JP4939563B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
する炉に複数の原料ガスを混合して流し基板上に膜を形成するなどの処理を行なう。基板上に膜を形成すると、基板の他に炉内部にも膜が付着する。炉内部に付着する膜が累積されて厚くなって来ると、膜剥がれが生じ、異物発生の原因となることがある。
ても、SiN膜が形成されるようになってきた。ALD装置では、反応ガスとしてDCSガスと、プラズマによって活性化したNH3(以下、NH3プラズマ又はNH3ラジカルともいう)とが使われ、これら2つの反応ガスを交互に供給して一原子層ずつ成膜するようになっている。ALD装置を用いると、低温でありながら高温プロセスを要する熱CVD装置と同等以上の良質な膜を形成することができる。ただし、ALD装置でも、クリーニング後にプリ成膜して残留Fを除去しなければならない点は同じである。
反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造し、
前記反応ガスは、それぞれ専用の供給ノズルから反応容器内に供給され、
前記クリーニングガスに含まれた元素を除去する工程は、各専用供給ノズルから各反応ガスを交互に供給する工程を含み、なおかつ各専用供給ノズル内及び反応容器内に残留する前記元素の除去と、反応容器内の構成物表面に所望の膜の形成とを含む第1の半導体装置の製造方法が提供される。
記元素による成膜速度の低下がさらに防止され、さらに成膜量の安定した品質のよい半導体装置を製造することができる。
前記シリコンを含むガスは、DCS(SiH 2 Cl 2 )である第3の半導体装置の製造方法が提供される。
前記基板移載機54は前記カセット棚51のカセット57から下降状態の前記ボート2に複数枚一括、或は一枚ずつウェーハを移載する。
この工程はウェーハに所望の成膜処理を行なう本成膜工程である。ボートエレベータ55(図5参照)でシールキャップ17を介してボート2を下降させ、ボート2に多数枚のウェーハ1を保持し、ボートエレベータ55によりボート2を反応管11内に挿入する。シールキャップ17で反応管11の炉口を完全に密閉した後、反応管11内を排気口16から真空引きして排気する。反応管11内を所定温度、例えば400〜600℃に加熱し温度安定化をはかる。2つのバッファノズル34、44から原料ガスを反応室12内に供給しつつ排気口16より排出することにより、ウェーハ1表面に成膜処理する。
ボート2にウェーハ1を保持しない状態で、ボートエレベータ55によりボート2を反応管11内に挿入する。シールキャップ17で反応管11の炉口を完全に密閉した後、反応管11内を排気口16から真空引きして排気する。反応管内温度を例えば約610℃にする。第3バルブ37を開けてクリーニングガスとなるNF3ガスをDCS用バッファノズル44から反応室12内に噴射する。噴射するNF3ガス流量は例えば0.25〜1.5slmである。このとき反応管11の内部の真空排気はそのまま継続され、反応管11の内部の圧力は予め定めた圧力になるように、真空排気量が制御される。炉内の熱でNF3分子が活性化される。これにより炉内接ガス部となるDCS用バッファノズル44の内壁面、反応管11の内壁面、炉口部付近8の炉低温部、又はその他の接ガス部に付着した反応副生成物がエッチングされる。また、NH3用バッファノズル34内にもNF3ガスが入ってプラズマ生成ノズル部29内の反応副生成物がエッチングされる。エッチングされた反応副生成物は、排気口16から排出される。クリーニング時間は累積膜厚に依存するが、例えば0.75μm累積時は2h程度である。
後処理工程は、クリーニング工程の後に行なう工程であり、各バッファノズル34、44内、及び反応室12内に残留する元素Fを反応管11から除去する除去工程と、各バッファノズル34、44内、及び反応管11内の構成物表面に所望の膜を形成するプリ成膜工程とが含まれる。2つの除去工程及びプリ成膜工程は、別個の工程とすることもできるが、ALD法を用いると両工程を1つの工程で実施することができる。ALD法を用いた1つの工程で実現する場合のプリ成膜内容は、基本的には前述した成膜工程Aと同じであり、成膜工程Aと異なる点は、処理時間が例えば13min程度と短い点であり、この処理時間で例えば40サイクル程度の成膜処理を行うことで、後処理後に行われるウェーハ成膜の膜厚を安定させることができる。
NH3用バッファノズル34にNH3ガスが後処理用ガスとして供給される。すると、このNH3はプラズマにより活性化されるので、NH3用バッファノズル34のプラズマ生成ノズル部29内の壁面に吸着、結合して残留しているF成分は、活性化によりNH3から電離されたH原子と反応して、NH3用バッファノズル34内から排出されやすいHFガスとなる。HFガスはNH3用バッファノズル34から反応室12を通って反応管11の排気口16から排出される。また、プリ成膜時、意図的にNH3用バッファノズル34内にプリ成膜であるSiN膜を形成していないが、DCSガス供給時のガスの拡散作用により、NH3用バッファノズル34内に多少のDCSガスが流入するので、NH3用バッファノズル34内に多少のプリ成膜SiNが形成されると考えられる。したがってNH3用バッファノズル34内の壁面に吸着、結合して残留しているF成分は、これらの膜原料との反応や、膜の下への封じ込めにより、反応管内雰囲気から排除される。なお、NH3ラジカルが生成されないガス導入ノズル部28については、クリーニング時に、微量の窒素N2を流してF成分が混入しないようにしているので、特にNH3ラジカルによる除去とプリ成膜による抑え込みとを要さない。
DCS用バッファノズル44にDCSガスが後処理用ガスとして供給される。すると、このDCS(SiH2Cl2)ガスはSi−F結合を作りやすいので、DCS用バッファノズル44内の壁面に吸着、結合して残留しているF成分は、DCSガスと反応してSiF(フッ化シリコン)ガスとなる。このSiFガスはDCS用バッファノズル44から反応室12を通って反応管11の排気口16から排出される。また、プリ成膜時、意図的にDCS用バッファノズル44内にプリ成膜であるSiN膜を形成していないが、NH3ラジカル供給時のガスの拡散作用により、DCS用バッファノズル44内に多少のNH3ラジカルが流入するのでDCS用バッファノズル44内に多少のプリ成膜SiNが形成されると考えられる。したがって、DCS用バッファノズル44内の壁面に吸着、結合して残留しているF成分は、これらの膜原料との反応や、膜の下への封じ込めにより反応管内雰囲気から排除される。
炉口部付近8の炉低温部に吸着、結合して残留しているF成分にも、NH3用バッファノズル34から反応室12内に供給されるNH3ラジカルはFとの反応確率が高いため、特に有効に作用し、F成分はHFになって反応管11から排出される。また、各バッファノズル34、44からNH3ラジカルとDCSガスとが交互に反応管11内に供給されることで炉低温部に形成されるプリ成膜によっても、壁面に吸着、結合して残留しているF成分を膜の下に封じ込めて、反応管11内の雰囲気から排除される。
上記以外の炉内の接ガス部は、プリ成膜の形成、DCSガス又はNH3ラジカルとの反応によるF成分の揮発化によって、壁面に吸着、結合して残留しているF成分を抑えこみ、かつ除去させることができる。
その結果、本発明は、ALD(Atomic Layer Deposition)法によっても、半導体基板に成膜を行う基板処理装置に特に好適に利用できる。
2 ボート
3 天板
4 底板間
5 支柱
6 溝
7 石英キャップ
8 炉口部付近
10 縦型反応炉
11 石英製円筒反応管
12 反応室
13 管内壁
14 ヒータ
16 排気口
17 シールキャップ
18 Oリング
19 回転軸
20 NH3ガス導入口
21 DCSガス導入口
22 NH3ガス導入管
23 DCSガス導入管
23A DCSガス導入管
23B、23C ガス導入管
25 電極保護管
26 隔壁
27 プラズマ電極
28 ガス導入ノズル部22
29 プラズマ生成ノズル部
30 連通口
31 高周波電源
32 整合器
33 プラズマ生成領域
34 NH3用バッファノズル
35 第1バルブ
36 第2バルブ
37 第3バルブ
38 第4バルブ
39 第5バルブ
40 プラズマ
41 バッファタンク
42 NH3ガス
43 第6バルブ
44 DCS用バッファノズル
45 噴出孔
46 プラズマ生成領域
47 噴出孔
48 プラズマ非生成領域
49 カセット授受ユニット
50 基板処理装置
51 カセット棚
52 予備カセット棚
53 カセット搬送機
54 基板移載機
55 ボートエレベータ
57 カセット
58 カセットステージ
59 基板姿勢整合機
60 ロボットアーム
61 アーム
62 ウェーハ保持部
63 ウェーハ保持プレート
70 ガス供給手段
70A 第1のガス供給手段(NH3ガス供給手段)
70B 第2のガス供給手段(DCSガス供給手段)
71 クリーニングガス供給系
72 後処理用ガス供給系
100 制御装置
Claims (4)
- 反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造し、
前記反応ガスは、それぞれ専用の供給ノズルから反応容器内に供給され、
前記クリーニングガスに含まれた元素を除去する工程は、各専用供給ノズルから各反応ガスを交互に供給する工程を含み、なおかつ各専用供給ノズル内及び反応容器内に残留する前記元素の除去と、反応容器内の構成物表面に所望の膜の形成とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
複数の前記反応ガスはシリコンを含むガスと、アンモニアガスとであり、
前記シリコンを含むガスは、DCS(SiH 2 Cl 2 )であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記クリーニングガスはフッ素を含むガスであって、前記クリーニングガスはシリコンを含むガスを供給する供給ノズルから反応容器内に供給し、
前記シリコンを含むガスは、DCS(SiH 2 Cl 2 )であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記クリーニングガスの供給後、基板処理を行う前に、前記反応ガスを供給する時の前記反応容器内の温度を、前記クリーニング時の前記反応容器内の温度より低く設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
KR100829327B1 (ko) * | 2002-04-05 | 2008-05-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반응 용기 |
US20060124058A1 (en) * | 2002-11-11 | 2006-06-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing device |
KR101025323B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2011-03-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 에칭 장치 및 에칭 방법 |
CN100539026C (zh) * | 2004-06-28 | 2009-09-09 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
KR100587691B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조용 확산설비 |
JPWO2006049225A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2008-05-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US7205187B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor |
CN101032006A (zh) * | 2005-02-17 | 2007-09-05 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法以及衬底处理装置 |
WO2006118161A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および電極部材 |
JP4827237B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-11-30 | Sumco Techxiv株式会社 | エピタキシャル成長装置及びノズルの生成物除去方法 |
US7494943B2 (en) * | 2005-10-20 | 2009-02-24 | Tokyo Electron Limited | Method for using film formation apparatus |
JPWO2007111348A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2009-08-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
JP4464949B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-05-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び選択エピタキシャル膜成長方法 |
JP5082595B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP4978355B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2012-07-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 成膜装置及びそのコーティング方法 |
US20120122319A1 (en) * | 2007-09-19 | 2012-05-17 | Hironobu Shimizu | Coating method for coating reaction tube prior to film forming process |
JP5568212B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2014-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP5113705B2 (ja) * | 2007-10-16 | 2013-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
JP5383332B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5423205B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5658463B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5257328B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5346904B2 (ja) | 2009-11-27 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型成膜装置およびその使用方法 |
JP5575299B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
JP5553588B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2011171468A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
JP6108518B2 (ja) | 2011-10-20 | 2017-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラム |
US10006146B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-06-26 | Kookje Electric Korea Co., Ltd. | Cluster apparatus for treating substrate |
JP6011420B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置の運転方法、縦型熱処理装置及び記憶媒体 |
JP6167673B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US9745658B2 (en) * | 2013-11-25 | 2017-08-29 | Lam Research Corporation | Chamber undercoat preparation method for low temperature ALD films |
JP6302082B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2018-03-28 | ピコサン オーワイPicosun Oy | Aldコーティングによるガスコンテナ内部の保護 |
JP5888820B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2016-03-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、クリーニング方法及び半導体装置の製造方法 |
US9828672B2 (en) | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
SG11201808114VA (en) | 2016-03-28 | 2018-10-30 | Kokusai Electric Corp | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
CN110121763B (zh) | 2017-02-23 | 2023-12-26 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 |
JP6863107B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2021-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法及び記憶媒体 |
JP6749287B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-09-02 | 株式会社東芝 | 処理システム |
KR20200086750A (ko) | 2017-12-07 | 2020-07-17 | 램 리써치 코포레이션 | 챔버 내 산화 내성 보호 층 컨디셔닝 |
US10760158B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
JP6785809B2 (ja) * | 2018-02-22 | 2020-11-18 | 株式会社Kokusai Electric | 処理容器内の部材をクリーニングする方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2726414B2 (ja) | 1987-03-04 | 1998-03-11 | 株式会社東芝 | ケイ素系薄膜の製造方法 |
JPH01204434A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Nec Corp | 絶縁薄膜の製造方法 |
JP2809817B2 (ja) | 1990-05-15 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 気相成長法による薄膜の形成方法 |
JP3150408B2 (ja) * | 1992-03-16 | 2001-03-26 | 株式会社東芝 | Cvd装置のプラズマ・クリーニング後処理方法 |
US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
JPH0799744B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1995-10-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜形成方法 |
JP2837087B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-12-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜形成方法 |
JP3297958B2 (ja) * | 1994-03-04 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 薄膜形成方法 |
JP3593363B2 (ja) | 1994-08-10 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 半導体薄膜を具備するアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法 |
JPH08193271A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Aneruba Kk | その場クリーニング処理後の予備的処理完了点検出装置および完了点検出法 |
JP3571404B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2004-09-29 | アネルバ株式会社 | プラズマcvd装置及びその場クリーニング後処理方法 |
US5824375A (en) * | 1996-10-24 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean |
US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
TW460943B (en) * | 1997-06-11 | 2001-10-21 | Applied Materials Inc | Reduction of mobile ion and metal contamination in HDP-CVD chambers using chamber seasoning film depositions |
KR100253089B1 (ko) * | 1997-10-29 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 및 이의 구동방법, 그 공정챔버 세정공정 레시피 최적화방법 |
JP3112880B2 (ja) * | 1998-02-06 | 2000-11-27 | 鹿児島日本電気株式会社 | Cvd装置のクリーニング方法 |
US6383300B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
KR100331544B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
JP3562997B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2004-09-08 | シャープ株式会社 | 成膜方法 |
JP2001123271A (ja) | 1999-10-25 | 2001-05-08 | Hitachi Ltd | プラズマcvd装置のプリコート方法 |
JP2001172768A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-26 | Hitachi Ltd | プラズマcvd装置 |
JP4233724B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2009-03-04 | 株式会社デンソー | 薄膜の形成方法 |
JP4703810B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Cvd成膜方法 |
JP2001284340A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
KR20010096229A (ko) * | 2000-04-18 | 2001-11-07 | 황 철 주 | 반도체 소자의 극박막 형성장치 및 그 형성방법 |
TW522475B (en) * | 2000-05-12 | 2003-03-01 | Applied Materials Inc | Method for improving chemical vapor deposition processing |
KR100444149B1 (ko) | 2000-07-22 | 2004-08-09 | 주식회사 아이피에스 | Ald 박막증착설비용 클리닝방법 |
WO2002023614A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation d'un film d'isolant de grille, appareil pour la formation d'un film d'isolant de grille et outil combine |
JP2002110565A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Sony Corp | プラズマ処理装置及び処理方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP4138269B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2008-08-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
US6828218B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a thin film using atomic layer deposition |
JP2003045864A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US6656282B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Moohan Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma |
JP2003229425A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20040058359A1 (en) * | 2002-05-29 | 2004-03-25 | Lin Mei | Erbin as a negative regulator of Ras-Raf-Erk signaling |
JP2004047660A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Hitachi Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
US20060124058A1 (en) * | 2002-11-11 | 2006-06-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing device |
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