TWI588286B - 經改良的電漿強化原子層沉積方法、周期及裝置 - Google Patents

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Description

經改良的電漿強化原子層沉積方法、周期及裝置 發明領域
本發明係有關於一種氣體沉積系統經組配成可執行電漿強化原子層沉積(PEALD)氣體沉積周期用來沉積薄膜材料層於固體基板的暴露表面上。特別是，該PEALD系統包括反應室，主真空泵浦用於在非電漿前驅物沉積周期期間在該反應室中建立第一真空壓力，以及第二真空泵浦用於在電漿前驅物沉積周期期間在該反應室中建立第二較低真空壓力。
發明背景 傳統ALD及前驅物捕獲
傳統原子層沉積(ALD)系統作為氣體或蒸氣沉積系統可用來沉積薄膜材料層於一或更多基板的暴露表面上。更特別的是，原子層沉積(ALD)為在多個不同化學及/或能量環境下經由按順序暴露該等沉積基板進行的薄膜沉積技術。典型方法的進行是引進氣相金屬原子，它包含會與基板表面上之先前存在化學部份(chemical moieties)化學吸附(chemisorb)的前驅物。接著是沖洗周期(purge cycle)以移除多餘前驅物及反應產物，該反應器引進與第一反應物 之化學吸附部份反應的第二前驅物。第二沖洗周期移除多餘前驅物及反應產物。以成功的ALD製程而言，第二前驅物周期讓該基板表面再度預備該第一前驅物的另一暴露。按順序使該表面暴露於：前驅物1，沖洗，前驅物2，沖洗，重覆，使得能夠用次原子層厚度控制沉積共形膜。
在操作時，數個基板放在大體被抽空到低沉積壓力的實質密封反應室內，例如0.1至10毫托以及加熱到反應溫度，例如75至750℃。第一前驅物或反應物引進該反應空間以與該基板的暴露表面或鍍膜表面反應。在輸送該第一前驅物期間，惰性載氣可與該第一前驅物混合。在經過一段所欲暴露時間後，移除或沖洗該反應室的第一前驅物。該沖洗周期大體包括通過與真空泵浦流體連通的輸出端口(exit port)，吸出該反應室的氣體。此後，第二前驅物或反應物引進該反應空間以與該基板鍍膜表面的暴露表面反應持續一段所欲暴露時間。在輸送該第二前驅物期間，惰性載氣可與該第二前驅物混合。然後，通過如上述的輸出端口，移除或沖洗該反應室的第二前驅物。大體上，上述兩個前驅物鍍膜周期施加單一材料厚度層於該等暴露表面上，其中層厚在0.5至約2.0埃之間。通常，重覆這兩個前驅物鍍膜周期以一個在另一個上面地施加多個單一材料厚度層以實現所欲材料厚度。
傳統ALD系統包括設置在輸出端口與真空泵浦之間的陷阱。該陷阱移除該流出物的未反應前驅物以避免損壞真空泵浦。特別是，在沒有陷阱下，用來施加材料層於收容於反應室內之基板之暴露表面上的相同兩個前驅物鍍膜周期可組合以形成相同的薄膜材料層於排氣導管及真 空泵浦的內表面上，最終導致不合意的表面污染且最終導致真空泵浦故障。儘管已知有各種陷阱機構用於移除氣體或蒸氣沉積系統之流出物的未反應前驅物及反應副產品，傳統使用於ALD系統的一特別有用捕獲機構是要裝設有大表面積的加熱金屬片於前驅物的陷阱室內以在它們通過陷阱室時與其反應。此類陷阱之一揭示於在2012年6月19日頒給Monsma等人的美國專利第8,202,575 B2號，標題為VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS。在該揭示內容中，Monsma等人描述串聯的ALD反應室，陷阱及真空泵浦，其中該反應室的流出物在通過真空泵浦被吸出之前通過該陷阱。該陷阱經特別組配成可提供小氣流阻力與高真空氣導(vacuum conductance)同時允許發生於設在陷阱內之金屬表面上的沉積製程與發生於反應室內鍍膜基板暴露表面上的一樣。另外，Monsma等人表明最好提供熱膨脹係數與沉積材料類似的陷阱材料以防正在形成於陷阱材料表面上的鍍膜裂開或剝落以及被帶入真空泵浦。不過，Monsma等人所提議之陷阱系統的問題之一是，為了使陷阱材料與流出物中的前驅物反應，這兩種前驅物必須能夠參加與該等陷阱材料表面的反應，而且如果該流出物中沒有這兩種前驅物，在該陷阱內的ALD反應未能形成材料層以及該陷阱的操作發生故障而且未反應前驅物材料會傳遞到真空泵浦。
傳統PEALD及前驅物捕獲
傳統電漿強化原子層沉積(PEALD)系統作為氣體或蒸氣沉積系統可用來沉積薄膜材料層於一或更多基板的暴露表面上。在操作時，數個基板放在大體被抽空到低 沉積壓力的實質密封反應室內，例如0.1至10毫托以及加熱到反應溫度，例如75至750℃。第一前驅物或反應物，例如分子化學物，例如包含分子的氣相金屬原子，引進該反應空間成為蒸氣以與該基板鍍膜表面的暴露表面反應。在輸送該第一前驅物期間，惰性載氣可與該第一前驅物混合。然後，在經過一段所欲暴露時間後，移除或沖洗該反應室的第一前驅物。該沖洗周期大體包括通過與真空泵浦流體連通的輸出端口，吸出該反應室的氣體。此後，第二前驅物或反應物包括反應空間引進由電漿源或其他自由基產生技術供給之分子氣體通過解離(dissociation)產生的自由基流以與該基板鍍膜表面的暴露表面反應。
在PEALD系統中，該第二前驅物包括藉由將氣體前驅物激發到電漿態或藉由其他自由基產生技術來產生的自由基。特別是，分子氣體(例如，氧、氮、氫)及其他分子氣體或氣體混合物用電漿產生器激發以及將自由基輸送至該反應室以與該基板的暴露表面反應。該等自由基包含一或更多原子或原子團有一或更多自由電子使得自由基很有反應性，但是它們的壽命傾向短，因為預期它們會迅速復合成相對惰性的分子物種。
如同傳統ALD系統，該電漿前驅物在輸送期間可與惰性載氣混合。然後，通過如上述的輸出端口，移除或沖洗該反應室的第二前驅物。大體上，該上述兩個前驅物電漿鍍膜周期施加單一材料厚度層於設在該反應室內之基板的該等暴露表面上，其中單層材料厚度在0.5至約2.0埃之間。通常，重覆這兩個前驅物周期以一個在另一個上面地施加多個單一材料厚度層以實現所欲材料厚度。
傳統PEALD系統的例子揭示於Becker等人公開於2010年7月22日的美國專利第US20100183825A1號，標題為PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM AND METHOD。在該揭示內容中，Becker等人描述一種電漿反應室，其係包括用於將非電漿前驅物引進反應室的第一前驅物端口，以及將電漿激發前驅物材料引進反應室的第二前驅物端口或上穿孔。Becker等人在圖10揭示一種真空系統，其係包括渦輪真空泵浦，其操作係通過圖6的陷阱總成來移除反應室的流出物。該揭示內容描述該陷阱總成被加熱以與自氣體沉積室流出之氣體流出物中的前驅物及/或電漿氣體反應。設置於陷阱內之暴露陷阱材料表面與流出物之任何剩餘未反應前驅物蒸氣及/或未反應電漿自由基的反應移除該流出物的未反應前驅物以及沉積於暴露陷阱材料表面上的材料與沉積於在反應室內之基板上的相同。
自由基衰減
不過，Becker等人所提議之PEALD系統的問題之一是有關於高反應性以及電漿激發前驅物自由基快速衰減到非激發態以及這些因素以兩種方式影響系統操作。在第一個相關問題中，電漿前驅物的自由基可能衰減到非激發態或在與正被鍍膜基板之暴露表面反應之前與反應室內的其他表面反應。結果，預期在反應室內會發生的所欲自限制ALD反應可能不會繼續完成，因為該等暴露表面缺少電漿自由基使得基板的暴露表面鍍膜不完整。
在第二個相關問題中，電漿前驅物的自由基可能衰減到非激發態或在與陷阱內之暴露陷阱材料表面反應之 前與反應室內的其他表面反應。結果，與陷阱材料相同用來移除流出物之未反應前驅物的所欲自限制ALD反應可能不會繼續完成使得該陷阱內的暴露表面鍍膜不完整，最終導致第一及第二前驅物與陷阱內之暴露表面的任何反應失敗。
發明概要
鑑於與上述傳統方法及裝置關連的問題，本發明提供各種操作方法用於利用電漿或以其他方式產生自由基以與鍍膜表面反應的原子層沉積系統。
特別是，各個沉積包括對包含於一反應室中的一或更多基板進行多個材料沉積鍍膜周期。在每個沉積周期期間，輸送第一前驅物進入該反應室以與該一或更多基板的暴露表面反應，以及該反應室的沖洗係藉由移除該反應室的第一流出物，其中該第一流出物包含未反應第一前驅物。該第一流出物也包括惰性氣體及反應副產品。該第一流出物隨後通過一陷阱。該陷阱包括數個大面積的陷阱材料表面適於與該未反應第一前驅物反應。不過，由於輸送進入該反應室的第二前驅物為在到達該等陷阱材料表面之前容易衰減到未激發狀態的自由基，因此提供及通過該陷阱的第二備用前驅物源。該備用第二前驅物適於與該等陷阱材料表面反應以便完成使該等陷阱材料表面在下一個鍍膜周期能夠與該第一流出物的未反應第一前驅物反應及移除。特別是，該備用第二前驅物為獨立的前驅物源而且不從該反應室抽出。另外，由於該第一前驅物與該反應室內之該等暴露表面的反應在一特定反應溫度發生，該操作方 法更包括使該等陷阱材料表面保持在該反應溫度。
在後續步驟中，在移除該反應室之該第一流出物後，輸送包含自由基的第二前驅物進入該反應室以與該等暴露基板表面反應。此後，移除該反應室之該第二流出物，不過，該第二流出物不通過該陷阱。
可用於上述方法的原子層沉積裝置包括一反應室經組配成可承載一或更多基板於其中供數個沉積材料周期用。第一前驅物導管輸送第一前驅物進入該反應室以與該基板的數個暴露表面反應。提供一真空系統以沖洗或移除包含來自該反應室之未反應第一前驅物的第一流出物。在該第一前驅物與該等基板表面之間有一段所欲暴露時間後，移除該第一流出物，它可跟移除等於該反應室之容積的一或兩個氣體容積所需時間一樣短或更長。
包含數個陷阱材料表面的一陷阱經設置成通過該陷阱可接收該第一流出物。該等陷阱材料表面適於與該第一流出物之實質所有該未反應第一前驅物反應和移除。一備用第二前驅物源經裝設成可輸送一備用第二前驅物進入該陷阱。該備用第二前驅物為一前驅物材料適於與該等陷阱材料表面反應，藉此完成由該第一前驅物開始的該反應以形成一材料層於該等陷阱材料表面上同時也預備該等陷阱材料表面與該第一前驅物在下一個沉積周期反應。該陷阱包括一加熱器用於加熱該等反應表面至一所欲反應溫度。
一第二前驅物導管經裝設成在該等暴露表面已與該第一前驅物反應後，可輸送一第二前驅物進入該反應室以與該基板之該等暴露表面反應。一電漿產生器與該第 二前驅物導管關連以激發該第二前驅物產生該第二前驅物的自由基。在與該等基板表面的該反應後，該真空系統移除該反應室的一第二流出物。該第二流出物移除該反應室的實質所有該第二前驅物而不使該第二流出物通過該陷阱。不過，該第二流出物的大部份或所有自由基在離開該反應室之前可能已衰減到較低的能量狀態。
該真空系統包括一主真空泵浦，其係通過與該反應室建立介面的一真空法蘭而與該反應室流體連通。一第一真空導管由該真空法蘭延伸到該主真空泵浦以及該陷阱設置於該第一真空導管上使得流動通過該第一真空導管的氣體通過該陷阱。一可控制第一真空閥設置於在該真空法蘭與該陷阱之間的該第一真空導管上。一第二渦輪真空泵浦與該真空法蘭建立介面以在該反應室中實現較低的真空壓力，特別是用於電漿強化原子層沉積者，以及移除該反應室的流出物。一第二真空導管在該渦輪真空泵浦與該主真空泵浦之間延伸而不通過該陷阱。一第二真空閥設置於在該渦輪真空泵浦與該主真空泵浦之間的該第二真空導管上。該主真空泵浦為一低真空泵浦(roughing pump)可操作以泵浦該反應室至約有10毫托的真空壓力。該第二渦輪真空泵浦為一高真空泵浦(finishing pump)能夠泵浦該反應室至約有1.0微托的真空壓力。
100‧‧‧PEALD系統
105‧‧‧反應室
110‧‧‧基板
111‧‧‧加熱夾頭
115‧‧‧基板鍍膜表面
120‧‧‧氣體及前驅物供給模組
125‧‧‧電子控制器
130‧‧‧第一前驅物端口及導管
135‧‧‧第二前驅物端口及導管
140‧‧‧電漿產生器
145‧‧‧第二脈衝閥
146‧‧‧質量流控制器
150‧‧‧第一脈衝閥
155‧‧‧主真空泵浦
160‧‧‧真空法蘭
165‧‧‧第一真空導管
170‧‧‧第一真空閥
175‧‧‧ALD陷阱
180‧‧‧渦輪分子真空泵浦
185‧‧‧真空閘閥
190‧‧‧第二真空導管
195‧‧‧第二真空閥
196‧‧‧壓力感測器
198‧‧‧陷阱加熱器
200‧‧‧備用第二前驅物供給器
202‧‧‧氣化器
205‧‧‧閥
210‧‧‧惰性氣體饋線
211‧‧‧惰性氣體進入端口
215‧‧‧閥
220‧‧‧閥
由以下本發明的詳細說明及其示範具體實施例可明白本發明，該等示範具體實施例係經選定供圖解說明及圖示於附圖。
圖1根據本發明圖示PEALD系統的示範概略 圖。
較佳實施例之詳細說明 概貌
本發明描述電漿強化原子層沉積(PEALD)系統之非限定示範具體實施例及相關操作方法以及用所述方法鍍膜的基板。特別是，該系統包括反應室適於成長薄膜於位在反應室內之基板的暴露表面上。該反應室為用兩個不同真空泵浦泵至真空壓力的真空室。各個真空泵浦通過不同輸出端口及不同真空導管路徑連接至該真空室。特別是，不同流出管線(outflow line)及/或前置管線(fore line)與各個真空泵浦關連以及各個個別真空導管路徑包括一或更多個閥，它們可用一電子控制器操作以修改及重定向反應室的氣體流出物以沿著不同的真空導管路徑流出系統。特別是，用來移除及捕獲非電漿前驅物的第一真空導管路徑包括傳統ALD陷阱；不過，用來移除電漿前驅物的第二真空導管路徑不包括陷阱。結果，只有第一前驅物進入ALD陷阱。不過，本發明包括備用第二前驅物源輸送第二前驅物，例如水蒸氣，進入ALD陷阱，以便完成設置於陷阱室內之陷阱材料之暴露表面的ALD反應。因此，本發明的備用第二前驅物源用來繼續製備在陷阱內之暴露陷阱材料表面以便在下一個ALD鍍膜周期與第一前驅物反應。適用於本發明的非限定性示範PEALD反應室揭示於由Becker等人在2010年7月22日公開的美國專利第US20100183825A1號，標題為PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM AND METHOD，在此全部併入本文作為參考資料。
定義
本文使用下列定義，除非另有說明：
元件符號表
本文下列元件符號，除非特別指明。
示範系統架構
此時參考圖1，其係根據本發明示意圖示非限定性示範PEALD系統(100)。PEALD系統(100)包括經PEALD組配之反應室(105)用以容納承載於由加熱夾頭(111)提供之基板承載面上的基板(110)。該基板承載於鍍膜位置使得輸送進入反應室的前驅物蒸氣及/或電漿自由基打上朝上的鍍膜表面(115)。在其他非限定性示範具體實施例中，該反應室在由加熱夾頭(111)提供的承載面上可承載多個基板(110)，其中各個基板有朝上鍍膜表面(115)而不脫離本發明。
氣體供給模組
氣體及前驅物供給模組(120)包括供給儲存於用來儲存液體及固體前驅物材料之密封防護筒(sealed canister)及/或儲存於用來儲存氣體前驅物之加壓氣體鋼瓶的各種製程蒸氣及氣體，例如反應性電漿氣體，包括但不限於：O2，N2，H2，NH3或其類似者，以及氣態第一前驅物和可用作載氣及/或沖洗氣體的惰性氣體。氣體模組(120)也包括可控制閥或質量流調節器(145)及(150)，彼等可由電子控制器(125)操作以按需要開、關或建立輸入氣體混合物的所欲質量流率以輸送選定前驅物、載氣及/或沖洗氣體進入反應室(105)。
液體及氣體前驅物防護筒可包括氣體起泡器或其他蒸發裝置可用來氣化或以其他方式增加前驅物的蒸氣 壓力及/或促進蒸氣快速流入反應室。氣體及前驅物模組(120)更可包括其他氣體及蒸氣流調制元件，彼等可用電子控制器(125)按需要控制用以混合、引導及/或調制搜集自液體或固體前驅物的前驅物蒸氣材料及/或可用作載氣及/或沖洗氣體或兩者的惰性氣體。
在本具體實施例中，氣體及前驅物供給模組(120)更包括前驅物加熱器(未圖示)經裝設成可按需要預熱前驅物防護筒或以其他方式加熱前驅物材料以增加蒸氣壓力及以所欲前驅物溫度輸送各個前驅物。在一非限定性示範具體實施例中，前驅物加熱至約70℃的溫度，小於前驅物蒸氣的熱分解溫度為較佳。另外，氣體及前驅物模組(120)可包括一或更多壓力調節器，質量流調節器或流量限制器以及，按需要，各種壓力、溫度及流率感測器等等(未圖示)以提供反饋訊號給電子控制器(125)以及以多個不同的操作模式操作PEALD系統，包括按需要提供不同前驅物組合用於對材料層進行多個不同材料鍍膜周期。
非限定性示範PEALD系統(100)包括如以下所述至反應室(105)的兩個前驅物輸送路徑，然而可使用一個輸送路徑而不脫離本發明。第一前驅物端口及輸入導管(130)輸送非電漿前驅物進入反應室(105)。第一前驅物端口及輸入導管(130)設於在基板鍍膜表面(115)上方的位置以及第一前驅物端口及輸入導管(130)以一角度定向成在基板(110)被加熱夾頭(111)所提供之基板承載面承載時，可以一輸入角度引導前驅物輸入材料造成前驅物輸入氣流撲向基板鍍 膜表面(115)的中心。第二前驅物端口及輸入導管(135)穿過電漿產生器(140)，其係包含設於電漿產生器(140)內部的電漿激發管，未圖示。用電子控制器(125)控制電漿產生器(140)以在電漿激發管內激發第二前驅物；或者不激發。相應地，簡單地藉由不操作電漿產生器(140)，也可通過第二前驅物端口及輸入導管(135)輸送非電漿前驅物及/或沖洗氣體進入反應室(105)。
第一前驅物端口及導管(130)與第二前驅物端口及導管(135)中之每一者包括可控制氣體調制元件或與其關連，例如第一可控制脈衝閥(150)用於調制第一前驅物通過第一前驅物端口及輸入導管(130)的流量，可控制質量流控制器(146)用於調制電漿前驅物通過第二前驅物端口及輸入導管(135)的流量及/或視需要第二可控制脈衝閥(145)。在一較佳具體實施例中，第一可控制脈衝閥(150)、可控制質量流控制器(146)及視需要第二可控制脈衝閥(145)中之每一者收容於緊鄰該等前驅物供給容器的氣流模組(120)內。不過，為求圖示清楚，圖1圖示第一可控制脈衝閥(150)，其係設置於第一輸入前驅物端口及導管(130)上以調制通過它的氣流。用電子控制器(125)可控制第一前驅物脈衝閥(150)的開與關，其脈衝期與第一前驅物氣體經選定要輸送進入反應室(105)的所欲容積對應。在電漿前驅物的情形下，為求圖示清楚，圖1圖示設置於第二前驅物端口及導管(135)上的可控制質量流控制器(146)，不過，設置於氣體供給模組(120)內為較佳。可控制質量流控制器(146)用來調制電漿 氣體前驅物穿過輸入第二前驅物端口及導管(135)的質量流率以便輸送電漿前驅物經選定要輸送進入反應室(105)的所欲質量流率。可控制質量流控制器(146)可用電子控制器(125)控制以及可操作以改變氣體穿過它的質量流率。
PEALD系統(100)更可包括可用電子控制器(125)控制的視需要第二可控制脈衝閥(145)。第二可控制脈衝閥(145)可用來進行使用非電漿第二前驅物的熱ALD沉積周期以與基板(110)的暴露表面反應。在熱ALD沉積周期期間，可控制質量流控制器(146)不用來調制第二前驅物的質量流率。反而，可用電子控制器(125)控制視需要第二可控制脈衝閥(145)的開與關，其脈衝期與第二前驅物氣體經選定要輸送進入反應室(105)的所欲容積對應。
如圖1所示，視需要第二可控制脈衝閥(145)經圖示成與第二前驅物端口及輸入導管(135)關連以強調通過第二前驅物端口及輸入導管(135)可輸送第二非電漿前驅物進入反應室(105)，不過，視需要第二可控制脈衝閥(145)設置於氣體及前驅物供給模組(120)內較佳。替換地，視需要第二可控制脈衝閥(145)可與第一前驅物端口及輸入導管(130)關連以通過第一前驅物端口及輸入導管(130)輸送第二非電漿前驅物進入反應室(105)。因此，在一視需要熱ALD操作具體實施例中，第一非電漿前驅物輸送進入反應室(105)係通過第一前驅物端口及輸入導管(130)而且用第一可控制脈衝閥(150)調制；以及，第二非電漿前驅物輸送進入反應室(105)係通過第二前驅物端口及導管(135)而且 用視需要第二可控制脈衝閥(145)調制而不激發電漿。
在另一視需要熱ALD具體實施例中，第一非電漿前驅物輸送進入反應室(105)係通過第一前驅物端口及輸入導管(130)以及用第一可控制脈衝閥(150)調制；以及，第二非電漿前驅物輸送進入反應室(105)係通過第一前驅物端口及導管(130)以及用視需要第二可控制脈衝閥(145)調制。在一非限定性示範具體實施例中第一可控制脈衝閥(150)及視需要第二可控制脈衝閥(145)的脈衝期在1至15毫秒之間。另外，藉由使用者輸入或者是可控制脈衝閥(150)及(145)的機械調整，各個第一及第二可控制脈衝閥(150)及(145)的脈衝期可用電子控制器(125)獨立控制。
第二及第一可控制脈衝閥(145)及(150)中之每一者與可控制質量流控制器(146)可包括連接至惰性氣體饋線(210)的惰性氣體進入端口(211)。設於第二及第一可控制脈衝閥(145)及(150)中之每一者上與可控制質量流控制器(146)上的惰性氣體進入端口(211)接收來自惰性氣體饋線(210)的惰性氣體以及通過第一前驅物端口及導管(130)或第二前驅物端口及導管(135)中之對應者輸送惰性氣體進入反應室(105)。在一較佳具體實施例中，惰性氣體進入端口(211)永遠開著藉此允許惰性氣體持續流動通過各個惰性氣體端口(211)至反應室(105)。在其他具體實施例中，第一可控制脈衝閥(150)與第二可控制脈衝閥(145)可操作以關閉對應惰性氣體端口(211)，除了在對應可控制脈衝閥電子控制器(125)開動時。在這兩種情況下，通過惰性氣體進入端口(211) 進入的惰性氣體與流到反應室(105)的前驅物混合。
真空系統
非限定性示範PEALD系統(100)包括主真空泵浦(155)與渦輪分子真空泵浦(180)。主真空泵浦(155)用在真空法蘭(160)與主真空泵浦(155)之間延伸的第一真空導管(165)流體連接至真空法蘭(160)。第一真空閥(170)可操作以在電子控制器(125)的控制下開或關第一真空導管(165)。傳統ALD陷阱(175)設置於第一真空導管(165)上使得通過第一真空導管(165)來自反應室(105)的任何流出物在到達主真空泵浦(155)之前也通過ALD陷阱(175)。特別是，ALD陷阱(175)包括在由該陷阱形成之陷阱室或流動導管內的大內部材料表面區，例如多個緊密相間金屬片或箔，以及提供該大內部表面區的材料以與包含於通過第一真空導管(165)之流出物中的任何未反應前驅物反應以藉此在流出物到達主真空泵浦(155)之前實質排除流出物的未反應前驅物。在本示範具體實施例中，主真空泵浦(155)為成本較低的低真空泵浦，它能夠泵浦反應室至約10毫托(10-2托)。
渦輪分子真空泵浦(180)通過真空閘閥(185)流體連接至真空法蘭(160)。在真空閘閥(185)打開時，渦輪分子真空泵浦(180)從反應室(105)抽出流出物。渦輪分子真空泵浦(180)操作以在反應室(105)中提供比主真空泵浦(155)可提供之真空壓力更低的真空壓力。藉由改善經電漿激發第二前驅物至基板之暴露表面的輸送，較低壓力傾向改善電漿強化原子層沉積的效能。真空閘閥(185)可用電子控制器 (125)操作以開關由真空法蘭(160)形成的反應室(105)輸出端口，以及與渦輪分子泵浦(180)關連的反應室(105)輸出端口相當大於通過真空法蘭(160)的輸出端口，真空法蘭(160)係與它跟第一真空導管(165)的連線關連。如以下所描述的，真空閘閥(185)關閉以通過ALD陷阱(175)移除來自反應室(105)的第一流出物。第二真空導管(190)或前置管線經由第二真空導管(190)從渦輪分子真空泵浦(180)延伸到主真空泵浦(155)，第二真空導管(190)包括第二真空閥(195)可操作以在電子控制器(125)的控制下開或關第二真空導管(190)。在本示範具體實施例中，渦輪分子真空泵浦(180)為成本較高的高真空泵浦，它能夠泵浦反應室至約1.0微托(10-6托)。另外，相較於傳統PEALD系統，渦輪分子真空泵浦(180)不通過陷阱來抽真空，因而致使本發明的渦輪分子真空泵浦(180)比通過陷阱來抽真空的傳統PEALD真空系統更有效率。而且，如以下所詳述的，根據本發明之一方面，第一前驅物永不通過渦輪分子真空泵浦(180)而且這允許使用成本較低的渦輪分子真空泵浦(180)，它不必組配成可前驅物受污染環境中操作。
操作模式
非限定性示範PEALD系統(100)可操作以自動沉積多個材料層於基板或數個基板(110)上，特別是於基板鍍膜表面(115)上。單層沉積周期係指沉積一層沉積材料於基板(110)上。鍍膜作業(coating run)或鍍膜製程係指多個沉積周期。在一非限定性示範鍍膜作業中，使用相同的鍍膜材 料進行多個沉積周期以沉積相同沉積材料的許多單層於基板(110)上直到達到所欲鍍膜厚度或個別材料層的數目。在第二非限定性示範鍍膜作業或製程中，進行多個第一沉積周期以沉積有多個層厚的第一沉積材料於鍍膜表面上。此後，PEALD系統(100)自動重新組配成可進行多個第二沉積周期以在第一沉積材料的該等層上面沉積有多個層厚的第二沉積材料於鍍膜表面上。在鍍膜作業或製程結束時，移出基板(110)以及換上另一個未鍍膜基板。在不同的反應室實施例中，可承載多個基板供鍍膜以及所有基板(110)可用該鍍膜作業或製程鍍膜。
如上述，單層沉積周期包括4個基本步驟：1)使鍍膜表面暴露於第一前驅物，2)沖洗反應室(105)的第一前驅物，3)使鍍膜表面暴露於第二前驅物，以及4)沖洗反應室(105)的第二前驅物。在傳統熱ALD及PEALD系統中，單一渦輪真空泵浦連續操作以移除反應室的流出物以及通過ALD陷阱吸出全部流出物。在任何PEALD系統的特定情形下，第二前驅物為含有高能自由基的電漿前驅物。
根據本發明的一非限定性操作具體實施例，只有來自上述步驟1及2的流出物，其中該流出物包含第一前驅物，通過ALD陷阱(175)用主真空泵浦(155)吸出而且這是藉由關閉真空閘閥(185)來完成以通過主真空泵浦(155)僅僅吸出反應室(105)的流出物。否則，在流出物含有電漿前驅物期間的步驟3及4期間，不通過ALD陷阱(175)吸出流出物，反而，用渦輪分子真空泵浦(180)由反應室(105)吸 出，然後在這兩個泵浦同時操作時，用主真空泵浦(155)排出系統。特別是，在步驟3及4期間，真空閘閥(185)打開以及第一真空閥(170)關閉。而且，含有電漿前驅物的流出物完全不通過陷阱，因為電漿自由基傾向夠快地衰減使得它們在到達真空法蘭(160)時實質無反應性。
與本發明之改良操作關連的製程步驟如下：1)使鍍膜表面(115)暴露於輸送通過第一前驅物端口及輸入導管(130)的第一前驅物；以及，2)沖洗反應室(105)的第一前驅物同時真空閘閥(185)及第二真空閥(195)關閉以及第一真空閥(170)打開使得離開真空法蘭(160)的所有流出物轉移到第一真空導管(165)以及通過ALD陷阱(175)吸出。特別是，引導第一非電漿前驅物通過ALD陷阱(175)而且這造成設置於ALD陷阱(175)內之陷阱材料的表面與流出物的未反應第一前驅物反應及移除。它也導致壓力增加以及通過反應室(105)的蒸氣流率減少，因為在第一前驅物暴露步驟期間，只通過ALD陷阱(175)用主真空泵浦(155)拉扯由反應室(105)吸出流出物。在通過主真空泵浦(155)後，來自第一真空導管(165)的流出物排到排氣裝置。
在1)使鍍膜表面(115)暴露於第一前驅物；以及，2)沖洗反應室(105)的第一前驅物之後，同時真空閘閥(185)與第二真空閥(195)打開以及第一真空閥(170)關閉藉此通過渦輪分子真空泵浦(180)轉移反應室(105)的所有流出物，然後通過穿過主真空泵浦(155)的第二真空導管(190)至排氣孔。因此，在第二前驅物暴露步驟期間，沒有陷阱被用 來捕獲未反應前驅物，因為在電漿前驅物自由基到達真空法蘭(160)時，實質所有的高度反應性基材(radical material)已與反應室內的表面反應或者是衰減至無反應性狀態。因此，本案申請人已發現，在電漿前驅物的情形下，因為實質沒有未反應電漿前驅物留在反應室的流出物中，由步驟3及4之電漿前驅物暴露引起而離開反應室的流出物可通過渦輪分子真空泵浦(180)泵浦而不損壞渦輪分子真空泵浦(180)而且最終可用主真空泵浦(155)排到排氣裝置。再者，由於本發明的組態，即使在通過渦輪分子真空泵浦(180)的流出物中有未反應電漿前驅物，由於泵浦不暴露於步驟1及2的第一前驅物，因此渦輪分子真空泵浦(180)的表面不預備與第二前驅物反應，因此渦輪分子真空泵浦(180)的內部表面或第二真空導管(190)的內部表面不會發生有害的薄膜沉積反應，從而能夠使用比較不貴的渦輪泵浦。
第二前驅物源
儘管上述真空系統改善渦輪分子真空泵浦(180)的泵浦效率以及由於污染風險低而允許使用成本較低的渦輪真空泵浦，這兩個真空泵浦真空系統不允許用ALD陷阱(175)連續移除第一前驅物而不添加經裝設成可將第二前驅物注入ALD陷阱(175)的備用第二前驅物供給器(200)。特別是，如上述，用ALD陷阱(175)移除通過第一真空導管(165)之流出物的第一前驅物。這是在第一前驅物與陷阱材料表面反應以及由流出物移除時發生。另外，使第一前驅物由流出物移除的同一個反應預備陷阱材料表面與第二前 驅物反應同時也致使陷阱材料表面與第一前驅物不反應。結果，在只有第一前驅物通過第一真空導管(165)及ALD陷阱(175)的後續沉積周期中，不會有其他第一前驅物由流出物移除，因為沒有第二前驅物流到ALD陷阱(175)以完成陷阱內此時有反應性之陷阱材料表面與第二前驅物反應。相應地，提供如以下所述的備用第二前驅物供給器(200)。
本發明包括備用第二前驅物供給模組(200)，其係填滿一或更多合適第二前驅物的供給用以在輸送第二前驅物進入ALD陷阱(175)時完成與在ALD陷阱(175)內之陷阱材料表面的反應。特別是，第二前驅物供給模組(200)可操作以將第二前驅物蒸氣注入ALD陷阱(175)以及第二前驅物與陷阱材料表面反應以完成由第一前驅物開始的ALD反應。因此，第二前驅物與陷阱表面的反應形成材料層於陷阱材料表面上同時也預備陷阱材料表面與第一前驅物在下一個沉積周期反應。
在一非限定性示範具體實施例中，備用第二前驅物供給模組(200)包括水蒸氣(H2O)源。備用第二前驅物供給模組(200)經組配成可通過由電子控制器(125)操作的可控制閥(205)輸送備用第二前驅物進入ALD陷阱(175)。閥(205)打開以釋放備用第二前驅物在第一真空閥(170)與ALD陷阱(175)之間的一位置進入第一真空導管(165)。在閥(205)打開時，最好第一真空閥(170)關閉以防備用第二前驅物污染反應室(105)。另外，在閥(205)打開時，主真空泵浦(155)正在操作藉此通過第一真空導管(165)來吸出流出物以及通 過ALD陷阱(175)吸出備用第二前驅物。
備用第二前驅物供給模組(200)最好經組配成可混合備用第二前驅物與惰性載氣，例如氮或氬，其係接收自該氣體以及氣體及前驅物供給模組(120)透過在位於第一真空閥(170)與ALD陷阱(175)之間的位置與第一真空導管(165)配對的惰性氣體饋線(210)。在氣體及前驅物供給模組(120)與第一真空導管(165)之間的惰性氣體饋線(210)中設置可控制閥(215)或其他氣流調制元件以調制載氣流量。
備用第二前驅物供給模組(200)可包括起泡器或氣化器(202)可操作以在必要時氣化或增加備用第二前驅物的蒸氣壓力。另外，備用第二前驅物供給器(200)可收容存入不同前驅物容器的多個不同備用第二前驅物以便在需要時與不同的沉積化學物質一起使用。較佳地，各個備用前驅物容器包括可用電子控制器(125)操作的一或更多氣流控制元件以選擇與使用中特定沉積化學物質之第一前驅物匹配的備用第二前驅物以及在各個氣體沉積周期的適當時段輸送選定備用第二前驅物進入ALD陷阱(175)。另外，備用第二前驅物供給模組(200)可包括氣體及前驅物模組(120)之一部份以及容納於其內在此組態中，備用第二前驅物可與惰性載氣在氣體及前驅物供給模組(120)混合，以及通過惰性氣體饋線(210)將混合物輸送到ALD陷阱(175)以及用閥(215)調制而不脫離本發明。
在沉積周期之頭兩個步驟期間的操作中；1)使鍍膜表面(115)暴露於第一非電漿前驅物；以及，2)沖洗反應 室(105)的第一前驅物非電漿，第一真空閥(170)打開以及真空閘閥(185)與第二真空閥(195)關閉。這允許第一前驅物流出物通過ALD陷阱(175)以及通過主真空泵浦(155)離開系統到排氣裝置而不通過第二渦輪分子真空泵浦(180)。同時，藉由與設於ALD陷阱(175)內的陷阱材料表面反應來移除流出物的任何未反應第一前驅物。
在沉積周期的步驟3及4期間；3)使鍍膜表面(115)暴露於第二(電漿)前驅物，以及4)沖洗反應室(105)的第二(電漿)前驅物，第一真空閥(170)關閉而且真空閘閥(185)與第二真空閥(195)打開。這允許第二前驅物流出物通過渦輪分子真空泵浦(180)，然後通過第二真空導管(190)以及通過主真空泵浦(155)由系統流到排氣孔。替換地，第二真空導管(190)可經組配成可將移除自反應室(105)的排氣材料直接排到排氣孔而不通過主真空泵浦(155)，這不脫離本發明。同時，在沉積周期的步驟3)及4)期間，閥(205)打開以釋放該備用第二前驅物以輸送第二前驅物進入ALD陷阱(175)以與設於陷阱內的陷阱材料表面反應以及閥(215)也打開以供惰性載氣進入第一真空導管(165)以便攜帶備用第二前驅物進入ALD陷阱(175)。替換地，惰性氣體的連續流可流動通過惰性氣體饋線(210)，而不需要閥(215)，(亦即，閥215可刪除或保持打開)而不脫離本發明。在另一替代具體實施例中，閥(215)替換地可包括可控制質量流控制器、限制器或適合調制通過其氣體之流率的其他元件。
其他視需要元件包括可用來隔離陷阱與主真空 泵浦(155)的可操作或手動閥(220)以及可由電子控制器(125)讀取的一或更多壓力感測元件(196)經設置成可感測在不同位置的氣體壓力。另外，儘管第一及第二真空導管(165)及(190)圖示成在兩個位置連接至主真空泵浦(155)，然而這只是示意圖示以及實際組態可不同而不脫離本發明。特別是，第二真空導管(190)可使在ALD陷阱(175)、主真空泵浦(155)之間的第一真空導管(165)只與連接至主真空泵浦(155)之單一法蘭的第一真空導管(165)連結。
陷阱組態
ALD陷阱總成(175)包括傳統ALD陷阱或濾器，例如揭示於在2005年7月27日申請以及在2012年6月19日頒給Monsma等人的美國專利第8,202,575號，標題為VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS，其全部內容併入本文作為參考資料。ALD陷阱總成(175)包括填滿陷阱材料的流體流導管。最好將ALD陷阱(175)總成組配成可提供小氣流阻力以及高真空氣導。
ALD陷阱總成(175)包括各自與電子控制器(125)電子通訊的陷阱加熱器(198)及相關溫度感測器。該陷阱材料構成多個不同元件或單一元件，其經形成有充分的表面積與引進的第一前驅物及第二前驅物反應持續一段加長的操作時間，例如好幾萬個沉積周期。隨著時間推移，積累於陷阱表面區的數個材料層可能使陷阱效能降級，因此可按需要移除及更換陷阱元件以維持良好的陷阱效能。
較佳地，陷阱材料表面區加熱到與鍍膜表面(115) 相同的溫度以便造成第一及第二前驅物與陷阱材料表面區反應而形成相同的材料層於陷阱材料表面上於用在氣體沉積反應室(105)中實行的鍍膜製程鍍膜於基板表面(115)上時。在操作期間，ALD陷阱(175)通常維持在升高的溫度。在一些具體實施例中(例如，在ALD陷阱(175)至少部份位於出口時)，ALD陷阱(175)用反應室(105)的熱氣導加熱到充分的溫度(例如，用渦輪加熱器加熱)。因此，在該等具體實施例中，ALD陷阱(175)不需要有獨立的加熱器(198)。
儘管有各種形式的金屬陷阱材料為較佳，然而可使用其他合適陷阱材料。陷阱材料形式包括薄金屬箔經定向成有高百分比的表面區平行於氣體流向以減少氣流阻力。也可使用波浪狀金屬箔。當使用箔時，ALD陷阱(175)的實質所有(亦即，大於99%)表面區平行於氣體流向。增加箔陷阱的表面區可藉由增加波浪狀或壓延箔(rolled foil)元件的長度、直徑及皺紋。選擇ALD陷阱(175)材料要考慮到的是匹配陷阱材料與鍍膜材料的熱膨脹係數以避免鍍膜材料在ALD陷阱(175)內裂開及剝落。相應地，陷阱材料可包括由特設金屬(engineered metal)組成的箔片，例如科伐合金(kovar)，鎳鋼(invar)及其他耐熱及耐腐蝕合金。
其他形式的陷阱材料包括含有不鏽鋼、鋁或銅的金屬毛(metal wool)或網篩。也可使用粒狀材料，例如活性碳及活性礬土；不過，這些會增加氣流阻力。熟諳此藝者也應瞭解，儘管上文已用較佳具體實施例來描述本發明，然而本發明不受限於彼等。可個別或一同使用本發明的上 述各種特徵及方面。此外，儘管已在特定環境以及針對特定應用(例如，ALD及PEALD氣體沉積系統)中實作的背景下描述本發明，然而熟諳此藝者應瞭解，本發明的有用性不受限於此而且本發明可有益地使用於許多環境及實作，其中最好使未反應前驅物反應以由流出物移除它們。相應地，以下所提出的請求項應被視為是鑒於如本文所揭示之本發明的範疇與精神。
100‧‧‧PEALD系統
105‧‧‧反應室
110‧‧‧基板
111‧‧‧加熱夾頭
115‧‧‧基板鍍膜表面
120‧‧‧氣體及前驅物供給模組
125‧‧‧電子控制器
130‧‧‧第一前驅物端口及導管
135‧‧‧第二前驅物端口及導管
140‧‧‧電漿產生器
145‧‧‧第二脈衝閥
146‧‧‧質量流控制器
150‧‧‧第一脈衝閥
155‧‧‧主真空泵浦
160‧‧‧真空法蘭
165‧‧‧第一真空導管
170‧‧‧第一真空閥
175‧‧‧ALD陷阱
180‧‧‧渦輪分子真空泵浦
185‧‧‧真空閘閥
190‧‧‧第二真空導管
195‧‧‧第二真空閥
196‧‧‧壓力感測器
198‧‧‧陷阱加熱器
200‧‧‧備用第二前驅物供給器
202‧‧‧氣化器
205‧‧‧閥
210‧‧‧惰性氣體饋線
211‧‧‧惰性氣體進入端口
215‧‧‧閥
220‧‧‧閥

Claims (20)

  1. 一種原子層沉積方法，其係包含下列步驟：使一沉積作業的一或更多基板承載於一反應室中，其中該沉積作業包括進行多個材料沉積鍍膜周期；對於每個沉積鍍膜周期；輸送一第一前驅物進入該反應室以與該一或更多基板的暴露表面反應；自該反應室移除一第一流出物，其中該第一流出物包括未反應第一前驅物；使該第一流出物通過一ALD陷阱，其中該ALD陷阱包括數個適於與該未反應第一前驅物反應的陷阱材料表面；使一備用第二前驅物通過該ALD陷阱，其中該備用第二前驅物適於與該等陷阱材料表面反應，使得該等陷阱材料表面能夠與下一個鍍膜周期之該第一流出物的未反應第一前驅物反應和移除，以及其中該備用第二前驅物不從該反應室抽出。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該第一前驅物與該一或更多基板之該等暴露表面的反應在一反應溫度發生，其更包括使該等陷阱材料表面保持在該反應溫度的步驟。
  3. 如請求項2所述之方法，其中自該反應室移除該第一流出物的步驟包括操作一主真空泵浦以通過包括該ALD陷阱的一第一真空導管吸出該第一流出物。
  4. 如請求項3所述之方法，其更包括：對於在自該反應室移除該第一流出物後的每個沉積鍍膜周期；輸送包含自由基的一第二前驅物進入該反應室以與該一或更多基板的該等暴露表面反應；自該反應室移除一第二流出物；其中該第二流出物不通過該ALD陷阱。
  5. 如請求項4所述之方法，其中自該反應室移除該第二流出物的步驟包括操作該主真空泵浦以通過一第二真空導管吸出該第二流出物。
  6. 如請求項5所述之方法，其中使該備用第二前驅物通過該ALD陷阱以及輸送包含自由基之該第二前驅物進入該反應室的該等步驟係同時進行。
  7. 如請求項6所述之方法，其中使該備用第二前驅物通過該ALD陷阱的步驟是發生在自該第一流出物移除該未反應第一前驅物之後、以及在輸送該第一前驅物進入該反應室之前，以開始下一個鍍膜沉積周期。
  8. 如請求項4所述之方法，其更包括：在自該反應室移除該第二流出物之前，關閉一沿著該ALD陷阱與該反應室之間的該第一真空導管設置的第一真空閥，打開一真空閘閥提供通過與一第二真空導管流體連通的一渦輪分子真空泵浦來移除該第二流出物的管道，該第二真空導管在該渦輪分子真空泵浦與該主真空泵浦之間延伸，以及打開沿著該第二真空導管設置的一第二真空閥。
  9. 如請求項4所述之方法，其更包括：在自該反應室移除該第一流出物之前，關閉一真空閘閥以阻止通過與第二真空導管流體連通的一渦輪分子真空泵浦來移除該第一流出物的管道，該第二真空導管在該渦輪分子真空泵浦與該主真空泵浦之間延伸，以及關閉一第二真空閥，其係沿著該反應室與該主真空泵浦之間設置的該第二真空導管。
  10. 一種原子層沉積周期，其係包含下列步驟：使承載於一反應室中之一或更多基板的暴露表面暴露於一第一非電漿前驅物；操作一主真空泵浦以從該反應室抽出一第一流出物，其中該第一流出物包含留在該反應室中實質上所有的該未反應第一前驅物；其中通過在該反應室與該主真空泵浦之間延伸的一第一真空導管吸出該第一流出物；其中包括可與該未反應第一前驅物反應之數個陷阱材料表面的一ALD陷阱，其係沿著該第一真空導管設置，以自該第一流出物移除實質上所有的該未反應第一前驅物；使該等暴露表面暴露於包含自由基的一第二電漿激發前驅物；操作一渦輪分子真空泵浦以從該反應室抽出一第二流出物，其中該第二流出物自該反應室沖洗實質上所有的該第二前驅物； 其中該第二流出物係通過該渦輪分子真空泵浦以及通過在該渦輪分子真空泵浦與該主真空泵浦之間延伸的一第二真空導管被吸出，其中該第二流出物不通過該ALD陷阱被吸出；以及，輸送一備用第二前驅物進入該ALD陷阱以與該等陷阱材料表面反應，其中該備用第二前驅物適於與該等陷阱材料表面反應，使得該等陷阱材料表面能夠與該未反應第一前驅物反應以及自該第一流出物移除該未反應第一前驅物。
  11. 一種用於進行材料沉積周期的原子層沉積裝置，其係包括：一反應室經組配以承載一或更多基板於其中；一第一前驅物導管及端口經裝設以輸送一第一前驅物進入該反應室以與該一或更多基板的暴露表面反應；一真空系統經組配以自該反應室移除一第一流出物，其中移除該第一流出物係移除該反應室實質上所有的該未反應第一前驅物；一ALD陷阱包括數個陷阱材料表面，其係經設置以接收通過它的該第一流出物，其中該等陷阱材料表面適於與該未反應第一前驅物反應以及自該第一流出物移除實質上所有的該未反應第一前驅物；一備用第二前驅物源與該ALD陷阱流體連通用以 輸送一備用第二前驅物進入該ALD陷阱；其中該備用第二前驅物包括一材料，其適於與該等陷阱材料表面反應，使得該等陷阱材料表面適於與該第一前驅物反應。
  12. 如請求項11所述之原子層沉積裝置，其中該一或更多基板在該等材料沉積周期期間保持在一反應溫度，其更包括：與一電子控制器通訊的一陷阱加熱器及溫度感測元件，其中該陷阱加熱器及溫度感測器係可操作以使該等陷阱材料表面保持在該反應溫度。
  13. 如請求項11所述之原子層沉積裝置，其中該陷阱材料包括一或更多薄金屬箔經定向成具有高百分比的箔表面積，該一或更多薄金屬箔經設置成與通過該ALD陷阱的一氣體流向平行。
  14. 如請求項11所述之原子層沉積裝置，其更包括：一第二前驅物導管及端口經裝設以輸送一第二前驅物進入該反應室以在該等暴露表面已與該第一前驅物反應後，與該一或更多基板的該等暴露表面反應；與該第二前驅物導管及端口關連的一電漿產生器，其用於激發該第二前驅物以及產生該第二前驅物的自由基；其中該真空系統自該反應室移除一第二流出物，其中移除該第二流出物係自該反應室移除實質上所有的該第二前驅物而不使該第二流出物通過該ALD陷阱。
  15. 如請求項14所述之原子層沉積裝置，其中該真空系統 包括：一主真空泵浦，其係通過一真空法蘭與該反應室流體連通；一第一真空導管設置於該真空法蘭與該主真空泵浦之間，其中該ALD陷阱係沿著該第一真空導管設置；一第一真空閥其係沿著該真空法蘭與該ALD陷阱之間的該第一真空導管設置。
  16. 如請求項15所述之原子層沉積裝置，其更包括：一渦輪分子真空泵浦，其係通過該真空法蘭與該反應室流體連通；一真空閘閥設置於該反應室與該渦輪分子真空泵浦之間，其中該真空閘閥係可操作以阻止或允許氣流通過該真空法蘭；一第二真空導管其係沿著該渦輪分子真空泵浦與該主真空泵浦之間設置而不通過該ALD陷阱；一第二真空閥其係沿著該渦輪分子真空泵浦與該主真空泵浦之間的該第二真空導管設置。
  17. 如請求項16所述之原子層沉積裝置，其中該主真空泵浦包括一低真空泵浦能夠將該反應室抽至有10毫托(1.3 Pascal)的真空壓力，以及該渦輪分子真空泵浦係一高真空泵浦能夠將該反應室抽至有1.0微托(0.000133 Pascal)的真空壓力。
  18. 如請求項11所述之原子層沉積裝置，其更包括：一可控制閥，其係沿著該備用第二前驅物源與該ALD陷阱 之間延伸的一流體導管設置。
  19. 如請求項11所述之原子層沉積裝置，其更包括：與該備用第二前驅物源關連的一惰性氣體供給器，其係用於混合該備用第二前驅物與由該惰性氣體供給器輸送的一惰性氣體。
  20. 如請求項14所述之原子層沉積裝置，其更包括：一第一可控制脈衝閥，其係可操作以調制通過該第一前驅物導管及端口的一第一前驅物流量；一可控制質量流控制器，其係可操作以在該第二前驅物為一電漿前驅物時，調制通過該第二前驅物導管及端口的一第二前驅物流量；一第二可控制脈衝閥，其係可操作以在該第二前驅物不是電漿前驅物時，調制通過該第二前驅物導管及端口的一第二前驅物流量；其中該原子層沉積裝置係可操作以進行一電漿強化原子層沉積周期，其中該第二前驅物由該電漿產生器激發以及通過該陷阱只移除該第一流出物；以及，其中該原子層沉積裝置係可操作以進行一熱原子層沉積周期，其中該第一或該第二前驅物都不被該電漿產生器激發，以及通過該ALD陷阱來移除該第一及該第二流出物兩者。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI726345B (zh) * 2018-09-26 2021-05-01 日商國際電氣股份有限公司 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式

Families Citing this family (296)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
WO2016182648A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US20170241019A1 (en) 2016-02-22 2017-08-24 Ultratech, Inc. Pe-ald methods with reduced quartz-based contamination
US20170260629A1 (en) 2016-03-08 2017-09-14 Ultratech, Inc. Quartz crystal microbalance assembly for ALD systems
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
FI127503B (en) * 2016-06-30 2018-07-31 Beneq Oy Method of coating a substrate and device
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102659195B1 (ko) 2016-07-11 2024-04-19 삼성전자주식회사 플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 Li 기반의 박막 형성방법
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
CA3035874A1 (en) * 2016-10-05 2018-04-12 F. Hoffmann-La Roche Ag Detection reagents and electrode arrangements for multi-analyte diagnostic test elements, as well as methods of using the same
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10844488B2 (en) 2017-01-27 2020-11-24 Veeco Instruments Inc. Chuck systems and methods having enhanced electrical isolation for substrate-biased ALD
US10655221B2 (en) * 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
US9984869B1 (en) * 2017-04-17 2018-05-29 Asm Ip Holding B.V. Method of plasma-assisted cyclic deposition using ramp-down flow of reactant gas
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
JP6811146B2 (ja) * 2017-06-23 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法
JP6811147B2 (ja) * 2017-06-23 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
JP6902991B2 (ja) * 2017-12-19 2021-07-14 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
CN111670265A (zh) * 2018-01-31 2020-09-15 朗姆研究公司 用于多前体的歧管阀
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN109609931B (zh) * 2018-12-27 2021-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 原子层沉积装置及方法
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
KR102334472B1 (ko) 2019-05-30 2021-12-03 주식회사 지에스티에스 원자층 증착을 위한 다이아프램 밸브의 응답 산출 장치
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
DE102022102768A1 (de) 2022-02-07 2023-08-10 Stephan Wege Symmetrischer Prozessreaktor
WO2024193763A1 (de) 2023-03-17 2024-09-26 Stephan Wege Prozessreaktor und vefahren für die herstellung von strukturen auf einem substrat

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006127693A2 (en) * 2005-05-23 2006-11-30 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing ald reactants from damaging vacuum pumps
US20100183825A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-22 Cambridge Nanotech Inc. Plasma atomic layer deposition system and method
WO2011026064A1 (en) * 2009-08-31 2011-03-03 The Penn State Research Foundation Improved plasma enhanced atomic layer deposition process
US8202575B2 (en) * 2004-06-28 2012-06-19 Cambridge Nanotech, Inc. Vapor deposition systems and methods

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3287730B2 (ja) * 1995-04-20 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 混入物の除去装置、これを用いた処理装置の真空排気系及びそのメンテナンス方法
JP3544604B2 (ja) * 1996-12-16 2004-07-21 株式会社荏原製作所 切替式トラップ装置
US6099649A (en) * 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
US6197119B1 (en) * 1999-02-18 2001-03-06 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines
US6354241B1 (en) * 1999-07-15 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing
JP4113755B2 (ja) * 2002-10-03 2008-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2004305950A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd 排気トラップ、排気トラップのクリーニング方法、及び、反応処理装置
US20050016453A1 (en) 2003-04-23 2005-01-27 Seidel Thomas E. Collection of unused precursors in ALD
CN1788106B (zh) * 2003-05-13 2011-06-08 东京毅力科创株式会社 使用原料气体和反应性气体的处理装置
CN100554505C (zh) * 2004-06-28 2009-10-28 剑桥纳米科技公司 气相沉积系统和方法
US7455720B2 (en) 2005-02-16 2008-11-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems
US20060276049A1 (en) 2005-06-06 2006-12-07 Bailey Christopher M High efficiency trap for deposition process
JP5036354B2 (ja) * 2006-04-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
JP2008288281A (ja) 2007-05-15 2008-11-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2009020548A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Brother Ind Ltd コンテンツ配信システム、閲覧端末およびコンテンツ配信要求制御プログラム
RU2011116297A (ru) * 2008-10-06 2012-11-20 Вердженс Энтертейнмент ЭлЭлСи (US) Система для музыкального взаимодействия аватаров
JP2010141248A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Toshiba Corp 成膜装置及び成膜方法
JP2011181681A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積方法及び原子層堆積装置
JP2012126977A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Ulvac Japan Ltd 真空成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8202575B2 (en) * 2004-06-28 2012-06-19 Cambridge Nanotech, Inc. Vapor deposition systems and methods
WO2006127693A2 (en) * 2005-05-23 2006-11-30 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing ald reactants from damaging vacuum pumps
US20100183825A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-22 Cambridge Nanotech Inc. Plasma atomic layer deposition system and method
WO2011026064A1 (en) * 2009-08-31 2011-03-03 The Penn State Research Foundation Improved plasma enhanced atomic layer deposition process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI726345B (zh) * 2018-09-26 2021-05-01 日商國際電氣股份有限公司 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式

Also Published As

Publication number Publication date
TW201527582A (zh) 2015-07-16
US10351950B2 (en) 2019-07-16
US20190284689A1 (en) 2019-09-19
JP2016540124A (ja) 2016-12-22
JP6195671B2 (ja) 2017-09-13
WO2015080979A1 (en) 2015-06-04
FI20165435A (fi) 2016-05-25
GB2538167B (en) 2017-11-29
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