JP4827237B2 - エピタキシャル成長装置及びノズルの生成物除去方法 - Google Patents
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Description
ウェーハ1は表面を上にしてチャンバ31内のサセプタ32に載置される。ガス導入路33からウェーハ1の表面にエピタキシャル層の材料ガスが流され、チャンバ31の上下に配置されたランプ34でウェーハ1が熱せられる。するとウェーハ1の表面にはエピタキシャル層が成長する。エピタキシャル層の成長が繰り返し行われると、チャンバ31の内壁には材料ガスの成分からなる生成物が堆積していく。例えば材料ガスがSiH4である場合はSiやSiHが堆積し、GeH4である場合はGeやGeHが堆積する。こうした生成物はランプ34の照射量を低減させる。さらにこの生成物がチャンバ31の内壁から剥離してウェーハ1の表面に付着するとパーティクルが発生する。こうした不具合を防止するために生成物の除去処理を定期的に行う必要がある。生成物の除去処理としては、例えば下記特許文献1で開示されるように、塩素を含むガスがチャンバ31内に導入され、且つチャンバ31の内壁がヒータ34で昇温される。高温環境下で生成物は塩素を含むガスと反応する。したがって生成物はガスと共にチャンバ31内から排気される。
二つのウェーハの表面が互いに対向して形成されるガス流路と、前記ガス流路の近傍に端部が配置されるノズルとを備え、前記ノズルから前記ガス流路に材料ガスを流してウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置において、
前記ノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する処理の際に、二つのダミーウェーハによって前記ガス流路を形成し、前記ノズルから前記ガス流路に塩素を含むガスを流すと共に、前記ノズルの端部を熱し、前記ノズルの端部に堆積した前記生成物と塩素を含むガスとが反応する温度に保つこと
を特徴とする。
第1発明によると、ガス導入ノズル18から二つのウェーハ1が相対して形成されるガス流路17に塩素を含むガス(「塩素含有ガス」という)が流されると共に、ガス導入ノズル18の端部が熱せられる。この際、ガス導入ノズル18の端部の温度は、堆積した材料ガスの成分からなる生成物と塩素含有ガスとが反応する温度に保たれる。具体的にはガス導入ノズル18の端部の温度は約500度〜800度程度の範囲内に保たれる。高温環境下で塩素含有ガスは生成物と反応するため、生成物はガス導入ノズル18の端部から除去される。
ウェーハを熱するウェーハ用ヒータと、前記ノズルの端部に近接してノズルの端部を熱するノズル用ヒータとを備えたこと
を特徴とする。
相対する二つのヒータ12は、主にウェーハ1を熱するウェーハ用ヒータ12aと、主にガス導入ノズル18の端部を熱するノズル用ヒータ12bとを備える。通常のエピタキシャル成長処理時にはウェーハ用ヒータ12aが使用され、ウェーハ1が熱せられる。生成物の除去処理時にはノズル用ヒータ12a及びノズル用ヒータ12bが使用され、ガス導入ノズル18の端部が熱せられる。二つのノズル用ヒータ12bはガス導入ノズル18の端部を介して対向する。こうした構成によってガス導入ノズル18の端部の温度を高温に保つことができる。よってガス導入ノズル18の端部の温度を塩素含有ガスと生成物とが反応する温度に安定して保つことが可能となる。
加熱される空間のうち温度が高くなる場所と前記ノズルの端部とを近づけること
を特徴とする。
エピタキシャル成長処理時にガス導入ノズル18の端部は相対する二つのヒータ12の間隙の外縁又は外側に配置される。生成物の除去処理を行う場合にノズル移動機構27はガス導入ノズル18を下方に移動して、ガス導入ノズル18の端部を二つのヒータ12によって熱さられる空間のうち温度が高くなる場所に近づける。移動後の位置でヒータ12の電源が投入されると、ガス導入ノズル18の端部は輻射熱で強く熱せられる。こうした構成によってガス導入ノズル18の端部の温度をより高温に保つことができる。よってガス導入ノズル18の端部の温度を塩素含有ガスと生成物とが反応する温度に安定して保つことが可能となる。なお、ガス導入ノズル18を移動させるのではなく、図3で示すように、ヒータ12を上方に移動させてもよい。
二つのウェーハの表面が互いに対向して形成されるガス流路と、前記ガス流路の近傍に端部が配置されるノズルとを備え、前記ノズルから前記ガス流路に材料ガスを流してウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置において、
前記ノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する処理の際に、二つのダミーウェーハによって前記ガス流路を形成し、前記ノズルから前記ガス流路に活性化した塩素を含むガスを流すこと
を特徴とする。
二つのウェーハの表面が互いに対向して形成されるガス流路と、前記ガス流路の近傍に端部が配置されるノズルとを備えたエピタキシャル成長装置のノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去するノズルの生成物除去方法において、
前記ノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する処理の際に、二つのダミーウェーハによって前記ガス流路を形成し、前記ノズルから前記ガス流路に塩素を含むガスを流すと共に、前記ノズルの端部を熱し、前記ノズルの端部に堆積した前記生成物と塩素を含むガスとが反応する温度に保つこと
を特徴とする。
なお第1〜第4実施形態で説明するエピタキシャル成長装置は、図6〜図8で示されたエピタキシャル成長装置10を基本構造としているため、同一の構成には同一の符号を付している。
Claims (5)
- 二つのウェーハの表面が互いに対向して形成されるガス流路と、前記ガス流路の近傍に端部が配置されるノズルとを備え、前記ノズルから前記ガス流路に材料ガスを流してウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置において、
前記ノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する処理の際に、二つのダミーウェーハによって前記ガス流路を形成し、前記ノズルから前記ガス流路に塩素を含むガスを流すと共に、前記ノズルの端部を熱し、前記ノズルの端部に堆積した前記生成物と塩素を含むガスとが反応する温度に保つこと
を特徴とするエピタキシャル成長装置。 - ウェーハを熱するウェーハ用ヒータと、前記ノズルの端部に近接してノズルの端部を熱するノズル用ヒータとを備えたこと
を特徴とする請求項1記載のエピタキシャル成長装置。 - 加熱される空間のうち温度が高くなる場所と前記ノズルの端部とを近づけること
を特徴とする請求項1記載のエピタキシャル成長装置。 - 二つのウェーハの表面が互いに対向して形成されるガス流路と、前記ガス流路の近傍に端部が配置されるノズルとを備え、前記ノズルから前記ガス流路に材料ガスを流してウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置において、
前記ノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する処理の際に、二つのダミーウェーハによって前記ガス流路を形成し、前記ノズルから前記ガス流路に活性化した塩素を含むガスを流すこと
を特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 二つのウェーハの表面が互いに対向して形成されるガス流路と、前記ガス流路の近傍に端部が配置されるノズルとを備えたエピタキシャル成長装置のノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去するノズルの生成物除去方法において、
前記ノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する処理の際に、二つのダミーウェーハによって前記ガス流路を形成し、前記ノズルから前記ガス流路に塩素を含むガスを流すと共に、前記ノズルの端部を熱し、前記ノズルの端部に堆積した前記生成物と塩素を含むガスとが反応する温度に保つこと
を特徴とするノズルの生成物除去方法。
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