JPH073464A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JPH073464A JPH073464A JP17103893A JP17103893A JPH073464A JP H073464 A JPH073464 A JP H073464A JP 17103893 A JP17103893 A JP 17103893A JP 17103893 A JP17103893 A JP 17103893A JP H073464 A JPH073464 A JP H073464A
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- gas
- exhaust gas
- unreacted
- waste gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、排ガス処理装置を構成する排ガス除
去剤の寿命を従来に比して一段と延長することを目的と
する。 【構成】排ガス中に含まれる未反応ガスを反応ガスと反
応させて粉体化させた後、排ガスを固体除去フイルタに
導くようにしたことにより、固体除去フイルタを通つた
排ガス中から未反応ガスをほとんど取り除くことができ
る。これにより未反応ガスが直接ガス除去フイルタに流
入して劣化させるおそれを抑制することができ、ガス除
去フイルタの寿命を一段と延長することができる。
去剤の寿命を従来に比して一段と延長することを目的と
する。 【構成】排ガス中に含まれる未反応ガスを反応ガスと反
応させて粉体化させた後、排ガスを固体除去フイルタに
導くようにしたことにより、固体除去フイルタを通つた
排ガス中から未反応ガスをほとんど取り除くことができ
る。これにより未反応ガスが直接ガス除去フイルタに流
入して劣化させるおそれを抑制することができ、ガス除
去フイルタの寿命を一段と延長することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は排ガス処理装置に関し、
特に化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical VaporDeposition
）装置から排出された排ガスの処理装置に適用して好
適なものである。
特に化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical VaporDeposition
）装置から排出された排ガスの処理装置に適用して好
適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の表面に薄膜を形成す
る技術としてＣＶＤ技術が一般に使用されている。この
薄膜の形成には用途に応じて各種の材料ガスが使用され
ており、多層配線用層間絶縁膜の形成にはテトラエトキ
シシラン（ＴＥＯＳ：tetraethyl orthosilicate）が注
目されている。このガスは室温でアルコール状の液体
で、 650〜 800〔℃〕でシリコン酸化物に分解するもの
で段差被覆性が非常に良い原料ガスとして知られてい
る。
る技術としてＣＶＤ技術が一般に使用されている。この
薄膜の形成には用途に応じて各種の材料ガスが使用され
ており、多層配線用層間絶縁膜の形成にはテトラエトキ
シシラン（ＴＥＯＳ：tetraethyl orthosilicate）が注
目されている。このガスは室温でアルコール状の液体
で、 650〜 800〔℃〕でシリコン酸化物に分解するもの
で段差被覆性が非常に良い原料ガスとして知られてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのＴＥＯＳ
ガスを原料ガスとして使用すると、ＣＶＤ装置から排出
される排ガスを処理する排ガス処理装置の劣化が他の原
料ガスに比して著しいといつた問題があつた。通常、こ
の種の排ガス処理装置はＣＶＤ装置から排出された排ガ
スのうち固体物を取り除くフイルタと汚染ガスを化学吸
着して取り除く排ガス除去剤とによつて構成されている
が、排ガス除去剤の劣化が特に問題となつている。
ガスを原料ガスとして使用すると、ＣＶＤ装置から排出
される排ガスを処理する排ガス処理装置の劣化が他の原
料ガスに比して著しいといつた問題があつた。通常、こ
の種の排ガス処理装置はＣＶＤ装置から排出された排ガ
スのうち固体物を取り除くフイルタと汚染ガスを化学吸
着して取り除く排ガス除去剤とによつて構成されている
が、排ガス除去剤の劣化が特に問題となつている。
【０００４】これは粉体化していない未反応のＴＥＯＳ
ガスが排ガス除去剤に直接流入するためと考えられる。
このため排ガス除去剤の寿命が短くなり交換に要するコ
ストが高くなつている。また排ガス除去剤の交換頻度が
増加することは産業廃棄物が多くなることを意味し、地
球環境を保護の観点からも好ましいことではない。
ガスが排ガス除去剤に直接流入するためと考えられる。
このため排ガス除去剤の寿命が短くなり交換に要するコ
ストが高くなつている。また排ガス除去剤の交換頻度が
増加することは産業廃棄物が多くなることを意味し、地
球環境を保護の観点からも好ましいことではない。
【０００５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、排ガス除去剤の寿命を従来に比して一段と延長する
ことができる排ガス処理装置を提案しようとするもので
ある。
で、排ガス除去剤の寿命を従来に比して一段と延長する
ことができる排ガス処理装置を提案しようとするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、反応室２から排出された排ガスＧ
１を固体除去フイルタ５に導いて粉体物を除去した後、
当該排ガスをガス除去フイルタ７に導いて特定のガス成
分を吸着して取り除く排ガス処理装置において、排ガス
Ｇ１を固体除去フイルタ５に供給する前に反応ガス（Ｏ
3 ）と反応させ、当該排ガスＧ１中に含まれる未反応ガ
ス成分（ＴＥＯＳ）を粉体化させるようにする。
め本発明においては、反応室２から排出された排ガスＧ
１を固体除去フイルタ５に導いて粉体物を除去した後、
当該排ガスをガス除去フイルタ７に導いて特定のガス成
分を吸着して取り除く排ガス処理装置において、排ガス
Ｇ１を固体除去フイルタ５に供給する前に反応ガス（Ｏ
3 ）と反応させ、当該排ガスＧ１中に含まれる未反応ガ
ス成分（ＴＥＯＳ）を粉体化させるようにする。
【０００７】
【作用】排ガスＧ１中に含まれる未反応ガス（ＴＥＯ
Ｓ）を反応ガス（Ｏ3 ）と反応させて粉体化させること
により固体除去フイルタ５を通つた後の排ガス中から未
反応ガス（ＴＥＯＳ）をほとんど取り除くことができ
る。これにより未反応ガス（ＴＥＯＳ）が直接ガス除去
フイルタ７に流入するおそれを従来に比して格段的に減
少させることができる。この結果、ガス除去フイルタ７
の劣化を抑制することができ、ガス除去フイルタ７の寿
命を一段と延長することができる。これによりフイルタ
交換に要する経費を削減でき、また産業廃棄物の発生も
最小限に抑えることができる。
Ｓ）を反応ガス（Ｏ3 ）と反応させて粉体化させること
により固体除去フイルタ５を通つた後の排ガス中から未
反応ガス（ＴＥＯＳ）をほとんど取り除くことができ
る。これにより未反応ガス（ＴＥＯＳ）が直接ガス除去
フイルタ７に流入するおそれを従来に比して格段的に減
少させることができる。この結果、ガス除去フイルタ７
の劣化を抑制することができ、ガス除去フイルタ７の寿
命を一段と延長することができる。これによりフイルタ
交換に要する経費を削減でき、また産業廃棄物の発生も
最小限に抑えることができる。
【０００８】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【０００９】図１において１は全体としてＣＶＤ用排ガ
ス処理システムを示し、常圧ＣＶＤ装置２から排出され
た排ガスＧ１を排ガス処理装置３によつて除去するよう
になされている。ここで常圧ＣＶＤ装置２はテトラエト
キシシラン（ＴＥＯＳ）を原料ガスとするもので排ガス
Ｇ１中には未反応の原料ガスも多く含まれている。
ス処理システムを示し、常圧ＣＶＤ装置２から排出され
た排ガスＧ１を排ガス処理装置３によつて除去するよう
になされている。ここで常圧ＣＶＤ装置２はテトラエト
キシシラン（ＴＥＯＳ）を原料ガスとするもので排ガス
Ｇ１中には未反応の原料ガスも多く含まれている。
【００１０】排ガス処理装置３は排ガス吸気口にオゾン
発生器４の吹出口を取り付けたことを特徴とし、常圧Ｃ
ＶＤ装置２から排気された排ガスＧ１をオゾンＯ3 と反
応させることにより粉体化を促進させるようになされて
いる。オゾンＯ3 はＴＥＯＳとの反応性が酸素Ｏ2 に比
して高い反応ガスであり、オゾン発生器４によつて空気
中の酸素Ｏ2 から発生される。
発生器４の吹出口を取り付けたことを特徴とし、常圧Ｃ
ＶＤ装置２から排気された排ガスＧ１をオゾンＯ3 と反
応させることにより粉体化を促進させるようになされて
いる。オゾンＯ3 はＴＥＯＳとの反応性が酸素Ｏ2 に比
して高い反応ガスであり、オゾン発生器４によつて空気
中の酸素Ｏ2 から発生される。
【００１１】排ガスＧ１とオゾンＯ3 との混合はガス混
合器５においてなされる。ガス混合器５中では２つのガ
スの混合によつて、次式
合器５においてなされる。ガス混合器５中では２つのガ
スの混合によつて、次式
【化１】
【化２】 に示すような反応が次々と繰り返される。その結果、排
ガスＧ１中に含まれるテトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）のほとんどは最終生成物であるシリコン酸化物に変
換される。
ガスＧ１中に含まれるテトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）のほとんどは最終生成物であるシリコン酸化物に変
換される。
【００１２】フイルタ６は化学繊維によつて形成されて
いる。フイルタ６はガス混合器５から排出された排ガス
のうちシリコン酸化物を含む粉体物を除去する。排ガス
除去器７はフイルタ６によつて粉体物が取り除かれた後
の排ガスを吸入し、未反応のＴＥＯＳガスの他、ＣＶＤ
工程において使用した有害なガス成分を化学吸着によつ
て除去する。
いる。フイルタ６はガス混合器５から排出された排ガス
のうちシリコン酸化物を含む粉体物を除去する。排ガス
除去器７はフイルタ６によつて粉体物が取り除かれた後
の排ガスを吸入し、未反応のＴＥＯＳガスの他、ＣＶＤ
工程において使用した有害なガス成分を化学吸着によつ
て除去する。
【００１３】因に排ガス除去器７を構成するケース７Ａ
の内部はパンチング板７Ｂによつて２つの部屋に仕切ら
れており、活性炭等でなる排ガス除去剤７Ｃによつて未
反応ガス等を取り除いている。ブロワ８は排ガス除去器
７から各種有害ガスが取り除かれた排ガスを吸気し、こ
れを大気中へ排出するようになされている。
の内部はパンチング板７Ｂによつて２つの部屋に仕切ら
れており、活性炭等でなる排ガス除去剤７Ｃによつて未
反応ガス等を取り除いている。ブロワ８は排ガス除去器
７から各種有害ガスが取り除かれた排ガスを吸気し、こ
れを大気中へ排出するようになされている。
【００１４】以上の構成において、ＣＶＤ用排ガス処理
システム１による常圧ＣＶＤ装置２の排ガス処理工程を
説明する。常圧ＣＶＤ装置２はＴＥＯＳガスを原料ガス
とするＣＶＤ装置であるため反応室からの排ガスＧ１に
未反応ＴＥＯＳガスを多く含む。
システム１による常圧ＣＶＤ装置２の排ガス処理工程を
説明する。常圧ＣＶＤ装置２はＴＥＯＳガスを原料ガス
とするＣＶＤ装置であるため反応室からの排ガスＧ１に
未反応ＴＥＯＳガスを多く含む。
【００１５】従来の排ガス処理装置では単に未反応ＴＥ
ＯＳガスと酸素Ｏ2 を反応させるだけであつたのに対
し、この実施例において使用される排ガス処理装置３は
これら排ガスＧ１中に含まれる未反応ＴＥＯＳガスをガ
ス混合器５内のオゾンＯ3 と反応させる。このオゾンＯ
3 は酸素Ｏ2 に比して反応が速く、また反応性に富むた
め未反応ＴＥＯＳガスはほとんどシリコン酸化物となり
粉体化が促進される。
ＯＳガスと酸素Ｏ2 を反応させるだけであつたのに対
し、この実施例において使用される排ガス処理装置３は
これら排ガスＧ１中に含まれる未反応ＴＥＯＳガスをガ
ス混合器５内のオゾンＯ3 と反応させる。このオゾンＯ
3 は酸素Ｏ2 に比して反応が速く、また反応性に富むた
め未反応ＴＥＯＳガスはほとんどシリコン酸化物となり
粉体化が促進される。
【００１６】この結果、常圧ＣＶＤ装置２から排出され
た未反応ＴＥＯＳガスはほぼ粉体物としてフイルタ６で
取り除かれ、未反応ＴＥＯＳガスが直接排ガス除去器７
に流入されることは防止される。これにより排ガス除去
剤７Ｃの劣化が必要以上に促進されるおそれは回避され
る。
た未反応ＴＥＯＳガスはほぼ粉体物としてフイルタ６で
取り除かれ、未反応ＴＥＯＳガスが直接排ガス除去器７
に流入されることは防止される。これにより排ガス除去
剤７Ｃの劣化が必要以上に促進されるおそれは回避され
る。
【００１７】以上の構成によれば、反応性の高いオゾン
Ｏ3 によつて未反応ＴＥＯＳガスを残らず酸化させたこ
とにより排ガス除去剤７Ｃの長寿命化を実現することが
できる。また排ガス除去剤７Ｃの劣化による廃棄量が従
来に比して格段的に減少することにより自然環境の保護
にも貢献することができる。
Ｏ3 によつて未反応ＴＥＯＳガスを残らず酸化させたこ
とにより排ガス除去剤７Ｃの長寿命化を実現することが
できる。また排ガス除去剤７Ｃの劣化による廃棄量が従
来に比して格段的に減少することにより自然環境の保護
にも貢献することができる。
【００１８】なお上述の実施例においては、常圧ＣＶＤ
装置から排出される排ガスを処理する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、減圧ＣＶＤ装置や他のＣ
ＶＤ装置から排出される排ガスを処理する場合にも適用
し得る。
装置から排出される排ガスを処理する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、減圧ＣＶＤ装置や他のＣ
ＶＤ装置から排出される排ガスを処理する場合にも適用
し得る。
【００１９】また上述の実施例においては、ＣＶＤ装置
から排出される排ガスを処理する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、スパツタ装置やエツチング
装置から排出される排ガスに含まれるＴＥＯＳガスの除
去にも使用できる
から排出される排ガスを処理する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、スパツタ装置やエツチング
装置から排出される排ガスに含まれるＴＥＯＳガスの除
去にも使用できる
【００２０】さらに上述の実施例においては、排ガス中
に含まれる未反応ＴＥＯＳガスをオゾンＯ3 と反応させ
て除去する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、オゾンＯ3 との反応性が高いガスを含む排ガスを処
理する場合に広く適用し得る。
に含まれる未反応ＴＥＯＳガスをオゾンＯ3 と反応させ
て除去する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、オゾンＯ3 との反応性が高いガスを含む排ガスを処
理する場合に広く適用し得る。
【００２１】さらに上述の実施例においては、排ガス中
に含まれる未反応ＴＥＯＳガスをオゾンＯ3 と反応させ
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、オゾ
ン以外の反応ガスを用いて未反応ＴＥＯＳガスを粉体化
させても良い。
に含まれる未反応ＴＥＯＳガスをオゾンＯ3 と反応させ
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、オゾ
ン以外の反応ガスを用いて未反応ＴＥＯＳガスを粉体化
させても良い。
【００２２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、排ガス中
に含まれる未反応ガスを反応ガスと反応させて粉体化さ
せた後、排ガスを固体除去フイルタに導くようにしたこ
とにより、固体除去フイルタを通つた排ガス中から未反
応ガスをほとんど取り除くことができる。これにより未
反応ガスが直接ガス除去フイルタに流入して劣化させる
おそれを抑制することができ、ガス除去フイルタの寿命
を一段と延長することができる。
に含まれる未反応ガスを反応ガスと反応させて粉体化さ
せた後、排ガスを固体除去フイルタに導くようにしたこ
とにより、固体除去フイルタを通つた排ガス中から未反
応ガスをほとんど取り除くことができる。これにより未
反応ガスが直接ガス除去フイルタに流入して劣化させる
おそれを抑制することができ、ガス除去フイルタの寿命
を一段と延長することができる。
【図１】本発明による排ガス処理装置の一実施例を示す
略線図である。
略線図である。
１……ＣＶＤ用排ガス処理システム、２……常圧ＣＶＤ
装置、３……排ガス処理装置、４……オゾン発生器、５
……ガス混合器、６……フイルタ、７……排ガス除去
器、８……ブロワ。
装置、３……排ガス処理装置、４……オゾン発生器、５
……ガス混合器、６……フイルタ、７……排ガス除去
器、８……ブロワ。
Claims (3)
- 【請求項１】反応室から排出された排ガスを固体除去フ
イルタに導いて粉体物を除去した後、当該排ガスをガス
除去フイルタに導いて特定のガス成分を吸着して取り除
く排ガス処理装置において、 上記排ガスを上記固体除去フイルタに供給する前に反応
ガスと反応させ、当該排ガス中に含まれる未反応ガス成
分を粉体化させることを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】上記未反応ガスをオゾンと反応させること
を特徴とする請求項１に記載の排ガス処理装置。 - 【請求項３】上記未反応ガスはテトラエトキシシランで
あることを特徴とする請求項２に記載の排ガス処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17103893A JPH073464A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17103893A JPH073464A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH073464A true JPH073464A (ja) | 1995-01-06 |
Family
ID=15915942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17103893A Pending JPH073464A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073464A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001214272A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法 |
| JP2008543107A (ja) * | 2005-06-06 | 2008-11-27 | エドワーズ・バキューム・インコーポレーテッド | 堆積工程のための高効率トラップ |
| US8147786B2 (en) | 2006-04-04 | 2012-04-03 | Tokyo Electron Limited | Gas exhaust system of film-forming apparatus, film-forming apparatus, and method for processing exhaust gas |
| CN115233187A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-10-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP17103893A patent/JPH073464A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001214272A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法 |
| JP2008543107A (ja) * | 2005-06-06 | 2008-11-27 | エドワーズ・バキューム・インコーポレーテッド | 堆積工程のための高効率トラップ |
| US8147786B2 (en) | 2006-04-04 | 2012-04-03 | Tokyo Electron Limited | Gas exhaust system of film-forming apparatus, film-forming apparatus, and method for processing exhaust gas |
| CN115233187A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-10-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
| CN115233187B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
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