TWI453788B - 用於沉積方法之高效能阱 - Google Patents
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Description
本發明係關於半導體製造領域內之新穎且有用的系統、裝置及方法。
吾人已知用於沉積純淨及化合物質之膜的薄膜沉積方法。最近幾年中，用於薄膜沉積之主要技術為化學氣相沉積(CVD)。CVD之變型－－原子層沉積(ALD)－－已被認為係對於薄層沉積在均一性及一致性方面之改良，尤其係對於低溫沉積。
通常，ALD方法包括一系列習知CVD方法，每一習知CVD方法產生單一單層沉積，其中每一沉積步驟理論上於單一分子或原子單層厚度處達到飽和，且接著自行終止。該沉積為傳遞至系統與基板之反應性分子前驅體之間之化學反應的結果。淨反應必須能沉積純淨之所要膜，並消除組成分子前驅體之"額外"原子。
在CVD之情況下，將分子前驅體同時送入CVD反應室內。將基板保持在經最佳化以促進分子前驅體之間之化學反應以及副產物之有效解吸附的溫度。據此，該反應繼續進行以沉積所要薄膜。
對於ALD應用而言，單獨將分子前驅體引入於ALD反應室內。詳言之，引入一與該基板反應之第一前驅體，其通常為一結合至原子或分子配位體以生成揮發性分子之金屬。金屬前驅體反應之後通常為於下一前驅體引入之前用以清除腔室之惰性氣體淨化作業。因此，與CVD方法對比，ALD係以將前驅體與淨化氣體予以連續交替應用之循環方式來執行。通常，每一操作週期僅沉積一單層。通常，ALD方法係於小於1托(Torr)之壓力下進行。
ALD方法通常係用於需要經界定之超薄層之積體電路(IC)器件及其他基板之製造及處理中。關於ALD方法之一問題為副產物之生產，其黏附至沉積裝置組件且另外導致對該等沉積裝置組件產生有害的處理效應。詳言之，副產物會沉積於真空泵內，從而導致泵卡住、泵失效及不純沉積。另外，副產物會黏附至反應室壁或其他裝置組件，從而在移除該等副產物或置換積垢組件時需要關閉沉積製程。生產過程之暫停以及組件之清潔或置換係耗時且昂貴的。
該等缺點亦出現於CVD方法中，但因為所意欲之反應為經處理之基板上之表面反應，所以在ALD期間以更高頻率出現。因此，在ALD方法中，大多數供應氣體留在反應室內"未反應"，且進一步與來自先前及後續反應步驟之氣體混合。結果，顯著體積之未反應氣體會於反應室外部在諸如處理前級管道及泵之位置反應。此會導致更高之非吾人所樂見的非腔室沉積速率，其引起泵及前級管道"阻塞"並導致如上文所述之泵卡住或失效。
已嘗試各種解決方法，但亦皆為耗時、昂貴或另外由於包含空間配置之各種原因而不實用。舉例而言，有一方法於反應室之排氣口處使用一閥門，其物理上交替地將排氣流切換至兩個前級管道中之一者及真空泵。閥門操作係與用於用脈衝方式將不同氣體輸送至反應室內之週期時間同步，以試圖避免腔室、前級管道及泵內之氣體之混合。然而，此解決方法要求將每一泵排氣獨立投送至一減除單元，因而顯著增加處理成本。另外，反應氣體之部分在到達腔室排氣閥門之前仍會組合且反應。其他解決方法則使用一前級管道阱來截捕過程副產物或選擇性地截捕一或多種反應物質以避免交叉反應。此等系統尚未經證實係有效的。JP 11181421中所揭示之另一所提議之解決方法引入CIF3
或F2
以與在CVD期間所形成之黏附至導管表面之副產物反應。然而，此方法對於ALD系統而言難以實行(在ALD系統中，有較高量之副產物離開反應室)。
以引用的方式併入本文中之同在申請中之申請案US SN 11/018,641所提出的另一方法提供一種用於改良一沉積系統之效能的方法、系統及裝置，該改良係藉由於沉積方法中提供氟氣氛來減少或大體上消除在該沉積系統期間所產生之副產物之量而得以達成，該氣氛包括分子氟(F2
)或以自由基形式(F＊
)之氟、及在前級管道內引入至該裝置之氟氣氛。然而，當將氫添加至沉積方法時，此方法將不工作。此係因為氟將優先與氫反應。因此，除非添加過量的氟，否則將無氟留下以產生所要之氟氣氛。所需之過量氟之量取決於添加至該方法之氫之量，但可能易於對氟、設備及能量導致顯著成本。
因此，此項技術中仍需要克服與一沉積方法之裝置組件中之副產物累積相關聯之問題。
本發明克服上文所述之問題並提供一種用於改良一諸如沉積系統之半導體處理系統之效能的系統、裝置及方法，該改良係藉由減少或大體上消除該半導體處理系統之裝置組件內之副產物之累積而得以達成。
本發明進一步係關於改良一與半導體處理系統相關聯之前級管道阱之效能(其中該阱將來自處理腔室之排氣中大體上所有副產物予以移除)。
另外，本發明提供一種用於自半導體處理系統之排氣中將累積副產物之阱有效地清潔的系統、裝置及方法。
如上文所述，處理系統之裝置組件內來自半導體製造方法之副產物之累積會導致設備失效，且亦會要求系統關閉以清潔該等組件，從而導致相當大的成本。
亦如所述，已嘗試各種方法來克服副產物累積之問題。此包含使用前級管道阱；但亦如所述，其尚未經證實係有效的。
本發明解決前級管道阱無效之問題。詳言之，本發明提供一使用前級管道阱之半導體製造系統，該阱可將來自處理腔室之排氣中之99%或更多的副產物予以移除。另外，本發明提供用於清潔所累積之副產物之阱而不需要關閉沉積系統之構件，從而導致節省顯著成本。下文將參看附圖來更詳細地描述本發明。
詳言之，圖1展示一標準熱阱10，其具有一入口12、一出口14、一外部腔室16、一內部腔室18及擋板20。在操作中，排氣經由入口12而進入熱阱10，流過外部腔室16，且接著進入內部腔室18。擋板20係藉由一適當加熱構件(諸如電加熱構件22)而保持於一所要操作溫度。該排氣與熱擋板20反應並累積於其上，且其餘排氣經由出口14而退出熱阱10。
如圖1中所示，存在兩個與熱阱10之使用相關聯的問題。第一，為使該阱可用於一半導體處理系統中，副產物之移除必須大於99%。在關於本發明所執行之測試中，如圖1中所示之於約500℃之擋板溫度下操作之熱阱經證實僅有約70%之效能。第二，假設該熱阱之效能可經改良至大於99%，則多達一週十磅之顯著量的副產物將累積於該阱內，其必須被移除且其可導致昂貴的清潔費用及停工時間。本發明處理此等兩個問題。
為增加阱效能，本發明提供一阱系列來增加總阱長度。舉例而言，對於一組給定的生產流程及化學而言，若一具有長度L之特定阱提供70%之副產物移除，則藉由添加相同組態之包含長度L之第二阱，總截獲效能可增加至91%。詳言之，第一阱將移除70%之副產物且第二阱將移除退出第一阱之剩餘30%之副產物的70%。可添加更多阱以更進一步增加總截獲效能。下表展示長度L及總截獲效能之數目，假設單一阱效能為70%(表1)、50%(表2)及90%(表3)。
圖2中展示本發明之一實施例，其中來自一處理腔室210之排氣在流過一真空泵230並作為廢流240而退出之前通過一熱阱系列220。圖2中展示四個熱阱220，但可使用為滿足所要總截獲效能所必需之任何數目之阱。圖2中展示熱阱之單一串聯路徑，且當處理腔室內之處理執行(process run)之間存在足夠時間以允許阱清潔時，該單一串聯路徑對於使用係可接受的。另外，如圖2中所示，該系列中之每一阱具有相同類型且具有相同參數，包含長度L及截獲效能。本發明亦包含如下排列：其中該系列中之阱具有不同類型或具有不同參數，諸如不同長度。只要滿足系統所需之總截獲效能，就可接受該系列中之阱的任何組合。
圖3中展示根據本發明之另一實施例，當不存在足夠時間來允許阱之清潔時，或當需要更連續之操作時，該實施例為有用的。詳言之，圖3展示熱阱之兩個平行系列路徑：第一熱阱系列320及第二熱阱系列325。圖3中所示之系統亦包含三通閥門315，以允許將來自處理腔室310之排氣自一阱系列切換至另一阱系列。此允許連續操作；舉例而言，當第一阱系列320正接收排氣並截獲副產物時，可清潔第二阱系列325，且反之亦然。在任一情況下，一旦排氣通過一阱系列，其可接著通過真空泵330，而無顯著副產物沉積且接著到達廢流340上。藉由使用本發明之系統，可避免真空泵及其他組件內之副產物積聚，且幾乎可消除泵卡住或失效之風險以及系統阻塞。
再次，雖然圖3之每一阱系列中展示四個阱，但是可使用任何數目之阱來滿足所要之截獲效能。通常，需要使阱之平行系列均包含相同數目之阱，但本發明包含如下替代排列：其中不同阱系列包含不同數目之阱。如上文所述，只要滿足所需之總截獲效能，就可接受系列中之阱的任何組合。通常，對於兩系列而言，所需之總截獲效能將相同，但該情況不是本發明所需的。更確切地，不同阱系列可具有不同所需之總截獲效能。雖然阱之兩個平行系列對於大多數半導體製造系統而言應足以使能夠進行連續操作，但是必要時可添加一或多個額外阱系列。
如圖2及圖3中所示之根據本發明之系統解決上文所述之第一問題，意即，增加熱阱之總截獲效能。然而，清潔來自圖2及圖3中所示之系統內之熱阱之副產物累積的第二問題為必需定期進行阱之拆卸及阱之艱難清潔操作或置換。因此，本發明亦提供一更易於清潔該等阱之構件。
詳言之，圖4中展示阱可得以清潔之本發明之一實施例，其中來自一處理腔室410之排氣在到達一真空泵430並送至廢流440之前通過一熱阱系列420，以移除大於99%的副產物。圖4中所示之系統亦包含一氟源418，以為該系統提供氟，其可蝕刻副產物並清潔阱420。在一腔室清潔或其他處理期間，氟源418可為工業上已知之任何適當源，諸如MKS Astron或MKS Astroni，或可為已通過處理腔室410之過量氟。提供至系統之氟蝕刻沉積於熱阱420內之副產物，且可接著藉由真空泵430來處理流出物，而無進一步沉積之風險，並將其送至廢流440。如上文關於其他實施例所述，只要完成所需之總截獲效能，就可存在任何數目之具有相同或不同參數之熱阱。
圖5A展示本發明之另一實施例，其中熱阱之兩個平行系列(第一熱阱系列520及第二熱阱系列525)係用於自一處理腔室510之排氣中移除副產物。提供三通閥門515以允許將排氣自一熱阱系列切換至另一熱阱系列，並使能夠進行連續操作。圖5之系統亦包含一與熱阱520相關聯之氟源518、及一與熱阱525相關聯之氟源528，其為該系統提供氟以蝕刻來自該等熱阱之副產物並清潔該等熱阱。接著將所處理之排氣以及氟氣與所清潔之副產物作為廢物540而經由一真空泵530來傳送並傳送出該系統。只要滿足所需之總截獲效能，該等氟源就可為上文所提及之任何氟源，且可以上文所述之任何組態來提供熱阱。圖5B展示本發明之另一實施例，其中單一氟源518係用於熱阱系列520與525兩者。此減少系統內所必需之組件的總數目，但另外以與關於圖5A之實施例所述之方式相同的方式來操作。
只有當熱阱具有足夠高之表面溫度時，圖4及圖5中所示之組態才將充分地工作。詳言之，已發現分子氟(F2)將不蝕刻來自裝置組件之表面之副產物。更確切地，氟基(F＊
)為必需的。另外，在相對較低之溫度下，F＊
將快速地重組為F2並因此不能執行清潔操作。然而，在高溫下，可維持F＊
且可成功地進行清潔操作。另外，一旦已開始蝕刻，即使關掉加熱器，反應熱亦可允許反應繼續。事實上，在某些情況下，可能有必要提供冷卻構件。因此，當產生足夠高之初始溫度(約150℃或更高)時，則圖4及圖5之為每一阱系列或為整個系統使用單一氟源之組態係可能的。換言之，單一氟源可用於高溫熱阱，且可在整個阱系列中保持F＊
存在及與副產物之反應。
然而，若熱阱內之表面溫度不足夠熱或下降得太低，則F＊
將快速地復原為F2且不能進行清潔操作。一般而言，F＊
在經過串聯中之第一阱時將不會繼續存在。因此，有必要提供多個氟源。
圖6展示本發明之一實施例，其中提供一氟源系列618，一氟源係用於阱系列620中之每一阱。如在上文所述之實施例中，來自一處理腔室610之排氣通過阱系列620，且接著充分地耗盡副產物，通過真空泵630並到達廢流640外。每一氟源618將F＊
提供至一相關阱620。F＊
清潔來自阱之所沉積之副產物，且亦藉由真空泵630來處理該F＊
並將其送至廢流640。可在圖6所示之排列中使用任何適當數目之具有相同或不同操作參數之阱。另外，有可能組合一或多個氟源618，並在氟源618與個別阱620之間提供獨立路徑。
圖7A描述本發明之另一實施例，其亦使用多個氟源。圖7A中所示之排列包含阱之兩個平行系列：第一阱系列720及第二阱系列725，其接收來自一處理腔室710之排氣，如由三通閥門715所控制。當需要連續處理時，或若無足夠時間來執行處理腔室710內之處理執行之間的阱清潔操作，則可需要此並聯排列。在此組態中，第一氟源系列718將F＊
提供至第一阱系列720，且第二氟源系列728將F＊
提供至第二阱系列725。經由真空泵730來全部傳送排氣流及清潔步驟排氣，並將其送入廢流740。可使用阱之任何適當數目及操作設計，如上文關於其他實施例所述。在操作中，當清潔其他阱系列時，將來自處理腔室710之排氣提供至一阱系列。圖7B提供本發明之另一實施例，其中使用單一氟源系列718而將F*提供至阱系列720與725兩者。操作及系統排列係與關於圖7A中所示之實施例所描述的排列相同。
以上實施例將需要使用多個阱來增加截獲效能且需要使用構件來清潔所沉積之副產物。在一替代實施例中，藉由將一氣體注入至阱而驅使副產物之反應完成。舉例而言，可為許多半導體過程添加氨氣以致使反應過程於阱內完成。以此方式，避免了泵及其他裝置組件之積垢。接著將氟提供至阱以清潔所沉積之副產物並將其自系統中移除。藉由於阱內使用反應性氣體，增加了截獲效能且避免了經由使用多個阱來延伸該阱之總長度之需要。
圖8中展示使用反應性氣體之根據本發明之一實施例，其中來自一處理腔室810之排氣係在經由真空泵830作為廢流840而退出系統之前經由一阱820來傳送以移除副產物。亦包含一反應性氣體源840及一氟源818。反應性氣體源840將諸如氨氣之反應性氣體提供至阱820，以便完成阱820內副產物之反應並將阱820之截獲效能增加至所要位準。接著將來自氟源818之氟提供至阱820，以自阱820蝕刻所沉積之副產物。如上文關於其他實施例所述，此實施例中所使用之組件可具有任何標準設計。
圖9A及圖9B展示使用兩個阱920及925之本發明之另外實施例，其係用於處理來自處理腔室910之排氣。當三通閥門915提供一構件以將排氣導向至阱920或925中之任一者時，提供兩個獨立阱會允許連續操作。在圖9A所示之實施例中，每一阱920與925均分別具有一反應性氣體源940與945、及分別與其相關聯之一氟源918與928。在圖9B所示之實施例中，單一反應性氣體源940及單一氟源918為阱920與925兩者服務。在操作中，當將諸如氨氣之反應性氣體提供至阱920時，將F＊
提供至阱925，且反之亦然。以此方式，當一阱正藉由利用反應性氣體來驅使反應完成而自排氣中移除副產物時，清潔另一阱之沉積物。所有氣體可接著通過真空泵930，並作為廢流940而到達系統外。如上文關於其他實施例所述，圖9A及圖9B中所示之組件可具有任何相同或不同的標準設計。另外，雖然展示完全獨立或完全共用之反應性氣體及氟源，但是其他排列亦係可能的。舉例而言，單一反應性氣體源可用於兩個阱，但可包含獨立氟源，一氟源係用於每一阱。或者，可使用獨立反應性氣體源，一反應性氣體源係用於每一阱，但可使用單一共用氟源。
在所有情況下，只有當處理腔室之時序序列在處理之間不允許充分時間用於阱清潔時，才需要並聯路徑。另外，在提供阱串聯之該等實施例中，阱之數目及組態僅需要為滿足所需之截獲效能所必需的數目及組態。諸如氨氣之反應性氣體之注入為阱串聯之供應提供一替代解決方法。所描述之實施例皆展示位於上流或單一泵前面之阱。然而，抽汲系統可包括以串聯或並聯組態之多個泵，且可將阱置放於所有泵之前或泵之間。另外，當使用並聯路徑時，可使用獨立泵，舉例而言，一泵可抽汲所處理之排氣，且第二泵可抽汲所蝕刻之副產物及清潔氣體。
本發明解決半導體處理系統之真空泵及其他裝置組件內與所沉積之副產物之積聚相關聯的問題。本發明使用阱而自一真空處理單元之排氣中移除大體上所有副產物，並因此避免系統之泵及其他組件之阻塞及潛在卡住或失效。另外，本發明提供用來清潔所累積之副產物之阱且或者允許半導體處理系統連續操作之構件。
根據前文描述，預期本發明之其他實施例及變化對於熟習此項技術者而言將變得顯而易見，且該等實施例及變化同樣意欲包含於如附加申請專利範圍中所陳述之本發明之範疇內。
10．．．熱阱
12．．．入口
14．．．出口
16．．．外部腔室
18．．．內部腔室
20．．．擋板
22．．．電加熱構件
210．．．處理腔室
220．．．熱阱/熱阱系列
230．．．真空泵
240．．．廢流
310．．．處理腔室
315．．．三通閥門
320．．．第一熱阱系列
325．．．第二熱阱系列
330．．．真空泵
340．．．廢流
410．．．處理腔室
418．．．氟源
420．．．熱阱/熱阱系列
430．．．真空泵
440．．．廢流
510．．．處理腔室
515．．．三通閥門
518．．．氟源
520．．．第一系列熱阱/熱阱
525．．．第二系列熱阱/熱阱
528．．．氟源
530．．．真空泵
540．．．廢物
610．．．處理腔室
618．．．氟源/氟源系列
620．．．阱/阱系列
630．．．真空泵
640．．．廢流
710．．．處理腔室
715．．．三通閥門
718．．．第一氟源串聯
720．．．第一阱串聯
725．．．第二阱串聯
728．．．第二氟源串聯
730．．．真空泵
740．．．廢流
810．．．處理腔室
818．．．氟源
820．．．阱
830．．．真空泵
840．．．廢流/反應性氣體源
910．．．處理腔室
918．．．氟源
920．．．阱
925．．．阱
928．．．氟源
930．．．真空泵
940．．．廢流/反應性氣體源
圖1為用於半導體處理系統之阱之示意圖。
圖2為展示使用多個串聯阱之本發明之一實施例之示意圖。
圖3為展示使用多個並聯阱之本發明之另一實施例之示意圖。
圖4為展示使用多個串聯阱且進一步包含氟源之本發明之另一實施例之示意圖。
圖5A為展示使用與一與每一阱系列相關聯之氟源系列之多個阱之本發明之另一實施例的示意圖。
圖5B為展示使用多個阱及可與每一阱系列操作之單一氟源串聯之本發明之另一實施例的示意圖。
圖6為展示使用多個串聯阱且具有一與每一阱相關聯之氟源之本發明之另一實施例的示意圖。
圖7A為展示使用多個串聯阱且具有一與每一串聯中之每一阱相關聯之氟源之本發明之另一實施例的示意圖。
圖7B為展示使用多個串聯阱且具有與每一阱系列相關聯之一氟源系列之本發明之另一實施例的示意圖。
圖8為展示使用單一阱且具有與該阱相關聯之一反應性氣體源及一氟源之本發明之另一實施例的示意圖。
圖9A為展示使用多個並聯阱且具有與每一阱相關聯之一反應性氣體源及一氟源之本發明之另一實施例的示意圖。
圖9B為展示使用多個並聯阱且具有與該等阱相關聯之單一反應性氣體源及單一氟源之本發明之另一實施例的示意圖。
210．．．處理腔室
220．．．熱阱/熱阱串聯
230．．．真空泵
240．．．廢流
Claims (2)
- 一種半導體處理系統，其包含：至少兩平行系列之阱，其用於自一真空處理單元之排氣流中移除大體上所有副產物，每一系列之阱包含至少一阱；一反應性氣體源，用以將反應性氣體提供至該阱以驅使該排氣內之該等副產物之反應於該阱內完成；及一氟源，用以將氟提供至該阱以自該阱蝕刻所累積之副產物，其中一單一反應性氣體源及一單一氟源共同地供應該至少兩平行系列之阱，且當該單一反應性氣體源提供反應性氣體至一系列之阱時，該單一氟源正在提供氟至另一系列之阱。
- 一種自一半導體處理單元之一排氣中移除副產物之方法，該方法包括：使該排氣通過包含至少一阱之一系列之阱；將一反應性氣體引入至該阱以驅使該排氣內之該等副產物的反應在該阱內完成；及將氟引入至該阱以自該阱蝕刻累積之副產物，其中該半導體處理單元包含至少兩平行系列之阱，以及一單一反應性氣體源及一單一氟源共同地供應該至少兩平行系列之阱，且當該單一反應性氣體源提供反應性氣體至一系列之阱時，該單一氟源正在提供氟至另一系列之阱。
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| DE102009055638A1 (de) * | 2009-11-25 | 2011-05-26 | Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh | Heißfallenanordnung |
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| DE202014007202U1 (de) | 2014-09-03 | 2014-11-24 | Lg Electronics Inc. | Wäschebehandlungsvorrichtung |
| KR102209205B1 (ko) * | 2019-08-21 | 2021-02-01 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정용 유로방향 전환식 반응부산물 포집장치 |
| KR102274459B1 (ko) | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 한국기계연구원 | 플라즈마 세정장치 및 이를 구비한 반도체 공정설비 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW463257B (en) * | 1998-11-27 | 2001-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
| US20040081607A1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-04-29 | Tokyo Electron Limited | Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1864104A (en) | 1930-05-29 | 1932-06-21 | A J Reach Company | Helmet |
| JPH073464A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-06 | Sony Corp | 排ガス処理装置 |
| JPH08176829A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Nec Kansai Ltd | 薄膜成長方法及び減圧ｃｖｄ装置 |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| JP3770718B2 (ja) | 1997-12-22 | 2006-04-26 | セントラル硝子株式会社 | フッ化アンモニウムの付着した基体のクリーニング方法 |
| JP4426671B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその洗浄方法 |
| JP4599701B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2010-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法 |
| JP2001189277A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Ebara Corp | 配管の洗浄方法及び装置 |
| JP2003045861A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Nec Kansai Ltd | 半導体製造装置 |
| US6770250B2 (en) * | 2001-09-24 | 2004-08-03 | Cooper Environmental Services | Apparatus and methods for removing mercury from fluid streams |
| US20040037768A1 (en) * | 2001-11-26 | 2004-02-26 | Robert Jackson | Method and system for on-site generation and distribution of a process gas |
| US20030121796A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-07-03 | Siegele Stephen H | Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility |
| JP4285108B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置、処理システム及び不純物除去方法 |
| JP2005142377A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | クリーニングガスのリサイクルシステム |
-
2005
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-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW463257B (en) * | 1998-11-27 | 2001-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
| US20040081607A1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-04-29 | Tokyo Electron Limited | Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas |
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