JP2001172768A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JP2001172768A JP2001172768A JP35549599A JP35549599A JP2001172768A JP 2001172768 A JP2001172768 A JP 2001172768A JP 35549599 A JP35549599 A JP 35549599A JP 35549599 A JP35549599 A JP 35549599A JP 2001172768 A JP2001172768 A JP 2001172768A
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- cleaning
- reaction chamber
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマＣＶＤ装置において、ＮＦ3 ガスクリ
ーニングレートの高速化を図る事により、高いスループ
ットを有するプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】クリーニングガスの供給ノズル２３を排気
口２４と対向する反応室１の上部に設ける事により、壁
面堆積膜のクリーニングにより発生するＳｉＦ4 などの
反応生成物を速やかに排気し、活性なＦラジカル等を上
チャンバ２壁面近傍に供給し、高クリーニングレートに
よるクリーニング時間の短縮で、高スループットのプラ
ズマＣＶＤ装置を実現できると言う効果がある。
ーニングレートの高速化を図る事により、高いスループ
ットを有するプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】クリーニングガスの供給ノズル２３を排気
口２４と対向する反応室１の上部に設ける事により、壁
面堆積膜のクリーニングにより発生するＳｉＦ4 などの
反応生成物を速やかに排気し、活性なＦラジカル等を上
チャンバ２壁面近傍に供給し、高クリーニングレートに
よるクリーニング時間の短縮で、高スループットのプラ
ズマＣＶＤ装置を実現できると言う効果がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ(C
hemical Vapor Deposition）装置に関し、特に、マイク
ロ波プラズマおよびＲＦプラズマを用いて成膜し、反応
室内の壁面堆積物を除去するクリーニング機能を備えた
高密度プラズマＣＶＤ装置のクリーニングガスの反応室
内への導入に関する。
hemical Vapor Deposition）装置に関し、特に、マイク
ロ波プラズマおよびＲＦプラズマを用いて成膜し、反応
室内の壁面堆積物を除去するクリーニング機能を備えた
高密度プラズマＣＶＤ装置のクリーニングガスの反応室
内への導入に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置で発生する異物（パーテ
ィクル）は、歩留まりや装置稼働率を低下させる大きな
要因となっている。例えば、プラズマＣＶＤ装置はシリ
コンウエハやその他の基板に薄膜を成長させるために用
いられる。この装置を用いてウエハ等の基板表面に薄膜
を成長させる過程において、薄膜は基板以外の反応室の
内壁面にも成長する。この薄膜は、膜の種類（ＳｉＯ
2 ，Ｓｉ3Ｎ4，poly−Ｓｉなど）により異なるが、一定
の厚さ（数〜数十μｍ）まで堆積すると、膜自身の内部
応力により膜に亀裂が発生して壁面より剥離する。この
剥離の程度は、膜が堆積する壁面形状、表面処理や材質
により大きく異なる。この様な現象で発生した剥離物が
ウエハ表面に付着すると異物となり、半導体素子回路の
断線や短絡を引き起こし、製造不良の大きな原因とな
る。従って、この様な現象が起こる前に、反応室内壁面
に堆積した膜を除去しなければならない。
ィクル）は、歩留まりや装置稼働率を低下させる大きな
要因となっている。例えば、プラズマＣＶＤ装置はシリ
コンウエハやその他の基板に薄膜を成長させるために用
いられる。この装置を用いてウエハ等の基板表面に薄膜
を成長させる過程において、薄膜は基板以外の反応室の
内壁面にも成長する。この薄膜は、膜の種類（ＳｉＯ
2 ，Ｓｉ3Ｎ4，poly−Ｓｉなど）により異なるが、一定
の厚さ（数〜数十μｍ）まで堆積すると、膜自身の内部
応力により膜に亀裂が発生して壁面より剥離する。この
剥離の程度は、膜が堆積する壁面形状、表面処理や材質
により大きく異なる。この様な現象で発生した剥離物が
ウエハ表面に付着すると異物となり、半導体素子回路の
断線や短絡を引き起こし、製造不良の大きな原因とな
る。従って、この様な現象が起こる前に、反応室内壁面
に堆積した膜を除去しなければならない。
【０００３】その方法として一般に、ＣＦ4 やＮＦ3 ガ
スなどを用いたプラズマクリーニング方法が用いられて
いる。このプラズマクリーニングに関しては、装置スル
ープットの観点から、そのクリーニングレートの高いこ
とが望ましい。クリーニングレートを高速化するために
は、反応室壁面への高周波の印加方法やガス供給位置な
どのハード面と高周波印加パワー，ガス量，圧力等のク
リーニング条件の最適化が必要である。
スなどを用いたプラズマクリーニング方法が用いられて
いる。このプラズマクリーニングに関しては、装置スル
ープットの観点から、そのクリーニングレートの高いこ
とが望ましい。クリーニングレートを高速化するために
は、反応室壁面への高周波の印加方法やガス供給位置な
どのハード面と高周波印加パワー，ガス量，圧力等のク
リーニング条件の最適化が必要である。
【０００４】クリーニングガスは壁面堆積膜のクリーニ
ング（エッチング）により発生した反応副生成物が速や
かに排気できる様な位置から供給する事が望ましい。そ
の理由は、反応副生成物が速やかに排気されないと活性
なクリーニングガスが壁面に供給され難くなりクリーニ
ングレートが低下するためである。
ング（エッチング）により発生した反応副生成物が速や
かに排気できる様な位置から供給する事が望ましい。そ
の理由は、反応副生成物が速やかに排気されないと活性
なクリーニングガスが壁面に供給され難くなりクリーニ
ングレートが低下するためである。
【０００５】公知例の特開平9−266096 号公報に示す反
応室内に複数のマイクロ波導入窓からマイクロ波を導入
すると共に、基板電極に高周波を印加して基板電極に載
置したウエハなどに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置
では、クリーニングガスを排気口に近い反応室の下方か
ら供給している。そのために、反応室上部に発生した反
応副生成物が排出され難く活性なクリーニングガスが壁
面近傍に供給され難いのでクリーニングレートが低くな
ると言う問題がある。また、成膜ガスとは別系統のクリ
ーニングガスの供給ラインを必要とするため、ガス供給
系統が複雑になると言う問題もある。
応室内に複数のマイクロ波導入窓からマイクロ波を導入
すると共に、基板電極に高周波を印加して基板電極に載
置したウエハなどに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置
では、クリーニングガスを排気口に近い反応室の下方か
ら供給している。そのために、反応室上部に発生した反
応副生成物が排出され難く活性なクリーニングガスが壁
面近傍に供給され難いのでクリーニングレートが低くな
ると言う問題がある。また、成膜ガスとは別系統のクリ
ーニングガスの供給ラインを必要とするため、ガス供給
系統が複雑になると言う問題もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、（１）
クリーニングガスを排気口に近い反応室の下方から供給
しているために、反応室上部に発生した反応副生成物が
排出され難く活性なクリーニングガスが壁面近傍に供給
され難いのでレートが低くなると言う問題がある。ま
た、（２）成膜ガスとは別系統のクリーニングガスの供
給ラインを必要とするためにガス供給系統が複雑になる
と言う問題もある。
クリーニングガスを排気口に近い反応室の下方から供給
しているために、反応室上部に発生した反応副生成物が
排出され難く活性なクリーニングガスが壁面近傍に供給
され難いのでレートが低くなると言う問題がある。ま
た、（２）成膜ガスとは別系統のクリーニングガスの供
給ラインを必要とするためにガス供給系統が複雑になる
と言う問題もある。
【０００７】本発明は、この問題点を回避すべくなされ
たもので、その目的は、（１）クリーニングガスの供給
位置と反応室排気口位置との関係を最適化する事により
クリーニングガスが壁面近傍に供給され易くする。
（２）クリーニングガスの供給に成膜ガスの供給ライン
を用いる。これらの事によりクリーニングレートの高速
化とガス供給系統の単純化を図り、高スループットで安
価なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
たもので、その目的は、（１）クリーニングガスの供給
位置と反応室排気口位置との関係を最適化する事により
クリーニングガスが壁面近傍に供給され易くする。
（２）クリーニングガスの供給に成膜ガスの供給ライン
を用いる。これらの事によりクリーニングレートの高速
化とガス供給系統の単純化を図り、高スループットで安
価なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、 （１）クリーニングガスの供給を排気口と対向する反応
室上部から行うためのガスノズルを設ける。
に、 （１）クリーニングガスの供給を排気口と対向する反応
室上部から行うためのガスノズルを設ける。
【０００９】（２）成膜用ガスの供給ラインからクリー
ニングガスの供給を行う様にする。
ニングガスの供給を行う様にする。
【００１０】（３）複数の成膜ガス供給ラインを有する
場合、クリーニングガスの供給を反応室の排気口から最
も離れた位置の成膜用ガスの供給ラインを用いる様にす
る。
場合、クリーニングガスの供給を反応室の排気口から最
も離れた位置の成膜用ガスの供給ラインを用いる様にす
る。
【００１１】（４）複数の成膜ガス供給ラインを有する
場合、クリーニングガスの供給を成膜ガスの供給ライン
のうち、酸素やアルゴンガス等のそれ自身では反応物を
生成しない成膜ガスの供給ラインを用いる様にする。
場合、クリーニングガスの供給を成膜ガスの供給ライン
のうち、酸素やアルゴンガス等のそれ自身では反応物を
生成しない成膜ガスの供給ラインを用いる様にする。
【００１２】（５）ガス供給口を反応室排気口から最も
離れた反応室壁面近傍に設ける。
離れた反応室壁面近傍に設ける。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１４】（第１実施形態）本発明の第１実施形態の
プラズマＣＶＤ装置を図１から図３を用いて説明する。
図１及び図３は反応室１の側断面の形状を示した側断面
図、図２はこの実施形態におけるプロセスの流れを示す
説明図である。
プラズマＣＶＤ装置を図１から図３を用いて説明する。
図１及び図３は反応室１の側断面の形状を示した側断面
図、図２はこの実施形態におけるプロセスの流れを示す
説明図である。
【００１５】反応室１は、Ａｌ合金（Ａ５０５２）製の
上チャンバ２，下チャンバ３により形成され、上チャン
バ２と下チャンバ３は絶縁材６により互いに絶縁されて
いる。上チャンバ２にはＯ2 等の成膜用ガスを導入する
ためのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製等のガスノズル４が複数
本、ＮＦ3 ガス等のクリーニングガスを導入するための
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製等のガスノズル２３が複数本、
μ波を導入するためのμ波導入窓５（石英製等）が数箇
所設けられている。この窓にμ波を導くための導波管１
８が接続されている。その先にはμ波を生成するための
μ波発振器１９（周波数２.４５ＧＨｚ）が取り付けら
れている。
上チャンバ２，下チャンバ３により形成され、上チャン
バ２と下チャンバ３は絶縁材６により互いに絶縁されて
いる。上チャンバ２にはＯ2 等の成膜用ガスを導入する
ためのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製等のガスノズル４が複数
本、ＮＦ3 ガス等のクリーニングガスを導入するための
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製等のガスノズル２３が複数本、
μ波を導入するためのμ波導入窓５（石英製等）が数箇
所設けられている。この窓にμ波を導くための導波管１
８が接続されている。その先にはμ波を生成するための
μ波発振器１９（周波数２.４５ＧＨｚ）が取り付けら
れている。
【００１６】さらに、上チャンバ２の壁面にＲＦパワー
が印加できる様に、マッチングボックス７とＲＦ電源８
(周波数１３.５６ＭＨｚ）が接続されている。また、上
チャンバ２の外表面には、μ波導入窓５の出口近傍にＥ
ＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）領域を形成して電子密
度を上げ、イオン，ラジカルの生成を促し、高密度なプ
ラズマを生成するためと反応室１に生成されたプラズマ
をカスプ磁場により閉じ込めるための永久磁石２０が複
数個配置してある。
が印加できる様に、マッチングボックス７とＲＦ電源８
(周波数１３.５６ＭＨｚ）が接続されている。また、上
チャンバ２の外表面には、μ波導入窓５の出口近傍にＥ
ＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）領域を形成して電子密
度を上げ、イオン，ラジカルの生成を促し、高密度なプ
ラズマを生成するためと反応室１に生成されたプラズマ
をカスプ磁場により閉じ込めるための永久磁石２０が複
数個配置してある。
【００１７】下チャンバ３にはＳｉＨ4 ，Ａｒ等の成膜
ガスを導入するためのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製等のガス
ノズル９が周方向に複数本設けられ、下部には排気口２
４が設けられターボ分子ポンプ１０が取り付けられてい
る。ターボ分子ポンプ１０の先には、容積型等の粗引き
真空ポンプ１１とガス処理装置１２が接続されている。
また、下チャンバ３はアースされている。反応室１内に
は、成膜処理用のウエハ１３を吸着するための静電吸着
装置１４を組み込んだ基板電極１５が設置されている。
基板電極１５には、ＲＦパワーが印加できる様に、マッ
チングボックス１６とＲＦ電源１７が接続されている。
ウエハ１３はプラズマからの入熱だけでなくイオンの入
射、および反応熱などにより加熱される。ウエハ１３の
温度は膜質，成膜レートなどに大きな影響があるのでウ
エハ１３の温度制御が必要である。この制御をウエハ１
３と静電吸着装置１４との空隙部に流すヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスの圧力で行う構造になっている。
ガスを導入するためのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製等のガス
ノズル９が周方向に複数本設けられ、下部には排気口２
４が設けられターボ分子ポンプ１０が取り付けられてい
る。ターボ分子ポンプ１０の先には、容積型等の粗引き
真空ポンプ１１とガス処理装置１２が接続されている。
また、下チャンバ３はアースされている。反応室１内に
は、成膜処理用のウエハ１３を吸着するための静電吸着
装置１４を組み込んだ基板電極１５が設置されている。
基板電極１５には、ＲＦパワーが印加できる様に、マッ
チングボックス１６とＲＦ電源１７が接続されている。
ウエハ１３はプラズマからの入熱だけでなくイオンの入
射、および反応熱などにより加熱される。ウエハ１３の
温度は膜質，成膜レートなどに大きな影響があるのでウ
エハ１３の温度制御が必要である。この制御をウエハ１
３と静電吸着装置１４との空隙部に流すヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスの圧力で行う構造になっている。
【００１８】図２は、この実施形態における処理プロセ
スの流れを示す説明図である。図２に示すように、処理
プロセスは複数回のウエハ成膜処理後 ⇒ クリーニン
グ⇒ プリコート ⇒ 成膜 ⇒ クリーニングと順次
繰り返す事になる。複数回の成膜処理を繰返すと、次第
に、反応室１の内壁面や基板電極１５の表面に反応副生
成物による膜が堆積し、一定の厚さを超えると、膜自身
の内部応力により堆積膜に亀裂が発生し、最悪の場合に
は、これが壁面から剥離して、ウエハ１３表面に付着
し、半導体素子配線の短絡や断線を引き起こして、製造
不良になり、生産効率を低下させる。そのため、この様
な現象が発生する前に、反応室１内の堆積膜を除去する
ためのクリーニングを行い、引き続き、クリーニングに
よる異物多発を防止するためのプリコートを行う。以
下、それぞれの具体的な方法を説明する。
スの流れを示す説明図である。図２に示すように、処理
プロセスは複数回のウエハ成膜処理後 ⇒ クリーニン
グ⇒ プリコート ⇒ 成膜 ⇒ クリーニングと順次
繰り返す事になる。複数回の成膜処理を繰返すと、次第
に、反応室１の内壁面や基板電極１５の表面に反応副生
成物による膜が堆積し、一定の厚さを超えると、膜自身
の内部応力により堆積膜に亀裂が発生し、最悪の場合に
は、これが壁面から剥離して、ウエハ１３表面に付着
し、半導体素子配線の短絡や断線を引き起こして、製造
不良になり、生産効率を低下させる。そのため、この様
な現象が発生する前に、反応室１内の堆積膜を除去する
ためのクリーニングを行い、引き続き、クリーニングに
よる異物多発を防止するためのプリコートを行う。以
下、それぞれの具体的な方法を説明する。
【００１９】（１）成膜方法 図１を用いて上記構成装置での成膜方法について説明す
る。先ず、搬送室（図示せず）を経由して、ターボ分子
ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力調整され
た反応室１内にウエハ１３を導入し、基板電極１５上に
載置すると共に、静電吸着装置１４に電圧を印加する事
により、静電気力でウエハ１３を吸着する。この状態
で、例えば、ガスノズル４から酸素ガスを、ガスノズル
９からＡｒとＳｉＨ4 ガスをマスフローコントローラを
用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポンプ１
０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数ミリから数十Ｐａ
に反応室１内の圧力を調整する。
る。先ず、搬送室（図示せず）を経由して、ターボ分子
ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力調整され
た反応室１内にウエハ１３を導入し、基板電極１５上に
載置すると共に、静電吸着装置１４に電圧を印加する事
により、静電気力でウエハ１３を吸着する。この状態
で、例えば、ガスノズル４から酸素ガスを、ガスノズル
９からＡｒとＳｉＨ4 ガスをマスフローコントローラを
用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポンプ１
０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数ミリから数十Ｐａ
に反応室１内の圧力を調整する。
【００２０】この様にして、μ波導入窓５から数百から
数Ｋｗのμ波を導入すると、ＥＣＲ領域で生成された多
数の電子がＯ2 ，Ａｒ，ＳｉＨ4 をプラズマ化し、これ
により生成されたＳｉＨ4 の分解物であるＳｉＨ3 と酸
素等がウエハ１３の表面で反応する事により、ウエハ１
３にＳｉＯ2 膜が堆積する。また、同時に基板電極１５
にＲＦ電源１７とマッチングボックス１６を用いて、数
百から数ＫｗのＲＦパワーを印加すると、ウエハ１３表
面とプラズマ間にプラズマシースが形成され、バイアス
電圧（マイナス数十から数千ボルト）が発生するため
に、導入ガスのプラズマ化により生成されたイオン（特
にＡｒ）が電界によりウエハ１３表面に入射する。
数Ｋｗのμ波を導入すると、ＥＣＲ領域で生成された多
数の電子がＯ2 ，Ａｒ，ＳｉＨ4 をプラズマ化し、これ
により生成されたＳｉＨ4 の分解物であるＳｉＨ3 と酸
素等がウエハ１３の表面で反応する事により、ウエハ１
３にＳｉＯ2 膜が堆積する。また、同時に基板電極１５
にＲＦ電源１７とマッチングボックス１６を用いて、数
百から数ＫｗのＲＦパワーを印加すると、ウエハ１３表
面とプラズマ間にプラズマシースが形成され、バイアス
電圧（マイナス数十から数千ボルト）が発生するため
に、導入ガスのプラズマ化により生成されたイオン（特
にＡｒ）が電界によりウエハ１３表面に入射する。
【００２１】これにより、ウエハ１３表面に堆積される
ＳｉＯ2 膜がＡｒイオンでスパッタされる。この様にす
る事により、Ａｌ配線等の段差部にＳｉＯ2 膜をボイド
（空隙）なしに成膜できる。所望の膜厚を堆積させた
後、ガス導入，μ波，ＲＦの印加を停止した後、静電吸
着装置の印加電圧をＯＦＦにして、反応室１外に搬出す
る。
ＳｉＯ2 膜がＡｒイオンでスパッタされる。この様にす
る事により、Ａｌ配線等の段差部にＳｉＯ2 膜をボイド
（空隙）なしに成膜できる。所望の膜厚を堆積させた
後、ガス導入，μ波，ＲＦの印加を停止した後、静電吸
着装置の印加電圧をＯＦＦにして、反応室１外に搬出す
る。
【００２２】（２）クリーニング方法 次に、図３を用いてクリーニング方法について説明す
る。先ず、搬送室（図示せず）を経由して、ターボ分子
ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力調整され
た反応室１内に静電吸着装置１４の表面をプラズマから
保護するためのアルミナ製などのカバーウエハ２２を導
入して基板電極１５上に設置する。この様にして、ガス
ノズル２３からＮＦ3 ガスをマスフローコントローラを
用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポンプ１
０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数から数千Ｐａに反
応室１内の圧力を調整すると共に、上チャンバ２にＲＦ
電源８及びマッチングボックス７を用いて数百から数Ｋ
ｗのＲＦパワーを印加することにより、反応室１内にＮ
Ｆ3 プラズマを生成する。ＮＦ3 ガスの分解で生成した
Ｆラジカル，ＦイオンがＳｉＯ2 膜のＳｉと反応し、Ｓ
ｉＦ4 などのガスとなって排出される事により壁面の堆
積膜がクリーニング（エッチング）される。
る。先ず、搬送室（図示せず）を経由して、ターボ分子
ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力調整され
た反応室１内に静電吸着装置１４の表面をプラズマから
保護するためのアルミナ製などのカバーウエハ２２を導
入して基板電極１５上に設置する。この様にして、ガス
ノズル２３からＮＦ3 ガスをマスフローコントローラを
用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポンプ１
０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数から数千Ｐａに反
応室１内の圧力を調整すると共に、上チャンバ２にＲＦ
電源８及びマッチングボックス７を用いて数百から数Ｋ
ｗのＲＦパワーを印加することにより、反応室１内にＮ
Ｆ3 プラズマを生成する。ＮＦ3 ガスの分解で生成した
Ｆラジカル，ＦイオンがＳｉＯ2 膜のＳｉと反応し、Ｓ
ｉＦ4 などのガスとなって排出される事により壁面の堆
積膜がクリーニング（エッチング）される。
【００２３】本実施形態では、クリーニングガスの供給
ノズルが排気口２４と対向する反応室１の上部に設けて
あるため、壁面堆積膜のクリーニングにより発生するＳ
iＦ4などの反応生成物が速やかに排気されると共に活性
なＦラジカル，Ｆイオンが上チャンバ２壁面近傍に供給
されるので高クリーニングレートが実現できる。これに
より、クリーニング時間が短縮でき、高スループットの
プラズマＣＶＤ装置を実現できると言う効果がある。
ノズルが排気口２４と対向する反応室１の上部に設けて
あるため、壁面堆積膜のクリーニングにより発生するＳ
iＦ4などの反応生成物が速やかに排気されると共に活性
なＦラジカル，Ｆイオンが上チャンバ２壁面近傍に供給
されるので高クリーニングレートが実現できる。これに
より、クリーニング時間が短縮でき、高スループットの
プラズマＣＶＤ装置を実現できると言う効果がある。
【００２４】（３）プリコート方法 上記の様にして反応室１壁面に堆積した反応副生成物を
除去している。この際、反応副生成物の堆積分布とクリ
ーニングによる堆積膜のエッチング分布が異なるため、
反応室壁面の堆積物を全面除去すると初期段階で膜が除
去された部分では、壁面自体がエッチングされるいわゆ
るオーバエッチが発生する。そのため、クリーニング終
了直後の成膜では、（１）反応室１内壁面が粗面で、内
壁面にクリーニングによる反応生成物やガス吸着が残る
ため、膜剥れ等による異物が多発する。（２）また、ク
リーニング直後は導電性の壁面が露出するために、プラ
ズマにより生成された多量の電子が反応室１の壁面の絶
縁膜に蓄積されると導電性の壁面と絶縁膜との間の電位
差により堆積膜が絶縁破壊して異物が多発する。これら
の事を防止するために、クリーニング直後に反応室１内
壁面にプリコートする。
除去している。この際、反応副生成物の堆積分布とクリ
ーニングによる堆積膜のエッチング分布が異なるため、
反応室壁面の堆積物を全面除去すると初期段階で膜が除
去された部分では、壁面自体がエッチングされるいわゆ
るオーバエッチが発生する。そのため、クリーニング終
了直後の成膜では、（１）反応室１内壁面が粗面で、内
壁面にクリーニングによる反応生成物やガス吸着が残る
ため、膜剥れ等による異物が多発する。（２）また、ク
リーニング直後は導電性の壁面が露出するために、プラ
ズマにより生成された多量の電子が反応室１の壁面の絶
縁膜に蓄積されると導電性の壁面と絶縁膜との間の電位
差により堆積膜が絶縁破壊して異物が多発する。これら
の事を防止するために、クリーニング直後に反応室１内
壁面にプリコートする。
【００２５】図１を用いてプリコート方法について説明
する。先ず、搬送室（図示せず）を経由して、ターボ分
子ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力調整さ
れた反応室１内にウエハ１３を導入し、基板電極１５上
に設置すると共に、静電吸着装置１４に電圧を印加する
事により、静電気力でウエハ１３を吸着する。この状態
で、例えば、ガスノズル４から酸素ガスを、ガスノズル
９からＡｒとＳｉＨ4ガスをマスフローコントローラを
用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポンプ１
０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数ミリから数十Ｐａ
に反応室１内の圧力を調整する。この様にして、μ波導
入窓５から数百から数Ｋｗのμ波を導入すると、ＥＣＲ
領域で生成された多数の電子がＯ2 ，Ａｒ，ＳｉＨ4 を
プラズマ化し、これにより生成されたＳｉＨ4 の分解物
であるＳｉＨ3 と酸素等が反応する事により、反応室１
内壁面にＳｉＯ2 膜を堆積させる。所望の膜厚を堆積さ
せた後、ガス導入，μ波の印加を停止した後、静電吸着
装置の印加電圧をＯＦＦにして、反応室１外に搬出す
る。
する。先ず、搬送室（図示せず）を経由して、ターボ分
子ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力調整さ
れた反応室１内にウエハ１３を導入し、基板電極１５上
に設置すると共に、静電吸着装置１４に電圧を印加する
事により、静電気力でウエハ１３を吸着する。この状態
で、例えば、ガスノズル４から酸素ガスを、ガスノズル
９からＡｒとＳｉＨ4ガスをマスフローコントローラを
用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポンプ１
０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数ミリから数十Ｐａ
に反応室１内の圧力を調整する。この様にして、μ波導
入窓５から数百から数Ｋｗのμ波を導入すると、ＥＣＲ
領域で生成された多数の電子がＯ2 ，Ａｒ，ＳｉＨ4 を
プラズマ化し、これにより生成されたＳｉＨ4 の分解物
であるＳｉＨ3 と酸素等が反応する事により、反応室１
内壁面にＳｉＯ2 膜を堆積させる。所望の膜厚を堆積さ
せた後、ガス導入，μ波の印加を停止した後、静電吸着
装置の印加電圧をＯＦＦにして、反応室１外に搬出す
る。
【００２６】（第２実施形態）本発明の第２実施形態の
プラズマＣＶＤ装置を図４を用いて説明する。図４は反
応室１の側断面の形状を示した側断面図である。
プラズマＣＶＤ装置を図４を用いて説明する。図４は反
応室１の側断面の形状を示した側断面図である。
【００２７】成膜方法，プリコート方法、全体のプロセ
スの流れは第１実施形態と同様である。ここでは、図３
を用いてクリーニング方法について説明する。
スの流れは第１実施形態と同様である。ここでは、図３
を用いてクリーニング方法について説明する。
【００２８】先ず、搬送室（図示せず）を経由して、タ
ーボ分子ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力
調整された反応室１内に静電吸着装置１４の表面をプラ
ズマから保護するためのアルミナ製などのカバーウエハ
２２を導入して基板電極１５上に設置する。この様にし
て、ガスノズル４からＮＦ3 ガスをマスフローコントロ
ーラを用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポ
ンプ１０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数から数千Ｐ
ａに反応室１内の圧力を調整すると共に、上チャンバ２
にＲＦ電源８及びマッチングボックス７を用いて数百か
ら数ＫｗのＲＦパワーを印加することにより、反応室１
内にＮＦ3 プラズマを生成する。ＮＦ3ガスの分解で生
成したＦラジカル，ＦイオンがＳｉＯ2 膜のＳｉと反応
し、SiF4などのガスとなって排出される事により壁面の
堆積膜がクリーニング（エッチング）される。
ーボ分子ポンプ１０と粗引き真空ポンプ１１により圧力
調整された反応室１内に静電吸着装置１４の表面をプラ
ズマから保護するためのアルミナ製などのカバーウエハ
２２を導入して基板電極１５上に設置する。この様にし
て、ガスノズル４からＮＦ3 ガスをマスフローコントロ
ーラを用いて所望量反応室１内に導入し、ターボ分子ポ
ンプ１０と粗引き真空ポンプ１１を用いて数から数千Ｐ
ａに反応室１内の圧力を調整すると共に、上チャンバ２
にＲＦ電源８及びマッチングボックス７を用いて数百か
ら数ＫｗのＲＦパワーを印加することにより、反応室１
内にＮＦ3 プラズマを生成する。ＮＦ3ガスの分解で生
成したＦラジカル，ＦイオンがＳｉＯ2 膜のＳｉと反応
し、SiF4などのガスとなって排出される事により壁面の
堆積膜がクリーニング（エッチング）される。
【００２９】本実施形態では、装置のガス供給構造を簡
素化するために、クリーニングガス供給専用のガスノズ
ルを設けずに成膜ガス供給用のガスノズル４を用いてク
リーニングガスの反応室１内への供給を行う。
素化するために、クリーニングガス供給専用のガスノズ
ルを設けずに成膜ガス供給用のガスノズル４を用いてク
リーニングガスの反応室１内への供給を行う。
【００３０】以下の理由で、クリーニングガスの供給に
成膜用のガスノズル４を用いる。
成膜用のガスノズル４を用いる。
【００３１】（１）ガスノズル４はガスノズル９に比べ
て、上チャンバ２壁面に近く、排気口２４から離れた位
置に設置してある。そのため、壁面堆積膜のクリーニン
グにより発生したＳｉＦ4 などの反応生成物が反応室１
内上部に滞留し難く、活性なＦラジカル，Ｆイオンが上
チャンバ２壁面近傍に供給され易くクリーニングレート
の高速化が図れる。
て、上チャンバ２壁面に近く、排気口２４から離れた位
置に設置してある。そのため、壁面堆積膜のクリーニン
グにより発生したＳｉＦ4 などの反応生成物が反応室１
内上部に滞留し難く、活性なＦラジカル，Ｆイオンが上
チャンバ２壁面近傍に供給され易くクリーニングレート
の高速化が図れる。
【００３２】（２）また、成膜時にはガスノズル９から
ＳｉＨ4 が供給されるため、このノズル９の内外面に反
応生成物が多量に堆積する。クリーニングガスをガスノ
ズル４から供給すると、Ｆラジカルなどがガスノズル９
の内面に拡散により流入するために堆積物がクリーニン
グできる。
ＳｉＨ4 が供給されるため、このノズル９の内外面に反
応生成物が多量に堆積する。クリーニングガスをガスノ
ズル４から供給すると、Ｆラジカルなどがガスノズル９
の内面に拡散により流入するために堆積物がクリーニン
グできる。
【００３３】以上述べた様に、本実施形態によれば、ク
リーニングガス専用のガス供給ノズルを設ける必要がな
いためにガス供給構造の簡素化が図れる。また、ガスノ
ズル９の内面の堆積物もクリーニングにより除去可能に
なる。これにより、クリーニング時間が短縮でき、高ス
ループットで安価なプラズマＣＶＤ装置を実現できると
言う効果がある。
リーニングガス専用のガス供給ノズルを設ける必要がな
いためにガス供給構造の簡素化が図れる。また、ガスノ
ズル９の内面の堆積物もクリーニングにより除去可能に
なる。これにより、クリーニング時間が短縮でき、高ス
ループットで安価なプラズマＣＶＤ装置を実現できると
言う効果がある。
【００３４】また、上記で説明した実施形態を適用可能
な半導体素子としては、ゲート電極配線のポリシリコン
膜，リンドープポリシリコン膜，層間絶縁のための酸化
膜あるいはリンガラス膜，キャパシタ絶縁用Ｓｉ3Ｎ4膜
のうち、すくなくとも一つの膜を備えた半導体素子がが
挙げられる。
な半導体素子としては、ゲート電極配線のポリシリコン
膜，リンドープポリシリコン膜，層間絶縁のための酸化
膜あるいはリンガラス膜，キャパシタ絶縁用Ｓｉ3Ｎ4膜
のうち、すくなくとも一つの膜を備えた半導体素子がが
挙げられる。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、ガスクリーニング時の
クリーニングレートの高速化によりクリーニング時間が
短縮できるのでスループットの高いプラズマＣＶＤ装置
を実現できると言う効果がある。
クリーニングレートの高速化によりクリーニング時間が
短縮できるのでスループットの高いプラズマＣＶＤ装置
を実現できると言う効果がある。
【図１】第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置の反応室側
の断面図。
の断面図。
【図２】第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置でのプロセ
ス流れを説明する図。
ス流れを説明する図。
【図３】第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置の反応室側
の断面図。
の断面図。
【図４】第２実施形態のプラズマＣＶＤ装置の反応室側
の断面図。
の断面図。
１…反応室、２…上チャンバ、３…下チャンバ、４，
９，２３…ガスノズル、５…μ波導入窓、６…絶縁材、
７，１６…マッチングボックス、８…ＲＦ電源、１０…
ターボ分子ポンプ、１１…粗引き真空ポンプ、１２…ガ
ス処理装置、１３…ウエハ、１４…静電吸着装置、１５
…基板電極、１７…ＲＦ電源、１８…導波管、１９…μ
波発振器、２０…永久磁石、２１…電源、２２…カバー
ウエハ、２４…排気口。
９，２３…ガスノズル、５…μ波導入窓、６…絶縁材、
７，１６…マッチングボックス、８…ＲＦ電源、１０…
ターボ分子ポンプ、１１…粗引き真空ポンプ、１２…ガ
ス処理装置、１３…ウエハ、１４…静電吸着装置、１５
…基板電極、１７…ＲＦ電源、１８…導波管、１９…μ
波発振器、２０…永久磁石、２１…電源、２２…カバー
ウエハ、２４…排気口。
フロントページの続き (72)発明者 大山 勝美 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分事業所内 (72)発明者 蜂谷 昌幸 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分事業所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA44 DA03 FA01 FA02 KA30 5F045 AA10 AB03 AB32 AB33 AC01 AC11 AC16 AC17 BB08 BB14 DP04 EB02 EB06 EG03 EH17 EM05 HA13 HA22
Claims (1)
- 【請求項１】反応室内に複数のマイクロ波導入窓からマ
イクロ波を導入すると共に、基板電極に高周波を印加し
て基板電極に載置したウエハなどに薄膜を成膜する成膜
機能と、成膜により反応室内の壁面に堆積した反応副生
成物を反応室壁面に高周波を印加して除去するプラズマ
クリーニング機能を備えたプラズマＣＶＤ装置におい
て、クリーニングガスの供給を排気口と対向する反応室
上部から行うためのガス供給ラインを設けた事を特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35549599A JP2001172768A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35549599A JP2001172768A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001172768A true JP2001172768A (ja) | 2001-06-26 |
Family
ID=18444286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35549599A Pending JP2001172768A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001172768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005026687A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Ips Ltd | 薄膜蒸着方法 |
| JP2013211576A (ja) * | 2002-11-11 | 2013-10-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
-
1999
- 1999-12-15 JP JP35549599A patent/JP2001172768A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013211576A (ja) * | 2002-11-11 | 2013-10-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2005026687A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Ips Ltd | 薄膜蒸着方法 |
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