此，存在對於改善處理與保養技術之需求。
提供了一種用於處理一真空處理腔室排放氣體之前級電漿反應器次系統。該前級電漿反應器次系統一般包含一電漿源與一下游收集器，該電漿源具有配置以耦接於該真空處理腔室之一進流口，該下游收集器耦接於該電漿源的一排出口。本文所實行的方法一般包含在該電漿源中從一種或多種氣體產生電漿，混合電漿與排放氣體，冷卻電漿並排出收集器中的氣體混合物，以及於收集器中收集在電漿與排放氣體混合物中所形成的粒子。
在另一具體實施例中，提供了一種用於處理一真空處理腔室排放氣體之前級電漿反應器次系統。該前級電漿反應器次系統包括耦接於該真空處理腔室之一電漿源、可操作以使該電漿源自該真空處理腔室隔離之一第一閥門、耦接於該電漿源之一保養淨化氣體來源、耦接於該電漿源的一排出口之一下游收集器、可操作以使該下游收集器自一真空泵隔 離之一第二閥門、以及可操作以使來自該下游收集器的氣體旁通該真空泵並直接流至一減弱次系統之一保養排空閥門。
在另一具體實施例中，提供了一種用於處理一真空 處理系統排放氣體之前級電漿反應器系統。該前級電漿反應器系統一般包含了一閥門，該閥門可操作以引導排放氣體至至少兩個前級電漿反應器次系統中的其中一個，其中每一個前級電漿反應器次系統包括：耦接於該閥門之一電漿源、耦接於該電漿源之一下游收集器、耦接於該電漿源之一保養淨化氣體來源、以及一保養排空閥門，該保養排空閥門可操作以使來自該下游收集器的氣體旁通該真空處理系統的一真空泵並直接流至該真空處理系統的一減弱次系統；及一閥門，在每一個前級電漿反應器次系統的下游，可操作以使每一個前級電漿反應器次系統與該真空泵隔離。
在另一具體實施例中，提供了一種用於避免粒子累 積在一真空泵與一真空處理系統的前級的方法。該方法一般包含了混合一電漿與該真空處理系統之排放氣體以藉此形成一排放流，冷卻該電漿與排放氣體混合物，以及收集從電漿與排放氣體混合物形成之粒子。
在另一具體實施例中，提供了一種用於保養真空處 理中所用之前級電漿反應器次系統的方法。該方法一般包含了藉由操作閥門而使該前級電漿反應器次系統自排放氣體和真空泵隔離，對該前級電漿反應器次系統供應(亦即注入)一淨化氣體，開啟從該前級電漿反應器次系統對一減弱次系統之閥門，及於該減弱次系統中減弱該淨化氣體和該前級電 漿反應器次系統中所形成(例如從該淨化氣體與排放氣體所形成)的化合物。
在另一具體實施例中，提供了一種用於處理來自真 空處理(例如CVD)操作的排放氣體、同時保養(例如清潔)一第一前級電漿反應器次系統之方法。該方法一般包括：操作一第一閥門以引導排放氣體離開該第一前級電漿反應器次系統而至一第二前級電漿反應器次系統中，操作一第二閥門以使該第一前級電漿反應器次系統自一真空泵隔離並使該第二前級電漿反應器次系統連接於該真空泵，注入至少一種淨化氣體至該第一前級電漿反應器次系統中，操作一第三閥門以使氣體從該第一前級電漿反應器次系統流至一減弱次系統，及在該減弱次系統中減弱該淨化氣體及在第一前級電漿反應器次系統中所形成的化合物。
100‧‧‧真空處理系統
106‧‧‧真空處理腔室
108‧‧‧前級
110‧‧‧處理真空泵
112‧‧‧排放線路
114‧‧‧減弱次系統
122‧‧‧加熱器
150‧‧‧前級電漿反應器次系統
152‧‧‧電漿源
154‧‧‧前級氣體冷卻器
156‧‧‧處理劑來源
158‧‧‧冷卻劑線圈
160‧‧‧冷卻收集板
300‧‧‧真空處理系統
306‧‧‧真空處理腔室
308‧‧‧前級
310‧‧‧真空泵
312‧‧‧排放線路
322‧‧‧加熱器
324‧‧‧保養線路
334‧‧‧減弱次系統
350‧‧‧前級電漿反應器次系統
352‧‧‧電漿源
354‧‧‧前級氣體冷卻器
356‧‧‧處理劑來源
358‧‧‧第一閥門
366‧‧‧淨化氣體供應源
370‧‧‧第二閥門
372‧‧‧保養排空閥門
500‧‧‧真空處理系統
506‧‧‧真空處理腔室
508‧‧‧前級
509A、509B‧‧‧前級
510‧‧‧處理真空泵
512‧‧‧排放線路
514‧‧‧減弱次系統
522‧‧‧加熱器
524A、524B‧‧‧保養線路
540‧‧‧前級電漿反應器系統
550A、550B‧‧‧前級電漿反應器次系統
552A、552B‧‧‧電漿源
554A、554B‧‧‧前級氣體冷卻器
556A、556B‧‧‧處理劑來源
558‧‧‧第一閥門
566A、566B‧‧‧保氧淨化氣體供應源
570‧‧‧第二閥門
572A、572B‧‧‧保養排空閥門
為能使本發明之上述特徵可詳細被理解，現參照具體實施例而提出關於上文中簡要說明之發明的更具體說明，其中的部分具體實施例係說明於如附圖式中。然而，應注意的是，如附圖式僅說明了本發明的典型具體實施例，因此不應被視為對發明範疇的限制，因為本發明也能允許有其他的等效具體實施例。
第1圖說明根據本發明特定構想之真空處理系統的示意圖。
第2圖說明根據本發明特定構想之用以避免粒子累積於一真空泵與一真空處理系統的前級之例示操作。
第3圖說明根據本發明特定構想之真空處理系統的示意圖。
第4圖說明根據本發明特定構想之用於保養真空處理中所用之一前級電漿反應器次系統的例示操作。
第5圖說明根據本發明特定構想之真空處理系統的示意圖。
第6圖說明根據本發明特定構想之用於處理真空處理系統排放氣體之例示操作。
為助於理解，已經盡可能使用相同的元件符號來指代圖式中共同的相同元件。應知在一個具體實施例中所揭露的元件可有益地使用於其他具體實施例中，無須特別說明。
提供了一種用於處理一真空處理系統的排放物之前級電漿反應器次系統與方法。該前級電漿反應器次系統能處理真空處理排放氣體，使排放氣體具有降低之粒狀物累積及對於真空泵和下游排放流處理設備之破壞。舉例而言，本文所述之前級電漿反應器次系統處理排放氣體，使得排放氣體於收集粒子的該前級電漿反應器次系統中形成粒子，而於下游的泵、管線和其他設備中形成較少量的粒子。
本文所述的一個具體實施例產生電漿、混合電漿與排放氣體、冷卻排放氣體和電漿的混合物、並收集由排放氣體與電漿的混合物形成之粒子。電漿加熱了排放氣體，並與排放氣體反應而形成其他物質。冷卻排放氣體和電漿的混合物可使氣體凝結於收集器表面上或與收集器表面反應。
另一具體實施例(不與第一個絕對相關)是藉由使 用閥門將前級電漿反應器次系統自排放氣體與真空泵隔離、對該前級電漿反應器次系統供應淨化氣體、及開啟從次系統到一減弱系統的閥門，以清潔前級電漿反應器次系統。舉例而言，一前級電漿反應器次系統係與排放氣體隔離，並以氧進行淨化。在該前級電漿反應器次系統與一燃燒/濕式減弱次系統之間的閥門會被開啟，而氧會挾帶來自該前級電漿反應器次系統的粒子，並將粒子帶到該燃燒/濕式減弱次系統中，粒子會在該處進行燃燒與收集。
另一個具體實施例(不與第一及第二具體實施例絕 對相關)是一種前級電漿反應器次系統，包括至少兩個前級、各前級之一電漿源、在各前級上之一下游收集器、在收集器下游且可操作以使各前級與一真空泵隔離之一閥門、及可使來自前級之氣體旁通該真空泵並直接流至一減弱次系統之一保養排空閥門。
另一具體實施例(不與第一、第二及第三具體實施 例絕對相關)是操作一第一閥門以引導排放氣體至一第一前級電漿反應器次系統中且離開一第二前級電漿反應器次系統，操作一第二閥門以使氣體從該第一前級電漿反應器次系統流至一真空泵、同時使該第二前級電漿反應器次系統與該真空泵隔離，將淨化氣體注入至該第二前級電漿反應器次系統中，以及操作一第三閥門以使氣體從該第二前級電漿反應器次系統流至一減弱次系統。
第1圖為根據一個具體實施例之真空處理系統100 的示意圖，該真空處理系統100含有前級電漿反應器次系統150。在一個具體實施例中，前級電漿反應器次系統150包含一電漿源152、一前級氣體冷卻器(亦即收集器)154及一處理劑(例如反應劑氣體)來源156。
真空處理系統100包含一真空處理腔室106，例如 蝕刻反應器處理腔室、離子佈植腔室、電漿處理腔室、原子層沉積腔室等。在第1圖所說明的具體實施例中，真空處理腔室106是一CVD腔室。可選的加熱器122(例如電阻式帶加熱器)是設置為與前級108相鄰，以加熱前級108和前級108內的排放氣體。加熱器122可用以使設在真空處理腔室106與電漿源152之間的前級108的表面保持在可防止排放氣體中材料凝結在前級108的側壁上之溫度。
電漿源152是設在真空處理腔室106的下游，其中 電漿源152的進流口是耦接於真空處理腔室106。電漿源152的排出口耦接於前級氣體冷卻器154。前級氣體冷卻器154可包括冷卻劑線圈158以冷卻電漿和排放氣體混合物。前級108使排放氣體從真空處理腔室106流至電漿源152、從電漿源152流至前級氣體冷卻器154、以及從前級氣體冷卻器154流至一處理真空泵110。排放線路112使氣體從處理真空泵110流至一減弱次系統114。
電漿源152、前級108、處理真空泵110以及相關的 硬體可由一種或多種可與處理相容的材料製成，例如鋁、陽極氧化鋁、鍍鎳鋁、不銹鋼、及這些材料的組合與合金。前級氣體冷卻器154是由例如類似的可與處理相容的材料所形 成，或由可使排放氣體凝結的材料所形成。減弱次系統114可為一燃燒/濕式減弱次系統，例如如半導體製造業中所習知者。
電漿源152可從處理劑來源156被供以一種或多種 處理劑(未示)，例如氧O2，電漿源152從處理劑產生電漿。 電漿源152可藉由多種技術產生電漿，包括射頻式(RF)、直流式(DC)或微波式(MW)功率放電技術。電漿也可利用加熱式技術、氣體分解技術、高強度光源(例如UV能量)、或暴露至X射線來源而產生。電漿源152混合所產生的電漿與排放氣體，電漿會加熱排放氣體。在有些具體實施例中，電漿也與排放氣體反應以形成其他物質，這些物質可能不具氣體的形式。舉例而言，電漿可與排放氣體反應，以形成二氧化矽SiO2粒子。在下文中，電漿、排放氣體及其他物質的混合物是稱為排放流。
前級氣體冷卻器154冷卻排放流。前級氣體冷卻器 154被供以製程冷卻水(PCW，未示)或二氧化碳CO2(未示)，以冷卻前級108與通過前級的排放流。舉例而言，PCW、CO2或氟利昂類的冷劑會循環通過冷卻劑線圈158，以冷卻該排放流。根據特定的具體實施例，除冷卻劑線圈158以外、或取而代之，前級氣體冷卻器154可另包括冷卻收集板160，以於排放流和冷卻表面之間提供良好的表面區域介面。前級氣體冷卻器154可被供以PCW，以使排放流冷卻至例如約攝氏10度。冷卻排放流會使部分的排放流凝結在前級氣體冷卻器154的表面上、及/或與表面反應，前級氣體冷卻器154的表面含 有收集器結構以收集凝結或反應至前級氣體冷卻器154表面上的粒子。
排放流(其中減少了在前級氣體冷卻器154中收集 的任何粒子)離開前級氣體冷卻器154，並流至處理真空泵110。排放流在前級氣體冷卻器154中的凝結與反應減少了由排放流沉積於處理真空泵110中的粒子量，使處理真空泵110能在必須的保養之間具有較久的壽命與較長的時間。舉例而言，在保養活動之間，不使用前級電漿反應器次系統的處理真空泵可保持服務兩個月或三個月，但在使用前級電漿反應器次系統時，則可在保養活動之間保持服務達六個月至十二個月。
第2圖說明了一種例示操作200，以避免粒子累積 在真空泵與真空處理系統(例如真空處理系統100)的前級中，該例示操作200可由例如根據本發明特定構想之前級電漿反應器次系統實施。如圖所述，在方塊202，電漿源產生電漿並混合電漿與排放氣體，形成排放流。舉例而言，參照第1圖，電漿源152從氧產生電漿，並將電漿與來自真空處理腔室106的排放氣體混合，形成排放流。在方塊204(見第2圖)，操作以冷卻排放流繼續。舉例而言(見第1圖)，前級氣體冷卻器154能使冷卻水通過圍繞在前級108周圍的線圈，使前級與排放流冷卻至攝氏10度。在方塊206(見第2圖)，操作以自排放流收集粒子繼續。舉例而言(見第1圖)，粒子是被收集在前級氣體冷卻器154內的一組檔板中，粒子會凝結在檔板上。
根據特定具體實施例，前級氣體冷卻器154可藉由 使鹵碳類冷卻劑(例如氟氯碳化物或氟氫碳化物)或冷卻的CO2通過前級周圍的線圈、或藉由該領域中所習知的其他方式來冷卻電漿與排放氣體的混合物。
第3圖為根據本發明一個具體實施例之含有前級電 漿反應器次系統350的真空處理系統300的示意圖。第3圖中所示之真空處理系統300與第1圖中所示之真空處理系統100類似，但另具有可用於保養所述前級電漿反應器次系統的額外構件。
真空處理系統300包含一真空處理腔室306，例如 蝕刻反應器處理腔室、離子佈植腔室、電漿處理腔室、原子層沉積腔室等。在第3圖所述之具體實施例中，真空處理腔室306是一CVD腔室。加熱器322可設置為與前級308相鄰，以加熱前級308與排放氣體。
在一個具體實施例中，前級電漿反應器次系統350 包含電漿源352、前級氣體冷卻器(亦即收集器)354、處理劑(例如反應劑氣體)來源356、保養淨化氣體供應源366、第一閥門358、第二閥門370、以及保養排空閥門372。第一閥門358設於真空處理腔室306和前級電漿反應器次系統350之間的前級308上。保養淨化氣體供應源366連接至第一閥門358與電漿源352之間的前級308。保養淨化氣體供應源366對前級電漿反應器次系統供應淨化氣體(例如空氣、氮N2、氧O2、三氟化氮NF3或全氟碳化物(PFC))，以淨化來自前級電漿反應器次系統350的排放氣體(例如排放流)，例 如作為保養活動的一部分。
電漿源352是設於保養淨化氣體供應源366的下 游，以及前級氣體冷卻器354的上游。保養排空閥門372連接至前級氣體冷卻器354的下游的前級308。第二閥門370是設於連接至前級308的保養排空閥門372和處理真空泵310之間。前級308使排放氣體(例如排放流)從真空處理腔室306流至第一閥門358、從第一閥門358流至電漿源352、從電漿源352流至前級氣體冷卻器354、從前級氣體冷卻器354流至保養排空閥門372與第二閥門370，以及從第二閥門370流至處理真空泵310。保養線路324使氣體可從保養排空閥門372流至一減弱次系統334。
排放線路312可使氣體從處理真空泵310流至減弱 次系統334。電漿源352、前級308、處理真空泵310、第一閥門358、第二閥門370、保養排空閥門372、保養線路324及相關的硬體可由一種或多種可與製程相容的材料所形成，例如鋁、陽極氧化鋁、鍍鎳鋁、不銹鋼、及這些材料的組合與合金。前級氣體冷卻器354是由類似的可與製程相容的材料所形成，或由例如可使排放氣體凝結的材料所形成。減弱系統334可為燃燒/濕式減弱系統，例如如半導體製造業中所習知者。
第4圖說明了一種用於保養(例如清潔)真空處理 系統(例如一化學氣相沉積(CVD)系統)中所用的前級電漿反應器次系統之例示操作400。操作400開始於方塊402，藉由操作閥門而隔離前級電漿反應器次系統與排放氣體和真 空泵。舉例而言，參照第3圖，第一閥門358和第二閥門370可被操作以自真空處理腔室306與處理真空泵310隔離前級電漿反應器次系統350。
在方塊404，操作400(見第4圖)以對前級電漿反 應器次系統供應(亦即注入)淨化氣體而繼續。舉例而言(見第3圖)，前級電漿反應器次系統350可利用從保養淨化氣體供應源366注入的控制流量氧O2予以淨化，以確保任何殘留的反應性或發火性化合物(來自例如排放流)的完全反應，後接以氮N2淨化，以使前級電漿反應器次系統350能被移除以進行清潔和保養。
在方塊406(見第4圖)，操作繼續由開啟從前級 電漿反應器次系統至一減弱次系統(例如一燃燒/濕式減弱次系統)的閥門而繼續。舉例而言(見第3圖)，維修閥門372係於前級308和保養線路324之間開啟。
在方塊408，操作400(見第4圖)以於減弱次系統 中減弱在前級電漿反應器次系統中形成(例如由淨化氣體與排放氣體所形成)的淨化氣體與化合物繼續。舉例而言(見第3圖)，氮N2和氧O2淨化氣體、反應的排放氣體、以及粒子會流至減弱次系統334(例如燃燒/濕式減弱系統)並且被減弱。
第5圖說明了根據本發明一個具體實施例之真空處 理系統500的示意圖，該真空處理系統500含有一前級電漿反應器系統540，前級電漿反應器系統540包括第一前級電漿反應器次系統550A與第二前級電漿反應器次系統550B。雖 然前級電漿反應器系統540是以兩個前級電漿反應器次系統550A和550B加以說明，但本發明並不限於此，在真空處理系統的前級電漿反應器系統中也可含有任何數量的前級電漿反應器次系統。第5圖中所示之真空處理系統500與第3圖所示之真空處理系統300類似，但具有所述之其他構件。其他構件能使真空處理腔室506操作，同時保養其中一個前級電漿反應器次系統550A、550B。真空處理系統500包括前級508、前級電漿反應器系統540、處理真空泵510、排放線路512、減弱次系統514及真空處理腔室506。前級電漿反應器系統540包括第一閥門558、第二閥門570、第一前級電漿反應器次系統550A及第二前級電漿反應器次系統550B。真空處理腔室506可為蝕刻反應器處理腔室、離子佈植腔室、電漿處理腔室、原子層沉積腔室等。在第5圖所述的具體實施例中，真空處理腔室506係一CVD腔室。加熱器522是設為與前級508相鄰，以加熱前級508及前級508內的排放氣體。
在一個具體實施例中，兩個電漿反應器次系統550A 和550B包括前級509A和前級509B、電漿源552A和552B、處理劑(例如反應劑氣體)來源556A和556B、前級氣體冷卻器(亦即收集器)554A和554B、保養淨化氣體供應源566A和566B、以及保養排空閥門572A和572B。
第一閥門558是設以於真空處理腔室506與前級電 漿反應器次系統550A和550B之間連接前級508與前級509A和509B。保養淨化氣體供應源566A和566B於第一閥門558與電漿源552A和552B之間連接至前級509A和509B。根據 特定的具體實施例，保養淨化氣體供應源566A和566B為一個供應源，但具有連接至每一前級509A和509B的閥門與管線。
電漿源552A和552B是設於保養淨化氣體供應源566A和566B的下游、前級氣體冷卻器554A和554B的上游。保養排空閥門572A和572B連接至前級氣體冷卻器554A和554B的下游的前級509A和509B。第二閥門570是設在保養排空閥門連接部與處理真空泵510之間。
前級508使排放氣體從真空處理腔室506流至第一閥門558。前級509A和509B使排放氣體從第一閥門558流至電漿源552A或552B、從電漿源552A和552B流至前級氣體冷卻器554A和554B、從前級氣體冷卻器554A和554B流至保養排空閥門572A和572B與第二閥門570，以及從第二閥門570流至處理真空泵510。保養線路524A和524B使氣體可從保養排空閥門572A和572B流至減弱次系統514。排放線路512使氣體可從處理真空泵510流至減弱次系統514。
電漿源552A和552B、前級508、前級509A和509B、處理真空泵510、第一閥門558、第二閥門570、保養排空閥門572A和572B、保養線路524A和524B及相關硬體可由一種或多種可與製程相容的材料所形成，例如鋁、陽極氧化鋁、鍍鎳鋁、不銹鋼、及這些材料的組合與合金。前級氣體冷卻器554A和554B可由類似的可與製程相容的材料所形成，或由例如可使排放氣體凝結的材料所形成。減弱系統514可為燃燒/濕式減弱系統，例如如半導體製造業中所習知者。
第6圖說明了一種例示操作600，用以處理來自真 空處理(例如CVD)操作的排放氣體、同時保養(例如清潔)一第一前級電漿反應器次系統。操作600開始於方塊602，操作一第一閥門以引導排放氣體離開第一前級電漿反應器次系統而進入一第二前級電漿反應器次系統。舉例而言，參照第5圖，操作第一閥門558以使第一前級電漿反應器次系統550A(包括電漿源552A和前級氣體冷卻器554A)自真空處理腔室506隔離，並且將第二前級電漿反應器次系統550B(包括電漿源552B與前級氣體冷卻器554B)連接於真空處理腔室506。
操作600(見第6圖)於方塊604繼續，操作第二 閥門以使第一前級電漿反應器次系統自一真空泵隔離，並將第二前級電漿反應器次系統連接於真空泵。舉例而言(見第5圖)，操作第二閥門570，以使第一前級電漿反應器次系統550A(包括電漿源552A和前級氣體冷卻器554A)與處理真空泵510隔離，並將第二前級電漿反應器次系統550B(包括電漿源552B與前級氣體冷卻器554B)連接於處理真空泵510。
在方塊606(見第6圖)，操作600以對第一前級 電漿反應器次系統注入至少一種淨化氣體而繼續。舉例而言(見第5圖)，保養淨化氣體供應源566A可對在電漿源552A上游的前級509A供應氮N2與氧O2。
在方塊608(見第6圖)，操作600以操作一第三 閥門以使氣體從第一前級電漿反應器次系統流至減弱次系統中而繼續。舉例而言(見第5圖)，保養排空閥門572A可於 前級509A和保養線路524A之間開啟。
操作600(見第6圖)於方塊610繼續，於減弱次 系統中減弱淨化氣體與在第一前級電漿反應器次系統中所形成的化合物。舉例而言，氮與氧淨化氣體、反應的廢氣以及粒子係流至減弱次系統514並且被減弱。
可使用系統控制器(未示)來調節真空處理系統 100、300與500的運作。系統控制器可在儲存於電腦硬碟機的電腦程式的控制下運作。舉例而言，電腦程式可專管處理序列與時序、氣體的混合物、腔室壓力、RF功率等級、基座定位、狹縫閥門的開啟與關閉、以及特定製程的其他參數。
上述非限制實例是為能提供對前述說明的更佳瞭解而提供。雖然這些實例是針對特定具體實施例而行，但這些實例不應被解釋為將本發明限制於任何特定構想。
前述說明是針對本發明的具體實施例，然本發明的其他及進一步具體實施例是可被推知的，其皆不脫離本發明的基本範疇及如附申請專利範圍所定義之範圍。
500‧‧‧真空處理系統
506‧‧‧真空處理腔室
508‧‧‧前級
509A、509B‧‧‧前級
510‧‧‧處理真空泵
512‧‧‧排放線路
514‧‧‧減弱次系統
522‧‧‧加熱器
524A、524B‧‧‧保養線路
540‧‧‧前級電漿反應器系統
550A、550B‧‧‧前級電漿反應器次系統
552A、552B‧‧‧電漿源
554A、554B‧‧‧前級氣體冷卻器
556A、556B‧‧‧處理劑來源
558‧‧‧第一閥門
566A、566B‧‧‧保氧淨化氣體供應源
570‧‧‧第二閥門
572A、572B‧‧‧保養排空閥門

Claims (19)

  1. 一種前級電漿反應器次系統，用於處理一真空處理腔室的排放氣體，該前級電漿反應器次系統包括：一電漿源，具有一第一進流口，經配置以耦接於該真空處理腔室；及一下游收集器，耦接該電漿源的一排出口，其中該下游收集器包含用於冷卻該排放氣體之冷卻收集板。
  2. 如請求項1所述之前級電漿反應器次系統，進一步包括：一處理劑來源，具有一排出口，該排出口耦接該電漿源的一第二進流口。
  3. 如請求項2所述之前級電漿反應器次系統，其中該處理劑來源對該電漿源供應氧。
  4. 如請求項2所述之前級電漿反應器次系統，其中該下游收集器包括用於冷卻該排放氣體之線圈。
  5. 如請求項1所述之前級電漿反應器次系統，其中該下游收集器包括用於冷卻該排放氣體之線圈。
  6. 一種前級電漿反應器次系統，用於處理一真空處理腔室的排放氣體，該前級電漿反應器次系統包括：一電漿源，耦接該真空處理腔室； 一第一閥門，可操作以使該電漿源自該真空處理腔室隔離；一保養淨化氣體來源，耦接該電漿源；一下游收集器，耦接該電漿源的一排出口；一第二閥門，可操作以使該下游收集器自一真空泵隔離；及一保養排空閥門，可操作以使來自該下游收集器的氣體繞過該真空泵並直接流至一減弱次系統。
  7. 如請求項6所述之前級電漿反應器次系統，進一步包括：一處理劑來源，具有一排出口，該排出口耦接該電漿源的一進流口。
  8. 如請求項7所述之前級電漿反應器次系統，其中該處理劑來源對該電漿源供應氧。
  9. 如請求項7所述之前級電漿反應器次系統，其中該下游收集器包含用於冷卻該排放氣體之線圈。
  10. 如請求項6所述之前級電漿反應器次系統，其中該下游收集器包含用於冷卻該排放氣體之線圈。
  11. 如請求項6所述之前級電漿反應器次系統，其中該下游收集器包含用於冷卻排放氣體之冷卻收集板。
  12. 如請求項6所述之前級電漿反應器次系統，其中該保養淨化氣體來源對該前級電漿反應器次系統供應氮。
  13. 一種前級電漿反應器系統，用於處理一真空處理系統的排放氣體，該前級電漿反應器系統包括：一第一閥門，可操作以將排放氣體引導至至少兩個前級電漿反應器次系統中的一個，其中每一個前級電漿反應器次系統包括：一電漿源，耦接該閥門，一下游收集器，耦接該電漿源，一保養淨化氣體來源，耦接該電漿源，及一保養排空閥門，可操作以使來自該下游收集器的氣體繞過該真空處理系統的一真空泵並直接流至該真空處理系統的一減弱次系統；及一第二閥門，在各前級電漿反應器次系統的下游，可操作以使各前級電漿反應器次系統自該真空泵隔離。
  14. 如請求項13所述之前級電漿反應器系統，進一步包括：至少一個處理劑來源，具有一排出口，該排出口耦接該至少兩個前級電漿反應器次系統中之至少一個的電漿源的一進流口。
  15. 如請求項14所述之前級電漿反應器系統，其中該處理劑 來源對該電漿源供應氧。
  16. 如請求項14所述之前級電漿反應器系統，其中該至少兩個前級電漿反應器次系統中之至少一個的該下游收集器包括用於冷卻該排放氣體之線圈。
  17. 如請求項13所述之前級電漿反應器系統，其中該至少兩個前級電漿反應器次系統中之至少一個的該下游收集器包括用於冷卻該排放氣體之線圈。
  18. 如請求項13所述之前級電漿反應器系統，其中該至少兩個前級電漿反應器次系統中之至少一個的該下游收集器包括用於冷卻該排放氣體之冷卻收集板。
  19. 如請求項13所述之前級電漿反應器系統，其中各該至少兩個前級電漿反應器次系統的該保養淨化氣體來源對相應的前級電漿反應器次系統供應氮。
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