JP2011171468A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧した成膜空間を形成し維持する減圧容器と、前記減圧容器の前記成膜空間に原料ガスを供給する、原料ガス供給ユニットと、前記減圧容器の前記成膜空間にパージガスを供給する、パージガス供給管と、を有する。前記原料ガス供給ユニットは、前記原料ガスを前記成膜空間に供給する、ピストンを備え、前記ピストンを用いて、前記原料ガスを間歇的に前記成膜空間に供給する。
【選択図】 図1
Description
例えば、下記特許文献1には、ALD法を用いた薄膜形成装置が記載されている。
しかし、この装置において、例えば、原料ガスとしてTMAと酸化ガスを用いて、基板に酸化アルミニウムの薄膜を形成するとき、原料ガス供給管内に膜あるいは粉状粒子が付着し、場合によっては、堆積した膜あるいは粉状粒子が剥離して、成膜容器内に進入し、基板に形成される薄膜に異物等を混入させて薄膜の品質を劣化させてしまう場合がある。
図3中の装置100は、減圧容器102と、原料ガス供給管104と、排気管106と、薄膜を形成する基板108を載置する基板ステージ110と、を有する。
原料ガス供給管104には、TMAガス供給管112とパージガス供給管114が接続され、TMAガス供給管112にはTMAバルブ弁116が、パージガス供給管114にはパージガスバルブ弁118が設けられている。TMAバルブ弁116を開くことにより、原料ガス供給管104はガス状のTMAを減圧容器102に供給する。これにより、基板108上にTMAの成分が原子単位で吸着する。このとき、パージガス供給管114から流れるN2ガスがパージガスとして減圧容器102内に供給される。パージガスは、ガス状のTMAを原料ガス供給管104から減圧容器102内に効率よく供給させ、かつ、TMAが成膜空間で効率よく拡散するように機能する。
TMAガスが減圧容器102から排気された後、図示されない反応ガス供給管から減圧容器102内に酸化ガスが供給され、基板108に吸着されたTMAの成分は酸化される。このとき、酸化ガスは、プラズマあるいは熱を用いて活性化される。
当該装置は、
減圧した成膜空間を形成する減圧容器と、
基板に前記原料ガスの成分を吸着させるために、前記減圧容器の前記成膜空間に原料ガスを供給するピストンを備え、前記ピストンを用いて、前記原料ガスを間歇的に前記成膜空間に供給する原料ガス供給ユニットと、を有する。
前記第2制御弁が開けられて、前記シリンダー内空間へ前記原料ガスが導入されるとき、前記第1制御弁は、前記シリンダー内空間と前記成膜空間との間の連通を遮断する、ことが好ましい。
当該方法は、
基板を配置した減圧状態の成膜空間内に、ピストンを用いて、一定量の原料ガスを供給して、前記基板に原料ガスの成分を吸着させるステップと、
前記ピストンにより作られるシリンダー内空間に原料ガス源から一定量の原料ガスの導入を受けるとき、前記成膜空間に反応ガスを供給し、この反応ガスの成分と、前記成膜用基板に吸着した前記原料ガスの成分とを反応させて、薄膜を形成するステップと、を有する。
前記原料ガスが前記シリンダー内空間に導入されるとき、前記シリンダー内空間と前記成膜空間との間の連通を遮断する、ことが好ましい。
図1(a)は、本実施形態のALD装置の概略の構成を示す。図1(b)は、ALD装置に用いる原料ガス供給ユニットを説明する図である。
図1(a)に示すALD装置10は、形成しようとする膜を構成する元素を主成分とする2種類の成膜ガス(原料ガスおよび酸化ガス)を成膜対象の基板12上に交互に供給する。その時、反応活性を高めるためにプラズマを用いて基板12上に原子層単位で原料ガスの酸化膜を形成する。上記処理を1サイクルとして、処理を複数サイクル繰り返すことにより所望厚さの膜を形成する。なお、酸化ガスの替わりに窒化ガスを用いることもできる。
基板ステージ26は、図示されない加熱ヒータとともに、昇降機構27により成膜空間26を上下方向に移動する。成膜空間24にて薄膜が形成されるとき、成膜空間24は狭くなるように、基板ステージ26は上方に移動する。
成膜空間24の上面には、上側電極28と、加熱ヒータ30が設けられている。上側電極28は、減圧容器16の外側に設けられた高周波電源14と接続され、所定の周波数の高周波電流の供給を受ける。このように、ALD装置10は、上側電極と下側電極を備えてプラズマを生成する、いわゆる平行平板型プラズマ生成装置である。
パージガス供給部20は、減圧容器16に設けられたガス供給口36を介して成膜空間24にパージガスを供給する。
図示されない反応ガス供給部は、減圧容器16に設けられたガス供給口を介して、図示されない酸化ガス供給管から酸化ガスを成膜空間24に供給する。原料ガスの成膜空間24への供給を停止している際に、高周波電源14から電力の供給を受けた上側電極28は、下側電極である基板ステージ26との間で、プラズマを生成させる。このプラズマにより、酸化ガスの一部は活性化され、酸化ガスの成分、例えばラジカル酸素が、基板12に吸着された原料ガスの成分と反応して、金属酸化膜等の薄膜が原子単位で形成される。
原料ガス供給ユニット18は、シリンダー18aと、ピストン18bと、クランク機構18cと、制御弁18d,18eと、供給管18f,18gと、を有する。
クランク機構18cは、所定の速度で回転する円板18h上に回転軸からオフセットした位置に係止されたクランクアーム18iを図中の左右に前進、後退させる。円板は、図示されないモータ等により一定の回転速度に制御される。この移動により、クランクアーム18iに係止したピストン18bは、図中の左右に、シリンダー18a内で左右に一定周期で往復する。これにより、シリンダー内空間18jの容積が変動し、さらに、ピストン18bの動きに連動して制御弁18d,18eの開閉が制御される。
ピストン18bが成膜空間24の側に移動するとき、制御弁18dは開状態となり、制御弁18eは閉状態となる。これにより、シリンダー内空間18jと成膜空間24との間が連通し、原料ガスがシリンダー内空間18jから成膜空間24へ供給される。このとき、原料ガス源19からシリンダー内空間18jへの原料ガスの導入は停止される。
ピストン18bが成膜空間24と反対側に移動するとき、制御弁18dは閉状態となり、制御弁18eは開状態となる。これにより、シリンダー内空間18jと成膜空間24との間の連通が遮断されて原料ガスの成膜空間24への供給は停止され、原料ガス源19からシリンダー内空間18jへ原料ガスが導入される。
原料ガスは例えば約0.1秒で成膜空間24に供給されるため、制御弁18d,18eは電磁弁が好適に用いられる。
図2(a)に示す状態では、ピストン18bが成膜空間24側の最も前方に移動し、シリンダー内空間18jがない状態である。この状態では、制御弁18dは閉状態、制御弁18eは開状態である。次に、ピストン18bが後退を始めるとシリンダー内空間18jができる。成膜空間24内の原料ガスやパージガスが成膜空間24からシリンダー内空間18jに引き込まれないように制御弁18dは閉状態となる。その代わり、原料ガス制御弁18eは原料ガス源19からシリンダー内空間18jに導入されるように開状態となる。こうして、図2(b)に示す状態まで、制御弁18d,18eの閉状態、開状態は維持される。
最後に、図2(e)に示すように、図2(a)と同じ状態に戻る。
加熱された基板12を配置した減圧状態の成膜空間24内に、ピストン18bを用いて、図2(c)〜(e)に示すように、一定量の原料ガスを供給して、基板12に原料ガスの成分を原子単位で吸着させる。この状態では、パージガスであるN2ガスも、成膜空間24に供給されている。N2ガスは、原料ガスが基板12の位置に到達したとき、原料ガスが効率よく拡散するように機能する。
なお、原料ガスが成膜空間24に供給されるとき、酸化ガスを成膜空間24に供給し続けてもよい。酸化ガスは十分に活性化されていないので、原料ガスと反応することはない。
また、ALD装置10は、プラズマを用いた薄膜形成装置に限定されない。数100度に反応ガスを加熱して薄膜を形成する熱ALD方式を用いることもできる。
12 基板
14 高周波電源
16 成膜容器
18 原料ガス供給ユニット
18a シリンダー
18b ピストン
18c クランク機構
18d,18e 制御弁
18f,18g 供給管
18h 円板
18i クランクアーム
18j シリンダー内空間
20 パージガス供給部
22 排気部
24 成膜空間
26 基板ステージ
27 昇降機構
28 上側電極
30 ヒータ
32 バルブ
34,36 ガス供給口
100 装置
102 減圧容器
104 原料ガス供給管
106 排気管
108 基板
110 基板ステージ
112 TMAガス供給管
114 パージガス供給管
116 TMAバルブ弁
118 パージガスバルブ弁
Claims (6)
- 基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
減圧した成膜空間を形成する減圧容器と、
基板に前記原料ガスの成分を吸着させるために、前記減圧容器の前記成膜空間に原料ガスを供給するピストンを備え、前記ピストンを用いて、前記原料ガスを間歇的に前記成膜空間に供給する原料ガス供給ユニットと、を有することを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記ピストンにより作られるシリンダー内空間と前記成膜空間との間の連通を遮断する第1制御弁が設けられ、さらに、原料ガスの前記シリンダー内空間への導入を遮断する第2制御弁が設けられている、請求項1に記載の薄膜形成装置。
- 前記ピストンが、前記原料ガスを前記成膜空間に供給するとき、前記第2制御弁は、前記原料ガスの前記シリンダー内空間への導入を停止するように閉じ、
前記第2制御弁が開けられて、前記シリンダー内空間へ前記原料ガスが導入されるとき、前記第1制御弁は、前記シリンダー内空間と前記成膜空間との間の連通を遮断する、請求項2に記載の薄膜形成装置。 - さらに、前記成膜空間内にプラズマを生成させるプラズマ生成素子を有し、
前記原料ガス供給ユニットは、前記原料ガスの前記成膜空間への供給を停止している期間の一部分において、前記反応ガスを前記成膜空間に供給し前記プラズマ生成素子によりプラズマを生成させることにより、基板に吸着した前記原料ガスの成分と前記反応ガスの成分とを反応させて、薄膜を形成する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。 - 基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
基板を配置した減圧状態の成膜空間内に、ピストンを用いて、一定量の原料ガスを供給して、前記基板に原料ガスの成分を吸着させるステップと、
前記ピストンにより作られるシリンダー内空間に原料ガス源から一定量の原料ガスの導入を受けるとき、前記成膜空間に反応ガスを供給し、この反応ガスの成分と、前記成膜用基板に吸着した前記原料ガスの成分とを反応させて、薄膜を形成するステップと、を有することを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記ピストンが前記原料ガスを前記成膜空間に供給するとき、原料ガスの前記シリンダー内空間への導入を停止し、
前記原料ガスが前記シリンダー内空間に導入されるとき、前記シリンダー内空間と前記成膜空間との間の連通を遮断する、請求項5に記載の薄膜形成方法。
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JPWO2014010405A1 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | トランジスタの製造方法 |
JP2016181666A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
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JPH02307892A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Hitachi Ltd | 薄膜の製造方法およびその装置 |
JP2009147373A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
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2010
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