JP2001054722A - 半導体製造排ガス除去 - Google Patents
半導体製造排ガス除去Info
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- JP2001054722A JP2001054722A JP2000181610A JP2000181610A JP2001054722A JP 2001054722 A JP2001054722 A JP 2001054722A JP 2000181610 A JP2000181610 A JP 2000181610A JP 2000181610 A JP2000181610 A JP 2000181610A JP 2001054722 A JP2001054722 A JP 2001054722A
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- JP
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- oxygen
- tmvs
- copper
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Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/86—Catalytic processes
- B01D53/8668—Removing organic compounds not provided for in B01D53/8603 - B01D53/8665
Abstract
(57)【要約】
【課題】 既存の方法よりもはるかに高い程度トリメチ
ルビニルシラン（TMVS）を除去する方法を提供する。 【解決手段】 TMVS含有ガス流を酸化銅（II）（Ｃｕ
Ｏ）および／または酸化マンガン（ＭｎＯ2）と、前記
酸化物の還元を防ぐのに十分な量の酸素の存在下に、室
温以上、好ましくは１００℃を超える温度で接触させる
ことを特徴とする。
ルビニルシラン（TMVS）を除去する方法を提供する。 【解決手段】 TMVS含有ガス流を酸化銅（II）（Ｃｕ
Ｏ）および／または酸化マンガン（ＭｎＯ2）と、前記
酸化物の還元を防ぐのに十分な量の酸素の存在下に、室
温以上、好ましくは１００℃を超える温度で接触させる
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スからの排気流からの排気流からの有毒物質を除去こと
に関するものである。
スからの排気流からの排気流からの有毒物質を除去こと
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に使用され、そしてか
かる製造を通常真空ポンプ内で行うチャンバから抽出さ
れた数多くの物質は、有毒および／または環境学的に毒
であり、従って排気流から除去またはスクラビングし
て、大気へ放出する前にこれを無害化しなければならな
い。多くの各種のタイプの湿式又は乾式の化学的スクラ
ビング反応器が半導体産業において提案されそして各種
のものが工業的に使用されている。
かる製造を通常真空ポンプ内で行うチャンバから抽出さ
れた数多くの物質は、有毒および／または環境学的に毒
であり、従って排気流から除去またはスクラビングし
て、大気へ放出する前にこれを無害化しなければならな
い。多くの各種のタイプの湿式又は乾式の化学的スクラ
ビング反応器が半導体産業において提案されそして各種
のものが工業的に使用されている。
【０００３】例えば、参考文献としてその内容をここに
取込んでいる本出願人のＷＯ／８９／１１９０５におい
て、特にシリコン（排気流が三フッ化窒素（ＮＦ3）を
含有する場合には所望に応じて銅を添加）の第一ステー
ジおよび通常はライムの形態での酸化カルシウムの第二
ステージを含む、５００℃に加熱した顆粒状物質を含
み、かつ排気流を導く、例えば長さ１．５ｍの充填管を
含む出願人のＢＯＣ Ｅｄｗａｒｄｓ Ｄｉｖｉｓｉｏ
ｎにより販売されている乾式化学反応器が記載されてい
る。かかる反応器「ＢＯＣ Ｅｄｗａｒｄｓ ”ＧＲ
Ｃ”（商標名）反応器」は、かかる毒性物質のスクラビ
ングにかなり商業的に成功している。
取込んでいる本出願人のＷＯ／８９／１１９０５におい
て、特にシリコン（排気流が三フッ化窒素（ＮＦ3）を
含有する場合には所望に応じて銅を添加）の第一ステー
ジおよび通常はライムの形態での酸化カルシウムの第二
ステージを含む、５００℃に加熱した顆粒状物質を含
み、かつ排気流を導く、例えば長さ１．５ｍの充填管を
含む出願人のＢＯＣ Ｅｄｗａｒｄｓ Ｄｉｖｉｓｉｏ
ｎにより販売されている乾式化学反応器が記載されてい
る。かかる反応器「ＢＯＣ Ｅｄｗａｒｄｓ ”ＧＲ
Ｃ”（商標名）反応器」は、かかる毒性物質のスクラビ
ングにかなり商業的に成功している。
【０００４】金属酸化物化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）半
導体製造に使用されている比較的新しい物質は、１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタン−２，４
−ジオナト銅（１）トリメチルビニルシランであり、
「Ｃｕｐｒａｓｅｌｅｃｔ」の商品名で知られている。
ＭＯＣＶＤ製造にこの有機金属物質を使用すると、副産
物として製造チャンバからの排気流排ガスからスクラビ
ングしなければならないトリメチルビニルシラン（ＴＭ
ＶＳ）を生成する。
導体製造に使用されている比較的新しい物質は、１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタン−２，４
−ジオナト銅（１）トリメチルビニルシランであり、
「Ｃｕｐｒａｓｅｌｅｃｔ」の商品名で知られている。
ＭＯＣＶＤ製造にこの有機金属物質を使用すると、副産
物として製造チャンバからの排気流排ガスからスクラビ
ングしなければならないトリメチルビニルシラン（ＴＭ
ＶＳ）を生成する。
【０００５】ＴＭＶＳの一定の除去を熱分解法により行
うことができるということが知られている。かかる方法
は、前記ＧＲＣ反応器を使用することを含み、そして一
般に窒素ガスで希釈した排気流中のＴＭＶＳ蒸気を加熱
したシリコンおよび酸化カルシウム顆粒に通過させるこ
とを含む。しかしながら、かかる熱分解法が排気流中か
ら８０または９０％のＴＭＶＳしか除去できないことが
見出されている。
うことができるということが知られている。かかる方法
は、前記ＧＲＣ反応器を使用することを含み、そして一
般に窒素ガスで希釈した排気流中のＴＭＶＳ蒸気を加熱
したシリコンおよび酸化カルシウム顆粒に通過させるこ
とを含む。しかしながら、かかる熱分解法が排気流中か
ら８０または９０％のＴＭＶＳしか除去できないことが
見出されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、行政機
関によりあるいは半導体企業自身により採用されている
排ガス放出に関する強い規制の観点から、限界値(ＴＬ
Ｖｓ)を異なるガス種に対して設定している。特定のＴ
ＬＶがＴＭＶＳに対してまだ設定されていないが、現在
熱分解法により達成されている除去のレベルよりもはる
かに負担が大きくなること、例えば大気中に放出される
ＴＭＶＳ１０ｐｐｍ未満となることは疑いないことであ
る。従って、ＴＭＶＳを現在可能なものよりもはるかに
高い程度除去する方法に対する要求がある。
関によりあるいは半導体企業自身により採用されている
排ガス放出に関する強い規制の観点から、限界値(ＴＬ
Ｖｓ)を異なるガス種に対して設定している。特定のＴ
ＬＶがＴＭＶＳに対してまだ設定されていないが、現在
熱分解法により達成されている除去のレベルよりもはる
かに負担が大きくなること、例えば大気中に放出される
ＴＭＶＳ１０ｐｐｍ未満となることは疑いないことであ
る。従って、ＴＭＶＳを現在可能なものよりもはるかに
高い程度除去する方法に対する要求がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によると、トリメ
チルビニルシラン（ＴＭＶＳ）を含有するガスを、酸化
銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）および／または酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ2）と、前記酸化物の還元を防ぐのに十分な酸素の
存在下で接触させることを特徴とするトリメチルビニル
シラン（ＴＭＶＳ）の除去方法が提供される。一般に、
前記酸化物温度は、室温以上、例えば２０℃以上であ
り、好ましくは１００℃以上である。
チルビニルシラン（ＴＭＶＳ）を含有するガスを、酸化
銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）および／または酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ2）と、前記酸化物の還元を防ぐのに十分な酸素の
存在下で接触させることを特徴とするトリメチルビニル
シラン（ＴＭＶＳ）の除去方法が提供される。一般に、
前記酸化物温度は、室温以上、例えば２０℃以上であ
り、好ましくは１００℃以上である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、この特定の反応が生じ
ることに依存するものではないが、酸化銅および／また
は酸化マンガンが以下の一般式によるＴＭＶＳの酸化を
触媒するものと考えられる。 (CH3)3SiCH＝CH2 ＋ ９O2 → ５CO2 ＋ ６H2O
＋ SiO2
ることに依存するものではないが、酸化銅および／また
は酸化マンガンが以下の一般式によるＴＭＶＳの酸化を
触媒するものと考えられる。 (CH3)3SiCH＝CH2 ＋ ９O2 → ５CO2 ＋ ６H2O
＋ SiO2
【０００９】酸化銅（ＩＩ）または酸化マンガンの両者
が混合物として本発明の方法において存在するのが好ま
しい。モル分率基準で各酸化物１０％以上が存在するの
が有利であり、モル分率基準で各酸化物３０％以上、例
えば各々５０％あるいは６０％酸化マンガン４０％酸化
銅が存在するのがより有利である。
が混合物として本発明の方法において存在するのが好ま
しい。モル分率基準で各酸化物１０％以上が存在するの
が有利であり、モル分率基準で各酸化物３０％以上、例
えば各々５０％あるいは６０％酸化マンガン４０％酸化
銅が存在するのがより有利である。
【００１０】好適な酸化銅および二酸化マンガン混合物
は、硫酸銅（ＩＩ）溶液を、注意深く調製した二酸化マ
ンガンの微分散された懸濁液に加え、炭酸ナトリウムと
混合することによって調製することができる。二酸化マ
ンガンと塩基性炭酸銅との初期混合物が得られる。沈殿
した炭酸塩混合物を加熱することにより本発明の使用に
好適な実際の酸化銅と二酸化マンガンとの混合物が製造
される。
は、硫酸銅（ＩＩ）溶液を、注意深く調製した二酸化マ
ンガンの微分散された懸濁液に加え、炭酸ナトリウムと
混合することによって調製することができる。二酸化マ
ンガンと塩基性炭酸銅との初期混合物が得られる。沈殿
した炭酸塩混合物を加熱することにより本発明の使用に
好適な実際の酸化銅と二酸化マンガンとの混合物が製造
される。
【００１１】モル分率基準で酸化銅約５０％および酸化
マンガン５０％を含む市販の触媒は、「Ｍｏｌｅｃｕｌ
ｉｔｅ」の商品名でＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｒｏｄｕｃ
ｔｓＬｉｍｉｔｅｄ（英国）から販売されている。酸化
銅／酸化マンガン混合触媒を使用することが、本発明の
方法に必要とされる高温で操作する際に、ＴＭＶＳ除去
に驚くべきほど便利であるということを見出した。
マンガン５０％を含む市販の触媒は、「Ｍｏｌｅｃｕｌ
ｉｔｅ」の商品名でＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｒｏｄｕｃ
ｔｓＬｉｍｉｔｅｄ（英国）から販売されている。酸化
銅／酸化マンガン混合触媒を使用することが、本発明の
方法に必要とされる高温で操作する際に、ＴＭＶＳ除去
に驚くべきほど便利であるということを見出した。
【００１２】半導体製造チャンバ内で反応せず、従って
排気流中に存在する全てのＣｕｐｒａｓｅｌｅｃｔは、
本発明の方法に先立ってそれ自身分解されることが好ま
しい。このことは、まず未反応のＣｕｐｒａｓｅｌｅｃ
ｔを１５０〜３５０℃の温度に加熱した表面上で完全に
分解することによって達成することができる。この作用
は、ＴＭＶＳとビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサ
フルオロペンタン−２，４−ジオナト）銅、（またはビ
スヘキサフルオロアセチルアセトナト−銅（ＩＩ）を遊
離させるが、このうち後者のものは「Ｃｕ（ＩＩ）（Ｈ
ｆａｃ）2」として一般に知られている。
排気流中に存在する全てのＣｕｐｒａｓｅｌｅｃｔは、
本発明の方法に先立ってそれ自身分解されることが好ま
しい。このことは、まず未反応のＣｕｐｒａｓｅｌｅｃ
ｔを１５０〜３５０℃の温度に加熱した表面上で完全に
分解することによって達成することができる。この作用
は、ＴＭＶＳとビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサ
フルオロペンタン−２，４−ジオナト）銅、（またはビ
スヘキサフルオロアセチルアセトナト−銅（ＩＩ）を遊
離させるが、このうち後者のものは「Ｃｕ（ＩＩ）（Ｈ
ｆａｃ）2」として一般に知られている。
【００１３】例えば半導体製造チャンバからの排気ライ
ン内において本発明を実施するための装置の位置決め
は、ライン／チャンバに付随する特定の環境に適するよ
うに行われる。好ましい実施の形態において、半導体製
造操作からの未反応のＣｕｐｒａｓｅｌｅｃｔが銅（金
属）を熱排気ラインのあるいはそこに使用される熱バル
ブおよび／または熱ポンプの内側表面に析出させる。従
って、本発明の好ましい実施の形態は、反応チャンバそ
して真空ポンプの前段（上流）から製造排気ラインに熱
分解装置を配置して、ポンプ機構中で分解する前に全て
のＣｕｐｒａｓｅｌｅｃｔを分解するものである。しか
る後、ＴＭＶＳを含んでいる、得られた副産物を、Ｃｕ
（ＩＩ）（Ｈｆａｃ）2が空冷凝縮器中で凝縮しそして
ＴＭＶＳを処理のための本発明の方法に通過させる前
に、ポンプの熱機構を介してポンプ移送する。かかる実
施の形態において、本発明を実施するための装置を、真
空ポンプまたは特に複数のポンプの下流側に配置するの
が有利である。
ン内において本発明を実施するための装置の位置決め
は、ライン／チャンバに付随する特定の環境に適するよ
うに行われる。好ましい実施の形態において、半導体製
造操作からの未反応のＣｕｐｒａｓｅｌｅｃｔが銅（金
属）を熱排気ラインのあるいはそこに使用される熱バル
ブおよび／または熱ポンプの内側表面に析出させる。従
って、本発明の好ましい実施の形態は、反応チャンバそ
して真空ポンプの前段（上流）から製造排気ラインに熱
分解装置を配置して、ポンプ機構中で分解する前に全て
のＣｕｐｒａｓｅｌｅｃｔを分解するものである。しか
る後、ＴＭＶＳを含んでいる、得られた副産物を、Ｃｕ
（ＩＩ）（Ｈｆａｃ）2が空冷凝縮器中で凝縮しそして
ＴＭＶＳを処理のための本発明の方法に通過させる前
に、ポンプの熱機構を介してポンプ移送する。かかる実
施の形態において、本発明を実施するための装置を、真
空ポンプまたは特に複数のポンプの下流側に配置するの
が有利である。
【００１４】その最も単純な形態において、本発明の方
法は、酸化銅および酸化マンガン粒子を室温（２０℃）
以上、好ましくは１００℃以上の温度の加熱管、例えば
ステンレス鋼製の加熱管中に配置し、そしてＴＭＶＳ含
有排気流および酸素源をこの管に通過させることによっ
て行うことができる。酸素源は、酸素または空気を含む
酸素含有ガス混合物であることができる。酸化物混合物
は、単に酸化物粒子それ自身であってもよく、あるいは
好適な不活性担体材料と混合されてもよい。
法は、酸化銅および酸化マンガン粒子を室温（２０℃）
以上、好ましくは１００℃以上の温度の加熱管、例えば
ステンレス鋼製の加熱管中に配置し、そしてＴＭＶＳ含
有排気流および酸素源をこの管に通過させることによっ
て行うことができる。酸素源は、酸素または空気を含む
酸素含有ガス混合物であることができる。酸化物混合物
は、単に酸化物粒子それ自身であってもよく、あるいは
好適な不活性担体材料と混合されてもよい。
【００１５】好ましい実施の形態において、本発明の方
法を、乾式スクラバー、例えば本明細書中に記載されて
いるＧＲＣ反応器型のスクラバーと共同して行ってもよ
い。かかる実施の形態において、酸化物混合物を乾式ス
クラバー試薬と混合してもよい。特にＧＲＣ反応器の場
合には、酸化銅／酸化マグネシウム粒子混合物を酸化カ
ルシウム（第二ステージ）の排気端部で混合することが
有利であり、理想的には酸化カルシウムを例えば深さ１
００ｍｍまで混合することによって行われる。
法を、乾式スクラバー、例えば本明細書中に記載されて
いるＧＲＣ反応器型のスクラバーと共同して行ってもよ
い。かかる実施の形態において、酸化物混合物を乾式ス
クラバー試薬と混合してもよい。特にＧＲＣ反応器の場
合には、酸化銅／酸化マグネシウム粒子混合物を酸化カ
ルシウム（第二ステージ）の排気端部で混合することが
有利であり、理想的には酸化カルシウムを例えば深さ１
００ｍｍまで混合することによって行われる。
【００１６】本発明をより理解するために、例示のため
の本発明により操作するために変更されたシリコン／酸
化カルシウム乾式スクラバーを略解する添付図面に基づ
いて説明を行う。添付図面を参照すると、外側の金属部
材１および内側のステンレス鋼管状部材２およびこれら
に挟まれた断熱材料３を有する本明細書に記載される型
の「ＧＲＣ」反応器が示されている。
の本発明により操作するために変更されたシリコン／酸
化カルシウム乾式スクラバーを略解する添付図面に基づ
いて説明を行う。添付図面を参照すると、外側の金属部
材１および内側のステンレス鋼管状部材２およびこれら
に挟まれた断熱材料３を有する本明細書に記載される型
の「ＧＲＣ」反応器が示されている。
【００１７】内側部材２内にスクラビング法を行う材
料、すなわち直径約５ｍｍ〜３０ｍｍのシリコンの顆粒
を含む第一ステージ４および直径約３ｍｍ〜６ｍｍのラ
イム（酸化カルシウム）の粒子を含む第二ステージ５が
保持されている。断熱材料３中には、内側部材２のまわ
りに軸方向に間隔を設けて、第一ステージシリコン粒子
を約５００℃の温度に加熱し、そして第二ステージライ
ム粒子を約５５０℃の温度に加熱するための電気抵抗加
熱コイル６が配置されている。
料、すなわち直径約５ｍｍ〜３０ｍｍのシリコンの顆粒
を含む第一ステージ４および直径約３ｍｍ〜６ｍｍのラ
イム（酸化カルシウム）の粒子を含む第二ステージ５が
保持されている。断熱材料３中には、内側部材２のまわ
りに軸方向に間隔を設けて、第一ステージシリコン粒子
を約５００℃の温度に加熱し、そして第二ステージライ
ム粒子を約５５０℃の温度に加熱するための電気抵抗加
熱コイル６が配置されている。
【００１８】図示した「ＧＲＣ」反応器の通常の操作に
おいて、真空ポンプシステム（図示せず）により半導体
製造チャンバからポンプ移送された排気ガス流は、ライ
ン７を介して「ＧＲＣ」反応器の底部入口部８に搬送さ
れる。次いで、この流れは反応器の第一ステージ４およ
び第二ステージ５を通過し、出口部９を介して反応器か
ら出て、そしてライン１０を通って、最終的に１１で排
出される。
おいて、真空ポンプシステム（図示せず）により半導体
製造チャンバからポンプ移送された排気ガス流は、ライ
ン７を介して「ＧＲＣ」反応器の底部入口部８に搬送さ
れる。次いで、この流れは反応器の第一ステージ４およ
び第二ステージ５を通過し、出口部９を介して反応器か
ら出て、そしてライン１０を通って、最終的に１１で排
出される。
【００１９】反応器を通過する際に、半導体排気流（そ
して通常は不活性担体、例えば窒素で希釈される）に一
般に存在する種々の有害種を、第一および第二ステージ
における反応により除去して無害化する。しかしなが
ら、前述の通り、この種の反応器は、排気流中に存在す
る８５％あるいは９０％までのＴＭＶＳを除去する傾向
にある。
して通常は不活性担体、例えば窒素で希釈される）に一
般に存在する種々の有害種を、第一および第二ステージ
における反応により除去して無害化する。しかしなが
ら、前述の通り、この種の反応器は、排気流中に存在す
る８５％あるいは９０％までのＴＭＶＳを除去する傾向
にある。
【００２０】本発明によると、図示する実施の形態にお
いては反応器本体の排気端部において第三反応ステージ
を形成する酸化銅および酸化マンガンのステージ１２が
設けられている。この酸化物混合物は、硫酸銅（ＩＩ）
溶液を炭酸ナトリウムと混合して注意深く調製した二酸
化マンガンの微分散された懸濁液に加えることによって
調製されている。二酸化マンガンと塩基性炭酸銅との初
期混合物が得られる。得られた沈殿物を洗浄し、ケーキ
ングを行い、そして乾燥した後、このケーキを約２００
℃まで加熱して酸化物混合物を製造する。
いては反応器本体の排気端部において第三反応ステージ
を形成する酸化銅および酸化マンガンのステージ１２が
設けられている。この酸化物混合物は、硫酸銅（ＩＩ）
溶液を炭酸ナトリウムと混合して注意深く調製した二酸
化マンガンの微分散された懸濁液に加えることによって
調製されている。二酸化マンガンと塩基性炭酸銅との初
期混合物が得られる。得られた沈殿物を洗浄し、ケーキ
ングを行い、そして乾燥した後、このケーキを約２００
℃まで加熱して酸化物混合物を製造する。
【００２１】第三反応器ステージは、更に別の加熱コイ
ル１３により約５５０℃にまで加熱するように設計され
ている。第三ステージの深さは、本体２の全長が１．５
ｍであるのに対して約１００ｍとした。加えて、第三ス
テージ１２への酸素の供給を、使用の際に反応器を通じ
た一般の流れの排気流により酸素を第三ステージ１２に
運ぶような方法で、パイプ１４を介して圧縮空気源（図
示せず）から第二段５の最頂部への空気の供給により行
う。
ル１３により約５５０℃にまで加熱するように設計され
ている。第三ステージの深さは、本体２の全長が１．５
ｍであるのに対して約１００ｍとした。加えて、第三ス
テージ１２への酸素の供給を、使用の際に反応器を通じ
た一般の流れの排気流により酸素を第三ステージ１２に
運ぶような方法で、パイプ１４を介して圧縮空気源（図
示せず）から第二段５の最頂部への空気の供給により行
う。
【００２２】図示したような本発明の変更した反応器を
使用する際に、窒素中１０，０００ｐｐｍＴＭＶＳまで
の範囲で種々の濃度のＴＭＶＳおよび１０〜１１０リッ
トル／分までの異なる流量を含む排気流を、ライン１０
を介し、そしてライン１４を介した第三反応器ステージ
１２への安定した流れの空気とともに導入した。
使用する際に、窒素中１０，０００ｐｐｍＴＭＶＳまで
の範囲で種々の濃度のＴＭＶＳおよび１０〜１１０リッ
トル／分までの異なる流量を含む排気流を、ライン１０
を介し、そしてライン１４を介した第三反応器ステージ
１２への安定した流れの空気とともに導入した。
【００２３】ＶＧ Ｑｕａｄｒｕｐｌｅマススペクトル
メータ１５をライン１０に装着してライン中に存在す
る、すなわち反応器から排出されるＴＭＶＳの量を、Ｍ
+＝１００および[Ｍ+−（ＣＨ3）3-n]（式中、ｎ＝１、
２、３＝８５、７０、５５および（ＣＨ3）3Ｓｉ+ ＝
７３である）に関連するＭ／Ｚ値５５、７０、７３、８
５および１００を用いて測定した。加えて、ライン１０
における水のレベルをドレガー管１６により測定可能と
した。マススペクトルメータ１４による管１０中のＴＭ
ＶＳ濃度の測定は、ＴＭＶＳ最大濃度０．４±０．４ｐ
ｐｍＴＭＶＳを表し、排気流中のＴＭＶＳが相当減少
し、そして予想したＴＬＶレベルの十分な範囲内である
ことを示している。特に、約５５０℃の通常の高温にお
ける銅／マンガン酸化物混合物の有効性は特筆すべきで
ある。
メータ１５をライン１０に装着してライン中に存在す
る、すなわち反応器から排出されるＴＭＶＳの量を、Ｍ
+＝１００および[Ｍ+−（ＣＨ3）3-n]（式中、ｎ＝１、
２、３＝８５、７０、５５および（ＣＨ3）3Ｓｉ+ ＝
７３である）に関連するＭ／Ｚ値５５、７０、７３、８
５および１００を用いて測定した。加えて、ライン１０
における水のレベルをドレガー管１６により測定可能と
した。マススペクトルメータ１４による管１０中のＴＭ
ＶＳ濃度の測定は、ＴＭＶＳ最大濃度０．４±０．４ｐ
ｐｍＴＭＶＳを表し、排気流中のＴＭＶＳが相当減少
し、そして予想したＴＬＶレベルの十分な範囲内である
ことを示している。特に、約５５０℃の通常の高温にお
ける銅／マンガン酸化物混合物の有効性は特筆すべきで
ある。
【００２４】ドレガー管による管１０における水のレベ
ルの測定は、上記式による予想除去反応を反映するかな
りの水濃度の増加を示した。
ルの測定は、上記式による予想除去反応を反映するかな
りの水濃度の増加を示した。
【００２５】
【発明の効果】酸化銅／酸化マンガン混合触媒を使用す
ることが、本発明の方法に必要とされる高温で操作する
際に、トリメチルビニルシラン（TMVS）除去に驚くべき
ほど便利である。
ることが、本発明の方法に必要とされる高温で操作する
際に、トリメチルビニルシラン（TMVS）除去に驚くべき
ほど便利である。
【図１】本発明により操作するために変更されたシリコ
ン／酸化カルシウム乾式スクラバーを略解する図面であ
る。
ン／酸化カルシウム乾式スクラバーを略解する図面であ
る。
１ 外側の金属部材 ２ 内側のステンレス鋼管状部材 ３ 断熱材料 ４ 第一ステージ ５ 第二ステージ ６ 電気抵抗加熱コイル ７ ライン ８ 底部入口部 ９ 出口部 １０ ライン １２ 酸化銅および酸化マンガンの段 １３ 加熱コイル １４ マススペクトルメータ １６ ドレガー管
Claims (5)
- 【請求項１】 トリメチルビニルシラン（TMVS）を含有
するガス流を酸化銅（II）（ＣｕＯ）および／または酸
化マンガン（ＭｎＯ2）と、前記酸化物の還元を防ぐの
に十分な量の酸素の存在下に、室温以上、好ましくは１
００℃を超える温度で接触させることを特徴とする、ト
リメチルビニルシランの除去方法。 - 【請求項２】 酸化物温度が１００℃以上である請求項
１に記載の方法。 - 【請求項３】 酸化銅（II）（ＣｕＯ）と酸化マンガン
（ＭｎＯ2）との両方が混合物として存在する請求項１
または請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 モル分率基準で各酸化物が１０％以上存
在する請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】 モル分率基準で各酸化物が３０％以上存
在する請求項３または請求項４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9913970.1 | 1999-06-16 | ||
| GBGB9913970.1A GB9913970D0 (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Semiconductor processing exhaust abatement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001054722A true JP2001054722A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=10855429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000181610A Pending JP2001054722A (ja) | 1999-06-16 | 2000-06-16 | 半導体製造排ガス除去 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6358485B1 (ja) |
| EP (1) | EP1060783A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001054722A (ja) |
| GB (1) | GB9913970D0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006508798A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | アドヴァンスド テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造プロセス廃棄物流からの有毒ガス成分を除去するための方法及び装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1720633A (zh) * | 2002-10-04 | 2006-01-11 | 加利福尼亚大学董事会 | 氟分离和生成装置 |
| US20050123463A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-09 | Seeley Andrew J. | Treatment of exhaust gases |
| US20070020115A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-25 | The Boc Group, Inc. | Integrated pump apparatus for semiconductor processing |
| US8728240B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-05-20 | Msp Corporation | Apparatus for vapor condensation and recovery |
| WO2016182648A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling a processing system |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125233A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 排ガスの高度処理方法 |
| CA1279861C (en) * | 1986-05-12 | 1991-02-05 | Karl T. Chuang | Catalyst assembly |
| JP2505985B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1996-06-12 | 株式会社荏原総合研究所 | Ｃｖｄ法排ガスの除害方法 |
| JP2812833B2 (ja) * | 1992-02-28 | 1998-10-22 | セントラル硝子株式会社 | シランの除去方法 |
| US5853678A (en) * | 1993-03-17 | 1998-12-29 | Nipon Sanso Corporation | Method for removing hydrides, alkoxides and alkylates out of a gas using cupric hydroxide |
| JP3347478B2 (ja) * | 1994-06-13 | 2002-11-20 | 日本パイオニクス株式会社 | 排ガスの浄化方法 |
| US6099649A (en) * | 1997-12-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal |
-
1999
- 1999-06-16 GB GBGB9913970.1A patent/GB9913970D0/en not_active Ceased
-
2000
- 2000-06-09 EP EP00304925A patent/EP1060783A1/en not_active Withdrawn
- 2000-06-16 US US09/596,128 patent/US6358485B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-16 JP JP2000181610A patent/JP2001054722A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006508798A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | アドヴァンスド テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造プロセス廃棄物流からの有毒ガス成分を除去するための方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6358485B1 (en) | 2002-03-19 |
| GB9913970D0 (en) | 1999-08-18 |
| EP1060783A1 (en) | 2000-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070402 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20071114 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071114 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090826 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090828 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100209 |