JP6195671B2 - 改善されたプラズマ強化aldシステム - Google Patents
改善されたプラズマ強化aldシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6195671B2 JP6195671B2 JP2016534194A JP2016534194A JP6195671B2 JP 6195671 B2 JP6195671 B2 JP 6195671B2 JP 2016534194 A JP2016534194 A JP 2016534194A JP 2016534194 A JP2016534194 A JP 2016534194A JP 6195671 B2 JP6195671 B2 JP 6195671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- precursor
- effluent
- reaction chamber
- trap
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
- C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
従来の原子層堆積(ALD)システムは、1つ又は複数の基板の露出面に薄膜材料層を堆積させるために使用可能なガス堆積又は蒸着システムとして動作する。より具体的には、原子層堆積(ALD)は、堆積基板を複数の別個の化学的及び/又はエネルギー環境で逐次露出させることによって進行する薄膜堆積技術である。通常のプロセスは、基板表面の既存の化学的部分を化学吸着する前駆体を含む気相金属原子の導入で進行する。過剰な前駆体及び反応生成物を除去するパージサイクルに続き、第1の反応物質の化学吸着部分と反応しやすい第2の前駆体が反応器内に導入される。第2のパージサイクルにより、過剰な前駆体及び反応生成物が除去される。ALDプロセスが成功するためには、第2の前駆体サイクルにより、基板表面が再び、第1の前駆体にもう一度露出される準備ができた状態になる。表面を、前駆体1、パージ、前駆体2、パージ、繰返しに逐次露出させることにより、単原子層未満の厚さの制御でコンフォーマルな膜を堆積させることができる。
トを設けるというものである。1つのこうしたトラップについては、「VAPOR DEPOSITION
SYSTEMS AND METHODS」と題する2012年6月19日にMonsma他に付与された米国特許第8,202,575号に開示されている。その開示では、Monsma他は、直列のALD反応チャンバー、トラップ及び真空ポンプについて記載し、そこでは、反応チャンバーからの流出物は、真空ポンプを通して引き出される前にトラップを通過する。トラップは、小さいガス流抵抗及び高い真空コンダクタンスを提供しながら、反応チャンバー内部でコーティングされている基板の露出面で発生するものと同じ堆積プロセスが、トラップの内部に設けられた金属面において発生するのを可能にするように、特に構成されている。さらに、Monsma他は、トラップ材料の表面に形成されているコーティング層に亀裂が入るか又は剥離して真空ポンプ内に搬送されるのを防止するように、堆積された材料と同様の熱膨張係数のトラップ材料を提供することが望ましいことを示している。しかしながら、Monsma他によって提案されたトラップシステムの1つの問題は、トラップ材料が流出物内の前駆体と反応するために、トラップ材料表面との反応に関与するように両方の前駆体を導入することができなければならず(must be available)、流出物に両方の前駆体を導入することができない場合、トラップ内部のALD反応は材料層を形成することができず、トラップの動作は中断し、未反応前駆体物質が真空ポンプ内に入る。
従来のプラズマ強化原子層堆積(PEALD)システムは、1つ又は複数の基板の露出面に薄膜材料層を堆積させるように使用可能なガス堆積又は蒸着システムとして動作する。動作時、基板は実質的に封止された反応チャンバー内部に配置され、反応チャンバーは、一般に、低い堆積圧力、例えば0.1ミリトル〜10ミリトルまで排気され、反応温度、例えば75℃〜750℃まで加熱される。第1の前駆体又は反応物質、例えば、気相金属原子含有分子等の分子化学物質が、基板コーティング面の露出面と反応するように、反応空間内に蒸気として導入される。第1の前駆体の供給中に、第1の前駆体に不活性キャリアガスを混合することができる。次に、所望の露出時間の後、第1の前駆体は、反応チャンバーから除去されるか又はパージされる。パージサイクルは、一般に、真空ポンプと流体連通している出口ポートを通して反応チャンバーからガスを引き出すことを含む。その後、プラズマ源又は他のラジカル生成技法によって供給分子ガスの解離を通して生成されたラジカルのフラックスを含む第2の前駆体又は反応物質が、基板コーティング面の露出面と反応するように反応空間に導入される。
第20100183825号に開示されている。その開示において、Becker他は、反応チャンバー内に非プラズマ前駆体を導入するための第1の前駆体ポートと、反応チャンバー内にプラズマ励起前駆体物質を導入する第2の前駆体ポート又は頂部開口部とを含むプラズマ反応チャンバーについて記載している。Becker他は、図10に、図6に示すトラップアセンブリを通して反応チャンバーから流出物を除去するように動作するターボ真空ポンプを含む、真空システムを開示している。その開示は、ガス堆積チャンバーから出る流出ガスの前駆体及び/又はプラズマガスと反応するように加熱されるものとして、トラップアセンブリについて記載している。トラップ内部に配置された露出したトラップ材料表面と、流出物からのあらゆる残りの未反応前駆体蒸気及び/又は未反応プラズマラジカルとの間の反応により、流出物から未反応前駆体が除去され、反応チャンバー内部で基板上に堆積したものと同じ材料が、露出したトラップ材料表面の上に堆積する。
しかしながら、Becker他によって提案されたPEALDシステムの1つの問題は、プラズマ励起前駆体ラジカルが、反応性が高くかつ非励起状態に急速に減衰することに関し、これらの要素は、システムの動作に2つの方法で影響を与える。第1の関連する問題では、プラズマ前駆体のフリーラジカルは、コーティングされている基板の露出面と反応する前に、非励起状態に減衰するか又は反応チャンバー内部の他の表面と反応する可能性がある。その結果、反応チャンバー内部で発生すると期待される所望の自己制御ALD反応は、露出面にプラズマラジカルがないため、完了まで続かない可能性があり、そのため、基板の露出面が完全にコーティングされない。
さらに、第1の前駆体と反応チャンバー内部の露出面との間の反応は、特定の反応温度で発生するため、動作方法は、トラップ材料表面を反応温度で維持することを更に含む。
本発明は、プラズマ強化原子層堆積(PEALD)システム及び関連する動作方法とともに、記載する方法によってコーティングされる基板の限定しない例示的な実施形態について記載する。特に、本システムは、反応チャンバー内部に配置された基板の露出面での薄膜成長に適した反応チャンバーを含む。反応チャンバーは、2つの異なる真空ポンプによって真空圧までポンピングされる真空チャンバーである。各真空ポンプは、異なる出口ポート及び異なる真空導管路を通して真空チャンバーに接続されている。特に、種々の流出物ライン及び/又はフォアラインが各真空ポンプに関連付けられており、別個の真空導管路は各々、1つ又は複数の弁を含み、それらの弁は、電子コントローラーにより、反応チャンバーからの流出ガスを、異なる真空導管路に沿ってシステムから流れ出るように調整し方向を変えるように動作可能である。特に、非プラズマ前駆体を除去し捕獲するために使用される第1の真空導管路は、従来のALDトラップを含むが、プラズマ前駆体を除去するために使用される第2の真空導管路は、トラップを含まない。結果として、第1の前駆体のみがALDトラップに入る。しかしながら、本発明は、トラップチャンバー内部に配置されたトラップ材料の露出面とのALD反応を完了するために、第2の前駆体、例えば水蒸気をALDトラップ内に供給する代替的な第2の前駆体源を含む。したがって、次のALDコーティングサイクルで第1の前駆体と反応するようにトラップ内部の露出したトラップ材料表面の準備を続けるために、本発明の代替的な第2の前駆体源が用いられる。本発明で使用するために適した限定しないPEALD反応チャンバー例は、全ての目的でその全体が本明細書の一部をなす、「PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM AND METHOD」と題する、2010年7月22日に公開されたBecker他による米国特許出願公開第20100183825号に開示されている。
ここで図1を参照すると、本発明による限定しない例示的なPEALDシステム100が概略的に示されている。PEALDシステム100は、加熱チャック111によって提供される基板支持面の上に支持された基板110を収容しているPEALD構成反応チャンバー105を含む。基板は、反応チャンバー内に供給される前駆体蒸気及び/又はプラズマフリーラジカルが上方を向いたコーティング面115に突き当たるように、コーティング位置に支持される。他の限定しない例示的な実施形態では、反応チャンバーは、加熱チャック111によって提供される支持面の上で複数の基板110を支持することができ、各基板は、本発明から逸脱することなく上方を向いたコーティング面115を有している。
ガス及び前駆体供給モジュール120は、様々なプロセス蒸気及びガスの供給物を含み、それらは、液体及び固体の前駆体物質を保管するために使用される封止されたキャニスター内に保管され、及び/又は、限定されないがO2、N2、H2、NH3等を含む反応性プラズマガス及びガス状の第1の前駆体、並びにキャリアガス及び/又はパージガスとして使用可能な不活性ガス等の前駆体ガスを保管するために使用される加圧ガスシリンダーに保管される。ガスモジュール120はまた、制御可能な弁又は質量流量調節器145及び150も含み、それらは、電子コントローラー125によって、選択された前駆体、キャリアガス及び/又はパージガスを反応チャンバー105内に供給する要求に応じて、開放するか、閉鎖するか、又は投入混合ガスの所望の質量流量を確立するように動作可能である。
、それらは、前駆体を気化させるか又は他の方法でその蒸気圧を上昇させるように、及び/又は反応チャンバー内に迅速な蒸気流を促進するように使用可能である。ガス及び前駆体モジュール120は、液体又は固体の前駆体から収集された前駆体蒸気物質、及び/又はキャリアガス及び/又はパージガス又は両方として使用可能な不活性ガスを、混合し、方向付け、及び/又は調整する必要に応じて、電子コントローラー125によって制御可能な他のガス及び蒸気流調整要素を更に含むことができる。
第2の投入前駆体ポート及び導管135を通過するプラズマガス前駆体の質量流量が調整される。質量流量コントローラー146は、電子コントローラー125によって制御可能であり、内部を通過するガスの質量流量を変更するように動作可能である。
限定しない例示的なPEALDシステム100は、主真空ポンプ155及びターボ分子真空ポンプ180を含む。主真空ポンプ155は、真空フランジ160に、真空フランジ160と主真空ポンプ155との間に延在する第1の真空導管165によって、流体接続されている。第1の真空弁170が、電子コントローラー125の制御の下で、第1の真空導管165を開閉するように動作可能である。第1の真空導管165に沿って従来のALDトラップ175が配置され、それにより、第1の真空導管165を通過する反応チャンバー105からのいかなる流出物も、主真空ポンプ155に達する前にALDトラップ175を通過する。特に、ALDトラップ175は、トラップによって形成されるトラップチャンバー又は流れ導管の内部に配置された、大きい内部材料表面領域、例えば、複数の密接して配置された金属プレート又は箔を含み、大きい内部表面領域の材料は、第1の真空導管165を通過する流出物に含まれるあらゆる未反応前駆体と反応し、それにより、流出物が主真空ポンプ155に達する前に流出物から未反応前駆体を実質的に除去するように提供される。本実施形態例では、主真空ポンプ155は、約10ミリトル(10−2トル)まで反応チャンバーをポンピングすることができる、より低コストの粗引きポンプである。
限定しない例示的なPEALDシステム100は、単数又は複数の基板110の露出面に、特に基板コーティング面115に複数の材料層を自動的に堆積させるように動作可能である。単層堆積サイクルとは、基板110の上に単層の堆積材料を堆積させることを言う。コーティングラン又はコーティングプロセスとは、複数の堆積サイクルを言う。1つの限定しないコーティングラン例では、所望のコーティング厚さ又は数の個々の材料層が達成されるまで、同じコーティング材料を用いて基板110の上に同じ堆積材料の多くの単層を堆積させることにより、複数の堆積サイクルが行われる。第2の限定しないコーテ
ィングラン又はコーティングプロセス例では、コーティング面に複数の層厚さの第1の堆積材料を堆積させるように、複数の第1の堆積サイクルが行われる。その後、PEALDシステム100は、第1の堆積材料の層にわたってコーティング面に複数の層厚さの第2の堆積材料を堆積させるように行われる複数の第2の堆積サイクルを行うように自動的に再構成される。コーティングラン又はコーティングプロセスの最後に、基板110は取り除かれて、別のコーティングされていない基板と交換される。様々なチャンバー実施形態では、コーティングするために複数の基板を支持することができ、コーティングラン又はコーティングプロセスにより基板110の全てにコーティングすることができる。
、その後、第2の真空導管190を通って主真空ポンプ155を通して排気口まで流れることの後。したがって、第2の前駆体露出ステップ中、未反応前駆体を捕獲するためにトラップは使用されず、それは、プラズマ前駆体ラジカルが真空フランジ160に達する時点まで、高反応性ラジカル材料の実質的に全てが、反応チャンバー内部の表面と反応しているか、又は非反応状態まで減衰しているためである。したがって、本出願人は、プラズマ前駆体の場合、反応チャンバーからの流出物に未反応プラズマ前駆体が実質的に残っていないため、ステップ3及びステップ4のプラズマ前駆体露出からもたらされる反応チャンバーから出る流出物を、ターボ分子真空ポンプ180を損傷することなく、ターボ分子真空ポンプ180を通してポンピングすることができ、最終的に、主真空ポンプ155によって排気するように排出することができる。さらに、本発明の構成により、ターボ分子真空ポンプ180を通過する流出物に未反応プラズマ前駆体があった場合であっても、ステップ1及びステップ2においてポンプが第1の前駆体に露出していなかったため、ターボ分子真空ポンプ180の表面は、第2の前駆体と反応する準備はできておらず、したがって、ターボ分子真空ポンプ180の内面又は第2の真空導管190の内面に、有害な膜堆積反応は発生せず、そのため、より安価なターボポンプを使用することができる。
上述した真空システムは、ターボ分子真空ポンプ180のポンピング効率を向上させ、汚染のリスクが低いため、より低コストのターボ真空ポンプを使用することを可能にするが、2真空ポンプ真空システムにより、第2の前駆体をALDトラップ175内に注入するように設けられた代替的な第2の前駆体供給部200を追加しなければ、ALDトラップ175による連続した第1の前駆体除去は可能ではない。特に、上述したように、第1の前駆体は、ALDトラップ175によって、第1の真空導管165を通過する流出物から除去される。これは、第1の前駆体がトラップ材料表面と反応し、流出物から除去されるときに発生する。さらに、流出物から第1の前駆体を除去する同じ反応により、トラップ材料表面が第2の前駆体と反応する準備ができ、一方でまた、トラップ材料表面は第1の前駆体と非反応性になる。その結果、第1の前駆体のみが第1の真空導管165及びALDトラップ175を通過する後続する堆積サイクルにおいて、それ以上、流出物から第1の前駆体が除去されず、それは、トラップ内部のこのとき反応性であるトラップ材料表面と第2の前駆体との間の反応を完了するために、ALDトラップ175に第2の前駆体が流れないためである。したがって、後述するように、代替的な第2の前駆体供給部200が設けられる。
おり、それにより、第1の真空導管165を通して流出物を引き出し、ALDトラップ175を通して代替的な第2の前駆体を引き出す。
の連続流を流すことができる。更なる代替実施形態では、弁215は、代替的に、質量流量コントローラー、制限器、又は内部を通過するガス流量を調整するのに適した他の要素を備えることができる。
ALDトラップアセンブリ175は、引用することによりその全体が本明細書の一部をなす、2005年1月27日に出願された、「VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS」と題する、2012年6月19日にMonsma他に対して付与された米国特許第8,202,575号に開示されているもの等、従来のALDトラップ又はフィルタを備えている。ALDトラップアセンブリ175は、トラップ材料で充填された流体流導管を備えている。理想的には、ALDトラップ175アセンブリは、小さいガス流抵抗及び高い真空コンダクタンスを提供するように構成されている。
、コバール、インバー、並びに他の耐熱及び耐食合金等、加工金属の箔を含むことができる。
Claims (20)
- 原子層堆積方法であって、
堆積ランに対して反応チャンバー内で1つ又は複数の基板を支持することであって、該堆積ランは複数の材料堆積コーティングサイクルを行うことを含むことと、
各堆積コーティングサイクルに対して、
前記1つ又は複数の基板の露出面と反応するように、前記反応チャンバー内に第1の前駆体を供給することと、
前記反応チャンバーから第1の流出物を除去することであって、該第1の流出物は未反応の第1の前駆体を含むことと、
前記第1の流出物をALDトラップに通過させることであって、該ALDトラップは、前記未反応の第1の前駆体と反応するトラップ材料表面を含むことと、
前記第1の流出物から前記未反応の第1の前駆体を除去した後に、代替的な第2の前駆体を前記ALDトラップに通過させることであって、該代替的な第2の前駆体は、前記トラップ材料表面を、次のコーティングサイクルの前記第1の流出物からの前記未反応の第1の前駆体と反応しかつそれを除去することができるようにするように、前記トラップ材料表面と反応し、前記代替的な第2の前駆体は、前記反応チャンバーから引き出されないことと、
前記反応チャンバーから前記第1の流出物を除去した後、フリーラジカルを含む第2の前駆体を、前記1つ又は複数の基板の前記露出面と反応するように前記反応チャンバー内に供給することと、
を含む原子層堆積方法。 - 前記第1の前駆体と前記1つ又は複数の基板の前記露出面との間の前記反応は、反応温度で発生し、前記方法は、前記トラップ材料表面を該反応温度で維持するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記反応チャンバーから前記第1の流出物を除去するステップは、前記ALDトラップを含む第1の真空導管を通して前記第1の流出物を引き出すように主真空ポンプを動作させることを含む、請求項2に記載の方法。
- 各堆積コーティングサイクルに対して、前記反応チャンバーから前記第1の流出物を除去した後、前記反応チャンバーから第2の流出物を除去することと、
を更に含み、
前記第2の流出物は前記ALDトラップを通過しない、請求項3に記載の方法。 - 前記反応チャンバーから第2の流出物を除去するステップは、第2の真空導管を通して前記第2の流出物を引き出すように前記主真空ポンプを動作させることを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記代替的な第2の前駆体を前記ALDトラップに通過させるステップと、前記フリーラジカルを含む前記第2の前駆体を前記反応チャンバー内に供給するステップとが、同時に行われる、請求項5に記載の方法。
- 前記代替的な第2の前駆体を前記ALDトラップに通過させるステップは、前記第1の流出物から前記未反応の第1の前駆体を除去した後に、かつ次のコーティング堆積サイクルを開始するように前記反応チャンバー内に前記第1の前駆体を供給する前に発生する、請求項6に記載の方法。
- 前記反応チャンバーから前記第2の流出物を除去する前に、前記第1の真空導管に沿って前記ALDトラップと前記反応チャンバーとの間に配置された第1の真空弁を閉鎖することと、ターボ分子真空ポンプを通して前記第2の流出物を除去するアクセスを可能にするように真空ゲート弁を開放することであって、該ターボ分子真空ポンプは該ターボ分子真空ポンプと前記前記主真空ポンプとの間に延在する第2の真空導管と流体連通していることと、前記第2の真空導管に沿って配置された第2の真空弁を開放することとを更に含む、請求項4に記載の方法。
- 前記反応チャンバーから前記第1の流出物を除去する前に、ターボ分子真空ポンプを通して前記第1の流出物を除去するアクセスを阻止するように真空ゲート弁を閉鎖することであって、該ターボ分子真空ポンプは該ターボ分子真空ポンプと前記主真空ポンプとの間に延在する第2の真空導管と流体連通していることと、前記第2の真空導管に沿って前記反応チャンバーと前記主真空ポンプとの間に配置された第2の真空弁を閉鎖させることとを更に含む、請求項4に記載の方法。
- 原子層堆積方法であって、
反応チャンバー内に支持された1つ又は複数の基板の露出面を第1の非プラズマ前駆体に露出させるステップと、
前記反応チャンバーから第1の流出物を引き出すように主真空ポンプを動作させるステップであって、該第1の流出物は、前記反応チャンバー内に残っている未反応の第1の非プラズマ前駆体の実質的に全てを含むステップと、
なお、前記第1の流出物は、前記反応チャンバーと前記主真空ポンプとの間に延在する第1の真空導管を通して引き出され、
なお、前記未反応の第1の非プラズマ前駆体と反応しやすいトラップ材料表面を備えたALDトラップが、前記第1の流出物からの前記未反応の第1の非プラズマ前駆体の実質的に全てを除去するように、前記第1の真空導管に沿って配置され、
フリーラジカルを含む第2のプラズマ励起前駆体に前記露出面を露出させるステップと、
前記反応チャンバーから第2の流出物を引き出すようにターボ分子真空ポンプを動作させるステップであって、該第2の流出物は、前記反応チャンバーから前記第2のプラズマ励起前駆体の実質的に全てをパージするステップと、
なお、前記第2の流出物は、前記ターボ分子真空ポンプを通して、かつ該ターボ分子真空ポンプと前記主真空ポンプとの間に延在する第2の真空導管を通して引き出され、該第2の流出物は、前記ALDトラップを通して引き出されず、
前記第1の流出物から前記未反応の非プラズマ第1の前駆体を除去した後に、前記トラップ材料表面と反応するように前記ALDトラップ内に代替的な第2の前駆体を供給するステップと、
を含み、
前記代替的な第2の前駆体は、前記トラップ材料表面を前記第1の流出物からの未反応の第1の前駆体と反応しかつそれを除去することができるようにするように、該トラップ材料表面と反応する、原子層堆積方法。 - 材料堆積サイクルを行う原子層堆積装置であって、
1つ又は複数の基板を内部に支持するように構成された反応チャンバーと、
前記1つ又は複数の基板の露出面と反応するように前記反応チャンバー内に第1の前駆体を供給するように設けられた第1の前駆体導管及びポートと、
前記反応チャンバーから第1の流出物を除去するように構成された真空システムであって、該第1の流出物を除去することにより、前記反応チャンバーから前記未反応の第1の前駆体の実質的に全てが除去される、真空システムと、
前記第1の流出物を内部に受け取るように配置されたトラップ材料表面を備えるALDトラップであって、該トラップ材料表面は、前記第1の流出物からの前記未反応の第1の前駆体の実質的に全てと反応しかつそれを除去する、ALDトラップと、
前記ALDトラップ内に代替的な第2の前駆体を供給する、該ALDトラップと流体連通している代替的な第2の前駆体源と、
前記1つ又は複数の基板の前記露出面が前記第1の前駆体と反応した後、前記露出面と反応するように前記反応チャンバー内に第2の前駆体を供給するように設けられた第2の前駆体導管及びポートと、
動作時には、前記第2の前駆体を励起し前記第2の前駆体のフリーラジカルを生成するように構成され、動作しないときには、前記第2の前駆体を励起せず前記第2の前駆体のフリーラジカルを生成しないように構成されている、前記第2の前駆体導管及びポートと関連するプラズマ発生器と、
を備え、
前記代替的な第2の前駆体は、前記第1の流出物から前記未反応の第1の前駆体を除去した後に、前記トラップ材料表面を前記第1の前駆体と反応することが可能なものとするように該トラップ材料表面と反応する材料を含む、原子層堆積装置。 - 前記1つ又は複数の基板は、前記材料堆積サイクル中に反応温度で維持され、前記原子層堆積装置は、電子コントローラーと通信するトラップヒーター及び温度検知素子を更に備え、該トラップヒーター及び該温度センサーは、前記トラップ材料表面を前記反応温度で維持するように動作可能である、請求項11に記載の原子層堆積装置。
- 前記トラップ材料は、1つ又は複数の薄い金属箔を含み、該箔は、該箔の表面領域の99%以上の割合が前記ALDトラップを通るガス流方向に対して平行に配置されるように方向付けられている、請求項11に記載の原子層堆積装置。
- 前記真空システムは、前記反応チャンバーから第2の流出物を除去し、
前記第2の流出物を除去することは、前記第2の流出物を前記ALDトラップに通過させることなく、前記反応チャンバーから前記第2の前駆体の実質的に全てを除去するか、または、前記第2の流出物を前記ALDトラップに通過させることによって、前記反応チャンバーから前記第2の前駆体の実質的に全てを除去する、請求項11に記載の原子層堆積装置。 - 前記真空システムは、
真空フランジを通して前記反応チャンバーと流体連通している主真空ポンプと、
前記真空フランジと前記主真空ポンプとの間に配置された第1の真空導管であって、前記ALDトラップは該第1の真空導管に沿って配置されている、第1の真空導管と、
前記第1の真空導管に沿って前記真空フランジと前記ALDトラップとの間に配置された第1の真空弁と、
を備える、請求項14に記載の原子層堆積装置。 - 前記真空フランジを通して前記反応チャンバーと流体連通しているターボ分子真空ポンプと、
前記反応チャンバーと前記ターボ分子真空ポンプとの間に配置された真空ゲート弁であって、前記真空フランジを通してガス流を阻止するか又は可能にするように動作可能な真空ゲート弁と、
前記ALDトラップを通過することなく前記ターボ分子真空ポンプと前記主真空ポンプとの間に配置された第2の真空導管と、
前記第2の真空導管に沿って前記ターボ分子真空ポンプと前記主真空ポンプとの間に配置された第2の真空弁と、
を更に備える、請求項15に記載の原子層堆積装置。 - 前記主真空ポンプは、10ミリトル(1.3パスカル)の真空圧まで前記反応チャンバーをポンピングすることができる粗引きポンプを含み、前記ターボ分子真空ポンプは、1.0マイクロトル(0.000133パスカル)の真空圧まで前記反応チャンバーをポンピングすることができる仕上げポンプを含む、請求項16に記載の原子層堆積装置。
- 前記代替的な第2の前駆体源と前記ALDトラップとの間に延在する流体導管に沿って配置された制御可能な弁を更に備える、請求項11に記載の原子層堆積装置。
- 前記代替的な第2の前駆体源に関連する不活性ガス供給部であって、該代替的な第2の前駆体を該不活性ガス供給部によって供給される不活性ガスと混合する不活性ガス供給部を更に備える、請求項11に記載の原子層堆積装置。
- 前記第1の前駆体導管及びポートを通る第1の前駆体流を調整するように動作可能な第1の制御可能なパルス弁と、
前記第2の前駆体がプラズマ前駆体である場合、前記第2の前駆体導管及びポートを通る第2の前駆体流を調整するように動作可能な、制御可能な質量流量コントローラーと、
第2の前駆体がプラズマ前駆体でない場合、前記第2の前駆体導管及びポートを通る第2の前駆体流を調整するように動作可能な、第2の制御可能なパルス弁と、
を備え、
前記原子層堆積装置は、プラズマ強化原子層堆積サイクル、または熱原子層堆積サイクルを行うように動作可能であり、
前記プラズマ強化原子層堆積サイクルを行うとき、前記原子層堆積装置は、前記プラズマ発生器が動作されて前記第2の前駆体を励起し、前記第1の流出物のみが前記トラップを通して除去されるように構成され、
熱原子層堆積サイクルを行うとき、前記原子層堆積装置は、前記プラズマ発生器が動作されず前記第1の前駆体又は前記第2の前駆体のいずれも前記プラズマ発生器によって励起されず、前記第1の流出物及び前記第2の流出物の両方が前記ALDトラップを通して除去されるように構成されている、請求項14に記載の原子層堆積装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361909121P | 2013-11-26 | 2013-11-26 | |
US61/909,121 | 2013-11-26 | ||
PCT/US2014/066916 WO2015080979A1 (en) | 2013-11-26 | 2014-11-21 | Improved plasma enhanced ald system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016540124A JP2016540124A (ja) | 2016-12-22 |
JP2016540124A5 JP2016540124A5 (ja) | 2017-06-08 |
JP6195671B2 true JP6195671B2 (ja) | 2017-09-13 |
Family
ID=53199572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016534194A Expired - Fee Related JP6195671B2 (ja) | 2013-11-26 | 2014-11-21 | 改善されたプラズマ強化aldシステム |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10351950B2 (ja) |
JP (1) | JP6195671B2 (ja) |
KR (1) | KR101733370B1 (ja) |
CN (1) | CN105992836B (ja) |
DE (1) | DE112014005386B4 (ja) |
FI (2) | FI128223B (ja) |
GB (1) | GB2538167B (ja) |
SG (1) | SG11201603347WA (ja) |
TW (1) | TWI588286B (ja) |
WO (1) | WO2015080979A1 (ja) |
Families Citing this family (292)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
WO2016182648A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling a processing system |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US20170241019A1 (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-24 | Ultratech, Inc. | Pe-ald methods with reduced quartz-based contamination |
US20170260629A1 (en) | 2016-03-08 | 2017-09-14 | Ultratech, Inc. | Quartz crystal microbalance assembly for ALD systems |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
FI127503B (en) * | 2016-06-30 | 2018-07-31 | Beneq Oy | Method of coating a substrate and device |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
KR102659195B1 (ko) | 2016-07-11 | 2024-04-19 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 Li 기반의 박막 형성방법 |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
CN109804240A (zh) * | 2016-10-05 | 2019-05-24 | 豪夫迈·罗氏有限公司 | 用于多分析物诊断测试元件的检测试剂和电极布置以及其使用方法 |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
TWI671792B (zh) | 2016-12-19 | 2019-09-11 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 基板處理設備 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
EP3574126A4 (en) | 2017-01-27 | 2020-10-28 | Veeco Instruments Inc. | TIGHTENING SYSTEMS AND METHODS WITH IMPROVED ELECTRICAL INSULATION FOR SUBSTRATE POLARIZED ALD |
US10655221B2 (en) * | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
US9984869B1 (en) * | 2017-04-17 | 2018-05-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method of plasma-assisted cyclic deposition using ramp-down flow of reactant gas |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
JP6811146B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給系を検査する方法 |
JP6811147B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給系を検査する方法 |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
JP6902991B2 (ja) * | 2017-12-19 | 2021-07-14 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
CN111670265A (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-15 | 朗姆研究公司 | 用于多前体的歧管阀 |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
JP6946248B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2021-10-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
CN109609931B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-05-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 原子层沉积装置及方法 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
KR102334472B1 (ko) | 2019-05-30 | 2021-12-03 | 주식회사 지에스티에스 | 원자층 증착을 위한 다이아프램 밸브의 응답 산출 장치 |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
DE102022102768A1 (de) | 2022-02-07 | 2023-08-10 | Stephan Wege | Symmetrischer Prozessreaktor |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3287730B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 混入物の除去装置、これを用いた処理装置の真空排気系及びそのメンテナンス方法 |
JP3544604B2 (ja) * | 1996-12-16 | 2004-07-21 | 株式会社荏原製作所 | 切替式トラップ装置 |
US6099649A (en) * | 1997-12-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal |
US6197119B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
US6354241B1 (en) * | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
JP4113755B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2008-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2004305950A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 排気トラップ、排気トラップのクリーニング方法、及び、反応処理装置 |
JP2006524752A (ja) * | 2003-04-23 | 2006-11-02 | ジーナス インコーポレーテッド | Ald内の未使用前駆体の収集 |
CN1788106B (zh) * | 2003-05-13 | 2011-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 使用原料气体和反应性气体的处理装置 |
CN100554505C (zh) * | 2004-06-28 | 2009-10-28 | 剑桥纳米科技公司 | 气相沉积系统和方法 |
DE602005016933D1 (de) * | 2004-06-28 | 2009-11-12 | Cambridge Nanotech Inc | Atomlagenabscheidungssystem und -verfahren |
US7455720B2 (en) * | 2005-02-16 | 2008-11-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems |
US8679287B2 (en) * | 2005-05-23 | 2014-03-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for preventing ALD reactants from damaging vacuum pumps |
US20060276049A1 (en) | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Bailey Christopher M | High efficiency trap for deposition process |
JP5036354B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法 |
JP2008288281A (ja) | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP2009020548A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Brother Ind Ltd | コンテンツ配信システム、閲覧端末およびコンテンツ配信要求制御プログラム |
KR20110081840A (ko) * | 2008-10-06 | 2011-07-14 | 버전스 엔터테인먼트 엘엘씨, 어 캘리포니아 리미티드 라이어빌러티 컴퍼니 | 아바타들을 음악적으로 상호작용하게 하는 시스템 |
JP2010141248A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
US20100183825A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-22 | Cambridge Nanotech Inc. | Plasma atomic layer deposition system and method |
WO2011026064A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | The Penn State Research Foundation | Improved plasma enhanced atomic layer deposition process |
JP2011181681A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積方法及び原子層堆積装置 |
JP2012126977A (ja) | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
-
2014
- 2014-11-20 TW TW103140214A patent/TWI588286B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-11-21 JP JP2016534194A patent/JP6195671B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-21 FI FI20165435A patent/FI128223B/en not_active IP Right Cessation
- 2014-11-21 CN CN201480064498.6A patent/CN105992836B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-21 WO PCT/US2014/066916 patent/WO2015080979A1/en active Application Filing
- 2014-11-21 SG SG11201603347WA patent/SG11201603347WA/en unknown
- 2014-11-21 US US15/033,071 patent/US10351950B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-21 FI FI20195228A patent/FI20195228A1/en not_active IP Right Cessation
- 2014-11-21 DE DE112014005386.4T patent/DE112014005386B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-21 KR KR1020167013788A patent/KR101733370B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-21 GB GB1607549.1A patent/GB2538167B/en not_active Expired - Fee Related
-
2019
- 2019-06-03 US US16/429,850 patent/US20190284689A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112014005386T5 (de) | 2016-08-18 |
FI128223B (en) | 2019-12-31 |
KR20160089375A (ko) | 2016-07-27 |
GB2538167B (en) | 2017-11-29 |
TW201527582A (zh) | 2015-07-16 |
JP2016540124A (ja) | 2016-12-22 |
DE112014005386B4 (de) | 2018-12-20 |
TWI588286B (zh) | 2017-06-21 |
WO2015080979A1 (en) | 2015-06-04 |
FI20195228A1 (en) | 2019-03-26 |
GB2538167A (en) | 2016-11-09 |
CN105992836A (zh) | 2016-10-05 |
GB201607549D0 (en) | 2016-06-15 |
US20160281223A1 (en) | 2016-09-29 |
US10351950B2 (en) | 2019-07-16 |
SG11201603347WA (en) | 2016-05-30 |
KR101733370B1 (ko) | 2017-05-08 |
US20190284689A1 (en) | 2019-09-19 |
FI20165435A (fi) | 2016-05-25 |
CN105992836B (zh) | 2018-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6195671B2 (ja) | 改善されたプラズマ強化aldシステム | |
US11377732B2 (en) | Reactant vaporizer and related systems and methods | |
JP4397188B2 (ja) | 気化液体反応物のパルス的供給の方法および装置 | |
US10366898B2 (en) | Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) | |
US20050000428A1 (en) | Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant | |
US20100266765A1 (en) | Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate | |
US20230383404A1 (en) | Ald apparatus, method and valve | |
US20100221426A1 (en) | Web Substrate Deposition System | |
KR20140144243A (ko) | 원자층 증착 방법 및 장치 | |
US20200385858A1 (en) | Coating of fluid-permeable materials | |
KR20220019244A (ko) | 다공성 입구 | |
JP7538189B2 (ja) | 前駆体容器 | |
FI129369B (en) | Substrate processing equipment and process | |
KR20240018235A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP2004119486A (ja) | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170424 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170424 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170531 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6195671 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |