TWI292926B

TWI292926B - Apparatus for processing substrates

Info

Publication number: TWI292926B
Application number: TW092131357A
Authority: TW
Inventors: Masanori Sakai; Nobuhito Shima; Kazuyuki Okuda
Original assignee: Hitachi Int Electric Inc
Priority date: 2002-11-11
Filing date: 2003-11-10
Publication date: 2008-01-21
Also published as: CN100389482C; JP2009147373A; JP4939563B2; KR20050053795A; JP2013211576A; JP2012089886A; US20110300722A1; US20090176017A1; JP5555270B2; WO2004044970A1; KR100707819B1; JP4411215B2; US20060124058A1; JPWO2004044970A1; US9169553B2; TW200414319A; CN1706031A

Description

I292926 玖、發明說明： (一） [發明所屬之技術領域] 本發明是有關一種基板處理裝置，尤指對基板施加所欲處理之後，要實施淸洗作業之基板處理裝置^。 (二） [先前技術] 熱CVD(化學氣相沈積）裝置是使由多數原料氣體所混合的氣體流通於構成該裝置之爐中，以實施在基板上形成薄膜等之作業者。在基板上形成薄膜時，基板以外的爐內部也附著薄膜。附著於爐內部的薄膜經累積加厚時，會發生膜的剝落，而成爲產生雜質之原因。爲了避免此事的發生，要在於一定週期流通蝕刻氣體，以進行除去爐內部薄膜之淸洗作業。例如薄膜種類爲SiN 時，原料氣體是DCS(SiH2Cl2:二氯矽烷）氣體和非電漿的 NH3氣體，而飩刻氣體是用NF3或C1F3等的含有F(氟）之氣體。由上述淸洗作業是可除去爐內部的薄膜，但在剛淸洗完之後，F或含有F的分子（以下稱爲F成分）會吸附•結合而殘留在爐內壁面上。這些F成分在於後續的，要在基板上形成薄膜時會脫離出來，阻礙薄膜的形成，而會有使形成薄膜速度降低之現象。其理由是F有蝕刻作用，會與形成在S i N膜的S i產生反應而生成S i F 4 (氣體），S i會從基板脫離之故。又，另一理#是F與反應氣體（DCS)產生反應，原料氣體的量會滅少之故。因此，在從來的熱C V D裝置中’在於淸洗後要在基板上 1292926 形成薄膜之前，先形成所謂預置薄膜的、強制性的，將膜堆積在爐內部之方法。由此一方面使F成分與薄膜原料產生反應，一方面將其封閉在薄膜之下（以下亦稱F成分的陷困），儘量的將F成分從爐內氣氛中排除，以使在於形成薄膜時恢復其薄膜形成速度者。又，近年，已進步到使用ALD(原子層沈積）裝置也可形成SiN膜之技術者。在ALD裝置中，反應氣體是用DCS 氣體和由電漿所活化的N Η 3 (以下亦稱爲N Η 3電漿或N Η 3 游離基），而將該兩樣反應氣體交替的供應，以一層層的形成原子層薄膜者。使用ALD裝置時，雖然是用低溫，但仍然可形和需要高溫處理的熱CVD裝置同等以上之良質薄膜。但是，在ALD裝置中，在於淸洗處理後也需要預置薄膜以除去殘留F之點是和CVD裝置時相同。在上述從來技術中，是由預置薄膜以陷困淸洗氣體中所含有的元素，而儘量的將上述元素從反應容器內氣氛中排除者，但要有此效果時，必須形成很厚的預置薄膜，又，形成很厚的預置薄膜後，也不能有效的將淸洗氣體中所含有的元素從反應容器內的氣氛中排除。又，除專用緩衝噴嘴外還要另增設熱CVD形成薄膜用噴嘴，因而，關聯到反應容器構造的複雜化和增加成本。又，增設熱C V D形成薄膜用噴嘴時，會由於在CVD形成薄膜用噴嘴內所形成的薄膜，而引起新的產生雜質之問題，也即有不理想之問題。 (三）[發明內容] 因此，本發明的主要目的是在於提供一種基板處理裝置各 1292926 ，其係可有效的排除淸洗氣體中所含有的元素者。又，本發明的另一目的是在於提供一種基板處理裝置，其係可增設氣體供應系統，和有效的防止氣體供應系統所產生的雜貨者。依本發明的第1形態時，可提供一種基板處理裝置，其具備：形成可容納基板，且可由所供應之多數反應氣體，以對上述基板施加所欲處理所需的空間之反應容器；開口於上述反應容器，作爲上述反應容器內的排氣用之排氣口；及至少可將上述多數的反應氣體供應於上述反應容器的氣體供應系統’ 上述氣體供應系統是包含：可供應淸洗氣體以除去對上述基板施加、所欲處理時，附著於反應容器內的附著物之淸洗氣體供應設備；和，可供應後處理用氣體，以除去經過上述供應淸洗氣體除去附著物後的，殘留於反應容器內之淸洗氣體所含有的元素之後處理用氣體供應設備；而，上述後處理用氣體是包括上述對基板施加所欲處理之際所用的上述反應氣體之全部者。又，依本發明的第2形態時，可提供一種基板處理裝置，其係交替地供應多數的反應氣體，以在基板上形成薄膜，其包含：一反應容器； -9- 1292926 各自專用地供應上述多數的各反應氣體之多數專用供應噴嘴；及控制裝置，可對於在清洗時使上述多數噴嘴中之一將清洗氣體供應於上述反應容器內，而在於上述清洗氣體供應後，要實施基板處理之前，使基板處理時所使用的上述多數反應氣體之全部，分別從上述多數的各專用供應噴嘴以交替的供應於上述反應容器內之工序加以控制者。 (四）[實施方式] φ 依本發明較佳形態，其提供一第1基板處理裝置包含：具有可容納基板，且可由被供應多數的反應氣體以對上述基板施加所欲處理所需的空間之反應容器； V 、開口於上述反應容器，作爲上述反應容器內的_氣用之排氣口；及至少可將上述多數的反應氣體供應於上述反應容器之氣體供應系統，而，上述氣體供應系統是包含： ® 可供應清洗氣體，以除去對上述基板施加所欲處理時，附著在反應容器內的附著物之清洗氣體供應設備；和，可供應後處理用氣體，以除去經過上述清洗氣體除去附著物後殘留於反應容器內之清洗氣體所含有的元素之後處理用氣體供應設備；而，上述後處理用氣體是包括上述對基板施加所欲處理之際所用的上述反應氣體之全部者。 -10- 1292926 在此，所欲處理是指除膜之外，尙包括基板的加散處理等。因從後處理用氣體供應將淸洗氣體所含有的元素反應容器內形成預置薄膜淸洗氣體所含有的元素從氣體供應設備是將對基板體之全部作後處理用氣體含有的元素產生反應，生成的揮發物從反應容器中設備如由在於對基板施加氣體所使用的氣體供應手體供應系統，而可迴避構氣體供應系統的場合時會依本發明另一較佳形態在上述第1基板處理裝'置具有可將各反應氣體各自將上述反應氣體作爲上述各專用供應噴嘴將各反應在第2基板處理裝置中基板施加所欲處理時所用氣體，而使其可分別的從交替的供應者。因而，從由氣相成長或表面反應以形成薄工處理，例如氧化膜的形成或擴設備所供應的後處理用氣體是可從反應容器內除去，因而其與在而陷困上述元素者相比，更可將反應容器中除去。又，後處理用施加所欲處理之際所用的反應氣供應者，因而，會與淸洗氣體所成揮發物，而也可有效的將所生除去者。又，後處理用氣體供應所欲處理之際供應其所用的全部段來構成時，不必再增設新的氣造的複雜化。又，也可防止增設發生從氣體供應系統來的雜質。所提供第2基板處理裝置是，是中，上述後處理用氣體供應設備獨立地供應之專用供應噴嘴；而後處理用氣體供應時，是從上述氣體以交替的供應者。，後處理用氣體供應設備是將對的多數之反應氣體作爲後處理用各反應氣體的各專用供應噴嘴以各專用供應噴嘴所供應的氣體會 1292926 對殘留在各專用供應噴嘴內的淸洗氣體所含有的各個元素有效的起作用，而可將殘留在各專用供應噴嘴內的淸洗< 體所含有的元素有效的除去。此時，對基板施加所欲處理的方法與施加後處理的方法之組合，是有例如ALD法+ALD 法，或熱CVD法+ALD法者。依本發明再一較佳形態所提供的第3基板處理裝置，是在上述第2基板處理裝置中，從上述後處理用氣體供應設備所供應的各反應氣體是可除去各專用供應噴嘴內及反應容器內所殘留的元素，且可在反應器內形成所欲的薄膜之氣體者。在第3基板處理裝置中，後處理用氣體供應設備如可供應要除去殘留在各專用供應噴嘴內及反應容器內的元素所用之各反應氣體者時，可有效地將殘留在各專用供應噴嘴內及反應容器內的元素除去。又，後處理用氣體供應設備如可供應要在反應容器內形成所欲的薄膜，即預置薄膜所用之各反應氣體者時，可將殘留在反應容器內的元素抑制在預置薄膜內。因而，可由除去和抑制兩方面將殘留元素從反應容器內的氣氛中排除，因此，可抑制由於殘留元素所引起的薄膜形成速度之降低。又，如爲可交替地供應各反應氣體時’要在各專用供應噴嘴內及反應容器內形成所欲的薄膜是只要很薄的膜就夠，由此可提升生產效率。依本發明又一較佳形態所提供的第4基板處理裝置，是在上述第3基板處理裝置中，從上述各專用供應噴嘴所供應的多數之反應氣體是含有矽的氣體和由電漿激發的氨氣 -12- 1292926 者。在第4基板處理裝置中，含有，的氣體是可將供應含有矽的氣體所用之專用供應噴嘴內所殘留的淸洗氣體中所含有的元素從反應容器內氣氛中有效的排除者。又，經電漿激發的氨~氣是可將供應氨氣所用的專用供應噴嘴內所殘留的淸洗氣體中所含有的元素從反應·容器內的氣氛中有效的排除者。依本發P又另一較佳形態所提供的第5基板處理裝置，是在上述第4基板處理裝置中，上述淸洗氣體是含有·氟的氣體，而該含/i*氟的氣體是從供應含有矽的氣體所用之專用供應噴嘴所供應者。在第5基板處理裝置中，由於含有矽的氣體是比氨氣較易形成薄膜，因而供應含有矽所用的專用供應噴嘴是比供應氨氣所用的專用供應噴嘴，在其噴嘴內較容易附著較多的附著物。因而，彳¥供應含有矽的氣體所用的專用供應噴嘴供應作爲淸洗氣體的含有氟之氣體時，可除去供應含有矽的氣體所用的專用供應噴嘴內之附著物，而可將專用供應噴嘴內有效的淸洗。依本發明又另一較佳形態所提供的第6基板處理裝置’ 是在第4或第5基板處理裝置中’上述含有砂的热體疋 DCS(SiH2Cl2)者。依本發明又另一較佳形態所提供的第7基板處理裝置，是在上述第5基板處理裝置中，上述含有氟的氣體是nf3 或C1F3者。 -13- 1292926 依本發明又另一較佳形態所提供的第8基板處理裝置，是在可將多數的反應氣體交替地供應，以在於基板上形成薄膜，其具備：反應容器；分別地供應上述多數反應氣體之多數專用供應噴嘴；及控制裝置，於淸洗時，將上述多數供應噴嘴中之一將淸洗氣體供應於上述反應容器內，而於上述淸洗氣體供應後要實施基板處理之前，使基板處理時所使用的上述多數反應氣體之全部，分別從上述多數的各專用供應噴嘴交替地供應於上述反應容器內之工序加以控制。依本發明又另一較佳形態爲提供的第1半導體裝置製造-方法，其爲使用基板處理裝置，將淸洗氣體供應於反應容器內，在淸洗該反應容器內的工程之後，將對基板施加處理之際所用的反應氣體之全部供應至反應容器’將原先供應於反應容器內的淸洗氣體所含有的元素除去的工程’以製造半導體裝置者。依據製造半導體裝置所使用的基板處理裝置’在淸洗反應容器內的工程之後，將對基板施加處理之際所用的反應氣體之全部，供應於反應容器，以將原先供應於反應容器內的淸洗氣體所含有的元素除去之工程。因而’可有效的除去殘留在反應容器內的上述元素。而在於淸洗工程後所實施的形成薄膜工程時，可防止上述元素所引起的薄膜形成速度之降低’而可製造具穩定長膜量的品質佳之半導體裝置。 1292926 依本發明又另一較佳形態所提供的第2半導體裝置製造方法’是在第1半導體裝置之製造方法中，上述反應氣體是從各個反應氣體所專用的供應噴嘴供應於反應谷益，而上述除去淸洗氣體所含有的兀素之工程疋: 包含從各專用供應噴嘴將各反應氣體交替地供應之工程者。在第2半導體裝置製造方法中，因爲上述反應氣體是分別從其所專用的供應噴嘴供應於反應容器，且除去上述淸洗氣體所含的元素之工程包含從各專用供應噴嘴將各反應氣體交替地供應之工程。因而，可將反應容器內和各專用供應噴嘴內所殘留的上述元素除去，而在淸洗工程後的薄膜形成工程時，可更防止上述元素所引起的薄膜形成速度之降低，而可製造更具穩定長膜量的品質佳之半導體裝置。依本發明又另一較佳形態所提供的第3半導體裝置製造方法，是在上述第2半導體裝置製造方法中，除去上述淸洗氣體所含有的元素之工程包含將各專用供應噴嘴內及反應容器內所殘留的上述元素除去，和在反應容器內的構成物表面形成所欲的薄膜者。在第3半導體裝置製造方法中，因爲除去上述淸洗氣體所含有的元素之工程包含將各專用供應噴嘴內及反應容器內所殘留的上述元素除去之工程，和在反應容器內的構成物表面形成所欲的薄膜之工程，因而，可將反應容器內和各專用供應噴嘴內所殘留的上述元素除去之同時，也可將上述元素壓入於形成在反應容器內的上述薄膜中，而在於淸洗工程後所進行的形成薄膜工程時，更可防止上述元素 1292926 所引起的薄膜形成速度之降低，而可製造更具穩定長膜量的品質佳之半導體裝置。依本發明又另一較佳形態所提供的第4半導體裝置製造方法，是在上述第1〜3半導體裝置製造方法中，上述多數反應氣體是含有矽的氣體和氨氣者。在第4半導體裝置製造方法中，上述氨氣是以電漿激發的氨氣爲理想。上述多數反應氣體如爲含有矽的氣體和電漿激發的氨氣時，可除去各專用供應噴嘴內所殘留的上述元素，而在於淸洗工程後所進行的薄膜形成工程時，可更防止反應容器內和各專用供應噴嘴內所殘留的上述元素所引起的薄膜形成速度之降低，且可製造具穩定長膜量的品質佳之半導體裝置。依本發明又另一較佳形態所提供的第5半導體裝置製造方法，是在上述第4半導體裝置製造方法中，上述淸洗氣體是含有氟的氣體，而上述淸洗氣體是從要供應含有矽的氣體之供應噴嘴供應於反應容器內者。在第5半導體裝置製造方法中，上述淸洗氣體是含有氟的氣體，上述淸洗氣體是從要供應含有矽的氣體之供應噴嘴供應於反應容器內者，因而，其與氨氣相比，可更有效的除去供應易於形成薄膜的含有矽的氣體之專用供應噴嘴內的附著物，可對上述專用供應噴嘴內做有效的淸洗，而可製造經抑制其遭受雜質的影響之半導體裝置。依本發明又另一較佳形態所提供的第6半導體裝置製造方法，是在上述第4或第5半導體裝置製造方法中，含有 -16- 1292926 上述矽的氣體是DCS(SiH2Cl2)者。依本發明又另一較佳形態所提供的第7半導體裝置製造方法，是在上述第5半導體裝置製造方法中，上述含有氟的氣體是NF3或C1F3者。以下參照圖面更詳細的說明本發明的較佳實施形態。第5圖是基板處理裝置的一例之縱型ALD裝置槪略構成圖。在基板處理裝置5 0的前面，設有晶盒交接組件4 9。在上述基板處理裝置5 0的內部設有面對於上述晶盒交接 | 組件4 9的晶盒架5 1，在上述晶盒交接組件4 9上方設有預備晶盒架52。在上述晶盒交接組件49與上述晶盒架51之間設有晶盒運送機5 3，在上述晶盒架5 1後方設有基板傳送機54。在該基板傳送機54後側設有載具升降機55，在該載具升降機5 5上方設有縱型反應爐1 0。上述晶盒交接組件49是具備可承載2只基板運載容器的晶盒57之晶盒載物台58^和在g亥晶盒載物台58下方的2 組基板姿勢整合機5 9。當外部運送裝置（圖未示）所運送來 φ 的上述晶盒5 7以垂直姿勢（即被收容在晶盒5 7內的晶圓1 在垂直姿勢的狀態）被放置在上述晶盒載物台5 8上時，上述基板姿勢整合機5 9會整合晶圓的姿勢，以使上述晶盒 5 7內的晶圓等的基板（圖未示）之缺口或定向平面在於同一位置上。上述晶盒載物台5 8會旋轉9 0°，使上述晶盒5 7成爲水平姿勢，同時使其成爲可由上述晶盒運送機5 3可運送之狀態。上述晶盒運送機5 3是具備可在前後方向進退的機器手 1292926 臂60，該機器手臂60是由進退、升降、橫行動作的相輔，將上述晶盒5 7從上述晶盒載物台5 8搬到上述晶盒架5 } ，或搬到上述預備晶盒架5 2上。在從上述載具升降機5 5所延伸的托臂6 1上，設有封閉蓋1 7 ’在該封閉蓋1 7上承載著基板保持用具的載具2。該載具2是要將晶圓以水平姿勢的保持在多層上者，而由上述載具升降機5 5將其裝進於上述縱型反應爐1 〇內或從其內拉出者。上述基板傳送機5 4是可旋轉和升降，並具備可進退的晶圓保持部62，該晶圓保持部62是具有多數片的晶圓保持板6 3 ;而可將晶圓以多數片一倂的，或以一片一片的保持者。上述基板傳送機54是從上述晶盒架51上的晶盒57中，將晶圓以多數片一倂的，或以一片一片的傳送到下降狀態的上述載具2上者。當所定片數的晶圓被傳送到上述載具2上時’該載具2 會被裝進於上述縱型反應爐1 0內’而進行晶圓的處理。此晶圓處理是使用ALD法’而將處理所用的多數種反應氣體之原料氣體以每次一種，並以交替的供應於於晶圓上’使其以1原子層單位的吸附和反應，並反複此操作’以進行處理者。經處理過的基板是與上述動作相反的動作’被傳迭到上述晶盒架5 1上的晶盒5 7內’並由上述晶盒運送機5 3運送到上述晶盒交接組件4 9 ’而由圖未示的外部運送裝置所搬 -18- 1292926 出。第2圖是實施形態的縱型ALD裝置之縱型反應爐10 (以下簡稱爐1 0)構成圖。此爐1 0是具備加熱器1 4，和在加熱器1 4內側的反應容器之石英製圓筒反應管1 1。在反應管 1 1內形成作爲基板處理領域之反應室1 2。反應管1 1的爐口部是由封閉蓋1 7所緊密的封閉。在封閉蓋1 7上經由石英帽7樹立著載具2，而會被插進於反應管1 1內。載具2是持有樹立在頂板3與底板4間的多數支支柱5，這些支柱5 上設有多層的槽6。所要處理的晶圓1是以水平姿勢且以多層的被保持在載具2之多層槽6中。載具2是由載具升降機5 5 (參照第5圖）以升降自如的支承著，而可出入於反應管1 1者。又，載具2是由圖未示的旋轉機構使其以旋轉軸1 9爲中心在反應管1 1內旋轉自如者。又1 8是封閉用的〇環。在反應管1 1內設有氣體供應手段7〇。氣體供應手段70 是可將多數的反應氣體供應於反應管1 1內者。氣體供應手段7 〇也包含後述的淸洗氣體供應系統和後處理用氣體供應系統。又，在反應管1 1也設有排氣系統的排氣口 1 6，以使反應管1 1的內剖可排氣者。氣體供應手段70在第2圖上是爲了方便起見，僅表示1 系統者，而實際上是設有多數系統’而可使多數種類的原料氣體（在此是以2種類原料氣體）供應於反應管1 1內者。多數種類的原料氣體之中，有一部分的氣體是經由電漿的活化後所供應的氣體，其餘的氣體是不經電漿活化所供應 -19- 1292926 的氣體者。例如在基板上所要形成的薄膜種類爲s iN膜時，原料氣體是需要活化的NH3氣體和不必活化的DCS氣體。在此所示的氣體供應手段7 0是要供應經由電漿所活化的 NH3氣體之第1氣體供應手段（NH3氣體供應手段）7〇A者。第1氣體供應手段70A是具備設置在反應管1 1下部一側的 NH3氣體導入口 20和連接在NH3氣體導入口 20，而設置在反應管11內的石英製NH3用緩衝噴嘴34。NH3用緩衝噴嘴3 4會對遍及於全部的晶圓，以均勻化的流量和流速，供應其所引進的NH3氣體。 NH3用緩衝噴嘴34是在反應管1 1的管軸方向從反應管 1 1下部延伸到載具2的頂部位置之反應管頂部附近，而沿著管內壁1 3設置者。NH3用緩衝噴嘴3 4與管徑爲一樣細的通常之噴嘴相比時，有較爲廣闊的噴嘴空間，而介由噴嘴空間將NH3氣體噴出於反應管11內者。NH3用緩衝噴嘴 3 4的噴出口（圖未示）是對應於被保持在多層之多數晶圓1 的，以和其相鄰晶圓1相同的節距設置多數者。又，在此NH3用緩衝噴嘴3 4的內部設有產生電漿用的一對電漿電極27(圖上電極是以重疊表示’因而只示出其一），而因電漿使所引進的NH3氣體爲活化者。一對電漿電極 27分別插入於設置在NH3用緩衝噴嘴34內的一對電極保護管2 5內。在於被一對電極保護管2 5夾在其間的電漿生成領域3 3中，會形成電漿4 0。第1圖是第2圖的I -1線箭頭方向俯視斷面圖。設有第1 氣體供應手段（NH3氣體供應手段）70A和第2氣體供應手段 -20- 1292926 (D C S氣體供應手段）7 Ο B，而可將2種類的原料氣體引進於反應管1 1內。第1氣體供應手段7 〇 A和第2氣體供應手段 7 Ο B是連接於控制裝置1 〇〇，而受控制裝置1 0 0所控制。第 1氣體供應手段70A是由NH3氣體引進管22、連結於NH3 氣體引進管22的NH3氣體引進口 20、和連通於NH3氣體引進口 2 0的N Η 3用緩衝噴嘴3 4所構成。第2氣體供應手段70Β是由DCS氣體引進管23、連結於DCS氣體引進管 23的DCS氣體引進口 21、及連通於DCS氣體引進口 21 的DCS用緩衝噴嘴44所構成。第1氣體供應手段70A從專用.噴嘴的NH3用緩衝噴嘴供應，除了二種原料氣體中的一種之NH3氣體外，也包括後處理用氣體的NH3氣體，或惰性氣體，例如爲N2於反應室 1 2內者，NH3氣體是在形成薄膜時和後處理時，都經過電漿的活化後供應之。 NH3用緩衝噴嘴34是由連接在NH3氣體引進口 20的氣體引進噴嘴2 8和使氣體活化的電漿生成噴嘴部2 9所構成。氣體引進噴嘴28與電漿生成噴嘴部29是隔著隔離牆26 以平行的設置，而經由設置在隔離牆2 6的連通口 3 0相連通者。在電漿生成噴嘴部設置有產生電漿之成對的電漿電極27,形成可將導入的氣體以電漿加以活化。經活化的NH3 42氣體是從設置在電漿生成噴嘴部29的噴出孔45噴出者。一對電漿電極27是分別插進於設置在電漿生成噴嘴部 2 9內的一對電極保護管2 5內。從電極保護管2 5引出到爐 1 0外部的一對電漿電極2 7是經由可變電容所組成的匹配器 1292926 3 2連接於高頻電源3 1。 NH3氣體引進口 20是連接在經由第1閥35和第2閥36 供應N Η 3氣體或惰性氣體的2分支引進管2 2 ’可將N Η 3或惰性氣體選擇地供應於Ν Η 3用緩衝噴嘴3 4。·從Ν Η3氣體引進口 20所引進的氣體會進入於ΝΗ3用緩衝噴嘴34的氣體引進噴嘴28，並通過連通口 30而供應於電漿生成噴嘴部 2 9。在此，在於電漿電極2 7之間施加高頻電力，就會在電漿生成領域46生成電漿40，ΝΗ3氣體會被該電漿40所活化。經過活化的ΝΗ3氣體是從電漿生成噴嘴部29的噴出口 4 7噴出於反應室1 2內的晶圓1上。如此的，ΝΗ3用緩衝噴嘴3 4是在其內部持有寬闊的空間，因而，於激發氣體之際所產生的游離基較不會撞到牆壁，且在電漿生成領域4 6附近的壓力會降低，由此可確保所產生的游離基之壽命，而可將一對電極保護管25 ΝΗ3游離基照原樣輸送到反應室（基板處理領域）1 2。第2氣體供應手段70Β是要將反應氣體從專用噴嘴的DCS 用緩衝噴嘴4 4供應於反應室1 2內者。其所供應的是除2 種原料氣體中的另一種之D C S氣體外，也包括淸洗用氣體的NF3氣體、後處理用氣體的DCS氣體、或惰性氣體者。 DCS或NF3氣體是與NH3氣體不同，是以不活化狀態供應者。 D C S用緩衝噴嘴4 4的構成是與上述Ν Η 3用緩衝噴嘴有所不同，沒有電發生成噴嘴部，而只有相當於氣體引進噴嘴 2 8的部分者。氣體是從D C S用緩衝噴嘴4 4的噴出口 4 7噴 -22- 1292926 出於反應室12內的晶圓1上。氣體引進口是介由第3 閥3 7、第4閥3 8及第5閥3 9 ’連接於供應NF3或惰性氣體的3分支氣體引進管23，可將DCS、NF3或惰性氣體以選擇性供應於DCS用緩衝噴嘴44者。3分支氣體引進管 23之中，要供應DCS氣體的DCS氣體引進管23A是爲了要在短時間內將反應管內壓力（以下亦稱爐內壓力）升壓到比NH3氣體更高的壓力，因而持有被夾在第4閥38與第6 閥43之間的儲存DCS氣體之緩衝罐41。在要將DCS氣體供應於反應室1 2之際，預先將D C S氣體儲存於緩衝罐4 1 內，而，在於將從反應室1 2的排氣口 1 6來的排氣例如爲截止之狀態下，從緩衝罐41將儲存在緩衝罐41內的DCS 氣體一口氣的供應於反應室1 2，由此，使反應室1 2內的多數晶圓1置身於D C S氣體中。N F 3氣體及惰性氣體是不通過緩衝罐4 1比較好，因而供應這些的氣體引進管2 3 B ' 2 3 C是連接在緩衝罐4 1的下游側。 ’ 由上述氣體引進管23B、DCS氣體引進口 21、及DCS用緩衝噴嘴44構成爲淸洗氣體供應系統7 Ϊ，而該淸洗氣體供應系統7 1係可供應淸洗氣體以除去在晶圓1上形成薄膜時所附著於反應管1 1內的附著物之反應副產物者。又’由第1氣體供應手段（NH3氣體供應手段）7〇A及第2氣體供應手段（D C S氣體供應手段）7 Ο B構成爲後處理用氣體供應手段72，可將在於上述供應淸洗氣體以除去反應副產物後殘留於反應管1 1內的淸洗氣體含有的F成分從反應管1 1除去者。 1292926 第3圖是表示在反應管1 1內的兩支Ν Η 3用緩衝噴嘴3 4 和D C S用緩衝噴嘴4 4，而是從第1圖右上方的空心箭頭Ζ 方向所見的反應管1 1之透視圖。各緩衝噴嘴3 4、44的氣體噴出口 4 5、4 7是從上游向下游逐漸加大其孔徑者。此乃由於噴嘴3 4、4 4的噴嘴空間之內部壓力會從上游向下游逐漸降低，因而，向下游逐漸加大其孔徑時，在下游側也可確保從噴出口 45、47所噴出的噴出量，而將上游到下游的整段上之流量調到均勻者。氣體噴出口 4 5、4 7是如上述的，使其對應於被保持在多層的晶圓1，以和其相鄰晶圓1 相同的節距設置者。接著，說明如上述所構成的實施形態之縱型ALD裝置中之作用。在縱型ALD裝置的反應管1 1內反複形成薄膜（形成薄膜工程Α)時，在爐內部，其反應副產物會一直附著、殘留下去。爲了要除去該附著物，要實施淸洗作業（淸洗工程 Β)。於淸洗後，要實施將殘留在爐內部的淸洗氣體所含有的元素排除之後處理（後處理工程C)。於後處理工程C之後’再反複形成薄膜工程Α和淸洗工程Β。以下對各工程個別的說明。又，在說明中會出現的時間是除掉額外時間之値者。在此，額外時間是指載具2的對於反應管1 1內的插入·取出所需的時間，和反應管的抽真空與恢復常壓所需的時間等之時間，而除了將氣體引進於反應室內以進行處理的時間之外的時間者。

•薄膜形成工程A 此工程是要在晶圓上形成所欲薄膜之主薄膜形成工程者 -24- 1292926 。用載具升降機5 (參照第5圖）經由封閉蓋1 7使載具2下降，而在載具2上保持多數片的晶圓1 ’並由載具升降機 5 5將載具2插進於反應管1 1內。由封閉蓋1 7將反應管1 1 的爐口完全封閉後，由排氣口 1 6的排氣，將反應管1 1內抽成真空。將反應管1 1內加熱到所定溫度，例如爲4 0 0〜 6〇〇t，並使溫度穩定化。從兩支緩衝噴嘴34、44將原料氣體一面供應於反應室1 2內，一面由排氣口 1 6排出，以對晶圓1表面進行形成薄膜之處理。在上述的ALD裝置中，DCS氣體和NH3電漿是可分別由各專用的D C S用噴嘴和N Η 3用噴嘴以交替的供應之構成者。尤其是在於可同時大量的處理層疊的基板之縱型ALD裝置中，要對層疊的各基板以均勻的輸送氣體時，DCS用噴嘴及NH3用噴嘴並不使用由細管所構成的通常之噴嘴’而有以空間較大的緩衝噴嘴所構成之情形。又，N Η 3用緩衝噴嘴是與DCS用緩衝噴嘴有所不同，在ΝΗ3用緩衝噴嘴內係包含設有電漿電極的電漿生成領域和引進Ν Η 3氣體的電漿非生成領域，以使被引進於電漿非生成領域的ΝΗ3氣體在於電漿生成領域由電漿所活化之構成者。然後’爲了要使S iN膜不易在各緩衝噴嘴內成長，在於從D C S用緩衝噴嘴供應DCS氣體時，使n2等的惰性氣體流入於NH3用緩衝噴嘴，而在於從NH3用緩衝噴嘴供應NH3電漿時，使n2 等的惰性氣體流入於DCS用緩衝噴嘴者。此形成薄膜處理是在於使用兩種類的反應氣體DCS和NH3 和A LD形成薄膜處理中所進行，而由如下①〜④步驟所構 -25- 1292926 成。 ① 關斷對Ν Η 3用緩衝噴嘴3 4的電漿電極2 7間的高頻電力之供電。又’爲了防止DCS氣體混入於HI用緩衝噴嘴 3 4內，打開第2閥3 6，使其先流通小量的Ν2氣體。打開第4閥3 8 ’將預先儲存在緩衝罐4 1的d C S氣體供應於D C S 用緩衝噴嘴4 4，從其噴出口 4 7噴射於反應室1 2。所噴射的DCS流例如爲〇.5slm，爐內壓力是在截止排氣口 16的排氣下例如爲2 6 6〜9 3 1 P a。使晶圓1置身於D _C S氣體中時，D C S原料會被吸附在晶圓1上。 ② 關閉第4閥3 8，停止D C S氣體的供應。打開第6閉 4 3，開始在緩衝罐4 1內儲存D c S氣體。接著打開排氣口 1 6 ’並打開第5閥3 9，將惰性氣體的N2氣體從DCS用緩衝噴嘴（第2緩衝噴嘴）44引進於反應管1 1內，用N2氣體吹掃D C S用緩衝噴嘴4 4及反應管1 1內，以將D C S氣氛從 DCS用緩衝噴嘴44及反應管11內除去。又，也可用抽真空以取代於N2氣體吹掃以除去DCS氣氛者。 ③ 爲了防止Ν Η 3游離基4 2的混入於D C S用緩衝噴嘴4 4 內，打開第5閥3 9，使其先流通少量的Ν2氣體。在電漿電極27之間施加高頻電力，並打開第1閥35，將ΝΗ3氣體供應於ΝΗ3用緩衝噴嘴（第1緩衝噴嘴）34。ΝΗ3氣體會從氣體引進噴嘴部2 8通過連通孔3 0而被引進於電漿生成噴嘴部2 9，而由在於電漿電極2 7間所產生的電漿4 0所活化。被活化的ΝΗ3游離基42會從噴射孔42噴射於反應室12。所噴射的ΝΗ3氣體之流量是例如爲3.0〜4.5 s lm，爐 ‘26- 1292926 內壓力爲由排氣口 1 6的傳導控制，使其比引進D C S氣體時爲低的4 0〜6 0 P a。當晶圓1置身於活化的n Η 3氣體時，吸附在晶圓1上的DCS原料會與ΝΗ3原料產生反應，在晶圓1上只形成1原子層的SiN膜。 ④關閉第1閥3 5，停止NH3氣體的供應，並將施加於電漿電極2 7間的高頻電力斷電。在保持排氣口！ 6打開的狀態下，打開第2閥36，將惰性氣體的N2氣體引進於NH3 用緩衝噴嘴3 4，使其從氣體引進噴嘴部2 8通過電漿生成噴嘴部29進入到反應管1 1內，用N2氣體吹掃NH3用緩衝噴嘴34及反應管1 1內，以將NH3氣氛從NH3用緩衝噴嘴 34及反應管11內除去。又也可用抽真空以取代於N2氣體吹掃以除去NH3氣氛者。再回到①，將①〜④步驟反複所欲的次數。以步驟①〜 ④作爲1循環，在1循環中形成一定膜厚之薄膜。膜厚是由循環數來控制。形成薄膜的時間是依賴於溫度和膜厚’但例如形成薄膜溫度爲5 5 0 °C，膜厚爲3 00A時，是在100分鐘程度。又，在上述步驟中，是以先供應D C S氣體，隨後供應NH3電漿，但也可使供應順序相反的，先供應NH 3電漿，隨後供應DCS氣體者。如此的形成薄膜之工程完了之後，將反應管1 1內換成惰性氣體N2，使其恢復到常壓，使載具2下降，從載具2取出完成形成薄膜的晶圓1。然而，雖然如上述的，從一方的緩衝噴嘴使原料氣體流入時，也使惰性氣體從另一方緩衝噴嘴流入，但由於擴散 -27- 1292926 現象，難免在緩衝噴嘴之間互爲混入某程度的氣體。在原料氣體是要受電漿所欲激發的NH3用緩衝噴嘴中，如混入 DCS氣體時，噴嘴會成爲雜質產生源。噴嘴會成爲雜質產生源的理由是由如下所引起者， ① 電漿放電時，於NH3用緩衝噴嘴的電漿生成領域中有混入DCS氣體時，DCS與NH3電漿會產生戲劇性的反應，會形成聚合物等，於NH3用緩衝噴嘴內部附著薄膜。此即成爲雜質產生源。 ② 由於DCS與NH3電漿的產生反應，會在電漿生成領域· 進行薄膜的附著，但如附著很厚的薄膜時，於電漿放電時，NH3游離基猛烈的碰撞於所附著的薄膜，使薄膜損傷，會有產生薄膜的剝落之事。此也成爲雜質產生源。因而，於將多數的氣體交替地供應於使用多數專用供應噴嘴之縱型ALD裝置中，爲了除去在緩衝噴嘴內所形成的薄膜，在後述的淸洗工程B中，也需要使淸洗氣體進入於緩衝噴嘴內。 •淸洗工程B ® 在載具2無保持晶圓1的狀態下，由載具升降機5 5將載具2插進於反應管1 1內。由封閉蓋1 7將反應管1 1的爐口完全封閉後，由排氣口 1 6的排氣’將反應管1 1內抽成真空。將反應管1 1內保持在所定溫度’例如爲約6 1 0 °C。打開第3閥37，將淸洗氣體的NF3氣體從DCS用緩衝噴嘴 4 4噴射於反應室1 2內。所噴射的N F 3氣體流量是例如爲 0.2 5〜1.5 slm。此時反應管1 1內部的真空排氣是仍然繼續 -28- 1292926 ，並由控制其真空排氣量以使反應管11內部的壓力維持在預先設定之値。由爐內的熱以使nf3分子活化。由此，在爐內的接觸於氣體的部位之D C S用緩衝噴嘴4 4的內壁面、反應管1 1的內壁面、爐口部附近8的爐低溫部、或其他接觸於氣體的部位上所附著的反應副產物會被侵蝕。又， NF3氣體也會進入於NH3用緩衝噴嘴34內，在電漿生成噴嘴部2 9內的反應副產物也會被侵蝕。被侵飩的反應副產物會從排氣口 1 6排出。淸洗時間是依其所累積的薄膜厚度而定，但，例如累積厚度爲0.5 時爲2小時程度。在此，ΝΗ3用緩衝噴嘴34的氣體引進噴嘴部28內是電漿生成領域46以外之電漿非生成領域48，如NF3氣體進入於氣體引進噴嘴部2 8內，以致於在噴嘴部內壁面上有F 成分的吸附、結合而殘留時，由於無NH3電漿的存在，因而不能除去F成分。因此，於淸洗時，使微量的氮氣N 2 流入於氣體引進噴嘴部2 8，以使淸洗氣體不混入於氣體引進噴嘴部2 8內者。在此，使其氮氣N2流入量爲微量的理由如下。因爲在電漿生成噴嘴部2 9內，可想像會由於 D C S氣體的擴散而多少會附著反應副產物，因而需要如上述的將淸洗氣體送入於電漿生成噴嘴部2 9內，以除去其反應副產物。然而，如使氮氣N2的流入量爲多時，淸洗氣體不能進入到電漿生成噴嘴部2 9內，不能將反應副產物除去，是要防止此事者。又’在實施形態中，淸洗氣體並不是使其從供應N Η 3氣體的ΝΗ3用緩衝噴嘴3 4流入，而是使其從供應D C S氣體 1292926 的DCS用緩衝噴嘴44流入者。此乃依據如下3個理由。 ① 因爲只有D C S氣體也可形成薄膜，因而可想像附著於 DCS用緩衝噴嘴44內的反應副產物之薄膜是會比附著於 NH3用緩衝噴嘴34內的反應副產物之薄膜爲厚，因而需要將其有效的除去。 ② 於實施淸洗後要進行形成薄膜時，其形成薄膜的速度會降低。此乃由於形成薄膜氣體的受到殘留F成分之影響，其薄膜的形成受到阻礙者。反應氣體爲DC S + NH3電漿系時，其與所殘留F的反應是NH3電漿的與F之反應率是比 DCS氣體的爲高，而易受F的影響。因此，如使NF3氣體從NH3用緩衝噴嘴3 4流入時，其在於後續形成薄膜的速度之降低，是會比使NF3氣體從DCS用緩衝噴嘴44流入時爲大。因而，使其從不易受到F的影響之一方流入者爲理想。

③ 如使淸洗氣體可進入到NH3用緩衝噴嘴3 4內，F成分會在於NH3用緩衝噴嘴3 4內的噴嘴內壁面上吸附、結合。 NH3如不實施電漿激發時，不會與氟F產生反應，因而，如從NH3用緩衝噴嘴34供應Nf3氣體時，在於電漿生成領域4 6以外的電漿非生成領域4 8中，有F成分的吸附、結合而殘留，則無法除去該F成分，從晶圓處理開始有一段時間’ F會繼續供應到反應室】2內，也即形成薄膜的速度在一段時間全有不安定之事。因而，需要迴避此事者。 •後處理工程C 後處理工程是要在於淸洗工程之後進行之工程者，包含 -30- 1292926 :將殘留於各緩衝噴嘴3 4、4 4內，及反應室1 2內的元素 F從反應管1 1除去之除去工程；和，在於各緩衝噴嘴3 4 、4 4內及反應管1 1內的構成物表面上，形成所欲薄膜之預置薄膜形成工程者，除去工程與預置薄膜形成工程兩者是可作爲個別實施的工程，但如用ALD法時，可將兩工程合倂爲一工程實施之。用A L D法的由一工程來實現時，其形成薄膜的內容在基本上是和上述形成薄膜工程A相同，其與形成薄膜工程A不同之點是在於處理時間爲例如較短的1 3分鐘，以此處理時間進行例如4 0循環程度的形成薄膜處理時，可在於後處理後所要進行的晶圓形成薄膜中，使薄膜厚度安定化。作爲後處理工程，如用由電漿所激發的NH3游離基和 DCS氣體以交替的供應之ALD法來實施後處理工程時，爐內的各接觸於氣體部分的F成分是由如下的被除去者。 ①NH3用緩衝噴嘴

NH3氣體會被作爲後處理用氣體，供應於NH3用緩衝噴嘴34。於是，因該NH3會被電漿所活化，因而，在於NH3 用緩衝噴嘴3 4的電漿生成噴嘴部2 9內的壁面上所吸附、結合而殘留的F成分會與由於活化而從NH3電離的Η原子產生反應，成爲易於從ΝΗ3用緩衝噴嘴34排出的HF氣體。HF氣體會從ΝΗ3用緩衝噴嘴34通過反應室12，而由反應管1 1的排氣口 1 6排出。又，在於預置形成薄膜時，雖無有意圖在ΝΗ3用緩衝噴嘴34內形成預置薄膜的SiN膜 ’但可想像由於在供應D C S氣體時的氣體之擴散作用，D C S -31- 1292926 離基與F之反應機率很高，因而也會與在於爐口部附近8 的低溫部所吸附·結合而殘留的F成分很有效的起作用，f 成分會成爲HF而從反應管1 1排出。又是從各緩衝噴嘴3 4 、44將NH3游離基和DCS氣體以交替的供應於反應管i j 內，由此而在於爐低溫部所形成的預置薄膜也可將在於壁面所吸附·結合而殘留的F成分封閉在薄膜之下，將其從反應管1 1的氣氛中排除。 ④上述以外的部分上述以外的爐內之接觸於氣體部分是由預置薄膜的形成，及與DCS氣體或NH3游離基的反應所致的F成分之揮發化’而可將在於壁面上所吸附·結合而殘留的F成分抑制且除去。由上述①〜④的除去效果，因爲可將爐內各接觸於氣體部分之F成分有效的除去，在於剛淸洗之後，要在基板上形成薄膜時，也不會有F成分的脫離出來而阻礙到形成薄膜之事’可有效的抑制形成薄膜速度之降低。如依照上述實施形態，於實施後處理工程的形成預置薄膜時’並不用熱C V D法，而採用A L D法，此時，是以正式形成薄膜所用的原料氣體之全部作爲後處理用氣體供應者’因而，可由NH3游離基和DCS的從爐內除去F元素，及由形成預置薄膜的將F元素陷困在爐內之兩方面上，可將F元素從反應管內的氣氛中有效地排除。又’依熱CVD法形成預置薄膜時，需要有很厚的膜才可陷困F成分。即，在熱c V D法的場合中，爐口部附近8的 1292926 低溫部分在形成薄膜之速度上是比其也接觸於氣體部分的爲低’而要形成包括低溫部分的F成分陷用之預置薄膜時 ’形成薄膜處理時間會加長，致使其他接觸於氣體部分的膜厚加厚。又，熱CVD法是不使用電漿，因而對於由NH 3 電漿所殘留的F成分，並無將其排出於反應室1 2外之功能。因而，必須將多量的殘留F成分封閉在預置薄膜之下，結果，需要很厚的預置薄膜。相對地，如實施形態，由ALD 法形成預置薄膜時，可由很薄的膜來陷困F成分。即，在於ALD法的場合中，NH3電漿會將低溫部分附近的殘留F ® 成分有效的去除’因而只要很薄的預置薄膜就夠。又，預置薄膜如很薄時，在後續的基板處理中會附著於反應管內壁面的反應副產物之到其開始產生膜剝離之期間會延長，因而可減少清洗之次數。因而，如第4圖A、第4圖B所示，要形成預置薄膜之際，如用從來的熱CVD法時，需要較厚的薄膜，爲了要趕薄膜形成速度，必須提高處理溫度（第4 B圖）。相對地，在實施形態中是用A L D法，而可由N Η 3電漿和D C S氣體的 ® 除去F成分之效果，以實現預置薄膜的薄膜化，因而可使形成預置薄膜的溫度和正式形成薄膜的薄膜形成溫度相同，而可提升生產效率（第4Α圖）。又’在本實施形態中，供應後處理用氣體的後處理用氣體供應系統是將各專用供應噴嘴的Ν Η 3用緩衝噴嘴和D C S 氣體緩衝噴嘴照原樣的予以利用者，因爲不必再增設專用供應噴嘴以外的熱CVD形成薄膜用噴嘴，因而，不會有反 -34- 1292926 應管構造的複雜化或成本的提高之事。又，由於不增設熱 CVD形成薄膜用噴嘴，因而，也不會有在CVE)形成薄膜用噴嘴內形成薄膜所引起的產生雜質之問題。使用如上述的，經由薄膜形成工程、淸洗工程及後處理工程之基板處理裝置，以製造半導體裝置，可製成受到殘留在反應室內的淸洗氣體所含有元素之影響是很少的半導體裝置。又，在實施形態中是用DCS和電漿激發NH3的原料氣體以形成SiN膜者，但，氣體種類並不限定於此。例如在siN 膜中’也可使用 Si2Cl6(Hexachlorodisilane; HCD)和 NH3 (可爲電漿激發也可不用電漿激發）的原料氣體以形成薄膜者。又，在實施形態中淸洗氣體是用NF3者，但並不限定於此，而也可使用C1F3等的其他含有F(氟）的淸洗氣體。又，在實施形態中，正式形成薄膜與後處理都是用ALD 法所實施者，但並不限定於此，例如也可在正式形成薄膜時是用熱CVD法，而只在後處理時使用ALD法者。又，在實施形態中是應用在縱型ALD裝置上者，但，也可應用在扇葉式的ALD裝置上。又，在實施形態中是對於具備其空間容積是比通常的噴嘴爲大的兩支緩衝噴嘴，且，在其一方的緩衝噴嘴內將氣體以電漿激發的構造者加以說明者，但並不限定於此。例如雖然其後處理工程的處理時間會增加，但也可應用於在緩衝噴嘴外實施電漿激發，或持有通常的細管噴嘴而在噴 -35- 1292926 嘴外實施電漿激發之構造者。如上述的，依本發明時，在於淸洗後所要進行的後處理中所用的後處理用氣體是使用反應氣體者，因而有效的除去淸洗氣體所含有的元素。又，是將對基板實施所欲處理時所用的反應氣體之全部作爲後處理用氣體引進者，因而 ’不必增設氣體供應系統，而可迴避構造的複雜化。又，也可防止於增設氣體供應系統時會發生的氣體供應系統所帶來的雜質之產生。 [圖式簡單說明] 第1圖爲依本發明一實施形態所構成縱型A L D裝置的爐之槪略橫斷面圖。第2圖爲依本發明一實施形態所構成縱型Ald裝置的爐之槪略縱斷面圖。第3圖爲依本發明一實施形態，反應管內的緩衝噴嘴之透視圖。第4A圖、第4B圖爲於形成預置薄膜採用ALD法和熱 CVD法的場合中，比較淸洗，形成預置薄膜及形成薄膜的各處理溫度之比較圖。第5圖爲依本發明一實施形態的縱型ALD裝置之槪略整體構成圖。 [主要部分之代表符號說明] I 晶圓（基板） II 反應管（反應容器） 16 排氣口（排氣系統） -36- 1292926 34 44 70 70 A 70B 7 1 72 NH3用緩衝噴嘴（專用供應噴嘴） DCS用緩衝噴嘴（專用供應噴嘴）氣體供應手段第1氣體供應手段（NH3氣體供應手段）第2氣體供應手段（DCS氣體供應手段）淸洗氣體供應系統後處理用氣體供應系統

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Claims

1292926 第92131357號「基板處理裝置」專利案

(2005 拾、申請專利範圍：須請委另明示，本銳修正 5ι·/^”-^\*1 1. 一種基板處理裝置，其具有：反應容器，可容納基板，且可形成被供應多種的反應氣體，以對上述基板施加所欲處理的空間；排氣口，開口於上述反應容器，作爲上述反應容器內的排氣用；及氣體供應系統，至少可將上述多種的反應氣體供應於上述反應容器之中，其中上述氣體供應系統係包含：淸洗氣體供應設備，可供應淸洗氣體以除去對上述基板施加所欲處理，附著於反應容器內的附著物；和，後處理用氣體供應設備，可供應後處理用氣體，以除去經過上述供應淸洗氣體除去附著物後，殘留於反應容器內之淸洗氣體所含有的元素；而，上述後處理用氣體是包括上述對基板施加所欲處理之際所用的上述反應氣體之全部者。 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述後處理用氣體供應設備係具備可將各種反應氣體以各自獨立的供應之專用供應噴嘴，在將上述反應氣體作爲上述後處理用氣體供應時，從上述各專用供應噴嘴將各反應氣體以交替地供應者。 3 .如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中從上述後處理用氣體供應設備所供應的各種反應氣體 1292926 是可除去各專用供應噴嘴內及反應容器內所殘留的元素，且可在反應容器內形成所欲的薄膜之氣體者。 4.如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中從上述各專用供應噴嘴所供應的多種反應氣體，含有矽的氣體和電漿激發的氨氣者。 5 .如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中上述淸洗氣體是含有氟的氣體，而該含有氟的氣體是使其從供應含有矽的專用供應噴嘴供應者。 6. 如申請專利範圍第4或5項之基板處理裝置，其中上述含有矽的氣體是3丨152(：12者。 7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中上述含有氟的氣體是NF3或 C1F3者。 8. —種基板處理裝置，其係在於可交替的供應多種反應氣體，以在基板上形成薄膜，其包含：反應容器；多數專用供應噴嘴，可供應上述多數反應氣體，而分別爲各該反應氣體所專用；及，控制裝置，用於控制：在淸洗時，自上述多數供應噴嘴中之一將淸洗氣體供應於龜反應容器內，而在上述淸洗氣體供應後，實施基板處理之前，使基板處理時所使用的上述多種反應氣體之全部，分別從上述多數的各專用供應噴嘴交替地供應於上述反應容器內。 9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中又具備加熱單元，用於將前述反應容器內加熱，供應前述淸洗氣 1292926 體後，在進行基板處理前，將供應前述多數反應氣體時的反應容器內的溫度，設定成比前述淸洗時的反應容器內的溫度低。 10.如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中又具備電漿生成單元，用於使反應氣體電漿激勵，前述多數反應氣體中，至少一種反應氣體被前述電漿生成單元電漿激勵，從前述供應噴嘴供給。